CN113128423B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置，具有显示区，且显示区具有高透光区及低透光区。显示装置包括：基板、多条信号线以及多个子像素。多条信号线配置于基板上。多个子像素配置于显示区，且各子像素分别电性连接对应的至少一条信号线。多条信号线中的至少一信号线包括第一段以及第二段，第一段位于高透光区，第二段位于低透光区，第一段电性连接第二段，且第一段的透光率高于第二段的透光率。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，且特别涉及一种具有高透光区的显示装置。

背景技术

随着科技的进步与发展，传统只具备影像显示功能的显示产品已经无法满足消费者的需求。为了提升产品的竞争力，许多厂商尝试着增加产品的附加功能。举例来说，人脸识别功能可以提供消费者更便利的生活模式，是近年来相当具吸引力的附加功能。然而，由于现有的显示产品透光率甚低，因而人脸识别效果不佳。

发明内容

本发明提供一种显示装置，具有透光率提高的高透光区。

本发明的一个实施例提出一种显示装置，具有显示区，且显示区具有高透光区及低透光区，其中显示装置包括：基板；多条信号线，配置于基板上；以及多个子像素，配置于显示区，且各子像素分别电性连接对应的至少一条些信号线；其中多条信号线中的至少一信号线包括第一段以及第二段，第一段位于高透光区，第二段位于低透光区，第一段电性连接第二段，且第一段的透光率高于第二段的透光率。

在本发明的一实施例中，上述的信号线为电源线或数据线。

在本发明的一实施例中，上述的多个子像素包括多个第一子像素以及多个第二子像素，第一子像素位于高透光区，第二子像素位于低透光区，且具有相同颜色的第一子像素与第二子像素的发光面积相同。

在本发明的一实施例中，上述的第一子像素包括双栅极主动元件。

在本发明的一实施例中，上述的第一段的材料包括透明导电材料。

在本发明的一实施例中，上述的第一段的材料为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。

在本发明的一实施例中，上述的第一段的厚度介于至/>之间。

在本发明的一实施例中，上述的子像素包括：多个第一子像素，位于高透光区，且各第一子像素包括第一电容；多个第二子像素，位于低透光区，且各第二子像素包括第二电容；其中第一电容包括M层导电层，第二电容包括N层导电层，且M>N。

在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括感测元件，其中感测元件于基板的正投影重叠于高透光区于基板的正投影。

本发明的一个实施例提出一种显示装置，具有显示区，且显示区具有高透光区及低透光区，其中显示装置包括：基板；以及多个子像素，位于显示区中，其中多个子像素包括：多个第一子像素，位于高透光区，且各第一子像素包括第一电容；多个第二子像素，位于低透光区，且各第二子像素包括第二电容；其中第一电容包括M层导电层，第二电容包括N层导电层，且M>N。

在本发明的一实施例中，上述的第一电容与第二电容的值相同。

在本发明的一实施例中，上述的第一电容的面积小于第二电容的面积。

在本发明的一实施例中，上述的M＝6，且N＝3。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的显示装置的俯视图。

