CN113134494A - 载置面清扫方法 - Google Patents

载置面清扫方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113134494A
CN113134494A CN202110042239.5A CN202110042239A CN113134494A CN 113134494 A CN113134494 A CN 113134494A CN 202110042239 A CN202110042239 A CN 202110042239A CN 113134494 A CN113134494 A CN 113134494A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sheet
mounting
workpiece
placement
dust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110042239.5A
Other languages
English (en)
Inventor
斋藤良信
右山芳国
柿沼良典
谷山优太
生岛充
椙浦一辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN113134494A publication Critical patent/CN113134494A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0071—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0014—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by incorporation in a layer which is removed with the contaminants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供载置面清扫方法，使载置被加工物的载置面接近没有灰尘附着的状态。一种载置面清扫方法，当在载置于载置面上的被加工物的一个面上形成由树脂构成的板状的保护部件时对载置面进行清扫，该载置面清扫方法包含如下的工序：在载置被加工物的载置面上载置由树脂形成的片材；对载置面进行加温，并且将片材朝向载置面按压，由此使与载置面接触的片材的正面溶解，利用片材的溶解的正面取入载置面的灰尘；以及使载置于载置面上且通过溶解的正面取入了灰尘的片材从载置面分离，将灰尘从载置面去除。

Description

载置面清扫方法
技术领域
本发明涉及对载置有半导体晶片等被加工物的载置面进行清扫的载置面清扫方法。
背景技术
在板状的被加工物的一个面上形成保护部件的保护部件形成装置(例如，参照专利文献1)中，例如，有时以将正面具有凸块(电极等突起物)的被加工物的凸块覆盖的方式形成保护部件。在该情况下，利用载置工作台的载置面对被加工物的与形成有凸块的一个面相反的面(另一个面)进行保持，使形成有凸块的一个面向上方露出，将热熔敷性的片材载置于被加工物的形成有凸块的一个面上。进而，对被加工物进行加温，利用该热使该片材热熔敷于被加工物的形成有凸块的一个面上，对凸块进行保护。然后，向片材上提供紫外线固化型的液状树脂并使液状树脂按照成为一个面的方式扩展，使扩展后的液状树脂固化而形成保护部件。
专利文献1：日本特开2019-121646号公报
在这样形成保护部件时，需要片材。因此，将片材切割成矩形或圆形并搬送到被加工物的上方。但是，由于片材的切割和片材的搬送等，有时在对被加工物进行保持的载置工作台上附着有灰尘。
当在载置工作台的载置面上附着有灰尘的状态下将被加工物载置于载置面时，被加工物上的与附着有灰尘的部分对应的液状树脂的厚度变薄。因此，之后使液状树脂固化而形成的保护部件具有厚度局部较薄的部位。在形成这样的一部分的厚度较薄的保护部件之后，如果经由保护部件利用磨削装置的卡盘工作台对被加工物进行吸引保持，并利用磨具对被加工物的与形成有凸块的一个面相反侧的面进行磨削，则无法将被加工物薄化至均匀的厚度。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供对载置被加工物的载置面进行清扫从而接近没有灰尘附着的状态的载置面清扫方法。
根据本发明的一个方面，提供一种载置面清扫方法，当在被加工物的一个面上形成由树脂构成的板状的保护部件时，对载置该被加工物或该保护部件的载置面进行清扫，其中，该载置面清扫方法包含如下的工序：片材载置工序，在该载置面上载置由树脂形成的片材；正面溶解工序，对载置于该载置面上的该片材进行加温，并且将该片材朝向该载置面按压，由此使与该载置面接触的该片材的正面溶解，利用该片材的溶解的该正面取入该载置面的灰尘；以及分离工序，使载置于该载置面上且通过该溶解的正面取入了灰尘的该片材从该载置面分离，将灰尘从该载置面去除。
