CN113189812B - 彩色滤光层制作方法、相关基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种彩色滤光层制作方法、彩膜基板制作方法、阵列基板制作方法、彩膜基板及阵列基板，其中彩色滤光层制作方法包括：步骤S111、将共用掩模板向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第四光刻胶上。本申请采用将共用掩模板向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距的距离的步骤替代了将共用掩模板向第一色阻块的靠近第二色阻块的一侧移动三个像素间距的距离的步骤，防止了共用掩模板的边缘与光刻机的曝光区域的边缘之间的间距小于200微米，从而解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作彩色滤光层的方法容易导致标记误抓、曝光错误的问题。

Description

彩色滤光层制作方法、相关基板及其制作方法
技术领域
本申请属于显示面板技术领域，更具体地说，是涉及一种彩色滤光层制作方法、彩膜基板制作方法、阵列基板制作方法、彩膜基板及阵列基板。
背景技术
随着信息时代的飞速发展，显示装置在信息技术的发展过程中占据了十分重要的地位，各类仪器仪表上的显示屏为人们的日常生活和工作提供着大量的信息，可以说没有显示装置就不会有当今飞速发展的信息技术。TFT-LCD(Thin film transistor-liquidcrystal display，薄膜晶体管液晶显示屏)因亮度好、对比度高、层次感强、颜色鲜艳、制作简单、性能稳定等特点，被广泛应用到人们的生活和工作中。
TFT-LCD要实现不同色彩显示，需要在彩膜基板或阵列基板上制作彩色滤光层，通过彩色滤光层将背光模组发出的光转变为红、绿、篮、白等不同颜色的光；在制作彩色滤光层的过程中通常需要使用多张掩模板(Mask)，其中红、绿、篮、白四个标准色各需要一张，这样会导致生产成本提高，而由于在同一张彩膜基板或阵列基板上红、绿、篮、白四种色阻块的结构和面积是可以一致的，因此目前彩色滤光层的制作可以采用红、绿、篮、白四种颜色共用一张掩模板的方式来实现，其具体的制作过程是：先在玻璃基板上涂布红色光刻胶，接着利用共用掩模板曝光显影制作出红色色阻块，接着在玻璃基板上涂布绿色光刻胶，接着将共用掩模板向红色色阻块的一侧移动一个像素间距，接着利用共用掩模板曝光显影制作出绿色色阻块，接着在玻璃基板上涂布蓝色光刻胶，接着将共用掩模板向绿色色阻块的远离红色色阻块的一侧移动一个像素间距，接着利用共用掩模板曝光显影制作出蓝色色阻块，然后在玻璃基板上涂布白色光刻胶，接着将共用掩模板向蓝色色阻块的远离绿色色阻块的一侧移动一个像素间距，最后利用共用掩模板曝光显影制作出白色色阻块，完成彩色滤光层的制作；然而当共用掩模板向同一侧依序偏移三个像素间距后，容易出现共用掩模板的边缘与光刻机的曝光区域的边缘之间的间距小于200微米的情况，导致共用掩模板的透光量不足，出现标记(Mark)误抓，造成曝光错误。
发明内容
本申请的目的在于提供一种彩色滤光层制作方法、彩膜基板制作方法、阵列基板制作方法、彩膜基板及阵列基板，其包括但不限于解决现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作彩色滤光层的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题。
本申请是这样实现的，提供了一种彩色滤光层制作方法，包括以下步骤：
S110、在依次排列有第一色阻块、第二色阻块和第三色阻块的衬底上涂布第四光刻胶；
S111、将共用掩模板向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第四光刻胶上；
S112、进行显影工艺，将被射线照射到的第四光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第四色阻块。
在一个实施例中，所述彩色滤光层制作方法还包括以下步骤：
S101、在衬底上涂布第一光刻胶；
S102、进行曝光工艺，将共用掩模板上的图案转印到第一光刻胶上；
S103、进行显影工艺，将被射线照射到的第一光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第一色阻块；
S104、在衬底上涂布第二光刻胶；
S105、将共用掩模板向第一色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第二光刻胶上；