图2是图1的显示装置的区域I的放大示意图。

图3是沿图2的剖面线A-A’所作的剖面示意图。

图4是沿图2的剖面线B-B’所作的剖面示意图。

图5是本发明一实施例的显示装置的示意性立体图。

附图标记说明：

10、20：显示装置

110：基板

121：第一导电层

122：第二导电层

123：第三导电层

124：第四导电层

125：第五导电层

126：第六导电层

126a：第一连接图案

126b：第二连接图案

131：第一绝缘层

132：第二绝缘层

133：第三绝缘层

134：第四绝缘层

135：第五绝缘层

136：第六绝缘层

137：第七绝缘层

137T：凹槽

140：发光元件

141：第一电极

142：发光材料层

143：第二电极

200：对向基板

A-A’、B-B’：剖面线

A1、A2：区域

AA：显示区

C1：第一电容

C2：第二电容

CH1：第一通道

CH2：第二通道

CS1～CS13：导电结构

D1：第一漏极

D2：第二漏极

DL：数据线

E1：第一电容电极

E21：第二电容电极

E22：第七电容电极

E31：第三电容电极

E32：第八电容电极

E41：第四电容电极

E42：第九电容电极

E5：第五电容电极

E6：第六电容电极

G1B：底栅极

G1T：顶栅极

G2：第二栅极

HT：高透光区

I：区域

LT：低透光区

N1：第一方向

N2：第二方向

P1：第一段

P2：第二段

P3：第三段

P4：第四段

PL：电源线

PS：间隔件

S1：第一源极

S2：第二源极

SP：子像素

SP1：第一子像素

SP2：第二子像素

SR：感测元件

T1：第一主动元件

T2：第二主动元件

TL：信号线

V1～V13：通孔

具体实施方式

图1是本发明一实施例的显示装置10的俯视图。图2是图1的显示装置10的区域I的放大示意图。图3是沿图2的剖面线A-A’所作的剖面示意图。图4是沿图2的剖面线B-B’所作的剖面示意图。为清楚呈现起见，图1省略了图3及图4中的第一电容C1、第二电容C2、对向基板200以及间隔件PS的示出，图2省略了图3及图4中的对向基板200以及间隔件PS的示出。

请同时参照图1至图2，显示装置10具有显示区AA，且显示区AA具有高透光区HT及低透光区LT。显示装置10包括基板110、多条信号线TL以及多个子像素SP。多条信号线TL配置于基板110上。多个子像素SP，配置于显示区AA，且各子像素SP分别电性连接对应的至少一条信号线TL。多条信号线TL中的至少一信号线TL包括第一段P1以及第二段P2，第一段P1位于高透光区HT，第二段P2位于低透光区LT，第一段P1电性连接第二段P2，且第一段P1的透光率高于第二段P2的透光率。

承上述，在本实施例中，通过使位于高透光区HT的第一段P1的透光率高于位于低透光区LT的第二段P2的透光率，能够使高透光区HT的透光率高于低透光区LT的透光率。

以下，配合图1至图4，继续说明显示装置10的各个元件与膜层的实施方式，但本发明不以此为限。

请参照图1，显示装置10的显示区AA中具有相邻的高透光区HT及低透光区LT。在一些实施例中，低透光区LT可以环绕高透光区HT。高透光区HT可以具有各种的形状与尺寸。举例而言，在本实施例中，高透光区HT的形状为矩形，但本发明不限于此。在一些实施例中，高透光区HT可以具有圆形、椭圆形、多角形、或不规则的形状。在一些实施例中，可以视需要选择高透光区HT的尺寸。

基板110可以是透明基板或非透明基板，其材料可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他适当材料，但本发明不以此为限。基板110上可设置显示装置10需要的元件，例如驱动元件、开关元件、存储电容等等。

请同时参照图1与图2，基板110上可设置显示装置10所需的信号线TL，信号线TL可以延伸于显示区AA，例如从低透光区LT延伸到高透光区HT，再延伸到低透光区LT，但本发明不限于此。信号线TL可以沿第一方向N1延伸，也可以沿第二方向N2延伸。信号线TL可以是显示装置10中具有信号传输功能的导线，例如电源线、数据线、扫描线、时序信号线、电流补偿线、检测信号线等等，但本发明不以此为限。

在一些实施例中，信号线TL可以包括电源线PL。电源线PL包括位于高透光区HT的第一段P1以及位于低透光区LT的第二段P2，第一段P1电性连接第二段P2，且第一段P1的透光率高于第二段P2的透光率。举例而言，第一段P1可以通过通孔导电结构电性连接第二段P2。第一段P1的材料可以包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、或纳米银等等，但本发明不以此为限。第二段P2的材料可以是金属，例如：金、银、铜、铝、钛、钼；或上述金属的合金；或是金属或合金材料与其他导电材料的堆叠层等。

