CN113122929A - 一种新型半导体单晶片位错密度检测腐蚀工装及方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种碳化硅晶片腐蚀方法和装置。所述方法包括如下步骤：S1、腐蚀液制备；S2、将所述晶片夹具挂至升降挂钩上；S3、预热；S4、腐蚀；S5、冷却及处理晶片。在所述腐蚀方法中可根据晶片尺寸及预估晶片质量及缺陷密度进行不同时长的预热、腐蚀和冷却。不限于以提拉杆、步进电机配合三轴移动等，实现上下、左右方向的夹具移动。本发明同时公布了一种包含晶片夹具、篮组合的腐蚀工装，可用于手持及提拉腐蚀，使获取腐蚀片的过程更加安全，降低操作难度。本发明装置结构简单，操作稳定，腐蚀方法同时具备可调整的灵活性、易于实现等优点，预热和注意温差的冷却则可有效降低大尺寸晶片碎裂的可能。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅晶片的腐蚀，具体说是一种通过升降带晶片的夹具进行腐蚀的方法和装置。
背景技术
碳化硅作为第三代半导体材料，以宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、抗辐射、耐腐蚀等性能，展现了其在高温、高功率、高频率电子器件邻域的广泛应用前景。
碳化硅晶体的性能受其化学成分、结构和组织性能的影响。晶体缺陷及其影响是一直以来的研究对象。缺陷是晶体在生长过程中由于热应力或杂质等因素导致的与理想结构发生偏差的区域。晶体的缺陷种类主要有微管、位错和小角晶界。缺陷的数量和分布对晶片的各项性能有严重影响，进而影响器件性能和可靠性，所以必须充分了解碳化硅衬底片、外延片中存在的各种缺陷。这对于不断优化晶体生长、外延工艺及提高器件性能都具有重要意义。缺陷选择性腐蚀技术是表征碳化硅单晶及外延材料的缺陷种类和分布的常见方法。由于碳化硅抗氧化性能好，化学稳定性高，常用腐蚀方法有化学腐蚀法和离子蚀刻等。其中化学腐蚀法包含500℃下KOH、NaOH、氟盐的腐蚀以及低温下浓硝酸、氢氟酸混合液的腐蚀。
采用强碱进行腐蚀时，较高的实验温度和强碱性腐蚀剂，增加了实验操作的难度，且易危害操作人员的人身安全(如熔融的KOH挥发，造成对人体呼吸系统的危害)。高温下碳化硅试样进出腐蚀液的过程则需要使用合适的载具，确保避免因冷热温差较大带来的液体飞溅和腐蚀试样碎裂。
目前就腐蚀方面有以下专利工作。黄政仁等以浓氢氟酸和浓硝酸的混合液为腐蚀剂， 150～200℃进行腐蚀12～24小时，作为低温腐陶瓷碳化硅的方法，未提及浸泡试样时所使用的工具。陈建等腐蚀碳化硅陶瓷时采用500℃熔融KOH，使用夹取腐蚀试样的工具为镊子。高玉强等人采用了镍丝编制的网桶，网桶内设斜置的格层承载晶片。进行晶片腐蚀时，在腐蚀液达到约450℃时将带晶片的网桶直接放入腐蚀液，为防止腐蚀液飞溅，在网桶上方增加了盖子。相比用镊子等工具夹取晶片进行腐蚀，这种装置的带来的安全性和操作稳定性已经有了较大改善。但仍未解决的一个问题是，高温下直接放置和取出网桶，较大的温差容易使缺陷较多的晶片过腐蚀或碎裂。另外，上盖遮掩观察视线，腐蚀操作仍然具有一定的危险性。董林等设计的带电机的腐蚀装置采用镍篮在腐蚀液中旋转的方法，以便使竖置晶片腐均匀。其支架为固定支架，无法进行提升、下降等进行预热。为了避免镍篮进入时对腐蚀液温度造成波动，采取了放置镍篮连同KOH一起升温后再取出放置碳化硅试样的方法。这种装置一定程度上改善了腐蚀均匀性，但对腐蚀的安全性和稳定性仍未有显著改善。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种安全高效的碳化硅晶片腐蚀方法和装置。