优选的是，该载置面清扫方法还包含如下的冷却工序：在所述正面溶解工序与所述分离工序之间，对载置于所述载置面上的所述片材进行冷却。
优选的是，在所述片材载置工序中，按照在停止形成所述保护部件时使所述载置面不露出的方式载置所述片材。
本发明的一个方面的载置面清扫方法包含以下的工序：片材载置工序，在载置面上载置由树脂形成的片材；正面溶解工序，对载置于载置面上的片材进行加温，并且将片材朝向载置面按压，由此使与载置面接触的片材的正面溶解，利用片材的溶解的正面取入载置面的灰尘；以及分离工序，使载置于载置面上且通过溶解的正面取入了灰尘的片材从载置面分离，将灰尘从载置面去除，因此例如通过在形成保护部件的间歇定期实施该载置面清扫方法，能够使载置有被加工物的载置面接近没有灰尘附着的状态。
当在实施正面溶解工序之后且实施分离工序之前实施对载置于载置面的片材进行冷却的冷却工序的情况下，能够使片材对载置面的灰尘的取入更可靠。
另外，在片材载置工序中，在按照在停止形成保护部件时使载置面不露出的方式将形成保护部件时所使用的片材载置于载置面上的情况下，不需要准备清扫用或载置面覆盖用的其他种类的片材，能够实现进行保护部件形成的装置的小空间化。另外，由于在使进行保护部件形成的装置停止时(例如，进行装置的维护作业时等)片材载置于载置面，因此例如在进行装置的维护作业的过程中，能够保护载置面并防止灰尘的附着等。而且，例如在进行了维护操作之后，使用载置于载置面的片材来实施正面溶解工序和分离工序，由此利用片材取入在维护作业前已经附着于载置面的灰尘，能够使载置面成为清洁的状态，因此在实施了该载置面清扫方法之后，能够顺畅地转移到保护部件的形成。
附图说明
图1是说明将由树脂形成的片材向载置被加工物的载置构件的载置面上载置的情况的剖视图。
图2是对片材被载置于载置构件的载置面上的状态进行说明的剖视图。
图3是说明将载置于载置面并被加温的片材朝向被加温的载置面按压而使片材的正面溶解并利用片材的溶解的正面取入载置面的灰尘的情况的剖视图。
图4是说明对载置于载置构件的载置面上并取入了附着于载置面的灰尘的片材进行冷却的状态的剖视图。
图5是说明使载置于载置面上并通过溶解的正面取入了灰尘的片材从载置面离开而对载置面进行清扫的情况的剖视图。
图6是说明将由树脂形成的片材向用于载置被加工物的载置构件上载置的情况的剖视图。
图7是说明通过空气的压力将载置于载置面上的片材朝向载置面按压的情况的剖视图。
图8是说明对载置于载置构件的载置面上并取入了附着于载置面的灰尘的片材进行冷却的状态的剖视图。
图9是说明使载置于载置面上并通过溶解的正面取入了灰尘的片材从载置面离开而对载置面进行清扫的情况的剖视图。
图10是说明将应在一个面上粘贴片材的被加工物向载置构件的载置面上载置的状态的剖视图。
图11是说明将由树脂形成的片材向载置于载置构件上的被加工物的一个面上载置的状态的剖视图。
图12是说明将片材按压于被加工物的一个面进而使片材熔敷于一个面的状态的剖视图。
图13是说明将在一个面上熔敷有片材的被加工物从载置构件搬出的状态的剖视图。
标号说明
8：由树脂形成的片材；80：片材的正面；82：片材的背面；10：载置构件；100：载置面；11：加热器；119：电源；12：接触式的片材搬送构件；120：搬送垫；125：吸盘；122：上下移动构件；128：树脂管；129：吸引源；20：片材按压构件；200：按压垫；201：臂部；202：升降构件；24：空气喷嘴；25：空气提供源；26：直动机构；30：载置构件；300：收纳孔；303：载置面；301：环状面；11：加热器；119：电源；39：密闭盖；38：空气提供源；4：非接触式的片材搬送构件；41：垫基部；40：非接触吸引部；400：空气喷出口；401：空气提供路；402：柱部；493：树脂管；49：压缩空气提供源；6：搬送构件；60：保持面；9：被加工物；90：被加工物的另一个面；92：被加工物的一个面。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下，参照附图对本发明的第1实施方式的载置面清扫方法的各工序进行说明。
(1)片材载置工序
图1所示的载置构件(载置单元)10用于载置半导体晶片等板状的被加工物或者由树脂等构成并对该被加工物进行保护的保护部件，该载置构件10例如俯视呈直径比未图示的被加工物大的圆形状，利用作为平坦的上表面的载置面100对被加工物进行保持。
例如，在载置构件10的内部内置有加热器11。与电源119连接的加热器11例如是由传热线等构成的传热加热器，但并不限定于此，优选能够在短时间内对载置面100进行加热。
在载置构件10的上方配设有搬送由树脂形成的片材8的片材搬送构件(片材搬送机构)12。
图1所示的片材8例如由聚烯烃系的树脂等形成，具有热塑性。具体而言，片材8例如是以烯烃为单体合成的聚合物，例如是聚乙烯片材、聚丙烯片材或者聚氯乙烯片材。片材8形成为俯视矩形或圆形。
