TWI750940B

TWI750940B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI750940B
Application number: TW109143115A
Authority: TW
Inventors: 楊舜評; 蕭愷緯; 葉佳元; 劉匡祥
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-12-07
Filing date: 2020-12-07
Publication date: 2021-12-21
Also published as: CN113128423A; CN113128423B; TW202223517A

Abstract

一種顯示裝置，具有顯示區，且顯示區具有高透光區及低透光區。顯示裝置包括：基板、多條訊號線以及多個子畫素。多條訊號線配置於基板上。多個子畫素配置於顯示區，且各子畫素分別電性連接對應的至少一條訊號線。多條訊號線中的至少一訊號線包括第一段以及第二段，第一段位於高透光區，第二段位於低透光區，第一段電性連接第二段，且第一段的透光率高於第二段的透光率。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有高透光區的顯示裝置。

隨著科技的進步與發展，傳統只具備影像顯示功能的顯示產品已經無法滿足消費者的需求。為了提升產品的競爭力，許多廠商嘗試著增加產品的附加功能。舉例來說，人臉辨識功能可以提供消費者更便利的生活模式，是近年來相當具吸引力的附加功能。然而，由於現有的顯示產品透光率甚低，因而人臉辨識效果不佳。

本發明提供一種顯示裝置，具有透光率提高的高透光區。

本發明的一個實施例提出一種顯示裝置，具有顯示區，且顯示區具有高透光區及低透光區，其中顯示裝置包括：基板；多條訊號線，配置於基板上；以及多個子畫素，配置於顯示區，且各子畫素分別電性連接對應的至少一條些訊號線；其中多條訊號線中的至少一訊號線包括第一段以及第二段，第一段位於高透光區，第二段位於低透光區，第一段電性連接第二段，且第一段的透光率高於第二段的透光率。

在本發明的一實施例中，上述的訊號線為電源線或資料線。

在本發明的一實施例中，上述的多個子畫素包括多個第一子畫素以及多個第二子畫素，第一子畫素位於高透光區，第二子畫素位於低透光區，且具有相同顏色的第一子畫素與第二子畫素的發光面積相同。

在本發明的一實施例中，上述的第一子畫素包括雙閘極主動元件。

在本發明的一實施例中，上述的第一段的材料包括透明導電材料。

在本發明的一實施例中，上述的第一段的材料為銦錫氧化物（ITO）或銦鋅氧化物（IZO）。

在本發明的一實施例中，上述的第一段的厚度介於700Å 至3000Å之間。

在本發明的一實施例中，上述的子畫素包括：多個第一子畫素，位於高透光區，且各第一子畫素包括第一電容；多個第二子畫素，位於低透光區，且各第二子畫素包括第二電容；其中第一電容包括M層導電層，第二電容包括N層導電層，且M＞N。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置還包括感測元件，其中感測元件於基板的正投影重疊於高透光區於基板的正投影。

本發明的一個實施例提出一種顯示裝置，具有顯示區，且顯示區具有高透光區及低透光區，其中顯示裝置包括：基板；以及多個子畫素，位於顯示區中，其中多個子畫素包括：多個第一子畫素，位於高透光區，且各第一子畫素包括第一電容；多個第二子畫素，位於低透光區，且各第二子畫素包括第二電容；其中第一電容包括M層導電層，第二電容包括N層導電層，且M＞N。

在本發明的一實施例中，上述的第一電容與第二電容的值相同。

在本發明的一實施例中，上述的第一電容的面積小於第二電容的面積。

在本發明的一實施例中，上述的M=6，且N=3。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是本發明一實施例的顯示裝置10的上視示意圖。圖2是圖1之顯示裝置10的區域I的放大示意圖。圖3是沿圖2的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖4是沿圖2的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。為清楚呈現起見，圖1省略了圖3及圖4中的第一電容C1、第二電容C2、對向基板200以及間隔件PS之繪示，圖2省略了圖3及圖4中的對向基板200以及間隔件PS之繪示。

請同時參照圖1至圖2，顯示裝置10具有顯示區AA，且顯示區AA具有高透光區HT及低透光區LT。顯示裝置10包括基板110、多條訊號線TL以及多個子畫素SP。多條訊號線TL配置於基板110上。多個子畫素SP，配置於顯示區AA，且各子畫素SP分別電性連接對應的至少一條訊號線TL。多條訊號線TL中的至少一訊號線TL包括第一段P1以及第二段P2，第一段P1位於高透光區HT，第二段P2位於低透光區LT，第一段P1電性連接第二段P2，且第一段P1的透光率高於第二段P2的透光率。