该方法通过升降方法，配合工装，实现操作人员在腐蚀实验操作期间尽可能远离腐蚀液的目的，可进行稍长时间预热、冷却，降低温差，可稳定腐蚀工艺。该方法结构简单，操作稳定，具有调整的灵活性，具备易于实现等优点。预热和注意温差的冷却则可有效降低大尺寸晶片碎裂的可能。
一种安全高效的碳化硅晶片腐蚀方法，包括如下步骤：
S1、腐蚀前晶片检测；
S2、腐蚀液制备；
S3、晶片安装；
S4、腐蚀；
S5、腐蚀液处理。
S11、晶片腐蚀前可以通过拍照等检测手段获知晶片的信息，如晶片表面加工质量、应力分布、晶型、缺陷数量及显微结构形貌等，以便预测晶片的耐腐蚀程度，掌握腐蚀时间。常规的检测手段包括偏光应力仪、白光、UV、光学显微镜观察等。进行显微镜观察时可使用定位片，定点观察腐蚀前后原位形貌变化。检测过程中，需注意晶片的轻拿轻放，避免引入沾污和表面划伤，避免破碎或因碰击而引入的裂纹扩展。
S21、采用KOH、KOH与NaOH的混合液或添加氟盐(NaF、KF、GaF2等)的混合强碱等作为碱性腐蚀剂；采用镍坩埚作为载具；腐蚀液温度控制在300～550℃间，以便于控制腐蚀时间。
S22、制作腐蚀液前后可对炉膛及镍坩埚内外形貌进行拍照记录，以对照历次使用对镍坩埚的腐蚀和破坏程度。强碱分析纯熔融过程中不时以热电偶探测熔融液的实际温度，最终使腐蚀液稳定在目标温度，稳定在目标温度数分钟后，再进行腐蚀，腐蚀过程中，可将控制表设置为温度恒定。
S31、在腐蚀开始前应检查夹具与待腐蚀晶片尺寸匹配情况，将晶片安装在夹具上。确认轻微晃动下，晶片不易脱落。将夹具上的弯钩挂至横杆上，连同带晶片的夹具归至于坩埚正上方，优选高度为不低于15cm。
S41、缓慢转动提拉杆手柄，使得带晶片夹具平稳下降到高度H1，到达位置后，开始预热。计时并记录数据。H1优选5～15cm间。
S42、预热完毕，下降夹具至高度H2预热，计时并记录数据。H2优选0～5cm间。
S43、下降提拉杆，将带晶片夹具浸入腐蚀液中并沉至底部，开始腐蚀并将记录此时腐蚀液温度、腐蚀时长等数据。当腐蚀较大尺寸晶片时，可以将夹具轻推小的角度，以克服溶液表面张力以保证夹具顺利沉入腐蚀液。
S44、腐蚀完毕，缓慢转动提拉杆手柄，将带晶片夹具提升至高度H3冷却，再逐步提高至H4冷却。记录冷却时间、冷却最终温度等数据。H3高度优选0～5cm，H4高度优选大于5cm的高度。
S45、将冷却后的夹具及晶片缓慢置于一定温度的水浴中，使晶片上残留的腐蚀液充分溶解于水中，以便与夹具脱离。当晶片缺陷较多时，可将水浴温度提高，以防止晶片冷却过程中因边缘应力碎裂。冷却后夹具及晶片的温度优选温度为100～170℃，水浴温度为20～100℃，优选80℃以上。
S46、戴防护手套以手或晶片夹轻轻取下晶片。置于干净的吸水纸上。将夹具从提拉杆上取下。
S47、将夹具与晶片分开冲洗。夹具以水枪喷淋数次，吸水纸擦拭干净或吹风机吹干。晶片以大量清水漂洗数次，优选3次以上。
S48、在无光泽黑色平行光下，用肉眼观察试样上缺陷的宏观分布。在金相显微镜下观察晶片的腐蚀程度，以螺位错(TSD)最大尺寸在140μm为宜。腐蚀遵循宁轻勿重原则，观察结果若为欠腐蚀(即腐蚀坑过小)，则重复S11～S48步骤，可对晶片再次略加腐蚀。直至腐蚀结果适宜。
S49、可以配置稀酸(浓度1～6％)、酒精、去离子水依次清洗，获得表面光洁的晶片。
S50、腐蚀晶片完成后，停止腐蚀液的加热，腐蚀液可自然冷至结晶成块。冷却时间过长时，表面潮解。测量冷却凝固后表面温度，冷却至室温时可进行加入水溶液的溶解(30℃， KOH溶解度126g)。以便取出腐蚀废液，对其进行处理。