另外，片材8也可以是聚酯系的树脂片材，还可以是聚苯乙烯系的树脂片材。
在本实施方式中，片材搬送构件12具有：搬送垫120，其在下表面配置有对片材8的上表面进行吸引保持的多个吸盘125；以及电动气缸等上下移动构件(上下移动机构)122，其使搬送垫120沿与载置构件10的载置面100垂直的上下方向(Z轴方向)移动。另外，搬送垫120也可以能够在载置构件10的上方旋转移动。
搬送垫120例如形成为俯视圆形的板状。多个(例如4个)吸盘125在搬送垫120的下表面的周向上隔开均等的间隔(例如90度间隔)而配设。
在各吸盘125上分别连通有通过搬送垫120的内部的吸引路，在该吸引路上，按照不妨碍搬送垫120的旋转移动的方式，经由未图示的接头等而连通有具有挠性的树脂管128的一端侧。而且，树脂管128的另一端侧与真空产生装置或喷射器机构等吸引源129连接。
在片材载置工序中，利用搬送垫120对片材8进行吸引保持，如图1所示，片材8被定位于载置构件10的载置面100上方。然后，片材8被片材搬送构件12放下，如图2所示，将片材8载置于载置构件10的载置面100上。然后，片材搬送构件12从片材8上退避。例如，片材8成为覆盖载置面100的大致整个面的状态。
(2)加温工序
如图2所示，使从电源119提供电力的加热器11发热，将载置构件10的载置面100加温至规定的温度(例如片材8的熔点温度或者比片材8的熔点的温度低几度的温度)。由此，载置于载置面100的片材8被加温。
另外，在本实施方式的加温工序中，经由载置构件10的载置面100而对片材8进行加温，但也可以在后述的按压工序中使用的片材按压构件20的按压垫200内内置加热器，并经由按压垫200而对片材8进行加温。
(3)按压工序
接着，如图3所示，实施将载置于载置面100的片材8朝向被加温的载置面100按压的按压工序。
图3所示的片材按压构件(片材按压机构)20具有：按压垫200，其与片材8接触；臂部201，其对按压垫200进行支承；以及升降构件(升降机构)202，其使臂部201沿Z轴方向升降。另外，臂部201能够通过未图示的旋转移动构件而在载置构件10的上方旋转移动。
按压垫200具有刚性且具有能够与片材8的例如整个上表面接触的大小和形状，在按压垫200通过未图示的旋转移动构件而被定位于载置于载置面100的片材8的上方之后，按压垫200通过升降构件202而下降，按压垫200的平坦的下表面与片材8的上表面(以下称为背面82)抵接。然后，片材8被朝向载置面100按压。
(4)正面溶解工序
通过所述加温工序，载置面100被加热器11加温，由于由树脂形成的片材8具有热塑性，因此当一边从按压垫200施加规定的压力进行按压，一边在使载置面100与片材8接触的状态下将片材8的与载置面100接触的下表面(以下称为正面80)加温至熔点附近的温度时，该片材8的正面80溶解。另外，按照片材8的背面82侧不溶解并且片材8的正面80不粘接于载置面100的方式通过加热器11适当调整载置面100的温度。另外，也可以在载置面100上涂覆防止片材8的粘接的防粘剂等。
片材8的正面80溶解从而附着于载置构件10的载置面100上的片材屑等灰尘从溶解的正面80被取入到片材8内。
另外，如果片材8被加温的时间较长，则片材8软化。
(5)冷却工序
在本实施方式中，在所述正面溶解工序与后述的分离工序之间，实施对载置于载置构件10的载置面100的片材8进行冷却的冷却工序。另外，也可以不实施冷却工序。
例如，如图3所示，在将片材8按压于载置面100规定的时间而载置面100的灰尘被取入到片材8的溶解的正面80之后，按压垫200通过升降构件202而上升从而从片材8分离，进而从片材8的上方退避。另外，停止加热器11对载置构件10的载置面100的加温。
接着，如图4所示，将空气喷嘴24定位于载置于载置构件10的载置面100的状态的片材8的上方。空气喷嘴24具有朝向下方的喷射口，与由压缩机等构成的空气提供源25连通。在图4所示的例子中，空气喷嘴24能够通过电动滑块等直动机构26而沿X轴方向往复移动，但空气喷嘴24也可以能够在载置构件10的上方旋转移动。
如图4所示，空气喷嘴24一边朝向片材8喷出冷却用的空气一边沿X轴方向往复移动，从而对正面80溶解的片材8的整体进行冷却，片材8在将附着于载置面100上的灰尘取入到正面80的状态下固化。即，取入的灰尘不会从片材8的正面80朝向载置面100落下。而且，在进行了规定的时间的片材8的冷却之后，空气喷嘴24从载置构件10的上方退避。
(6)分离工序
接着，通过使载置于载置面100并在正面80上取入了灰尘的片材8从载置面100分离，将载置面100的灰尘去除(对载置面100进行清扫)。
具体而言，如图5所示，片材搬送构件12的搬送垫120被定位于载置构件10的载置面100上方。然后，通过上下移动构件122使搬送垫120下降，吸盘125与片材8的朝向上侧的背面82抵接，利用传递了吸引源129产生的吸引力的吸盘125对片材8进行吸引保持。然后，搬送垫120上升，使在正面80上取入了灰尘的片材8从载置面100分离，由此对载置面100进行清扫，能够使载置被加工物的载置构件10的载置面100接近没有灰尘附着的状态。