承上述，在本實施例中，藉由使位於高透光區HT的第一段P1的透光率高於位於低透光區LT的第二段P2的透光率，能夠使高透光區HT的透光率高於低透光區LT的透光率。

以下，配合圖1至圖4，繼續說明顯示裝置10的各個元件與膜層的實施方式，但本發明不以此為限。

請參照圖1，顯示裝置10的顯示區AA中具有相鄰的高透光區HT及低透光區LT。在一些實施例中，低透光區LT可以環繞高透光區HT。高透光區HT可以具有各種的形狀與尺寸。舉例而言，在本實施例中，高透光區HT的形狀為矩形，但本發明不限於此。在一些實施例中，高透光區HT可以具有圓形、橢圓形、多角形、或不規則的形狀。在一些實施例中，可以視需要選擇高透光區HT的尺寸。

基板110可以是透明基板或非透明基板，其材料可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適當材料，但本發明不以此為限。基板110上可設置顯示裝置10需要的元件，例如驅動元件、開關元件、儲存電容等等。

請同時參照圖1與圖2，基板110上可設置顯示裝置10所需的訊號線TL，訊號線TL可以延伸於顯示區AA，例如從低透光區LT延伸到高透光區HT，再延伸到低透光區LT，但本發明不限於此。訊號線TL可以沿第一方向N1延伸，也可以沿第二方向N2延伸。訊號線TL可以是顯示裝置10中具有訊號傳輸功能的導線，例如電源線、資料線、掃描線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線等等，但本發明不以此為限。

在一些實施例中，訊號線TL可以包括電源線PL。電源線PL包括位於高透光區HT的第一段P1以及位於低透光區LT的第二段P2，第一段P1電性連接第二段P2，且第一段P1的透光率高於第二段P2的透光率。舉例而言，第一段P1可以通過通孔導電結構電性連接第二段P2。第一段P1的材料可以包括透明導電材料，例如銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或奈米銀等等，但本發明不以此為限。第二段P2的材料可以是金屬，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬；或上述金屬之合金；或是金屬或合金材料與其他導電材料的堆疊層等。

在一些實施例中，第一段P1可以具有介於700Å 至3000Å之間的厚度，且第二段P2的厚度小於第一段P1的厚度，使得第一段P1與第二段P2具有相近的電阻值。在一些實施例中，第一段P1的材料為銦錫氧化物，且第一段P1具有700Å的厚度。在一些實施例中，第一段P1的材料為銦鋅氧化物，且第一段P1具有1,000Å的厚度。在本發明的實施例中，藉由第一段P1的透光率高於第二段P2的透光率，能夠使高透光區HT的透光率高於低透光區LT的透光率。

在一些實施例中，訊號線TL可以包括資料線DL，資料線DL上傳輸的訊號可以經由另一開關元件（圖未示）的控制而傳送至第一電容C1或第二電容C2。資料線DL包括位於高透光區HT的第三段P3以及位於低透光區LT的第四段P4，第三段P3電性連接第四段P4，且第三段P3的透光率高於第四段P4的透光率。舉例而言，第三段P3的材料可以包括透明導電材料，例如銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或奈米銀等等，但本發明不以此為限。第四段P4的材料可以是金屬，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬；或上述金屬之合金；或是金屬或合金材料與其他導電材料的堆疊層等。藉由第三段P3的透光率高於第四段P4的透光率，能夠使高透光區HT的透光率高於低透光區LT的透光率。

請參照圖3或圖4，顯示裝置10還包括對向基板200以及間隔件PS，其中間隔件PS設置於對向基板200與基板110之間，以使對向基板200與基板110之間保持穩定的間距。且對向基板200可以是透明基板，例如石英基板、玻璃基板、高分子基板等。對向基板200上可以設置觸控元件、彩色濾光元件、黑矩陣等元件。

在本實施例中，多個子畫素SP包括多個第一子畫素SP1以及多個第二子畫素SP2，第一子畫素SP1位於高透光區HT，且第二子畫素SP2位於低透光區LT。請同時參照圖2與圖3，位於高透光區HT的第一子畫素SP1包括第一主動元件T1、第一電容C1以及發光元件140。請同時參照圖2與圖4，位於低透光區LT的第二子畫素SP2包括第二主動元件T2、第二電容C2以及發光元件140。