在一些实施例中，第一段P1可以具有介于至/>之间的厚度，且第二段P2的厚度小于第一段P1的厚度，使得第一段P1与第二段P2具有相近的电阻值。在一些实施例中，第一段P1的材料为铟锡氧化物，且第一段P1具有/>的厚度。在一些实施例中，第一段P1的材料为铟锌氧化物，且第一段P1具有/>的厚度。在本发明的实施例中，通过第一段P1的透光率高于第二段P2的透光率，能够使高透光区HT的透光率高于低透光区LT的透光率。

在一些实施例中，信号线TL可以包括数据线DL，数据线DL上传输的信号可以经由另一开关元件(图未示)的控制而传送至第一电容C1或第二电容C2。数据线DL包括位于高透光区HT的第三段P3以及位于低透光区LT的第四段P4，第三段P3电性连接第四段P4，且第三段P3的透光率高于第四段P4的透光率。举例而言，第三段P3的材料可以包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、或纳米银等等，但本发明不以此为限。第四段P4的材料可以是金属，例如：金、银、铜、铝、钛、钼；或上述金属的合金；或是金属或合金材料与其他导电材料的堆叠层等。通过第三段P3的透光率高于第四段P4的透光率，能够使高透光区HT的透光率高于低透光区LT的透光率。

请参照图3或图4，显示装置10还包括对向基板200以及间隔件PS，其中间隔件PS设置于对向基板200与基板110之间，以使对向基板200与基板110之间保持稳定的间距。且对向基板200可以是透明基板，例如石英基板、玻璃基板、高分子基板等。对向基板200上可以设置触控元件、彩色滤光元件、黑矩阵等元件。

在本实施例中，多个子像素SP包括多个第一子像素SP1以及多个第二子像素SP2，第一子像素SP1位于高透光区HT，且第二子像素SP2位于低透光区LT。请同时参照图2与图3，位于高透光区HT的第一子像素SP1包括第一主动元件T1、第一电容C1以及发光元件140。请同时参照图2与图4，位于低透光区LT的第二子像素SP2包括第二主动元件T2、第二电容C2以及发光元件140。

请同时参照图3与图4，显示装置10包括设置于基板110上的第一导电层121、第二导电层122、第三导电层123、第四导电层124、第五导电层125及第六导电层126、以及第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134、第五绝缘层135、第六绝缘层136及第七绝缘层137，其中第一绝缘层131夹置于第一导电层121与第二导电层122之间，第二绝缘层132夹置于第二导电层122与第三导电层123之间，第三绝缘层133夹置于第三导电层123与第四导电层124之间，第四绝缘层134夹置于第四导电层124与第五导电层125之间，第五绝缘层135夹置于第五导电层125与第六导电层126之间。

基于导电性的考量，第一导电层121、第三导电层123、第四导电层124以及第五导电层125一般是使用金属材料，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一导电层121、第三导电层123、第四导电层124以及第五导电层125可以使用合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料、或是上述导电材料的堆叠层。第二导电层122的材料可包括硅质半导体材料(例如多晶硅、非晶硅等)、氧化物半导体材料、有机半导体材料，但本发明不限于此。

第六导电层126的材料例如可包括抗氧化的材料，例如包括金属(例如钛、钼、钨、金、铂、铬、镍、钯、钴的其中至少一者、上述材料的复合层、或上述材料的合金)或金属氧化物导电材料(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺氟的氧化铟)或金属氮化物导电材料(例如氮化钛或氮化钼)或上述材料的组合。在一些实施例中，第六导电层126的材料包括透明导电氧化物。

第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134以及第五绝缘层135的材料可以包括透明的绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，但本发明不限于此。第六绝缘层136以及第七绝缘层137的材料可以包括透明的绝缘材料，例如有机材料、亚克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料等，但本发明不限于此。第一绝缘层131、第二绝缘层132、第三绝缘层133、第四绝缘层134、第五绝缘层135、第六绝缘层136以及第七绝缘层137也可以分别具有单层结构或多层结构，多层结构例如上述绝缘材料中任意两层或更多层的叠层，可视需要进行组合与变化。