另外，之后将取入了载置面100的灰尘的片材8废弃。
在第1实施方式的载置面清扫方法中，在实施正面溶解工序之后且实施分离工序之前，实施对载置于载置构件10的载置面100的片材8进行冷却的冷却工序，由此能够使片材8对载置面100的灰尘的取入更可靠。
关于上述第1实施方式的载置面清扫方法，例如当在将另一个面载置于载置构件10的载置面100上的被加工物的与另一个面相反侧的面即一个面的整个面上形成由树脂构成的板状的保护部件时，例如每当在规定的张数的被加工物上连续地形成保护部件时(即，定期地)进行该载置面清扫方法。或者，例如，也可以为，进行形成在多张被加工物上的保护部件的厚度测量，如果在所测量的多个保护部件的每一个的厚度上产生偏差，则判断为在载置面100上附着有灰尘，实施本载置面清扫方法而使载置面100接近没有灰尘附着的状态。
第1实施方式的载置面清扫方法当然可以在其技术思想的范围内以各种不同的方式实施。另外，附图中图示的载置构件10、片材搬送构件12以及片材按压构件20的各结构的形状等也并不限定于此，可以在能够发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。
例如，也可以将在分离工序中使用的片材搬送构件12构成为利用通过向片材8喷射空气而产生的伯努利效应而以非接触的方式对片材8进行保持。在该情况下，也可以利用为了保持片材8而向片材8喷射的空气对载置于载置面100并被加温而取入了灰尘的片材8进行冷却。
例如，也可以将内置在载置构件10内的加热器11作为珀尔帖元件，采用能够通过开关切换输入到该珀尔帖元件的直流电流的方向的电源119。而且，在加温工序中，也可以为，利用珀尔帖元件对载置构件10的载置面100进行加温，进而在冷却工序中，切换流过珀尔帖元件的直流电流的方向，利用珀尔帖元件进行载置面100的冷却，从而对片材8进行冷却。
例如，冷却工序也可以使用水冷式冷却构件来实施。具体而言，例如，也可以为，在载置构件10的内部形成未图示的通水路，利用在该通水路中循环的冷却水对从载置构件10的内部加温的载置面100进行冷却，从而对片材8进行冷却。
例如，冷却工序也可以通过片材8的自然散热来进行。即，在实施按压工序而将片材8按压于载置面100规定的时间并实施正面溶解工序而将载置面100的灰尘取入到片材8的溶解的正面80之后，停止加热器11对载置构件10的载置面100的加温。然后，也可以为，进行规定的时间的片材8的散热，在取入有灰尘的片材8再次固化之后，例如通过将下表面作为吸引面的按压垫200对片材8进行吸引保持而实施通过按压垫200使片材8从载置面100分离的分离工序。
例如，关于按压工序中的片材8向载置构件10的载置面100的按压，也可以通过在密闭腔室内收纳载置构件10并向密闭腔室内提供空气而利用空气压力来进行。
(第2实施方式)
以下，参照附图对本发明的第2实施方式的载置面清扫方法的各工序进行说明。
(1)片材载置工序
用于载置半导体晶片等板状的被加工物的图6所示的载置构件(载置单元)30例如俯视呈直径比未图示的被加工物大的圆形状，在载置构件30的上表面上例如形成有比被加工物稍大且能够收纳被加工物的收纳孔300。而且，收纳孔300的平坦的底面成为载置被加工物的载置面303。例如，当在收纳孔300中收纳有被加工物时，被加工物的上表面与围绕载置构件30的收纳孔300的环状面301共面。
例如，在载置构件30的内部内置有在第1实施方式中说明的加热器11，加热器11与电源119连接。
在载置构件30的上方配设有片材搬送构件(片材搬送机构)4。例如以非接触的方式搬送片材8的片材搬送构件4具有：平板状(例如，俯视圆形的平板状或者俯视U字的平板状)的垫基部41；非接触吸引部40，其通过从空气喷出口400喷出压缩空气而生成负压，以非接触的方式对片材8进行吸引；以及气缸机构等上下移动构件(上下移动机构)42，其与垫基部41的上表面连接。
以非接触的方式对片材8进行吸引的非接触吸引部40例如在垫基部41的下表面侧的外周侧的区域中沿周向隔开等间隔地配设有多个(例如4个)。例如，在外形为大致圆盘状的非接触吸引部40的内部形成有空气提供路401，空气提供路401与形成于非接触吸引部40的底面的圆环状的空气喷出口400连通。在成为空气喷出口400的中央的位置形成有大致圆柱状的柱部402。
具有挠性的树脂管493的一端侧经由未图示的接头等而从垫基部41侧与非接触吸引部40连通。而且，树脂管493的另一端侧与由压缩机等构成且能够提供压缩空气的压缩空气提供源49连通。另外，也可以在空气提供路401中例如形成有使从压缩空气提供源49提供到非接触吸引部40的压缩空气加速的环状节流孔等。非接触吸引部40构成为，通过在柱部402的周围形成由从压缩空气提供源49提供的压缩空气产生的回旋流，能够生成对片材8进行吸引的负压。