請同時參照圖3與圖4，顯示裝置10包括設置於基板110上的第一導電層121、第二導電層122、第三導電層123、第四導電層124、第五導電層125及第六導電層126、以及第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134、第五絕緣層135、第六絕緣層136及第七絕緣層137，其中第一絕緣層131夾置於第一導電層121與第二導電層122之間，第二絕緣層132夾置於第二導電層122與第三導電層123之間，第三絕緣層133夾置於第三導電層123與第四導電層124之間，第四絕緣層134夾置於第四導電層124與第五導電層125之間，第五絕緣層135夾置於第五導電層125與第六導電層126之間。

基於導電性的考量，第一導電層121、第三導電層123、第四導電層124以及第五導電層125一般是使用金屬材料，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一導電層121、第三導電層123、第四導電層124以及第五導電層125可以使用合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其它合適的材料、或是上述導電材料的堆疊層。第二導電層122的材料可包括矽質半導體材料(例如多晶矽、非晶矽等)、氧化物半導體材料、有機半導體材料，但本發明不限於此。

第六導電層126的材料例如可包括抗氧化之材料，例如包括金屬（例如鈦、鉬、鎢、金、鉑、鉻、鎳、鈀、鈷之其中至少一者、上述材料之複合層、或上述材料之合金）或金屬氧化物導電材料（例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、摻氟之氧化銦）或金屬氮化物導電材料（例如氮化鈦或氮化鉬）或上述材料之組合。在一些實施例中，第六導電層126的材料包括透明導電氧化物。

第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134以及第五絕緣層135的材料可以包括透明的絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等，但本發明不限於此。第六絕緣層136以及第七絕緣層137的材料可以包括透明的絕緣材料，例如有機材料、壓克力(acrylic)材料、矽氧烷(siloxane)材料、聚醯亞胺(polyimide)材料、環氧樹脂(epoxy)材料等，但本發明不限於此。第一絕緣層131、第二絕緣層132、第三絕緣層133、第四絕緣層134、第五絕緣層135、第六絕緣層136以及第七絕緣層137也可以分別具有單層結構或多層結構，多層結構例如上述絕緣材料中任意兩層或更多層的疊層，可視需要進行組合與變化。

第一導電層121包括分離的底閘極G1B以及第一電容電極E1。第二導電層122包括分離的第一通道CH1、第二電容電極E21、第二通道CH2以及第七電容電極E22。第三導電層123包括分離的頂閘極G1T、第三電容電極E31、第二閘極G2以及第八電容電極E32。第四導電層124包括第四電容電極E41以及第九電容電極E42。第五導電層125包括分離的第一源極S1、第一汲極D1、第五電容電極E5、第二源極S2以及第二汲極D2。第六導電層126包括分離的第一連接圖案126a、第二連接圖案126b以及第六電容電極E6。

請參照圖3，第一導電層121的底閘極G1B、第二導電層122的第一通道CH1、第三導電層123的頂閘極G1T以及第五導電層125的第一源極S1與第一汲極D1構成第一子畫素SP1的第一主動元件T1。因此，第一子畫素SP1的第一主動元件T1屬於雙閘極型薄膜電晶體。然而，在其他實施例中，第一主動元件T1也可以是頂閘極型薄膜電晶體、底閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。

第一主動元件T1的第一源極S1通過通孔V1中的導電結構CS1連接第一通道CH1，第一汲極D1通過通孔V2中的導電結構CS2連接第一通道CH1。導電結構CS1、CS2的材料可以是金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。在一些實施例中，導電結構CS1的材料可以與第一源極S1的材料相同，導電結構CS2的材料可以與第一汲極D1的材料相同，但本發明不以此為限。

第一主動元件T1的第一源極S1可以通過通孔V3中的導電結構CS3連接第六導電層126的第一連接圖案126a，而第一連接圖案126a電性連接至電源線PL的第一段P1。在一些實施例中，第一連接圖案126a與電源線PL的第一段P1屬於相同膜層。在一些實施例中，第一連接圖案126a與電源線PL的第一段P1包括相同的材料。第一主動元件T1的第一汲極D1可以通過通孔V4中的導電結構CS4連接第六導電層126的第二連接圖案126b，而第二連接圖案126b再通過通孔V5中的導電結構CS5連接至發光元件140的第一電極141。