需要注意的是，应在作业各阶段观察晶片在夹具中的位置，可略微调整以保持晶片居中。避免因夹具加工尺寸或者晶片尺寸变动引起的晶片滑落或挤压崩边。
本发明同时公布了一种工装，尤其适用于晶片的腐蚀使用。
该工装包括可容纳数片2～6寸单晶片的晶片卡槽，容纳晶片卡槽带有防热操作把手的晶片夹具篮，防止热量弥散的坩埚盖，以及含有三方支撑结构的金属支架。晶片卡槽装载晶片后放置于操作花篮内，非工作状态时，操作花篮可放置于坩埚支撑结构上。坩埚带有可拆卸隔热树脂手柄。
对于晶片夹具，该晶片夹具沿圆周方向呈90°分三点树立卡柱，每个卡柱上含有数个晶片卡槽，卡槽宽度为1毫米，可以容纳1毫米厚度以下的碳化硅单晶片。该夹具在其中一个90°方向有插销孔位，可固定晶片，防止晶片在高浓度腐蚀液中滑出腐蚀工装，造成晶片损毁。该夹具工装在底部互呈120°的方向有三个支撑螺栓，避免工装在高浓度腐蚀液的作用下和晶片操作花篮底部发生粘黏，造成取片困难。定位插销易于拆卸，起到阻挡作用，避免增加晶体和夹具工装的接触点，造成晶片应力过大，易于碎裂，对于包含主副边的单晶片，需将主边中点与阻挡插销对中。
晶片夹具篮由镍质材料制成，花篮底部包含布满圆形孔洞的底漏板，便于药液流动和疏通。夹具篮互成90°的方向有四个立柱，防止晶片夹具滑出夹具篮，与手柄呈180°的立柱为空心保护管，其中可插入K型热电偶，防止腐蚀液对电偶腐蚀造成报废及测温不准的现象。
坩埚由镍质材料制成，坩埚互呈90°的方向各有1个手柄，该手柄上含有绝热陶瓷材料，便于转移和清理坩埚，同时防止在该过程中操作员被烫伤。坩埚上沿互呈90°方向各有一个支撑立柱，该立柱可满足坩埚初期悬空预热及后期干燥晾晒的目的。
附图说明
图1为本发明装置实施例的晶片夹具的主视图；
图2为本发明装置实施例的晶片夹具的俯视图；
图3为本发明装置实施例晶片夹具的三维示意图；
图4为本发明装置实施装载花篮的主视图；
图5为晶片花篮俯视图；
图6为晶片夹具、花篮装配示意图；
图7为镍坩埚主视图；
图8为镍坩埚俯视图；
图9为晶片预热示意图；
图10为晶片腐蚀示意图；
图11为实施例1腐蚀片形貌；
图12为实施例2腐蚀片形貌；
图13为对比例1腐蚀片形貌。
下面，参考附图，对本发明装置进行更全面的说明，附图中示出了本发明装置的示例性实施例。然而，本发明装置可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明装置全面和完整，并将本发明装置的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
如图1所示，本发明装置专利提供了一种新型的单晶片腐蚀工装，该腐蚀工装包括单晶片夹具卡槽，该工装包括可容纳2～6寸的单晶片的晶片夹具，用于隔热承载夹具的晶片花篮工装，用于承载氢氧化钾高温熔融液的镍坩埚。
如图1、2为晶片夹具的示意图，图3为晶片夹具的三维图，该结构由镍材料制得，由支撑晶片卡槽7、6、2及测温套管10将上环1和下环4焊接在一起，晶片卡槽有三个卡柱，在沿着0～270°方向上沿圆周方向呈90°分三点树立，每个卡柱上含数个卡槽，卡槽宽度为 1毫米，可以容纳1毫米厚度以下的碳化硅单晶片。该夹具在360°方向有插销孔位，可通过插入定位插销来固定晶片，防止晶片在高浓度腐蚀液中滑出腐蚀工装，造成晶片损毁。该夹具工装在底部有互呈120°的方向有三个支撑螺栓3、8、9，用于避免工装在高浓度腐蚀液的作用下和装载晶片夹具的花篮底部发生粘黏，造成取片困难。定位插销10易于拆卸，起到阻挡晶片5滑出的作用。
图4、图5分别为晶片夹具装载花篮的主视图、俯视图。花篮由镍质材料制成，为手持型工装，上下镍环20、21通过立柱11、13、14、17焊接圆柱骨架，上花篮20在圆周方向互呈90°有四个矩形缺口，连接上下镍环20、21的镍柱。11为空心套管，该套管可插入热电偶检测溶液温度，套管11可有效的保护热电偶，放置被高温腐腐蚀溶液腐蚀。该工装手柄15连接在上圆环20处，可在手柄末端添加可拆卸防烫电木套具。该花篮底板21包含布满孔洞圆形孔洞的底漏板，便于药液流动和疏通。图6为晶片夹具、花篮装配示意图。图7、图8为镍坩埚的主视图和俯视图。镍坩埚用于盛装氢氧化钾高温腐蚀液，坩埚体25总体为圆柱形，在坩埚沿上部呈90°方向各有四个支撑结构24，用于在晶片预热时，花篮边缘非 12、18、19、22处放置于该结构24上，使得预热充分。晶片腐蚀时，花篮将缺口12、18、 19、22旋转对准该口放入腐蚀液中，该坩埚可通过把手23进行取放，该结构可套上防烫电木，避免烫伤，该把手23连接于坩埚上沿26。图9、图10为腐蚀过程。其中，图9为预热过程示意图，图10为腐蚀过程示意图。
本申请工作的工作流程如下所示：
根据晶片尺寸选择对应尺寸的夹具，手握上或下支撑环1或4，取下晶片固定插销10，插入1～6片同样尺寸的单晶片5，使主副边避开卡槽2、7、6(防止晶片滑出)，晶片5插入完成后，插入固定插销10，左右倾斜，检测晶片5是否会滑出。检测无误后，将螺母3、8、9旋转拧紧，该螺母3、8、9用于减小晶片夹具与晶片花篮的接触面积。放置时，单晶片5 腐蚀面统一朝上或者统一朝下，确保腐蚀效果最大程度上均一一致。该晶片夹具的三维工装示意图图3所示。该晶片夹具的主视图和俯视图如图1、图2所示。
晶片装载完成后，将晶片夹具放入晶片装载花篮中，插上防烫电木套。操作人员带上防烫手套，手握花篮手柄16，在套管11中插入测温热电偶，缓慢下方晶片花篮，使得上花篮卡在坩埚支撑结构24上。对晶片进行预热30min，该阶段如图9所示，预热状态如图，当测温管内热电偶测得温度波动小于10°，手握防烫结构16，缓慢下放花篮，进入腐蚀阶段。使得花篮上沿缺口12、18、19、22对准坩埚支撑结构24，使得支撑结构24插入该缺口12、 18、19、22，实现晶片花篮的下放。
根据晶片的本征特性，确定腐蚀时间、腐蚀温度等参数，腐蚀完成后，手握防烫结构 16，将花篮缓慢提升，放置于坩埚支撑结构24上方缓慢冷却，冷却状态示意图如图9所示。实验完成后，进行晶片的冲洗，测试，表征。
具体实施方式
下面，参考附图，对本发明装置进行更全面的说明，附图中示出了本发明装置的示例性实施例。然而，本发明装置可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明装置全面和完整，并将本发明装置的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
为了更清楚的阐释本申请的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。
实施例1
分段提拉预热及冷却方法
利用提拉杆按照分次下降及提升进行腐蚀，仅采用工装中的晶片夹具。
具体步骤如下：
步骤1：将1.5kgKOH分析纯加热至熔融，保持熔融液温度约505℃；
步骤2：带晶片夹具安装至提拉杆上，下降至近液面高度10cm处预热3min；
步骤3：下降夹具，使其底部进入液面，晶片仍保持在液面上方，预热2min；
步骤4：继续下降至晶片浸入腐蚀液，腐蚀4.5min；
