CN113140530A - 包括连接到流体热沉的半导体封装的电子模块 - Google Patents

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E·菲尔古特
D·基奥拉
M·格鲁贝尔
W·哈布莱
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Infineon Technologies Austria AG
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Abstract

一种电子模块(100)包括半导体封装(10)，所述半导体封装(10)包括管芯载体(11)、设置在管芯载体(11)上的半导体管芯(12)、连接到半导体管芯(12)的至少一个电导体(13)、以及覆盖管芯载体(11)、半导体管芯(12)、和电导体(13)的包封体(14)，使得电导体(13)的一部分延伸到包封体(14)的外部，并且模块(100)还包括内插件层(20)以及冷却介质可以流动通过其的热沉(30)，其中，半导体封装(10)设置在内插件层(20)上，其中，内插件层(20)设置在热沉(30)上。

Description

包括连接到流体热沉的半导体封装的电子模块
技术领域
本公开涉及包括连接到流体热沉的半导体封装的电子模块。
背景技术
功率密度增大是功率半导体市场内的主要趋势。像不间断电源(UPS)的传统应用或像电动车辆(EV)充电的新兴应用基于模块化的方法：低功率、标准大小和占有面积的单一模块串联连接，以放大最终系统的输出功率。因此，一种增大系统输出功率的成本有效的方式是增大单个模块的功率密度。
目前，典型的半导体功率模块是在半导体裸露管芯组件的基础上构造的，这常常伴随着如高开发工作量和有限灵活性的问题。因此，本公开的目的是降低开发工作量并且增加构建半导体功率模块的灵活性。
发明内容
本公开的一方面涉及电子模块，所述电子模块包括半导体封装，所述半导体封装包括管芯载体、设置在管芯载体上的半导体管芯、连接到半导体管芯的至少一个电导体，以及覆盖管芯载体、半导体管芯、和电导体的包封体，使得电导体的一部分延伸到包封体的外部，电子模块还包括内插件层以及冷却介质可以流动通过其的热沉，其中，半导体封装设置在内插件层上，其中，内插件层设置在热沉上。
附图说明
附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了实施例，并且与描述一起用于解释实施例的原理。其他实施例和实施例的许多预期优点将容易理解，因为通过参考以下具体实施方式，它们变得更好理解。
附图的元件未必相对于彼此成比例。类似附图标记指定对应的类似部分。
图1示出了根据本公开的电子模块的示例的截面侧视图表示，该电子模块包括布置在流体热沉上的单一半导体封装。
图2包括图2A至图2D，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子封装包括布置在流体热沉的一侧上的多个半导体封装，该流体热沉在顶部和底部上包括控制板。
图3包括图3A至图3E，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子模块包括布置在流体热沉的两个相对侧上的多个半导体封装，该流体热沉在顶部和底部上包括控制板。
图4包括图4A至图4D，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子模块包括布置在铝流体热沉上的多个半导体封装，该铝流体热沉在顶部上具有嵌入式隔离器和控制板。
图5包括图5A至图5D，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子模块包括布置在流体热沉上的多个半导体封装，该流体热沉包括用于控制单元和树脂浇铸的安装框架。
图6包括图6A至图6D，并且示出了由多个电子子模块的组件组成的完整系统的制造，多个电子子模块中的每一个包括布置在流体热沉的一侧上的多个半导体封装，该组件在顶部上包括控制板。
图7包括图7A至图7C，并且再次示出了图2C的电子模块(A)以及可以用该电子模块实现的两种可能的电路构造或拓扑，即1相全桥电路(B)和3电平Vienna电路(C)。
具体实施方式