導電結構CS3、CS4、CS5的材料可以是金屬（例如鈦、鉬、鎢、金、鉑、鉻、鎳、鈀、鈷之其中至少一者、上述材料之複合層、或上述材料之合金）或金屬氧化物導電材料（例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、摻氟之氧化銦）或金屬氮化物導電材料（例如氮化鈦或氮化鉬）或上述材料之組合。在一些實施例中，導電結構CS3的材料可以與第一連接圖案126a的材料相同，導電結構CS4的材料可以與第二連接圖案126b的材料相同，導電結構CS5的材料可以與第一電極141的材料相同，但本發明不以此為限。

請參照圖4，第二導電層122的第二通道CH2、第三導電層123的第二閘極G2以及第五導電層125的第二源極S2與第二汲極D2構成第二子畫素SP2的第二主動元件T2。因此，第二子畫素SP2的第二主動元件T2屬於頂閘極型薄膜電晶體。然而，在其他實施例中，第二主動元件T2也可以是雙閘極型薄膜電晶體、底閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。

第二主動元件T2的第二源極S2通過通孔V10中的導電結構CS10連接第二通道CH2，第二汲極D2通過通孔V11中的導電結構CS11連接第二通道CH2。導電結構CS10、CS11的材料可以是金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。導電結構CS10、CS11的材料可以是金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。

第二主動元件T2的第二源極S2電性連接至電源線PL的第二段P2。在一些實施例中，第二源極S2與電源線PL屬於相同膜層。在一些實施例中，第二源極S2與電源線PL包括相同的材料。第二主動元件T2的第二汲極D2可以通過通孔V12中的導電結構CS12連接至發光元件140的第一電極141。在一些實施例中，導電結構CS12的材料可以與第一電極141的材料相同，但本發明不以此為限。導電結構CS12的材料可以是金屬（例如鈦、鉬、鎢、金、鉑、鉻、鎳、鈀、鈷之其中至少一者、上述材料之複合層、或上述材料之合金）或金屬氧化物導電材料（例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、摻氟之氧化銦）或金屬氮化物導電材料（例如氮化鈦或氮化鉬）或上述材料之組合。

第一子畫素SP1的發光元件140與第二子畫素SP2的發光元件140結構相同，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一子畫素SP1與第二子畫素SP2具有相同的顏色。在一些實施例中，第一子畫素SP1與第二子畫素SP2具有相同的發光面積。在一些實施例中，第一子畫素SP1與第二子畫素SP2可具有相同的顯示品質。

請同時參照圖3與圖4，發光元件140包括第一電極141、發光材料層142以及第二電極143。第六絕緣層136夾置於第六導電層126與第一電極141之間。第七絕緣層137夾置於第一電極141與第二電極143之間，發光材料層142設置於第七絕緣層137的凹槽137T中，第二電極143設置於發光材料層142上。在一些實施例中，發光元件140可以是電致發光或有機電致發光。在一些實施例中，藉由施加電壓至第一電極141及第二電極143，兩者間具有電流產生時，可使第一電極141與第二電極143之間的發光材料層142中的發光材料發出光束。

在一些實施例中，發光材料層142可以包括電洞注入層（HIL）、電洞傳輸層（HTL）、發光層（EML）、電子傳輸層（ETL）以及電子注入層（EIL），而具有多層結構。

在一些實施例中，第一電極141以及第二電極143可為透明或不透明的導電層。基於導電性與透光性的考量，第一電極141以及第二電極143的材料一般是透明金屬氧化物導電材料，例如包括（但不限於）銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或銦鍺鋅氧化物。然而，第一電極141以及第二電極143的材料亦可為金屬材料或合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料。

第一子畫素SP1的第一電容C1包括M層導電層，第二子畫素SP2的第二電容C2包括N層導電層，M與N為正整數，且M＞N，也就是說，第一電容C1的導電層數多於第二電容C2的導電層數。舉例而言，請參照圖3，第一子畫素SP1的第一電容C1包括第一導電層121的第一電容電極E1、第二導電層122的第二電容電極E21、第三導電層123的第三電容電極E31、第四導電層124的第四電容電極E41、第五導電層125的第五電容電極E5以及第六導電層126的第六電容電極E6，也就是說，第一電容C1包括6層導電層，但本發明不限於此。在一些實施例中，第一電容C1可以包括4、5、7、8或9層導電層。

第三電容電極E31通過通孔V6中的導電結構CS6連接第一電容電極E1，第五電容電極E5通過通孔V8中的導電結構CS8連接第三電容電極E31。因此，第一電容電極E1、第三電容電極E31以及第五電容電極E5串聯而具有相同的電位，且第一電容電極E1、第三電容電極E31、或第五電容電極E5可接收來自訊號線TL、其他主動元件或外部電源線的第一電壓訊號。導電結構CS6、CS8的材料可以是金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。

第四電容電極E41通過通孔V7中的導電結構CS7連接第二電容電極E21，第六電容電極E6通過通孔V9中的導電結構CS9連接第四電容電極E41。因此，第二電容電極E21、第四電容電極E41以及第六電容電極E6串聯而具有相同的電位，且第二電容電極E21、第四電容電極E41、或第六電容電極E6可接收來自訊號線TL、其他主動元件或外部電源線的第二電壓訊號，且第二電壓訊號不同於第一電壓訊號。導電結構CS7、CS9的材料可以是金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。

請參照圖4，第二子畫素SP2的第二電容C2包括第二導電層122的第七電容電極E22、第三導電層123的第八電容電極E32以及第四導電層124的第九電容電極E42，也就是說，第二電容C2包括3層導電層，但本發明不限於此。第九電容電極E42通過通孔V13中的導電結構CS13連接第七電容電極E22。因此，第七電容電極E22與第九電容電極E42串聯而具有相同的電位。第七電容電極E22或第九電容電極E42可接收來自訊號線TL、其他主動元件或外部電源線的第三電壓訊號，而第九電容電極E42可接收來自訊號線TL、其他主動元件或外部電源線的第四電壓訊號，且第四電壓訊號不同於第三電壓訊號。導電結構CS13的材料可以是金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。

在本實施例中，由於第一電容C1的值是由第一電容電極E1、第二電容電極E21、第三電容電極E31、第四電容電極E41、第五電容電極E5以及第六電容電極E6的重疊面積所決定，第二電容C2的值是由第七電容電極E22、第八電容電極E32以及第九電容電極E42的重疊面積所決定，因此，藉由調整第一電容電極E1、第二電容電極E21、第三電容電極E31、第四電容電極E41、第五電容電極E5及第六電容電極E6的重疊面積以及第七電容電極E22、第八電容電極E32及第九電容電極E42的重疊面積，可使第一電容C1的值與第二電容C2的值相同。

在本實施例中，可將第一電容C1的佔地面積定義為第一電容電極E1、第二電容電極E21、第三電容電極E31、第四電容電極E41、第五電容電極E5以及第六電容電極E6於基板110的正投影的重疊區域A1的面積，並將第二電容C2的佔地面積定義為第七電容電極E22、第八電容電極E32以及第九電容電極E42於基板110的正投影的重疊區域A2的面積，且第一電容C1的佔地面積可小於第二電容C2的佔地面積。如此一來，第一子畫素SP1中未被第一電容C1遮蔽的透光區域可大於第二子畫素SP2中未被第二電容C2遮蔽的透光區域，使得第一子畫素SP1的透光率高於第二子畫素SP2的透光率，從而使高透光區HT的透光率高於低透光區LT的透光率。

圖5是本發明一實施例的顯示裝置20的示意性立體圖。與圖1至圖4的顯示裝置10相比，顯示裝置20的不同之處在於：顯示裝置20還包括感測元件SR，感測元件SR例如是紅外光影像感測器，但本發明不限於此。在本實施例中，感測元件SR於基板110的正投影重疊於高透光區HT於基板110的正投影，也就是說，感測元件SR對應於高透光區HT的位置設置。如此一來，由於通過高透光區HT的光訊號可具有提高的穿透率，感測元件SR便可接收到更多的光訊號進行感測，使得顯示裝置20能夠提供更佳的感測效果。舉例而言，顯示裝置20是具有人臉辨識功能的智慧型手錶，因此，藉由高透光區HT的設置，智慧型手錶可提供更佳的人臉辨識效果。

綜上所述，本發明實施例的顯示裝置中，藉由使訊號線在高透光區的第一段的透光率高於訊號線在低透光區的第二段的透光率，使得高透光區的透光率能夠高於低透光區的透光率。此外，藉由以更多的導電層堆疊而成的第一電容架構來使第一電容的電容值保持與第二電容的電容值相同，能夠在不影響顯示品質之下使第一電容的面積小於第二電容的面積，使得第一子畫素的透光率高於第二子畫素的透光率，而能夠提供具有透光率提高的高透光區的顯示裝置，以提昇顯示裝置的感測效果。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20:顯示裝置 110:基板 121:第一導電層 122:第二導電層 123:第三導電層 124:第四導電層 125:第五導電層 126:第六導電層 126a:第一連接圖案 126b:第二連接圖案 131:第一絕緣層 132:第二絕緣層 133:第三絕緣層 134:第四絕緣層 135:第五絕緣層 136:第六絕緣層 137:第七絕緣層 137T:凹槽 140:發光元件 141:第一電極 142:發光材料層 143:第二電極 200:對向基板 A-A’、B-B’:剖面線 A1、A2:區域 AA:顯示區 C1:第一電容 C2:第二電容 CH1:第一通道 CH2:第二通道 CS1~CS13:導電結構 D1:第一汲極 D2:第二汲極 DL:資料線 E1:第一電容電極 E21:第二電容電極 E22:第七電容電極 E31:第三電容電極 E32:第八電容電極 E41:第四電容電極 E42:第九電容電極 E5:第五電容電極 E6:第六電容電極 G1B:底閘極 G1T:頂閘極 G2:第二閘極 HT:高透光區 I:區域 LT:低透光區 N1:第一方向 N2:第二方向 P1:第一段 P2:第二段 P3:第三段 P4:第四段 PL:電源線 PS:間隔件 S1:第一源極 S2:第二源極 SP:子畫素 SP1:第一子畫素 SP2:第二子畫素 SR:感測元件 T1:第一主動元件 T2:第二主動元件 TL:訊號線 V1~V13:通孔

圖1是本發明一實施例的顯示裝置的上視示意圖。圖2是圖1之顯示裝置的區域I的放大示意圖。圖3是沿圖2的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖4是沿圖2的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。圖5是本發明一實施例的顯示裝置的示意性立體圖。

126a:第一連接圖案

126b:第二連接圖案

140:發光元件

A-A’、B-B’:剖面線

A1、A2:區域

C1:第一電容

C2:第二電容

CH1:第一通道

CH2:第二通道

D1:第一汲極

D2:第二汲極

DL:資料線

E1:第一電容電極

E21:第二電容電極

E22:第七電容電極

E31:第三電容電極

E32:第八電容電極

E41:第四電容電極

E42:第九電容電極

E5:第五電容電極

E6:第六電容電極

G1B:底閘極

G1T:頂閘極

G2:第二閘極

HT:高透光區

LT:低透光區

N1:第一方向

N2:第二方向

P1:第一段

P2:第二段

P3:第三段

P4:第四段

PL:電源線

S1:第一源極

S2:第二源極

SP1:第一子畫素

SP2:第二子畫素

T1:第一主動元件

T2:第二主動元件

TL:訊號線

V1~V13:通孔

Claims

一種顯示裝置，具有一顯示區，且該顯示區具有一高透光區及一低透光區，其中該顯示裝置包括：一基板；多條訊號線，配置於該基板上；以及多個子畫素，配置於該顯示區，且各該子畫素分別電性連接對應的至少一條該些訊號線；其中該些訊號線中的至少一訊號線包括一第一段以及一第二段，該第一段位於該高透光區，該第二段位於該低透光區，該第一段電性連接該第二段，且該第一段的透光率高於該第二段的透光率，以及其中該訊號線為電源線或資料線。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些子畫素包括多個第一子畫素以及多個第二子畫素，該些第一子畫素位於該高透光區，該些第二子畫素位於該低透光區，且具有相同顏色的該第一子畫素與該第二子畫素的發光面積相同。
如請求項2所述的顯示裝置，其中各該第一子畫素包括雙閘極主動元件。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一段的材料包括透明導電材料。
如請求項4所述的顯示裝置，其中該第一段的材料為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。
如請求項4所述的顯示裝置，其中該第一段的厚度介於700Å至3000Å之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些子畫素包括：多個第一子畫素，位於該高透光區，且各該第一子畫素包括一第一電容；多個第二子畫素，位於該低透光區，且各該第二子畫素包括一第二電容；其中該第一電容包括M層導電層，該第二電容包括N層導電層，且M>N。
如請求項7所述的顯示裝置，其中該第一電容與該第二電容的值相同。
如請求項7所述的顯示裝置，其中該第一電容的佔地面積小於該第二電容的佔地面積。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括一感測元件，其中該感測元件於該基板的正投影重疊於該高透光區於該基板的正投影。
如請求項7所述的顯示裝置，其中M=6，且N=3。