另外，非接触式的片材搬送构件4并不限定于上述那样的旋风方式的类型，也可以是以下的类型：通过使压缩空气高速地在非接触吸引部的下表面与片材8的背面82之间的微小的间隙朝向放射方向流动，在非接触吸引部的下表面中心的下方生成基于伯努利效应的负压，从而非接触吸引部以非接触状态对片材8进行吸引保持。另外，非接触式的片材搬送构件4例如也可以代替在垫基部41的下表面具有非接触吸引部40而具有以下的结构：在垫基部41的下表面形成呈放射状延伸的多个空气通过槽，从压缩空气提供源49提供的压缩空气在该空气通过槽中高速流动，从而空气通过槽的两侧的周围的空气被引入到空气通过槽的内部，在空气通过槽附近产生负压，产生对片材8的吸附力。
另外，也可以代替片材搬送构件4而使用在第1实施方式中说明的接触式的片材搬送构件12来进行片材载置工序和后述的分离工序。
在片材载置工序中，如图6所示，通过片材搬送构件4以非接触的方式对片材8进行吸引保持，片材8被定位于载置构件30的上方。然后，片材8被片材搬送构件4放下，将片材8载置于载置构件30的环状面301上。然后，片材搬送构件4从片材8上退避。例如，片材8成为覆盖载置构件30的大致整个上表面的状态。
(2)加温工序
接着，例如，将图7所示的密闭盖39定位于载置构件30的上方。而且，通过密闭盖39和载置构件30形成具有密闭的内部空间的腔室。另外，载置构件30整体也可以收纳在腔室内。
密闭盖39例如具有俯视与载置构件30大致相同的外形，具有平板状的顶板390和从顶板390的下表面外周区域垂下的侧板391。侧板391的下端侧能够与载置构件30的外周部分无间隙地卡合。密闭盖39能够通过未图示的升降构件(升降机构)而在载置构件30的上方上下移动。
在顶板390上贯穿形成有空气提供口393，该空气提供口393与空气提供源38连通。
如图7所示，使从电源119提供电力的加热器11发热，将载置构件30的载置面303和环状面301例如加温至片材8的熔点温度或者比片材8的熔点温度低几度的温度。由此，对载置于载置面303和环状面301的片材8进行加温。
另外，在本实施方式的加温工序中，经由载置构件30的载置面303和环状面301而对片材8进行加温，但也可以使在后述的按压工序中使用的空气成为被加热的空气并利用该被加热的空气对片材8进行加温。
(3)按压工序
另外，从图7所示的空气提供源38向被密闭盖39和载置构件30密闭且收纳有片材8的状态的内部空间提供规定的量的空气。其结果为，该内部空间被加压，从上方对片材8施加空气的压力，片材8相对于环状面301、作为收纳孔300的底面的载置面303、收纳孔300的侧面以及载置面303与收纳孔300的侧面的角部以不形成间隙的方式被按压。
另外，按压工序也可以使用在第1实施方式中说明的按压垫来进行。另外，也可以将辊按压在片材8上并使其滚动来按压片材8。
(4)正面溶解工序
在加温工序中，载置面303和环状面301等被加热器11加温，片材8具有热塑性，因此当一边施加由空气提供产生的压力进行按压，一边在使载置面303等与片材8接触的状态下将与载置面303等接触的片材8的下表面(以下称为正面80)加温至熔点附近的温度时，该正面80溶解。另外，通过加热器11适当调整载置面303等的温度，以便使片材8的正面80不粘接于载置面303等。而且，附着于载置构件30的载置面303、环状面301以及收纳孔300的侧面或角部的片材屑等灰尘从溶解的正面80被取入到片材8内。
在进行了规定的时间的片材8对载置面303等的灰尘的取入之后，例如停止对被密闭盖39和载置构件30密闭且收纳有片材8的状态的内部空间的空气提供，密闭盖39上升而从载置构件30脱离，该内部空间向大气开放，从而停止片材8的按压。另外，停止加热器11对载置构件30的载置面303等的加温。
(5)冷却工序
接着，例如如图8所示，在第1实施方式中说明的空气喷嘴24一边朝向载置于载置构件30的片材8喷射冷却用的空气一边在X轴方向上往复移动，由此正面80溶解的片材8的整体被冷却，在附着于载置面303等的灰尘取入到正面80的状态下片材8固化。即，被取入的灰尘不会从片材8的正面80朝向载置面303等落下。而且，在进行了规定的时间的片材8的冷却之后，空气喷嘴24从载置构件30的上方退避。
另外，冷却工序并不限定于使用空气喷嘴24的例子，也可以使用内置于载置构件30的珀尔帖元件或水冷式的冷却构件来进行。
(6)分离工序
接着，使载置于载置面303且通过正面80取入了灰尘的片材8从载置面303等分离，从载置面303等去除(清扫)灰尘。
具体而言，如图9所示，片材搬送构件4被定位于载置构件30的上方。接着，垫基部41下降，并被定位于在片材8的背面82与非接触吸引部40之间设置有微小间隙的高度位置。然后，压缩空气提供源49向非接触吸引部40的空气提供路401提供压缩空气。该压缩空气在空气提供路401内例如通过未图示的环状节流孔而被加速，从空气喷出口400向片材8的背面82喷出，并从片材8的背面82与非接触吸引部40之间的间隙向大气排出。另外，在非接触吸引部40的内部，压缩空气在柱部402的周围成为回旋流，产生基于旋风效果的真空，在柱部402的下方产生将片材8吊起的吸引力。