在以下具体实施方式中，参考形成其一部分的附图，并且在附图中通过说明的方式示出了其中可以实践本公开的具体实施例。在这方面，参考所描述(一个或多个)附图的取向使用方向性术语，例如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“首”、“尾”等。因为实施例的部件可以以多个不同的取向来定位，所以方向性术语用于说明的目的，而绝非进行限制。应当理解，在不脱离本公开范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑的改变。因此，以下具体实施方式不应以限制性意义来理解，并且本公开的范围仅由所附权利要求限定。
应当理解，本文描述的各个示例性实施例的特征可以彼此组合，除非另外具体指出。
如本说明书所采用的，术语“接合”、“附接”、“连接”、“耦合”和/或“电连接/电耦合”并不意味着元件或层必须直接接触在一起；可以分别在“接合”、“附接”、“连接”、“耦合”和/或“电连接/电耦合”的元件之间提供居间的元件或层。然而，根据本公开，上述术语可以可选地还具有元件或层直接接触在一起的具体含义，即，在“接合”、“附接”、“连接”、“耦合”和/或“电连接/电耦合”的元件之间未分别提供居间的元件或层。
此外，关于形成在或位于表面“之上”的部分、元件、或材料层所使用的词语“之上”在本文中可以用于意指部分、元件、或材料层“间接地位于”(例如，放置、形成、沉积等)所暗示的表面“上”，其中，一个或多个附加的部分、元件、或层布置在所暗示的表面与部分、元件、或材料层之间。然而，关于形成在或位于表面“之上”的部分、元件、或材料层所使用的词语“之上”可选地还具有如下具体含义：部分、元件、或材料层“直接地位于”(例如，放置、形成、沉积等)所暗示的表面“上”，例如，与所暗示的表面直接接触。
具体实施方式
图1示出了根据本公开的电子模块的示例的截面侧视图表示。
图1的电子模块100包括半导体封装10，该半导体封装10包括管芯载体11、设置在管芯载体11上的半导体管芯12、连接到半导体管芯12的至少一个电导体13、以及覆盖管芯载体11、半导体管芯12、和电导体13的包封体14，使得管芯载体11的下部主面不被包封体14覆盖，并且电导体13的一部分延伸到包封体14的外部。电子模块100还包括内插件层20、以及冷却介质可以流动通过其的热沉30，其中，半导体封装10设置在内插件层20上，其中，内插件层20设置在热沉30上。管芯载体11可以是引线框架的一部分、隔离金属衬底(IMS)、直接铜接合部(DCB)、或活性金属钎焊部(AMB)中的任一种。
在图1中可以看出，电子模块100被配置成使得内插件层20部分地嵌入在热沉30的上部主面中。应当补充的是，也可以是这样的情况：内插件层20完全地嵌入在热沉30中，使得内插件层20的上部表面和热沉30的上部表面30共面。这样，不仅管芯载体11，而且内插件层20都可以通过将热量有效地消散到几乎周围的热沉30来充当散热器。
然而，应当补充的是，也可以是这样的情况：内插件层20根本不嵌入在热沉30中，而是附接到热沉30的上部表面，使得热沉30的上部表面与内插件层20的下部表面共面。
根据图1的电子模块100的示例，内插件层20是隔离金属衬底(IMS)、直接铜接合部(DCB)、或活性金属钎焊部(AMB)中的一种。
根据图1的电子模块100的示例，内插件层20被焊接、或烧结到热沉30上。根据其另外的示例，内插件层20被扩散焊接到热沉30上。根据另一示例，内插件层20通过使用导电胶，特别地使用银导电胶，连接到热沉30。
根据图1的电子模块100的示例，通过使用导电胶，特别地使用银导电胶，将半导体封装10焊接，特别地扩散焊接、或烧结到内插件层20上或连接到内插件层20。
根据图1的电子模块100的示例，在半导体封装10与内插件层20之间的焊料层或烧结层比10μm厚。
根据图1的电子模块100的示例，在内插件层20与热沉30之间的焊料层或烧结层比10μm薄。
根据图1的电子模块100的示例，在半导体封装10与内插件层20之间的焊料层或烧结层比在内插件层20与热沉30之间的焊料层或烧结层更厚。
根据图1的电子模块100的示例，半导体管芯11是宽带隙半导体管芯、SiC管芯、或GaN管芯中的一种或多种。
根据图1的电子模块100的示例，其中，半导体管芯11是半导体晶体管管芯、功率半导体晶体管管芯、功率IGBT管芯、功率MOSFET管芯、半导体二极管管芯、或半导体闸流管管芯中的一种或多种。