第一导电层121包括分离的底栅极G1B以及第一电容电极E1。第二导电层122包括分离的第一通道CH1、第二电容电极E21、第二通道CH2以及第七电容电极E22。第三导电层123包括分离的顶栅极G1T、第三电容电极E31、第二栅极G2以及第八电容电极E32。第四导电层124包括第四电容电极E41以及第九电容电极E42。第五导电层125包括分离的第一源极S1、第一漏极D1、第五电容电极E5、第二源极S2以及第二漏极D2。第六导电层126包括分离的第一连接图案126a、第二连接图案126b以及第六电容电极E6。

请参照图3，第一导电层121的底栅极G1B、第二导电层122的第一通道CH1、第三导电层123的顶栅极G1T以及第五导电层125的第一源极S1与第一漏极D1构成第一子像素SP1的第一主动元件T1。因此，第一子像素SP1的第一主动元件T1属于双栅极型薄膜晶体管。然而，在其他实施例中，第一主动元件T1也可以是顶栅极型薄膜晶体管、底栅极型薄膜晶体管或其他类型的薄膜晶体管。

第一主动元件T1的第一源极S1通过通孔V1中的导电结构CS1连接第一通道CH1，第一漏极D1通过通孔V2中的导电结构CS2连接第一通道CH1。导电结构CS1、CS2的材料可以是金属或合金，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不限于此。在一些实施例中，导电结构CS1的材料可以与第一源极S1的材料相同，导电结构CS2的材料可以与第一漏极D1的材料相同，但本发明不以此为限。

第一主动元件T1的第一源极S1可以通过通孔V3中的导电结构CS3连接第六导电层126的第一连接图案126a，而第一连接图案126a电性连接至电源线PL的第一段P1。在一些实施例中，第一连接图案126a与电源线PL的第一段P1属于相同膜层。在一些实施例中，第一连接图案126a与电源线PL的第一段P1包括相同的材料。第一主动元件T1的第一漏极D1可以通过通孔V4中的导电结构CS4连接第六导电层126的第二连接图案126b，而第二连接图案126b再通过通孔V5中的导电结构CS5连接至发光元件140的第一电极141。

导电结构CS3、CS4、CS5的材料可以是金属(例如钛、钼、钨、金、铂、铬、镍、钯、钴的其中至少一者、上述材料的复合层、或上述材料的合金)或金属氧化物导电材料(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺氟的氧化铟)或金属氮化物导电材料(例如氮化钛或氮化钼)或上述材料的组合。在一些实施例中，导电结构CS3的材料可以与第一连接图案126a的材料相同，导电结构CS4的材料可以与第二连接图案126b的材料相同，导电结构CS5的材料可以与第一电极141的材料相同，但本发明不以此为限。

请参照图4，第二导电层122的第二通道CH2、第三导电层123的第二栅极G2以及第五导电层125的第二源极S2与第二漏极D2构成第二子像素SP2的第二主动元件T2。因此，第二子像素SP2的第二主动元件T2属于顶栅极型薄膜晶体管。然而，在其他实施例中，第二主动元件T2也可以是双栅极型薄膜晶体管、底栅极型薄膜晶体管或其他类型的薄膜晶体管。

第二主动元件T2的第二源极S2通过通孔V10中的导电结构CS10连接第二通道CH2，第二漏极D2通过通孔V11中的导电结构CS11连接第二通道CH2。导电结构CS10、CS11的材料可以是金属或合金，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不限于此。导电结构CS10、CS11的材料可以是金属或合金，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不限于此。

第二主动元件T2的第二源极S2电性连接至电源线PL的第二段P2。在一些实施例中，第二源极S2与电源线PL属于相同膜层。在一些实施例中，第二源极S2与电源线PL包括相同的材料。第二主动元件T2的第二漏极D2可以通过通孔V12中的导电结构CS12连接至发光元件140的第一电极141。在一些实施例中，导电结构CS12的材料可以与第一电极141的材料相同，但本发明不以此为限。导电结构CS12的材料可以是金属(例如钛、钼、钨、金、铂、铬、镍、钯、钴的其中至少一者、上述材料的复合层、或上述材料的合金)或金属氧化物导电材料(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺氟的氧化铟)或金属氮化物导电材料(例如氮化钛或氮化钼)或上述材料的组合。