在通过各非接触吸引部40以非接触的方式对片材8进行吸引保持之后，片材搬送构件4上升，使在正面80上取入了灰尘的片材8从载置面303等分离，从而能够对载置面303等进行清扫，使载置被加工物的载置构件30的载置面303接近没有灰尘附着的状态。
另外，之后将取入了载置面303等的灰尘的片材8废弃。
另外，在本第2实施方式中，片材搬送构件4从非接触吸引部40向下方喷射空气而产生吸引力，因此例如也可以为，不实施之前说明的使用了空气喷嘴24的冷却工序，在使片材搬送构件4朝向片材8下降的过程中，利用从非接触吸引部40向下方喷射的空气来对片材8进行冷却。
以下，对使用实施了第2实施方式的载置面清扫方法而接近没有灰尘附着的状态的载置构件30的载置面303在图10所示的板状的被加工物9上形成保护部件的情况进行说明。
图10所示的例如外形为圆形板状的被加工物9是以硅为母材的晶片，在图10中，在朝向上侧的一个面92上，在由多条分割预定线划分出的多个格子状的区域中形成有IC、LSI等器件。在该器件的表面上分别设置有多个未图示的凸块(突起电极)。将被加工物9的一个面92的相反侧的面设为另一个面90。
另外，被加工物9并不限定于硅晶片，也可以是没有形成器件等的晶片。
(1)被加工物相对于载置构件的载置
图10所示的搬送被加工物9的搬送构件(搬送机构)6例如其外形为俯视圆形状，具有保持面60，该保持面60由多孔部件等构成，与未图示的吸引源连通而对被加工物9进行吸引保持。搬送构件6能够沿Z轴方向上下移动，并且能够在载置构件30的上方旋转移动。
通过搬送构件6对被加工物9的一个面92进行吸引保持，如图10所示，被加工物9被定位于载置构件30的载置面303上方。然后，被加工物9被搬送构件6放下，将被加工物9收纳在收纳孔300内并载置在载置面303上。另外，解除了被加工物9的吸引保持的搬送构件6从被加工物9上退避。例如，被加工物9的一个面92和载置构件30的环状面301成为大致共面的高度。
(2)片材相对于载置于载置构件的被加工物的载置
接着，如图11所示，例如通过非接触式的片材搬送构件4对片材8进行吸引保持，如图11所示，片材8被定位于被加工物9的一个面92的上方。然后，片材8被片材搬送构件4放下，片材8以覆盖被加工物9的整个一个面92的方式载置于一个面92上。
另外，也可以代替片材搬送构件4而使用图1所示的接触式的片材搬送构件12来将片材8载置于被加工物9的一个面92上。
(3)片材相对于被加工物的按压和片材的熔敷
例如，图12所示的密闭盖39被定位于载置构件30的上方。而且，通过密闭盖39和载置构件30形成具有密闭的内部空间的腔室。另外，从电源119提供电力的加热器11发热，将载置构件30的载置面303和环状面301例如加热至片材8的熔点温度。
从空气提供源38向被密闭盖39和载置构件30密闭且收纳有被加工物9和片材8的状态的内部空间提供规定的量的空气。其结果为，该内部空间被加压，从而从上方对片材8施加空气的压力，片材8被按压于被加工物9的一个面92上。另外，也可以利用按压垫将片材8按压于被加工物9的一个面92上。
利用加热器11经由载置构件30而对被加工物9进行加热，片材8具有热塑性，因此当一边施加由空气提供产生的压力来按压片材8，以使被加热的被加工物9与片材8接触，一边加热至片材8的熔点附近的温度时，片材8的正面80与被加工物9的一个面92粘接。
在以规定的时间将片材8熔敷在被加工物9的一个面92上从而形成有未图示的凸块的一个面92的凹凸被片材8吸收之后，停止加热器11对载置构件30的加热，将密闭盖39从载置构件30卸下。而且，例如通过自然散热或空气喷嘴等冷却构件对被加工物9的冷却，被加工物9被冷却至常温程度，从而片材8固化，不会从被加工物9的一个面92剥离，成为保护未图示的凸块的状态。
而且，由于通过之前说明的第2实施方式(或第1实施方式)的载置面清扫方法而在载置面303上没有灰尘附着的状态下进行片材8相对于被加工物9的熔敷，因此片材8不会在被加工物9的一个面92上局部地隆起，成为熔敷的片材8的上表面的背面82也成为平坦面。
(4)熔敷有片材的被加工物从载置构件的脱离
接着，如图13所示，例如通过非接触式的片材搬送构件4对片材8进行吸引保持，将片材8和被加工物9从载置构件30搬出。进而，被加工物9被搬送到未图示的液状树脂提供装置，向片材8的背面82上提供紫外线固化型的液状树脂(例如，丙烯酸系基础树脂等)并使该液状树脂扩展，进而通过照射紫外线使该液状树脂固化。由此，能够在被加工物9的一个面92的整个面上形成由片材8和紫外线固化树脂构成的板状的保护部件。如之前说明的那样，由于熔敷于被加工物9的片材8的背面82成为平坦面，因此所形成的保护部件也没有厚度局部变薄的部位。