根据图1的电子模块100的示例，电子模块100还包括两个或更多个半导体封装。根据其示例，半导体封装本质上都是相同的，例如，它们全部包含相同的半导体晶体管管芯，特别地是开关。例如，两个半导体晶体管开关可以彼此串联或并联连接。根据其另一示例，半导体封装是不同的，例如，它们包含不同的晶体管管芯或开关，或者它们包含至少一个半导体晶体管管芯或开关、以及可以与半导体晶体管开关并联连接的至少一个半导体二极管管芯。
根据图1的电子模块100的示例，电子模块100还包括两个或更多个内插件层，其中，至少一个内插件层仅承载一个半导体封装，并且至少一个内插件层承载两个或更多个半导体封装。
根据图1的电子模块100的示例，半导体封装彼此连接以形成DC/DC电路、DC/AC电路、AC/DC电路、半桥电路、全桥电路、或Vienna整流器电路中的一种或多种。
根据图1的电子模块100的示例，半导体封装10是分立或标准化封装。这样的半导体封装通常仅包含少量半导体管芯，例如，1个或2个半导体管芯。这样的半导体管芯可以是例如两个串联连接的IGBT管芯、或一个IGBT管芯和并联连接的二极管管芯。
根据图1的电子模块100的示例，半导体封装10是TO封装、TO220封装、TO247封装、TO263封装、或D2PAK封装中的一种或多种。
根据图1的电子模块100的示例，热沉30包括第一主面和与第一主面相对的第二主面，其中，半导体封装仅设置在第一主面或第二主面中的一个上。
根据图1的电子模块100的示例，热沉30包括第一主面和与第一主面相对的第二主面，其中，半导体封装设置在第一主面和第二主面两者上。
根据图1的电子模块100的示例，冷却介质是液体冷却介质，特别地是水。特别地，在模块的开关功率将超过某个功率阈值时，将采用用水冷却。功率阈值通常位于约100kW，然而，也取决于特定电子模块的大小、结构、和特殊应用。
根据图1的电子模块100的示例，冷却介质是非导电的。
根据图1的电子模块100的示例，热沉30是导电的、非导电的、有机的、或无机的中的一种或多种。
根据图1的电子模块100的示例，管芯载体11比内插件层20更厚。
根据电子模块100的示例，使得管芯载体的下部主面不被包封体覆盖。图1中示出了这样的示例。然而，管芯载体的下部主面也可能被包封体覆盖。
根据电子模块100的示例，该电子模块还包括一个或多个控制板，该一个或多个控制板包括一个或多个控制器芯片，该一个或多个控制器芯片控制由半导体封装的半导体管芯构建的电子电路。特别地，控制器芯片可以是驱动半导体晶体管芯片的栅极的驱动器芯片。
根据电子模块100的示例，该电子模块还包括被配置成将模块连接到外部实体的连接器件。这些连接器件可以是例如WiFi模块或USB接口，并且它们可以被包括在一个或多个控制板中。
根据电子模块100的示例，该电子模块还包括另外的包封体，其可以设置在一个或多个半导体封装上。
图2包括图2A至图2D，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子封装包括布置在流体热沉的一侧上的多个半导体封装，该流体热沉在顶部上包括控制板。
图2A示出了中间产物的透视图，中间产物包括流体热沉230，三个内插件层220上设置到流体热沉230上。热沉230由中空平坦矩形体构成，中空平坦矩形体具有两个相对的主面和将两个主面彼此连接的四个侧面。热沉230在侧面中的一个中还包括入口端口230A和出口端口230B，用于液体介质(例如，水)流动通过热沉230。入口端口230A和出口端口230B可以连接到外部冷却电路。
图2B示出了在将半导体封装210施加到内插件层220上之后的中间产物。半导体封装210可以是例如TO220、TO247、TO263、D2PAK等类型。内插件层220被配置成使得它们中的一个比其他两个更大，使得它们中的一个可以在其上部主面上接纳两个半导体封装210，而其他两个较小的内插件层220可以分别仅接纳一个半导体封装210。稍后将示出，半导体封装210的半导体管芯可以互连以形成电子电路。
图2C示出了在热沉230的上部主面的四个拐角处施加安装柱231之后的中间产物。
图2D示出了在将控制板240固定到安装柱231之后的中间产物。控制板240可以包括一个或多个控制器芯片241，一个或多个控制器芯片241控制由半导体封装210的半导体管芯构建的电子电路。控制板240可以例如由印刷电路板(PCB)形成。
图3包括图3A至图3E，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子模块包括布置在流体热沉的两个相对侧上的多个半导体封装，该流体热沉在顶部和底部上包括控制板。
图3A和图3B示出了包括流体热沉330的中间产物的从上方和下方观察的透视图，流体热沉330由中空平坦矩形体构成，中空平坦矩形体具有两个相对的主面，以及将两个主面彼此连接的四个侧面。四个内插件层320设置在两个相对的主面的每一个上。热沉330在相对的侧面中还包括入口端口330A和出口端口330B，用于液体介质(例如，水)流动通过热沉330。入口端口330A和出口端口330B可以连接到外部冷却电路。
图3C和图3D再次示出了中间产物的从上方和下方观察的透视图，并且示出了在将半导体封装310上施加到内插件层320上之后的中间产物。半导体封装310可以是例如TO220、TO247、TO263、D2PAK等类型。在热沉330的两个相对的主面上，内插件层320被配置成使得它们中的一个比其他三个更大，使它们中的一个可以在其上部主面上接纳三个半导体封装310，而其他三个较小的内插件层320可以分别仅接纳一个半导体封装310。
图3E示出了在将两个控制板340固定到模块(在其每侧上各一个控制板)之后的中间产物。控制板340中的每一个可以包括一个或多个控制器芯片341，一个或多个控制器芯片341控制由半导体封装310的半导体管芯构建的电子电路。控制板340中的每一个可以例如由印刷电路板(PCB)形成。
图4包括图4A至图4D，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子模块包括布置在铝流体热沉上的多个半导体封装，该铝流体热沉具有嵌入式隔离器。
图4A示出了包括流体热沉430的中间产物的透视图。热沉430由铝或铝合金制成的中空平坦矩形体构成，中空平坦矩形体具有两个相对的主面和将两个主面彼此连接的四个侧面。热沉430在侧面中的一个中还包括入口端口430A和出口端口430B，用于液体介质(例如，水)流动通过热沉430。入口端口430A和出口430B可以连接到外部冷却电路。在热沉430的上部主面上，设置隔离器层450。隔离器层450可以由陶瓷材料制成，并且隔离器层450可以嵌入在热沉430的上部主面中。
图4B示出了在将四个内插件层420设置到隔离器层450上之后的中间产物。
图4C示出了在将半导体封装410施加到内插件层420上之后的中间产物。内插件层420可以被配置成使得它们中的一个比其他三个更大，使它们中的一个可以在其上部主面上接纳三个半导体封装410，而其他三个较小的内插件层420可以分别仅接纳一个半导体封装410。
图4D示出了在将控制板440固定到热沉430之后的中间产物。控制板440可以包括一个或多个控制器芯片441，一个或多个控制器芯片441控制由半导体封装410的半导体管芯构建的电子电路。控制板440可以例如由印刷电路板(PCB)形成。
图5包括图5A至图5D，并且示出了电子模块的示例的组件，该电子模块包括布置在流体热沉上的多个半导体封装，该流体热沉包括用于控制单元和树脂浇铸的安装框架。
图5A示出了从包括流体散热器530的中间产物的上方观察的透视图，流体热沉530由中空平坦矩形体构成，中空平坦矩形体具有两个相对的主面，以及将两个主面彼此连接的四个侧面。在热沉530的上部主面上，设置四个内插件层520。热沉530在相对的侧面中还包括入口端口530A和出口端口530B，用于液体介质(例如，水)流动通过热沉530。入口端口530A和出口端口530B可以连接到外部冷却电路。
图5B示出了从中间产物的上方观察的透视图，并且示出了在将半导体封装510施加到内插件层520上之后的中间产物。半导体封装510可以是例如TO247、TO247PLUS、D2PAK等类型。内插件层520被配置成使得它们中的一个比其他三个更大，使得它们中的一个可以在其上部主面上接纳三个半导体封装510，而其他三个较小的内插件层520可以分别仅接纳一个半导体封装510。
图5C示出了在将安装框架560附接到模块之后的中间产物。安装框架560包括由四个框架条构成的矩形环状形状，四个框架条沿热沉530的上部表面的四个边缘延伸。安装框架560还包括设置在安装框架560的四个边缘上的四个安装柱560.1。
在安装控制板540的下一步骤之前，可以用包封体填充模块的内部体积，包封体例如树脂，特别是环氧树脂或硅树脂，以用于改进电绝缘并且(如果必要)提高其可靠性。
图5D示出了在将控制板540固定到安装柱560.1之后的中间产物。控制板540可以包括一个或多个控制器芯片541，一个或多个控制器芯片541控制由半导体封装510的半导体管芯构建的电子电路。控制板540可以例如由印刷电路板(PCB)形成。
图6包括图6A至图6D，并且示出了多个电子模块的组件的制造，多个电子模块中的每一个包括布置在流体热沉的一侧上的多个半导体封装，该组件在顶部上包括控制板。
图6A示出了包括流体热沉630的中间产物的透视图，，三个内插件层620设置到热沉630上。热沉630由中空平坦矩形体构成，中空平坦矩形体具有两个相对的主面和将两个主面彼此连接的四个侧面。热沉630在侧面中的一个中还包括入口端口630A和出口端口630B，用于液体介质(例如，水)流动通过热沉630。入口端口630A和出口端口630B可以连接到外部冷却电路。
图6B示出了从中间产物的下方观察的透视图。
图6C示出了从中间产物的上方观察的透视图，该中间产物包括三个如图6A和图6B所示类型的中间产物的组件670，中间产物以相等的方向取向横向连接在一起，使得入口端口630A和出口端口630B全部设置在组件的侧面之一上。在将三个中间产物连接在一起之前，将半导体封装610施加到所有热沉630的内插件层620上。
图6D示出了在将控制板640固定到组件之后的电子模块。控制板640可以包括一个或多个控制器芯片641，一个或多个控制器芯片641控制由半导体封装610的半导体管芯构建的电子电路。控制板640可以例如由印刷电路板(PCB)形成。
图7包括图7A至图7C，并且再次示出了图2C的电子模块(A)以及可以用该电子模块实现的两种可能的电路构造，即1相全桥电路(B)和3电平Vienna电路(C)。
图7A对应于图2C，并且示出了在热沉230的上部主面的四个拐角处施加安装柱231之后的中间产物。中间产物被配置成使得两个半导体封装210设置在内插件层220中的一个上，并且其他两个半导体封装210均分别设置在仅一个内插件层220上。
图7B示出了可以用如图7A中所示的中间产物实现的1相全桥电路。在这种情况下，全桥电路包括对应于设置在内插件层220上的四个半导体封装210的四个IGBT或MOSFET晶体管。
图7C示出了可以替代地用如图7A中所示的中间产物实现的3电平Vienna电路。在这种情况下，Vienna电路包括对应于设置在内插件层220上的四个半导体封装210的两个IGBT或MOSFET晶体管和两个二极管。
可以用例如图2A中所示的中间产物实现的电路拓扑的另一个示例是所谓的中点钳拉(NPC)结构，其典型版本也包含四个IGBT晶体管。
示例1是一种电子模块，包括半导体封装，所述半导体封装包括管芯载体；设置在管芯载体上的半导体管芯；连接到半导体管芯的至少一个电导体；以及覆盖管芯载体、半导体管芯和电导体的包封体，使得电导体的一部分延伸到包封体的外部；内插件层，其中，半导体封装设置在内插件层上；以及热沉，冷却介质可以流动通过热沉，其中，内插件层(20)设置在热沉上。
在示例2中，根据示例1所述的主题可以可选地还包括，管芯载体是引线框架的一部分、隔离金属衬底(IMS)、直接铜接合部(DCB)、或活性金属钎焊部(AMB)中的一种。
在示例3中，根据示例1或2所述的主题可以可选地还包括，内插件层是隔离金属衬底(IMS)、直接铜接合部(DCB)、或活性金属钎焊部(AMB)中的一种。
在示例4中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，内插件层嵌入在热沉的上部主面中。
在示例5中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，内插件层被焊接、扩散焊接、或烧结到热沉上，或者通过使用胶、导电胶、或银胶连接到热沉。
在示例6中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，半导体封装被焊接、扩散焊接、或烧结到内插件层上，或者通过使用导电胶连接到内插件层，特别地使用银导电胶连接到内插件层。
在示例7中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，半导体管芯是宽带隙半导体管芯、SiC管芯、或GaN管芯的一种或多种。
在示例8中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，半导体管芯是半导体晶体管管芯、功率半导体晶体管管芯、功率IGBT管芯、功率MOSFET管芯、半导体二极管管芯、或半导体闸流管管芯中的一种或多种。
在示例9中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括两个或更多个半导体封装。
在示例10中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括两个或更多个内插件层，其中，至少一个内插件层仅承载一个半导体封装，并且至少一个内插件层承载两个或更多个半导体封装。
在示例11中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，半导体封装彼此连接，以形成DC/DC电路、DC/AC电路、AC/DC电路、半桥电路、全桥电路、或Vienna整流器电路中的一种或多种。
在示例12中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，半导体管芯是分立或标准化封装、分立或标准化功率封装、TO封装、TO220封装、TO247封装、TO263封装、或D2PAK封装中的一种或多种。
在示例13中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，热沉包括第一主面和与第一主面相对的第二主面，其中，半导体封装设置在第一主面和第二主面两者上。
在示例14中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，冷却介质是非导电的。
在示例15中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，热沉是导电的、非导电的、有机的、或无机的中的一种或多种。
在示例16中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，管芯载体比内插件层更厚。
在示例17中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括，模块的内部体积填充有另外的包封体，另外的包封体例如是树脂，特别地是环氧树脂或硅树脂。
在示例18中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括控制板，控制板包括一个或多个控制器芯片，一个或多个控制器芯片控制由半导体封装的半导体管芯构建的电子电路。
在示例19中，根据前述示例中的任一项所述的主题可以可选地还包括被配置成将该模块连接到外部实体的连接器件。
另外，虽然本公开的实施例的特定特征或方面可能已经关于若干实施方式中的仅一个实施方式而公开，但是这样的特征或方面可以与其他实施方式的一个或多个其他特征或方面组合，如对于任何给定或特定应用可能是期望的和有利的。此外，就在具体实施方式或权利要求中使用术语“包括”、“具有”、“带有”或其其他变型而言，这些术语旨在以类似于术语“包括”的方式为包括性的。此外，应当理解，本公开的实施例可以在分立电路、部分集成电路、或完全集成电路或编程装置中实施。此外，术语“示例性”仅作为示例，而不是最佳或最优的。还应当理解，为了简单和便于理解，本文中描绘的特征和/或元件以相对于彼此的特定尺寸示出，并且实际尺寸可以与本文中示出的尺寸基本上不同。
尽管本文已经示出和描述了具体实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本公开的范围的情况下，各种替代和/或等同实施可以取代示出和描述的具体实施例。本申请旨在覆盖本文讨论的具体实施例的任何修改或变化。因此，本公开仅由权利要求及其等同物限定。

Claims (19)

1.一种电子模块(100)，包括：
-半导体封装(10)，所述半导体封装(10)包括
-管芯载体(11)；
-设置在所述管芯载体(11)上的半导体管芯(12)；
-连接到所述半导体管芯(12)的至少一个电导体(13)；以及
-包封体(14)，所述包封体(14)覆盖所述管芯载体(11)、所述半导体管芯(12)、和所述电导体(13)，使得所述电导体(13)的一部分延伸到所述包封体(14)的外部；
-内插件层(20)，其中，所述半导体封装(10)设置在所述内插件层(20)上；以及
-热沉(30)，冷却介质能够流动通过所述热沉(30)，其中，所述内插件层(20)设置在所述热沉(30)上。
2.根据权利要求1所述的电子模块(100)，其中，
所述管芯载体(11)是引线框架的一部分、隔离金属衬底(IMS)、直接铜接合部(DCB)、或活性金属钎焊部(AMB)中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的电子模块(100)，其中，
所述内插件层(20)是隔离金属衬底(IMS)、直接铜接合部(DCB)、或活性金属钎焊部(AMB)中的一种。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述内插件层(20)嵌入在所述热沉(30)的上部主面中。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述内插件层(20)被焊接、扩散焊接、或烧结到所述热沉(30)上，或者通过使用胶、导电胶、或银胶连接到所述热沉(30)。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述半导体封装(10)被焊接、扩散焊接、或烧结到所述内插件层(20)上，或者通过使用导电胶连接到所述内插件层(20)，特别地使用银导电胶连接到所述内插件层(20)。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述半导体管芯(11)是宽带隙半导体管芯、SiC管芯、或GaN管芯中的一种或多种。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述半导体管芯(11)是半导体晶体管管芯、功率半导体晶体管管芯、功率IGBT管芯、功率MOSFET管芯、半导体二极管管芯、或半导体闸流管管芯中的一种或多种。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，还包括
两个或更多个半导体封装。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，还包括
两个或更多个内插件层，其中
至少一个内插件层承载仅一个半导体封装，并且
至少一个内插件层承载两个或更多个半导体封装。
11.根据权利要求9或10所述的电子模块(100)，其中，
所述半导体封装彼此连接，以形成DC/DC电路、DC/AC电路、AC/DC电路、半桥电路、全桥电路、或Vienna整流器电路中的一种或多种。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述半导体封装(10)是分立或标准化封装、分立或标准化功率封装、TO封装、TO220封装、TO247封装、TO263封装、或D2PAK封装中的一种或多种。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述热沉(30)包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，其中，所述半导体封装设置在所述第一主面和所述第二主面两者上。
14.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述冷却介质是非导电的。
15.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述热沉(30)是导电的、非导电的、有机的或无机的中的一种或多种。
16.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述管芯载体(11)比所述内插件层(20)更厚。
17.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，其中，
所述模块的内部体积填充有另外的包封体，所述另外的包封体是树脂，特别地是环氧树脂或硅树脂。
18.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，还包括
控制板，所述控制板包括一个或多个控制器芯片，所述一个或多个控制器芯片控制由所述半导体封装的所述半导体管芯构建的所述电子电路。
19.根据前述权利要求中的任一项所述的电子模块(100)，还包括
被配置为将所述模块连接到外部实体的连接器件。
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