第一子像素SP1的发光元件140与第二子像素SP2的发光元件140结构相同，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一子像素SP1与第二子像素SP2具有相同的颜色。在一些实施例中，第一子像素SP1与第二子像素SP2具有相同的发光面积。在一些实施例中，第一子像素SP1与第二子像素SP2可具有相同的显示品质。

请同时参照图3与图4，发光元件140包括第一电极141、发光材料层142以及第二电极143。第六绝缘层136夹置于第六导电层126与第一电极141之间。第七绝缘层137夹置于第一电极141与第二电极143之间，发光材料层142设置于第七绝缘层137的凹槽137T中，第二电极143设置于发光材料层142上。在一些实施例中，发光元件140可以是电致发光或有机电致发光。在一些实施例中，通过施加电压至第一电极141及第二电极143，两者间具有电流产生时，可使第一电极141与第二电极143之间的发光材料层142中的发光材料发出光束。

在一些实施例中，发光材料层142可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)，而具有多层结构。

在一些实施例中，第一电极141以及第二电极143可为透明或不透明的导电层。基于导电性与透光性的考量，第一电极141以及第二电极143的材料一般是透明金属氧化物导电材料，例如包括(但不限于)铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或铟锗锌氧化物。然而，第一电极141以及第二电极143的材料亦可为金属材料或合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物等的其他导电材料。

第一子像素SP1的第一电容C1包括M层导电层，第二子像素SP2的第二电容C2包括N层导电层，M与N为正整数，且M>N，也就是说，第一电容C1的导电层数多于第二电容C2的导电层数。举例而言，请参照图3，第一子像素SP1的第一电容C1包括第一导电层121的第一电容电极E1、第二导电层122的第二电容电极E21、第三导电层123的第三电容电极E31、第四导电层124的第四电容电极E41、第五导电层125的第五电容电极E5以及第六导电层126的第六电容电极E6，也就是说，第一电容C1包括6层导电层，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一电容C1可以包括4、5、7、8或9层导电层。

第三电容电极E31通过通孔V6中的导电结构CS6连接第一电容电极E1，第五电容电极E5通过通孔V8中的导电结构CS8连接第三电容电极E31。因此，第一电容电极E1、第三电容电极E31以及第五电容电极E5串联而具有相同的电位，且第一电容电极E1、第三电容电极E31、或第五电容电极E5可接收来自信号线TL、其他主动元件或外部电源线的第一电压信号。导电结构CS6、CS8的材料可以是金属或合金，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不限于此。

第四电容电极E41通过通孔V7中的导电结构CS7连接第二电容电极E21，第六电容电极E6通过通孔V9中的导电结构CS9连接第四电容电极E41。因此，第二电容电极E21、第四电容电极E41以及第六电容电极E6串联而具有相同的电位，且第二电容电极E21、第四电容电极E41、或第六电容电极E6可接收来自信号线TL、其他主动元件或外部电源线的第二电压信号，且第二电压信号不同于第一电压信号。导电结构CS7、CS9的材料可以是金属或合金，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不限于此。

请参照图4，第二子像素SP2的第二电容C2包括第二导电层122的第七电容电极E22、第三导电层123的第八电容电极E32以及第四导电层124的第九电容电极E42，也就是说，第二电容C2包括3层导电层，但本发明不限于此。第九电容电极E42通过通孔V13中的导电结构CS13连接第七电容电极E22。因此，第七电容电极E22与第九电容电极E42串联而具有相同的电位。第七电容电极E22或第九电容电极E42可接收来自信号线TL、其他主动元件或外部电源线的第三电压信号，而第九电容电极E42可接收来自信号线TL、其他主动元件或外部电源线的第四电压信号，且第四电压信号不同于第三电压信号。导电结构CS13的材料可以是金属或合金，例如：金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等，但本发明不限于此。