在第2实施方式的载置面清扫方法中，上述说明的片材载置工序例如也可以按照如下的方式实施：在停止对半导体晶片等被加工物9形成保护部件时，使载置构件30的载置面303露出而实施片材载置工序。例如，在实施所述液状树脂提供装置、图11所示的非接触式的片材搬送构件4或者图10所示的搬送被加工物9的搬送构件6的维护作业等的情况下，暂时停止对被加工物9形成保护部件。在该维护作业中，按照不使灰尘附着于载置面303的方式实施片材载置工序，例如在使片材搬送构件4停止之前，通过片材搬送构件4将片材8载置于载置面303上。
在片材8载置于载置面303上的状态下，例如通过进行片材搬送构件4等的维护作业，能够保护载置面303并防止灰尘的附着等。而且，例如在进行了维护作业之后，使用载置于载置面303上的片材8来实施正面溶解工序、冷却工序以及分离工序，从而能够利用片材8取入在开始维护作业之前附着于载置面303的灰尘而使载置面303成为清洁的状态，因此在维护后实施载置面清扫方法之后，能够顺畅地转移到由片材8和紫外线固化树脂构成的保护部件的形成。

Claims (3)

1.一种载置面清扫方法，当在被加工物的一个面上形成由树脂构成的板状的保护部件时，对载置该被加工物或该保护部件的载置面进行清扫，其中，
该载置面清扫方法包含如下的工序：
片材载置工序，在该载置面上载置由树脂形成的片材；
正面溶解工序，对载置于该载置面上的该片材进行加温，并且将该片材朝向该载置面按压，由此使与该载置面接触的该片材的正面溶解，利用该片材的溶解的该正面取入该载置面的灰尘；以及
分离工序，使载置于该载置面上且通过该溶解的正面取入了灰尘的该片材从该载置面分离，将灰尘从该载置面去除。
2.根据权利要求1所述的载置面清扫方法，其中，
该载置面清扫方法还包含如下的冷却工序：在所述正面溶解工序与所述分离工序之间，对载置于所述载置面上的所述片材进行冷却。
3.根据权利要求1或2所述的载置面清扫方法，其中，
在所述片材载置工序中，按照在停止形成所述保护部件时使所述载置面不露出的方式载置所述片材。
CN202110042239.5A 2020-01-17 2021-01-13 载置面清扫方法 Pending CN113134494A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020005922A JP7372845B2 (ja) 2020-01-17 2020-01-17 載置面清掃方法
JP2020-005922 2020-01-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113134494A true CN113134494A (zh) 2021-07-20

Family

ID=76650557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110042239.5A Pending CN113134494A (zh) 2020-01-17 2021-01-13 载置面清扫方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7372845B2 (zh)
KR (1) KR20210093156A (zh)
CN (1) CN113134494A (zh)
DE (1) DE102021200350A1 (zh)
TW (1) TW202128298A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200537612A (en) * 2004-03-08 2005-11-16 Nitto Denko Corp Cleaning member for semiconductor device and method for producing the same
WO2011111416A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 塵埃除去材及びこれを用いた塵埃除去方法
JP2012208414A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Toppan Printing Co Ltd パターン部材洗浄方法及び洗浄装置
JP2019096811A (ja) * 2017-11-27 2019-06-20 株式会社ディスコ 加工方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005237447A (ja) 2004-02-24 2005-09-08 Nitto Denko Corp クリーニングシート
JP2005123653A (ja) 2005-01-20 2005-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd テープ貼付・剥離装置及びテープ貼付システム
JP5291400B2 (ja) 2008-07-15 2013-09-18 城東テクノ株式会社 犬走り形成用樹脂成型体