步骤5：腐蚀完成，提起夹具至距离液面2cm，保持3.5min；
步骤6：再次提升至距液面10cm，冷却2min；
步骤7：水平移动夹具至冷却台，冷却至147℃；
步骤8：将夹具及晶片置于95℃水浴中，浸泡3min；
步骤9：取出晶片，以去离子水多次清洗，干燥，以显微镜观察腐蚀坑大小，确认腐蚀程度是否适宜。
腐蚀结果如附图11所示，显示可达到观察要求，分段预热及冷却可行，提拉操作较为简易。
实施例2
连续提拉及冷却方法
利用步进电机连续下降及提升进行腐蚀，仅采用工装中的晶片夹具。
具体步骤如下：
步骤1：将1.5kgKOH分析纯加热至熔融，保持熔融液温度约511℃；
步骤2：带晶片夹具安装至提拉杆上，下降至近液面高度15cm处预热2min；
步骤3：控制步进电机速度为2.5mm/s，下降夹具，近液面时暂停，预热2min；
步骤4：连续下降晶片并浸入腐蚀液，腐蚀4min；
步骤5：腐蚀完成，以3mm/s速度使夹具上升至距离液面15cm；
步骤6：水平移动夹具至冷却台，冷却至152℃；
步骤7：将夹具及晶片置于90℃水浴中，浸泡3min。
步骤8：取出晶片，去离子水多次清洗，干燥，以显微镜观察腐蚀坑大小，确认腐蚀程度是否适宜。
腐蚀结果如附图12所示，显示可达到观察要求，连续预热及冷却可行，步进控制操作较为简易。
实施例1、2使用夹具结构如下：工装包括镍质晶片夹及缓冲绳索。采用移动装置分别为提拉杆和步进电机。
对比例1
腐蚀工装的手持分段腐蚀
具体步骤如下：
步骤1：安装晶片，即将六英寸碳化硅单晶片固定于镍制工装上待用；
步骤2：晶片一次加热，将载有晶片的镍制工装放置到加热炉内从室温匀速缓慢加热至 350℃，升温速率小于15℃/min，并保持；
步骤3：晶片二次加热，将处于高温状态的镍制工装从加热炉内取出，放置于500℃的 KOH熔融液上表面，使晶片与KOH熔液表面保持0～5mm的位置，烘烤晶片至温度高于 430℃；
步骤4：沉没晶片，将载有晶片的镍制工装倾斜，使晶片上表面与KOH熔融液表面夹角保持20°～45°，再把晶片缓慢沉没进KOH熔液中；
步骤5：取出晶片，晶片腐蚀完毕后，将载有晶片的镍制工装倾斜20°～45°，缓慢把晶片提升到距KOH熔液表面0～10mm的位置；
步骤6：晶片一次降温，将载有晶片的镍制工装悬停于距KOH熔液表面，使晶片与KOH 熔液表面保持10～20mm的距离，等待晶片降温至300～350℃；
步骤7：晶片二次降温，将工装移动到镍制托盘，等待晶片温度自然降至110～120℃；
步骤8：热态去除残余KOH，晶片温度降至110～120℃时，将载有晶片的镍制工装放入 90～100℃的水浴中，以溶解晶片与镍制工装表面的残余KOH；
步骤9：拆卸晶片，晶片与工装表面的残余KOH完全溶解后，晶片从镍制工装拆卸下来。
腐蚀结果如附图13所示，显示可达到观察要求，连续预热及冷却可行，手持工装控制要求较高。
本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (3)
1.一种腐蚀碳化硅晶片的方法，其特征在于，包括如下步骤:
S1、腐蚀前晶片检测：晶片腐蚀前可通过检测手段获知晶片的信息，如晶片表面加工质量、应力分布、晶型、缺陷数量及显微结构形貌等，作为预测晶片的耐腐蚀程度、掌握腐蚀时间初步依据；常规的检测手段包括偏光应力仪、白光、UV、光学显微镜观察等；进行显微镜观察时使用定位片，定点观察腐蚀前后原位形貌变化；检测过程中，避免引入沾污和表面划伤，避免破碎或因碰击而引入的裂纹扩展；S2、腐蚀液制备：S21、采用KOH、KOH与 NaOH的混合液或添加氟盐（NaF、KF、GaF2等）的混合强碱等作为碱性腐蚀剂；采用镍坩埚作为腐蚀液的载具；腐蚀液温度控制在300～550℃间；S22、制作腐蚀液前后可对炉膛及镍坩埚内外形貌进行记录，以对照历次使用对镍坩埚的腐蚀和破坏程度；S23、分析纯熔融过程中以热电偶探测熔融液的实际温度，腐蚀时选取温度稳定后的腐蚀液进行腐蚀；S3、晶片安装：在腐蚀开始前应检查夹具与待腐蚀晶片尺寸匹配情况，将晶片安装在夹具上，确认轻微晃动下，晶片不易脱落；将带晶片的夹具归置于坩埚正上方，挂至移动设备上；S4、腐蚀：S41、缓慢下降夹具，使得带晶片夹具平稳下降到高度H1，到达位置后，进行预热；计时并记录数据；H1优选5～15cm间；S42、预热完毕，下降夹具至高度H2预热，计时并记录数据；H2优选0～5cm间；S43、下降提拉杆，将带晶片夹具浸入腐蚀液中并沉至底部，腐蚀并记录此时腐蚀液温度、腐蚀时长等数据；当腐蚀较大尺寸晶片时，将夹具轻推小的角度以克服溶液表面张力以保证夹具顺利浸入腐蚀液；S44、腐蚀完毕，将带晶片夹具缓慢提升至高度H3冷却，再逐步提高至H4冷却；记录冷却时间、冷却最终温度等数据；H3高度优选0～5cm，H4高度优选大于5cm的高度；S45、将冷却后的夹具及晶片缓慢置于一定温度的水浴中，使晶片上残留的腐蚀液充分溶解于水中，以便与夹具脱离；当晶片缺陷较多时，可将水浴温度提高，以防止晶片冷却过程中因边缘应力与碎裂；冷却后夹具及晶片的温度优选温度为100-170℃，水浴温度为20-100℃，优选80℃以上；S46、防护下以手或晶片夹轻轻取下晶片； S47、将夹具与晶片分开冲洗；夹具以水枪喷淋数次，进行干燥；晶片以大量清水漂洗数次，优选3次以上；S48、在无光泽黑色的平行光下，用肉眼观察试样上缺陷的宏观分布；在金相显微镜观察晶片的腐蚀程度，以螺位错（TSD）最大尺寸在140μm为宜；腐蚀遵循宁轻勿重原则，观察结果若为欠腐蚀，则重复1）～9）步骤，可对晶片再次略加腐蚀；直至腐蚀结果适宜；S49、可以配置稀酸（浓度1-6%）、酒精、去离子水依次清洗，获得表面光洁的晶片；晶片观察或测试前可再次以酒精擦拭去除表面浮尘；S5、腐蚀液处理：腐蚀晶片完成后，停止腐蚀液的加热，腐蚀液自然冷至结晶成块；测量冷却凝固后表面温度，冷却至室温时可进行加入水溶液的溶解（30℃，KOH溶解度126g），取出腐蚀废液，对其进行处理。
2.本发明所包含的腐蚀移动设备装置包含但不限于滑轮、丝杠等构成的提拉杆升降杆、耐蚀金属丝，以及步进电机配合三轴移动等，实现上下、左右方向的夹具移动。
3.一种腐蚀碳化硅晶片的工装，其特征在于:
该工装包括可容纳数片2-6寸单晶片的晶片卡槽、有防热操作把手的晶片夹具篮、防止热量弥散的坩埚盖、以及含有三方支撑结构金属支架；晶片卡槽装载晶片完成后放置于操作花篮内，非工作状态时，操作花篮可放置于坩埚支撑结构上；坩埚带有可拆卸隔热树脂手柄；对于晶片夹具，该晶片夹具在沿着圆周方向呈90°分三点树立，每个卡槽从上含有数个晶片，卡槽宽度为1mm,可以容纳1毫米厚度以下的碳化硅单晶片；该夹具在其中一个90°方向有插销孔位，可固定晶片；该夹具工装在底部互呈120°的方向有三个支撑螺栓，有定位插销易于拆卸；晶片夹具篮底部包含布满孔洞圆形孔洞的底漏板；夹具篮互成90度的方向有四个立柱，与手柄呈180°的立柱为空心保护管，其中可插入K型热电偶，；坩埚互呈90°的方向有三个手柄，该手柄上含有绝热陶瓷材料，；坩埚上沿互呈90°方向各有一个支撑立柱。
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