在本实施例中，由于第一电容C1的值是由第一电容电极E1、第二电容电极E21、第三电容电极E31、第四电容电极E41、第五电容电极E5以及第六电容电极E6的重叠面积所决定，第二电容C2的值是由第七电容电极E22、第八电容电极E32以及第九电容电极E42的重叠面积所决定，因此，通过调整第一电容电极E1、第二电容电极E21、第三电容电极E31、第四电容电极E41、第五电容电极E5及第六电容电极E6的重叠面积以及第七电容电极E22、第八电容电极E32及第九电容电极E42的重叠面积，可使第一电容C1的值与第二电容C2的值相同。

在本实施例中，可将第一电容C1的占地面积定义为第一电容电极E1、第二电容电极E21、第三电容电极E31、第四电容电极E41、第五电容电极E5以及第六电容电极E6于基板110的正投影的重叠区域A1的面积，并将第二电容C2的占地面积定义为第七电容电极E22、第八电容电极E32以及第九电容电极E42于基板110的正投影的重叠区域A2的面积，且第一电容C1的占地面积可小于第二电容C2的占地面积。如此一来，第一子像素SP1中未被第一电容C1遮蔽的透光区域可大于第二子像素SP2中未被第二电容C2遮蔽的透光区域，使得第一子像素SP1的透光率高于第二子像素SP2的透光率，从而使高透光区HT的透光率高于低透光区LT的透光率。

图5是本发明一实施例的显示装置20的示意性立体图。与图1至图4的显示装置10相比，显示装置20的不同之处在于：显示装置20还包括感测元件SR，感测元件SR例如是红外光影像感测器，但本发明不限于此。在本实施例中，感测元件SR于基板110的正投影重叠于高透光区HT于基板110的正投影，也就是说，感测元件SR对应于高透光区HT的位置设置。如此一来，由于通过高透光区HT的光信号可具有提高的穿透率，感测元件SR便可接收到更多的光信号进行感测，使得显示装置20能够提供更佳的感测效果。举例而言，显示装置20是具有人脸识别功能的智能手表，因此，通过高透光区HT的设置，智能手表可提供更佳的人脸识别效果。

综上所述，本发明实施例的显示装置中，通过使信号线在高透光区的第一段的透光率高于信号线在低透光区的第二段的透光率，使得高透光区的透光率能够高于低透光区的透光率。此外，通过以更多的导电层堆叠而成的第一电容架构来使第一电容的电容值保持与第二电容的电容值相同，能够在不影响显示品质之下使第一电容的面积小于第二电容的面积，使得第一子像素的透光率高于第二子像素的透光率，而能够提供具有透光率提高的高透光区的显示装置，以提升显示装置的感测效果。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (11)

1.一种显示装置，具有一显示区，且该显示区具有一高透光区及一低透光区，其中该显示装置包括：

一基板；

多条信号线，配置于该基板上；以及

多个子像素，配置于该显示区，且各该子像素分别电性连接对应的至少一条该些信号线；

其中该些信号线中的至少一信号线包括一第一段以及一第二段，该第一段位于该高透光区，该第二段位于该低透光区，该第一段电性连接该第二段，且该第一段的透光率高于该第二段的透光率，

其中该些子像素包括：

多个第一子像素，位于该高透光区，且各该第一子像素包括一第一电容；

多个第二子像素，位于该低透光区，且各该第二子像素包括一第二电容；

其中该第一电容包括M层导电层，该第二电容包括N层导电层，且M>N。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中该信号线为电源线或数据线。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中该些子像素包括多个第一子像素以及多个第二子像素，该些第一子像素位于该高透光区，该些第二子像素位于该低透光区，且具有相同颜色的该第一子像素与该第二子像素的发光面积相同。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中各该第一子像素包括双栅极主动元件。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一段的材料包括透明导电材料。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中该第一段的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。

7.如权利要求5所述的显示装置，其中该第一段的厚度介于至/>之间。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一电容与该第二电容的值相同。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一电容的占地面积小于该第二电容的占地面积。

10.如权利要求1所述的显示装置，还包括一感测元件，其中该感测元件于该基板的正投影重叠于该高透光区于该基板的正投影。

11.如权利要求1所述的显示装置，其中M＝6，且N＝3。