S106、进行显影工艺，将被射线照射到的第二光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第二色阻块；
S107、在衬底上涂布第三光刻胶；
S108、将共用掩模板向第二色阻块的远离第一色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第三光刻胶上；
S109、进行显影工艺，将被射线照射到的第三光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第三色阻块。
在一个实施例中，所述共用掩模板包括多个基础图案和一个预留图案，多个所述基础图案用于满足所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块的制作需求，所述预留图案用于确保有效使用区域内的所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块依序循环排列。
本申请还提供了一种彩膜基板制作方法，包括以下步骤：
S201、在衬底上涂布黑矩阵材料；
S202、进行曝光工艺，将黑矩阵掩模板上的图案转印到黑矩阵材料上；
S203、进行显影工艺，将没有被射线照射到的黑矩阵材料溶解到显影液中，并在衬底上形成黑矩阵；
S204、采用上述彩色滤光层制作方法在黑矩阵上制作彩色滤光层。
在一个实施例中，所述彩膜基板制作方法还包括以下步骤：
S205、在衬底上涂布绝缘材料；
S206、将绝缘材料加热固化，形成平坦层；
S207、在平坦层上沉积氧化铟锡膜，形成透明导电电极。
在一个实施例中，所述彩膜基板制作方法还包括以下步骤：
S208、在平坦层上涂布间隔物材料；
S209、进行曝光工艺，将间隔物掩模板上的图案转印到间隔物材料上；
S210、进行显影工艺，将没有被射线照射到的间隔物材料溶解到显影液中，并在平坦层上形成间隔物。
本申请还提供了一种阵列基板制作方法，包括以下步骤：
S301、在衬底上沉积薄膜；
S302、采用上述彩色滤光层制作方法在薄膜上制作光刻胶图案；
其中，用同一种颜色的光刻胶替代第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶和第四光刻胶。
在一个实施例中，所述阵列基板制作方法还包括以下步骤：
S303、进行湿法或干法刻蚀，将没有光刻胶保护的区域的薄膜刻蚀掉；
S304、将光刻胶剥离，在薄膜上形成与光刻胶图案一致的阵列图形。
本申请还提供了一种彩膜基板，采用上述彩膜基板制作方法制作完成，所述彩膜基板包括衬底、黑矩阵、彩色滤光层、平坦层、透明导电电极和间隔物，所述黑矩阵和所述彩色滤光层设于所述衬底和所述平坦层之间，所述透明导电电极和所述间隔物设于所述平坦层上。
本申请还提供了一种阵列基板，采用上述阵列基板制作方法制作完成，所述阵列基板包括衬底和薄膜，所述薄膜沉积于所述衬底上，且所述薄膜上形成有阵列图形。
本申请提供的彩色滤光层制作方法、彩膜基板制作方法、阵列基板制作方法、彩膜基板及阵列基板的有益效果在于：采用将共用掩模板向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距的距离的步骤替代了将共用掩模板向第一色阻块的靠近第二色阻块的一侧移动三个像素间距的距离的步骤，防止了共用掩模板向同一侧移动三个像素间距的距离导致共用掩模板的边缘与光刻机的曝光区域的边缘之间的间距小于200微米，从而有效地解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作彩色滤光层的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题，有利于提升产品的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的彩色滤光层制作方法的制作过程示意图；
图2为本申请实施例提供的彩色滤光层的局部结构示意图；
图3为本申请实施例提供的彩色滤光层制作方法的工艺流程图；
图4为本申请实施例提供的彩膜基板制作方法的工艺流程图；
图5为本申请实施例提供的阵列基板制作方法的工艺流程图。
其中，图中各附图标记：
1—第一色阻块、2—第二色阻块、3—第三色阻块、4—第四色阻块、10—彩色滤光层、11—基础色阻块组、12—预留色阻块组、20—有效使用区域、100—共用掩模板、200—光刻机的曝光区域、300—基准点、P—像素间距、X—共用掩模板的边缘与光刻机的曝光区域的边缘之间的间距。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需说明的是：当部件被称为“固定在”或“设置在”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接在”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。术语“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请参阅图1、图2和图3，本申请提供的彩色滤光层制作方法包括以下步骤：
S110、在依次排列有第一色阻块1、第二色阻块2和第三色阻块3的衬底上涂布第四光刻胶；
S111、将共用掩模板100向第一色阻块1的远离第二色阻块2的一侧移动一个像素间距P的距离，进行曝光工艺，并且将共用掩模板100上的图案转印到第四光刻胶上；
S112、进行显影工艺，将被射线照射到的第四光刻胶溶解到显影液中，并且在衬底上形成第四色阻块4。
在一个实施例中，彩色滤光层制作方法还包括以下步骤：
S101、在衬底上涂布第一光刻胶；
S102、进行曝光工艺，将共用掩模板100上的图案转印到第一光刻胶上；
S103、进行显影工艺，将被射线照射到的第一光刻胶溶解到显影液中，并且在衬底上形成第一色阻块1；
S104、在衬底上涂布第二光刻胶；
S105、将共用掩模板100向第一色阻块1的一侧移动一个像素间距P的距离，进行曝光工艺，并且将共用掩模板100上的图案转印到第二光刻胶上；
S106、进行显影工艺，将被射线照射到的第二光刻胶溶解到显影液中，并且在衬底上形成第二色阻块2；
S107、在衬底上涂布第三光刻胶；
S108、将共用掩模板100向第二色阻块2的远离第一色阻块1的一侧移动一个像素间距P的距离，进行曝光工艺，并且将共用掩模板100上的图案转印到第三光刻胶上；
S109、进行显影工艺，将被射线照射到的第三光刻胶溶解到显影液中，并且在衬底上形成第三色阻块3。
可以理解的是，在本申请中，衬底可以是玻璃基板或聚酰亚胺膜等；射线是紫外光、电子束、离子束和X射线中的任一种；第一光刻胶可以是红色光刻胶或其它颜色的光刻胶，第二光刻胶可以是绿色光刻胶或其它颜色的光刻胶，第三光刻胶可以是蓝色光刻胶或其它颜色的光刻胶，第四光刻胶可以是白色光刻胶或其它颜色的光刻胶，要视具体的情况和需求而定。
具体地，在衬底上制作彩色滤光层时，需要先将衬底清洗干净，接着在衬底的表面涂布一层第一光刻胶，接着将该衬底放置在光刻机上，并且使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着在衬底上标出基准点300，接着将共用掩模板100放置在衬底的上方，并且使共用掩模板100的中心与基准点300对准，接着进行曝光将共用掩模板100上的图案转印到第一光刻胶上，接着采用显影液将被射线照射到的第一光刻胶溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成第一色阻块1；接着将衬底从光刻机上取下，并且在衬底的覆盖有第一色阻块1的表面涂布一层第二光刻胶，接着将该衬底放置在光刻机上，并且使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着将共用掩模板100放置在衬底的上方，并且使共用掩模板100的中心与基准点300对准，接着如图1所示，将共用掩模板100向基准点300的右侧(即第一色阻块1的一侧)偏移一个像素间距P的距离，接着进行曝光将共用掩模板100上的图案转印到第二光刻胶上，接着采用显影液将被射线照射到的第二光刻胶溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成第二色阻块2；接着将衬底从光刻机上取下，并且在衬底的覆盖有第一色阻块1和第二色阻块2的表面涂布一层第三光刻胶，接着将该衬底放置在光刻机上，并且使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着将共用掩模板100放置在衬底的上方，并且使共用掩模板100的中心与基准点300对准，接着如图1所示，将共用掩模板100向基准点300的右侧偏移两个像素间距P的距离，此时共用掩模板100的右侧边缘与光刻机的曝光区域200的右侧边缘之间的间距X≥200微米，接着进行曝光将共用掩模板100上的图案转印到第三光刻胶上，接着采用显影液将被射线照射到的第三光刻胶溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成第三色阻块3；接着将衬底从光刻机上取下，并且在衬底的覆盖有第一色阻块1、第二色阻块2和第三色阻块3的表面涂布一层第四光刻胶，接着将该衬底放置在光刻机上，并且使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着将共用掩模板100放置在衬底的上方，并且使共用掩模板100的中心与基准点300对准，接着如图1所示，将共用掩模板100向基准点300的左侧(即第一色阻块1的远离第二色阻块2一侧)偏移一个像素间距P的距离，接着进行曝光将共用掩模板100上的图案转印到第四光刻胶上，接着采用显影液将被射线照射到的第四光刻胶溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成第四色阻块4，完成彩色滤光层10的制作。可以理解的是，基准点300位于光刻机的曝光区域200的中心处。
本申请提供的彩色滤光层制作方法，在最后一道光刻工艺中，采用将共用掩模板100向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距P的距离的步骤替代了将共用掩模板100向第一色阻块的靠近第二色阻块的一侧移动三个像素间距P的距离的步骤，防止了共用掩模板100向同一侧移动三个像素间距P的距离导致共用掩模板100的边缘与光刻机的曝光区域200的边缘之间的间距X小于200微米，从而有效地解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作彩色滤光层的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题，有利于提升彩色滤光层制作的良品率。
在本申请的一个实施例中，请参阅图2，共用掩模板100包括多个基础图案和一个预留图案，多个基础图案用于满足第一色阻块1、第二色阻块2、第三色阻块3和第四色阻块4的制作需求，预留图案用于确保有效使用区域20内的第一色阻块1、第二色阻块2、第三色阻块3和第四色阻块4依序循环排列。具体地，预留图案位于多个基础图案的一侧，图2中基础色阻块组11是由共用掩模板100上的多个基础图案转印制成，而预留色阻块组12是由共用掩模板100上的预留图案转印制成，即采用上述彩色滤光层制作方法制作出来的彩色滤光层10，其四种色阻块的排列顺序是第四色阻块4、第一色阻块1、第二色阻块2、第三色阻块3、第四色阻块4……第三色阻块3，但在实际使用时，有效使用区域20需要的排列顺序是：第一色阻块1、第二色阻块2、第三色阻块3、第四色阻块4、第一色阻块1……第四色阻块4，如果没有预留色阻块组12，有效使用区域20内就会少一组第四色阻块4，从而导致在一张衬底上会出现至少一个残次品，而在共用掩模板100增加一个预留图案，就可以避免因有效使用区域20内缺少一组第四色阻块4导致残次品的情况出现，进而使得彩色滤光层10的利用率最大化。
请参阅图2和图4，本申请提供的彩膜基板制作方法包括以下步骤：
S201、在衬底上涂布黑矩阵材料；
S202、进行曝光工艺，将黑矩阵掩模板上的图案转印到黑矩阵材料上；
S203、进行显影工艺，将没有被射线照射到的黑矩阵材料溶解到显影液中，并且在衬底上形成黑矩阵；
S204、采用上述彩色滤光层制作方法在黑矩阵上制作彩色滤光层10。
具体地，在制作彩膜基板时，需要先将衬底清洗干净，接着在衬底上涂布一层黑矩阵材料，接着将该衬底放置在光刻机上，并且如图1所示，使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着将黑矩阵掩模板放置在衬底的上方，接着进行曝光将黑矩阵掩模板上的图案转印到黑矩阵材料上，接着采用显影液将没有被射线照射到的黑矩阵材料溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成黑矩阵(BM)，接着找出黑矩阵的中心，并且将该中心标示为基准点300，接着在衬底的覆盖有黑矩阵的表面涂布一层第一光刻胶，接着将该衬底放置在光刻机上，并且使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着将共用掩模板100放置在衬底的上方，并且使共用掩模板100的中心与基准点300对准，接着进行曝光将共用掩模板100上的图案转印到第一光刻胶上，接着采用显影液将被射线照射到的第一光刻胶溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成第一色阻块1，然后继续步骤S104至步骤S112，完成彩色滤光层10的制作。
本申请提供的彩膜基板制作方法，采用了彩色滤光层制作方法，有效地解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作彩色滤光层的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题，有利于提升彩膜基板制作的良品率。
在本申请的一个实施例中，请参阅图4，彩膜基板制作方法还包括以下步骤：
S205、在衬底上涂布绝缘材料；
S206、将绝缘材料加热固化，形成平坦层；
S207、在平坦层上沉积氧化铟锡膜，形成透明导电电极。
即在完成彩色滤光层10制作的衬底上涂布一层绝缘材料(OC)，使绝缘材料覆盖黑矩阵和彩色滤光层10，再对绝缘材料进行加热，使其固化后，形成平坦层，从而实现彩膜基板的平坦化效果。并且采用溅射法在平坦层的表面沉积一层氧化铟锡膜(ITO)，从而在平坦层上形成一层透明导电电极。该透明导电电极可以作为TN模式彩膜基板的透明导电电极。
在本申请的一个实施例中，请参阅图4，彩膜基板制作方法还包括以下步骤：
S208、在平坦层上涂布间隔物材料(PS)；
S209、进行曝光工艺，将间隔物掩模板上的图案转印到间隔物材料上；
S210、进行显影工艺，将没有被射线照射到的间隔物材料溶解到显影液中，并且在平坦层上形成间隔物。
从而在彩膜基板上制作出多个间隔物，当彩膜基板与阵列基板贴合后，多个间隔物的远离平坦层的一端与阵列基板抵接，使彩膜基板和阵列基板之间形成稳定、均匀的间隙，便于液晶填充。
请参阅图5，本申请提供的阵列基板制作方法包括以下步骤：
S301、在衬底上沉积薄膜；
S302、采用上述彩色滤光层制作方法在薄膜上制作光刻胶图案；
其中，用同一种颜色的光刻胶替代第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶和第四光刻胶。
具体地，在制作阵列基板时，先在衬底上用溅射法沉积导电薄膜和用等离子体增强化学气相法沉积功能薄膜，即步骤S301中的薄膜包括一层导电薄膜和一层功能薄膜，接着将衬底和薄膜清洗干净，在薄膜的表面涂布一层光刻胶，接着将该衬底放置在光刻机上，并且如图1所示，使衬底的位置与光刻机曝光区域200的位置对准，接着将共用掩模板100放置在衬底的上方，并且使共用掩模板100的中心与基准点300对准，接着进行曝光将共用掩模板100上的图案转印到光刻胶上，接着采用显影液将被射线照射到的光刻胶溶解，并且将显影液清洗干净后，在衬底上形成第一光刻胶图案，然后继续步骤S104至步骤S112，并且将第二光刻胶、第三光刻胶和第四光刻胶替换成与制作出第一光刻胶图案一致的光刻胶，制作出第二光刻胶图案、第三光刻胶图案和第四光刻胶图案，完成光刻胶图案的制作。
本申请提供的阵列基板制作方法，采用了彩色滤光层制作方法来制作光刻胶图案，有效地解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作光刻胶图案的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题，有利于提升阵列基板制作的良品率。
在本申请的一个实施例中，请参阅图5，阵列基板制作方法还包括以下步骤：
S303、进行湿法或干法刻蚀，将没有光刻胶保护的区域的薄膜刻蚀掉；
S304、将光刻胶剥离，在薄膜上形成与光刻胶图案一致的阵列图形。
即采用湿刻蚀法或干刻蚀法将薄膜的没有被光刻胶保护的区域刻蚀除去，然后在采用剥离液把形成光刻胶图案的光刻胶溶解，从而在薄膜上形成与光刻胶图案一致的阵列图形，完成阵列基板的制作。
本申请还提供了一种彩膜基板，是采用上述彩膜基板制作方法制作完成，具体地，彩膜基板包括衬底、黑矩阵、彩色滤光层、平坦层、透明导电电极和间隔物，其中，黑矩阵和彩色滤光层设置在衬底和平坦层之间，透明导电电极和间隔物设置在平坦层上。
本申请提供的彩膜基板，采用彩膜基板制作方法制作完成，有效地解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作彩色滤光层的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题，有利于提升彩膜基板的良品率。
本申请还提供了一种阵列基板，是采用上述阵列基板制作方法制作完成，具体地，阵列基板包括衬底和薄膜，其中，薄膜沉积在衬底上，并且在薄膜上形成有阵列图形。
本申请提供的阵列基板，采用阵列基板制作方法制作完成，有效地解决了现有的采用共用掩模板向同一侧依序偏移来制作光刻胶图案的方法容易导致标记误抓、曝光错误的技术问题，有利于提升阵列基板的良品率。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种彩色滤光层制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S110、在依次排列有第一色阻块、第二色阻块和第三色阻块的衬底上涂布第四光刻胶；其中，先制作第一色阻块，再在第一色阻块的同一侧依次制作第二色阻块和第三色阻块；
S111、将共用掩模板向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第四光刻胶上；
S112、进行显影工艺，将被射线照射到的第四光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第四色阻块。
2.如权利要求1所述的彩色滤光层制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
S101、在衬底上涂布第一光刻胶；
S102、进行曝光工艺，将共用掩模板上的图案转印到第一光刻胶上；
S103、进行显影工艺，将被射线照射到的第一光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第一色阻块；
S104、在衬底上涂布第二光刻胶；
S105、将共用掩模板向第一色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第二光刻胶上；
S106、进行显影工艺，将被射线照射到的第二光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第二色阻块；
S107、在衬底上涂布第三光刻胶；
S108、将共用掩模板向第二色阻块的远离第一色阻块的一侧移动一个像素间距的距离，进行曝光工艺，并将共用掩模板上的图案转印到第三光刻胶上；
S109、进行显影工艺，将被射线照射到的第三光刻胶溶解到显影液中，并在衬底上形成第三色阻块。
3.如权利要求2所述的彩色滤光层制作方法，其特征在于，所述共用掩模板包括多个基础图案和一个预留图案，多个所述基础图案用于满足所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块的制作需求，所述预留图案用于确保有效使用区域内的所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块依序循环排列。
4.一种彩膜基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S201、在衬底上涂布黑矩阵材料；
S202、进行曝光工艺，将黑矩阵掩模板上的图案转印到黑矩阵材料上；
S203、进行显影工艺，将没有被射线照射到的黑矩阵材料溶解到显影液中，并在衬底上形成黑矩阵；
S204、采用权利要求1至3任一项所述的彩色滤光层制作方法在黑矩阵上制作彩色滤光层。
5.如权利要求4所述的彩膜基板制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
S205、在衬底上涂布绝缘材料；
S206、将绝缘材料加热固化，形成平坦层；
S207、在平坦层上沉积氧化铟锡膜，形成透明导电电极。
6.如权利要求5所述的彩膜基板制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
S208、在平坦层上涂布间隔物材料；
S209、进行曝光工艺，将间隔物掩模板上的图案转印到间隔物材料上；
S210、进行显影工艺，将没有被射线照射到的间隔物材料溶解到显影液中，并在平坦层上形成间隔物。
7.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S301、在衬底上沉积薄膜；
S302、采用权利要求1至3任一项所述的彩色滤光层制作方法在薄膜上制作光刻胶图案；
其中，用同一种颜色的光刻胶替代第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶和第四光刻胶。
8.如权利要求7所述的阵列基板制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
S303、进行湿法或干法刻蚀，将没有光刻胶保护的区域的薄膜刻蚀掉；
S304、将光刻胶剥离，在薄膜上形成与光刻胶图案一致的阵列图形。
9.一种彩膜基板，其特征在于，采用权利要求6所述的彩膜基板制作方法制作完成，所述彩膜基板包括衬底、黑矩阵、彩色滤光层、平坦层、透明导电电极和间隔物，所述黑矩阵和所述彩色滤光层设于所述衬底和所述平坦层之间，所述透明导电电极和所述间隔物设于所述平坦层上。
10.一种阵列基板，其特征在于，采用权利要求8所述的阵列基板制作方法制作完成，所述阵列基板包括衬底和薄膜，所述薄膜沉积于所述衬底上，且所述薄膜上形成有阵列图形。
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