JP7071782B2 (ja) 2017-12-28 2022-05-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7142440B2 (ja) 2018-02-06 2022-09-27 東ソー株式会社 （ジアリールアミノ）カルバゾールの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200537612A (en) * 2004-03-08 2005-11-16 Nitto Denko Corp Cleaning member for semiconductor device and method for producing the same
WO2011111416A1 (ja) * 2010-03-12 2011-09-15 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 塵埃除去材及びこれを用いた塵埃除去方法
TW201140672A (en) * 2010-03-12 2011-11-16 Sony Chemical & Inf Device Dust removing material and dust removal method using same
JP2012208414A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Toppan Printing Co Ltd パターン部材洗浄方法及び洗浄装置
JP2019096811A (ja) * 2017-11-27 2019-06-20 株式会社ディスコ 加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202128298A (zh) 2021-08-01
JP2021114522A (ja) 2021-08-05
DE102021200350A1 (de) 2021-07-22
KR20210093156A (ko) 2021-07-27
JP7372845B2 (ja) 2023-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101847681B1 (ko) 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 접합 시스템
TWI392002B (zh) Laser processing device
TWI523086B (zh) Stripping devices, stripping systems, stripping methods, programs and computer memory media
KR101861891B1 (ko) 접합 방법 및 접합 시스템
KR20140005913A (ko) 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
TWI790395B (zh) 載板的去除方法
JP2007287796A (ja) ウェーハの加工方法
KR20150126282A (ko) 세정 장치, 박리 시스템, 세정 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
JP6973931B2 (ja) 切削装置
JP2020096035A (ja) 切削装置
TWI829950B (zh) 保護構件形成方法及保護構件形成裝置
JP2010099733A (ja) レーザ加工装置
CN113134494A (zh) 载置面清扫方法
JP2010129776A (ja) 加工装置およびイオン化エア供給プログラム
CN113056810A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP5271972B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US11651988B2 (en) Processing apparatus
JP7251899B2 (ja) 被加工物の加工方法
KR20220011074A (ko) 시트, 및 보호 부재의 형성 방법
CN116344430A (zh) 被加工物的加工方法
KR20220142926A (ko) 반송 장치
CN113707592A (zh) 被加工物的保持机构和加工装置
JP2014180738A (ja) 切削装置
JP2023128694A (ja) 圧縮成形装置及び圧縮成形方法
TW202349478A (zh) 搬送單元及加工裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination