CN113120956A - 一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法 - Google Patents
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113120956A CN113120956A CN202110328886.2A CN202110328886A CN113120956A CN 113120956 A CN113120956 A CN 113120956A CN 202110328886 A CN202110328886 A CN 202110328886A CN 113120956 A CN113120956 A CN 113120956A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cuinse
- composite material
- titanium dioxide
- preparation
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- IYKVLICPFCEZOF-UHFFFAOYSA-N selenourea Chemical compound NC(N)=[Se] IYKVLICPFCEZOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims description 12
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 11
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 7
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- UMGHKWHNASPCND-UHFFFAOYSA-L copper diacetate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UMGHKWHNASPCND-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
- C01G23/047—Titanium dioxide
- C01G23/053—Producing by wet processes, e.g. hydrolysing titanium salts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明属于纳米复合材料技术领域,特别涉及一种纳米二氧化钛‑CuInSe2复合材料的制备方法,包括如下步骤:S1,向盐酸溶液中加入钛酸异丙酯,超声分散使其完全溶解;S2,将上述溶液转入高压反应釜中,并于155~180℃反应20~40分钟;S3,待其自然冷却后,向溶液中加入Cu2+、In3+、十八烷基氨和硒脲,搅拌使其充分溶解;S4,将上述溶液重新转移至高压反应釜中,使其于175~185℃条件下反应1.5~3h,待温度冷却至室温,将高压釜中的沉淀收集,并用清水和乙醇清洗数次制得纳米二氧化钛‑CuInSe2复合材料。
Description
技术领域
本发明属于纳米复合材料技术领域,特别涉及一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法。
背景技术
二氧化钛是一种良好的无机半导体材料,目前已经被广泛的应用于钙钛矿太阳能电池、生物传感,催化以及储能等诸多领域。虽然二氧化钛在纳米尺度上可以呈现出不同的形貌,比如二氧化钛纳米线、纳米球、纳米颗粒、以及纳米阵列等。但是这类形貌的制备都是基本成型的思路和方法。鉴于此,科学家们开始着手于二氧化钛复合物的制备。近几年来,基于二氧化钛复合物的制备一直以来都是科学研究的热点。
CuInSe2是一种光电应用前景很大的无机纳米材料,其具有较高的光吸收系数,光学带隙比较窄(1.04eV),使其作为主要的吸光材料应用于薄膜太阳能电池以及有机光伏太阳能电池领域等。
因此,纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料有望作为一种新型材料,在薄膜太阳能电池以及有机光伏太阳能电池领域具有较好的应用场景。
发明内容
本发明为了解决上述问题,提供一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,具有环境友好,无污染、制备设备简单、操作简便等优点;本发明还提供了一直新型的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料。
本发明采用以下技术方案来实现:
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,包括如下步骤:
S1,向盐酸溶液中加入钛酸异丙酯,超声分散使其完全溶解;S2,将上述溶液转入高压反应釜中,并于155~180℃反应20~40分钟;S3,待其自然冷却后,向溶液中加入Cu2+、In3+、十八烷基氨和硒脲,搅拌使其充分溶解;S4,将上述溶液重新转移至高压反应釜中,使其于175~185℃条件下反应1.5~3h,待温度冷却至室温,将高压釜中的沉淀收集,并用清水和乙醇清洗数次制得纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料。
十八烷基胺的作用为表面活性剂,能够为了保证合成的CuInSe2尺寸可控、大小均一。
优选的方案,以摩尔比计,所述Cu2+、In3+、十八烷基氨和硒脲的比值为1:1:(9.5~10.5):(3.9~4.1)。
优选的方案,所述盐酸溶液的质量分数为20~22%。
优选的方案,步骤S1中,以体积份计,每80份盐酸溶液中加入钛酸异丙酯1~1.5份。
优选的方案,步骤S1中,所述超声分散的时间为5~10min。
优选的方案,步骤S2中,所述高压反应釜中的反应温度为160℃。
优选的方案,步骤S3中,所述Cu2+的来源为醋酸铜或氯化铜。
进一步优选的,所述Cu2+的来源为醋酸铜,醋酸根离子的作用在反应中并无实际性的作用,醋酸铜晶体中含有结晶水,通常为五水合醋酸铜,结晶水的存在会加速In3+的溶解。
优选的方案,步骤S3中,所述In3+的来源醋酸铟或氯化铟。
优选的方案,步骤S4中,所述高压反应釜中的反应温度为180℃,反应时间为2h。
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料,采用上述任意一种方法制备而成;进一步的,所述纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料具有穿插体结构,所述穿插体结构特征为:单体二氧化钛纳米棒长度为800~1000nm,纳米棒呈现针形,直径为80~100nm;表面CuInSe2以量子点的形式均匀生长于二氧化钛表面。
本发明的有益效果是:
1、本发明的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料制备方法,具有环境友好,无污染、制备设备简单、操作简便等优点。
2、本发明制得的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料具有穿插体结构,所述穿插体结构特征为:单体二氧化钛纳米棒长度为800~1000nm,纳米棒呈现针形,直径为80~100nm;表面CuInSe2以量子点的形式均匀生长于二氧化钛表面。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1制得的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的扫描电子显微镜图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,包括如下步骤:
S1,向80mL质量分数为21%的盐酸溶液中加入1mL钛酸异丙酯,超声分散5min使其完全溶解;
S2,将上述溶液转入高压反应釜中,并于160℃反应30min;
S3,待其自然冷却后,向溶液中加入0.01moL醋酸铜、0.01moL醋酸铟、0.1moL十八烷基氨和0.04moL硒脲,搅拌使其充分溶解;
S4,将上述溶液重新转移至高压反应釜中,使其于180℃条件下反应2h,待温度冷却至室温,将高压釜中的沉淀收集,并用清水和乙醇清洗数次制得纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料。
图1为实施例1制得的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的扫描电子显微镜(SEM)图,图中我们可以看到,所述纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料具有穿插体结构,所述穿插体结构特征为:单体二氧化钛纳米棒长度为800~1000nm,纳米棒呈现针形,直径为80~100nm;表面CuInSe2以量子点的形式均匀生长于二氧化钛表面,形成稳定的复合物结构。
实施例2
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S1中,所述钛酸异丙酯的加入量为1.2mL。
实施例3
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S1中,所述钛酸异丙酯的加入量为1.5mL。
实施例4
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S2中,所述高压反应釜中的反应温度为155℃,反应时间为40min。
实施例5
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S2中,所述高压反应釜中的反应温度为170℃,反应时间为20min。
实施例6
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S3中,向溶液中加入0.01moL醋酸铜、0.01moL氯化铟、0.1moL十八烷基氨和0.039moL硒脲,搅拌使其充分溶解。
实施例7
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S3中,向溶液中加入0.01moL氯化铜、0.01moL醋酸铟、0.105moL十八烷基氨和0.04moL硒脲,搅拌使其充分溶解。
实施例8
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S3中,向溶液中加入0.01moL氯化铜、0.01moL氯化铟、0.1moL十八烷基氨和0.041moL硒脲,搅拌使其充分溶解。
实施例9
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S3中,向溶液中加入0.01moL氯化铜、0.01moL氯化铟、0.095moL十八烷基氨和0.04moL硒脲,搅拌使其充分溶解。
实施例10
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S3中,向溶液中加入0.01moL醋酸铜、0.01moL醋酸铟、0.095moL十八烷基氨和0.041moL硒脲,搅拌使其充分溶解。
实施例11
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S4中,所述高压反应釜中的反应温度为175℃,反应时间为3h。
实施例12
一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,与实施例的区别在于:步骤S4中,所述高压反应釜中的反应温度为185℃,反应时间为1.5h。
本发明并不限于上述实例,在本发明的权利要求书所限定的范围内,本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种变形或修改均受本专利的保护。
Claims (10)
1.一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1,向盐酸溶液中加入钛酸异丙酯,超声分散使其完全溶解;
S2,将上述溶液转入高压反应釜中,并于155~180℃反应20~40min;
S3,待其自然冷却后,向溶液中加入Cu2+、In3+、十八烷基氨和硒脲,搅拌使其充分溶解;
S4,将上述溶液重新转移至高压反应釜中,使其于175~185℃条件下反应1.5~3h,待温度冷却至室温,将高压釜中的沉淀收集,并用清水和乙醇清洗数次制得纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料。
2.根据权利要求1所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:以摩尔比计,所述Cu2+、In3+、十八烷基氨和硒脲的比值为1:1:(9.5~10.5):(3.9~4.1)。
3.根据权利要求1所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:所述盐酸溶液的质量分数为20~22%。
4.根据权利要求3所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:步骤S1中,以体积份计,每80份盐酸溶液中加入钛酸异丙酯1~1.5份。
5.根据权利要求1所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:步骤S2中,所述高压反应釜中的反应温度为160℃,反应时间为30min。
6.根据权利要求1所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:步骤S3中,所述Cu2+的来源为醋酸铜或氯化铜。
7.根据权利要求1所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:步骤S3中,所述In3+的来源醋酸铟或氯化铟。
8.根据权利要求1所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料的制备方法,其特征在于:步骤S4中,所述高压反应釜中的反应温度为180℃,反应时间为2h。
9.一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料,其特征在于:采用如权利要求1~8中任意一种方法制备而成。
10.如权利要求9所述的纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料,其特征在于,所述纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料具有穿插体结构,所述穿插体结构特征为:单体二氧化钛纳米棒长度为800~1000nm,纳米棒呈现针形,直径为80~100nm;表面CuInSe2以量子点的形式均匀生长于二氧化钛表面。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110328886.2A CN113120956A (zh) | 2021-03-27 | 2021-03-27 | 一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110328886.2A CN113120956A (zh) | 2021-03-27 | 2021-03-27 | 一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113120956A true CN113120956A (zh) | 2021-07-16 |
Family
ID=76773922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110328886.2A Pending CN113120956A (zh) | 2021-03-27 | 2021-03-27 | 一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113120956A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105921149A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-09-07 | 岭南师范学院 | 一种溶剂热制备铜修饰二氧化钛纳米棒的方法 |
CN106833647A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-06-13 | 温州大学 | 一种铜铟硒量子点的合成方法 |
CN107681009A (zh) * | 2017-08-25 | 2018-02-09 | 广东工业大学 | 一种铜锌锡硫硒半导体薄膜的制备方法及其应用 |
CN107973376A (zh) * | 2016-10-21 | 2018-05-01 | 苏州汉力新材料有限公司 | CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法 |
CN110487769A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-22 | 江汉大学 | 一种二氧化钛纳米棒阵列/银纳米复合材料的制备方法及其应用 |
US20200165471A1 (en) * | 2017-07-20 | 2020-05-28 | Basf Se | Surface functionalized titanium dioxide nanoparticles |
CN111841583A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-10-30 | 西安近代化学研究所 | 一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法 |
-
2021
- 2021-03-27 CN CN202110328886.2A patent/CN113120956A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105921149A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-09-07 | 岭南师范学院 | 一种溶剂热制备铜修饰二氧化钛纳米棒的方法 |
CN107973376A (zh) * | 2016-10-21 | 2018-05-01 | 苏州汉力新材料有限公司 | CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法 |
CN106833647A (zh) * | 2017-01-20 | 2017-06-13 | 温州大学 | 一种铜铟硒量子点的合成方法 |
US20200165471A1 (en) * | 2017-07-20 | 2020-05-28 | Basf Se | Surface functionalized titanium dioxide nanoparticles |
CN107681009A (zh) * | 2017-08-25 | 2018-02-09 | 广东工业大学 | 一种铜锌锡硫硒半导体薄膜的制备方法及其应用 |
CN110487769A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-11-22 | 江汉大学 | 一种二氧化钛纳米棒阵列/银纳米复合材料的制备方法及其应用 |
CN111841583A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-10-30 | 西安近代化学研究所 | 一种硒化铟/二氧化钛纳米片复合材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
汤双清: "《飞轮储能技术及应用》", 华中科技大学出版社, pages: 132 - 133 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Grisaru et al. | Microwave-assisted polyol synthesis of CuInTe2 and CuInSe2 nanoparticles | |
CN101976611B (zh) | TiO2纳米线阵列薄膜光阳极及其制备方法 | |
CN105044180B (zh) | 一种异质结光电极的制备方法和用途 | |
Hu et al. | Two novel hierarchical homogeneous nanoarchitectures of TiO 2 nanorods branched and P25-coated TiO 2 nanotube arrays and their photocurrent performances | |
KR101414539B1 (ko) | 그래핀/TiO2 복합체의 제조방법 | |
CN103373742B (zh) | 水热合成SnS2纳米材料的方法 | |
CN114392734B (zh) | 一种氧化钨复合材料及其制备方法和应用 | |
CN101866960A (zh) | 利用部分阳离子交换反应制备CdS-Bi2S3复合纳米晶方法 | |
CN113694925A (zh) | 一种多孔二氧化钛-氧化亚铜复合材料及其制备方法和应用 | |
CN102557002B (zh) | 一种碳纳米管/三元硫属半导体纳米复合材料及其制备方法 | |
Sadhu et al. | Surface chemistry and growth mechanism of highly oriented, single crystalline TiO 2 nanorods on transparent conducting oxide coated glass substrates | |
CN110534652B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN102345162B (zh) | 一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法 | |
CN108097267A (zh) | 一种硫化物量子点改性的石墨烯/氧化钛纳米微球光催化材料的制备方法 | |
Joshi et al. | Influence of GO and rGO on the structural and optical properties of ZnO photoelectrodes for energy harvesting applications | |
Sun et al. | Hierarchically structured Bi2MoxW1-xO6 solid solutions with enhanced piezocatalytic activities | |
Dehingia et al. | Application of Ti3C2Tx MXene nanosheets and quantum-dots in halide perovskite solar cells | |
CN113120956A (zh) | 一种纳米二氧化钛-CuInSe2复合材料及其制备方法 | |
CN101891246B (zh) | 一种复合粒径纳米二氧化钛粉体的制备方法 | |
JIANG et al. | Thermal stable perovskite solar cells improved by ZnO/graphene oxide as electron transfer layers | |
CN106830072B (zh) | 一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法 | |
CN103588244B (zh) | 无模板法制备夹心中空二氧化钛纳米材料的方法 | |
Portillo-Cortez et al. | ZnO Nanowires/N719 Dye With Different Aspect Ratio as a Possible Photoelectrode for Dye-Sensitized Solar Cells | |
Validžić et al. | Growth of Sb 2 S 3 nanowires synthesized by colloidal process and self-assembly of amorphous spherical Sb 2 S 3 nanoparticles in wires formation | |
CN101885509B (zh) | 一种纳米CuInS2的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210716 |