CN113109460A - 一种oled材料中高沸点溶剂残留分析方法 - Google Patents

一种oled材料中高沸点溶剂残留分析方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，用四氢呋喃对OLED材料溶解后加入甲醇降温析出材料，取上清液过滤后获得检测用试样溶液，再抽滤回收OLED材料，配制高沸点溶剂标准溶液，用GCMS法对标准溶液、试样溶液进行检测，绘制标准曲线，外标法定量，用本发明的检测方法，高沸点残留溶剂响应良好，测得的结果准确度高，降低测试样品损耗量，降低仪器被污染的风险。所述的OLED材料为式(1)化合物，所述的高沸点溶剂为OLED材料生产中常用的1，4‑二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N‑甲基吡咯烷酮4种溶剂。

Description

一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法
技术领域
本发明属于分析化学领域，具体涉及一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法。
背景技术
OLED显示技术，又称有机电致发光显示技术，具有低耗电、视角宽、自发光、高对比度、反应速度快、对眼睛刺激温和等优点，在日常生活中应用越来越广。
残留溶剂是指在工艺过程中未能完全去除的有机挥发性化合物，对于溶剂残留检测方法，现有国标、文献多见于药品、食品等领域，用到的方法有气相色谱法、顶空-气相色谱法、HPLC-UV法等。OLED为通过化学合成得到的一种有机物，合成与纯化过程中必定会使用到各种有机溶剂，这些溶剂无可避免的残留在材料中，在OLED材料质量标准中，溶剂残留是一个重要的控制指标。
OLED材料与一般的药品、食品性质差异很大，第一：OLED材料大部分难溶于普通溶剂，需要某些特定的有机溶剂才能溶解，如果用顶空进样法测定其溶剂残留，在加热过程中会有起火爆炸的危险，也可能出现溶解溶剂干扰需要测定的残留溶剂；第二：OLED材料熔点都很高，常温常压下一般在300℃以上，若用材料直接溶解进GC测定法对仪器污染大，若用材料直接加热顶空法测定，因顶空进样器无法达到材料溶解温度，此时被OLED材料颗粒包裹的溶剂可能无法挥发出来，造成结果偏低；第三：溶剂一般紫外吸收弱、在色谱柱保留差，若用HPLC-UV法测定会干扰大，准确度不高；第四：OLED材料价格昂贵，某些材料甚至超过黄金价格的数倍，而溶剂残留含量本来就较低，想得到较大响应值需要增大测试样品量，这必然造成较大的损耗；第五：OLED材料生产过程用到的往往是沸点高、难以挥发的有机溶剂，如1，4-二氧六环(沸点101℃)、甲苯(沸点110.6℃)、二甲基甲酰胺(沸点152.8℃)、N-甲基吡咯烷酮(沸点203℃)等高沸点溶剂在OLED材料生产中应用广泛。因此，鉴于OLED材料特殊性质，套用现有国标、文献溶剂残留检测方法往往是走不通的，需要开发适合OLED材料溶剂残留的检测方法。
发明内容
针对背景技术描述的种种问题，本发明提供一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，用本发明的检测方法，残留溶剂响应良好，测得的结果准确度高，降低测试样品损耗量，降低仪器被污染的风险。
本发明具体通过下述技术方案来实现：
一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，包括如下步骤：
1)称取一定量的待测OLED材料于带盖玻璃瓶中，加入溶剂A，摇动或者超声至试样完全溶解，同时做试样空白实验；
2)向步骤1溶液中滴加一定量的溶剂B摇匀，析出OLED材料；
3)取适量步骤2的混合上清溶液，过有机滤膜后作为试样溶液装瓶备测，剩余的溶液连同析出的材料一起过滤以回收OLED材料；
4)配制残留溶剂混合标准母液，再稀释成梯度曲线溶液作为标准溶液；
5)根据所测残留溶剂的特征，每个残留溶剂确定1个定量离子和3个定性离子；
6)将步骤3的试样溶液和步骤4的标准溶液，用确定好的GCMS方法分别检测；
7)用响应值为纵坐标、浓度为横坐标描绘标准曲线，根据公式计算出试样中高沸点溶剂残留。
所述GCMS方法中的GCMS气相色谱仪为安捷伦Intuvo 9000+5977B气质联用质谱仪。
所述步骤2)中的溶液放到防爆冰箱中，在2℃放置20min后再取上清溶液过滤；所述防爆冰箱为美菱YC-260L医用冷藏冰箱；所述步骤3)中取完试样溶液后的剩余的溶液抽滤回收OLED材料。
所述待测OLED材料为以下结构化合物：
Figure BDA0002761845690000021
所述的高沸点溶剂为：1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。
所述溶剂A为四氢呋喃，溶剂B为甲醇。
所述步骤1)为称取2g材料于带盖玻璃瓶中加入2mL四氢呋喃摇动或者超声至试样完全溶解，所述步骤2)为加入2mL甲醇析出OLED材料。
所述步骤4)为：混合残留溶剂为1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮四种溶剂中的一种或多种，各称取1.0g于同一个100mL容量瓶中，用体积比四氢呋喃-甲醇＝1-1定容至刻度，摇匀，得到10000mg/L的混合母液A；移取上述混合母液A1mL至100mL容量瓶中，用体积比四氢呋喃-甲醇＝1-1定容至刻度，摇匀，得到100mg/L的混合母液B，再由母液B分别移取0.1mL、0.2mL、0.4mL、0.6mL、0.8mL、1.0mL、2.0mL、5.0mL、8.0mL于10mL容量瓶中，用体积比四氢呋喃-甲醇＝1-1定容至刻度，摇匀，连同母液B，制成1mg/L；2mg/L；4mg/L；6mg/L；8mg/L；10mg/L；20mg/L；50mg/L；80mg/L；100mg/L上机梯度浓度标准溶液。
所述确定好的GCMS方法为：气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持3min，先以50℃/min升温到150℃并保持1min，再以60℃/min升温到280℃并保持2min；分流比2：1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟时间:3min；进样前后用溶剂A和溶剂B各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次；载气：高纯氦气；质谱用SIM离子扫描,四种溶剂检测参数如下表：
Figure BDA0002761845690000031
所述步骤7)为：以响应值为纵坐标，标样浓度为横坐标绘制回归方程，根据公式计算出试样中的溶剂残留，计算公式为：
Figure BDA0002761845690000032
式中：
X——试样中高沸点溶剂残留含量，mg/Kg，c——曲线读得的残留溶剂浓度，mg/L
V——总稀释体积，mL m——称样量，g。
本发明的试样采用溶剂A(易溶OLED材料溶剂)溶解试样，再采用溶剂B(不溶或微溶OLED材料溶剂)将大部分试样析出，将析出母液过滤后用于配制试样溶液，多余溶液和析出晶体均可以回收OLED材料，再配制高沸点溶剂标准溶液，用GCMS法对标准溶液、试样溶液进行检测，绘制标准曲线，外标法定量。本发明的检测方法，高沸点残留溶剂响应良好，测得的结果准确度高，降低测试样品损耗量，降低仪器被污染的风险。
附图说明
图1为5.1方法总离子色谱TIC结果图，
图2为5.2方法总离子色谱TIC结果图，
图3为5.3方法总离子色谱TIC结果图，
图4为5.4方法总离子色谱TIC结果图，
图5为溶剂1，4-二氧六环总离子色谱TIC结果图，
图6为溶剂甲苯总离子色谱TIC结果图，
图7为溶剂二甲基甲酰胺总离子色谱TIC结果图，
图8为溶剂N-甲基吡咯烷酮总离子色谱TIC结果图，
图9为溶剂1，4-二氧六环标准曲线，
图10为溶剂甲苯标准曲线，
图11为溶剂二甲基甲酰胺标准曲线，
图12为溶剂N-甲基吡咯烷酮标准曲线，
图13为样品空白和4种混合标准溶剂图，
图14为溶剂1，4-二氧六环紫外吸收光谱图，
图15为溶剂甲苯紫外吸收光谱图，
图16为溶剂二甲基甲酰胺紫外吸收光谱图，
图17为溶剂N-甲基吡咯烷酮紫外吸收光谱图，
图18为顶空进样10.2.1方法测定的标样和样品1结果图，
图19为顶空进样10.2.2方法测定的样品1结果图，
图20为顶空进样10.2.3方法测定的样品1结果图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明。虽然采用了某一特定的OLED材料，其含有特定的高沸点溶剂残留，但实施例的内容只为更清楚的说明本发明的技术方案，并不应理解为限定本发明。
实施例1
本发明提供一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，该发明通过如下的具体步骤完成：
1.实验仪器与试剂：
安捷伦气质联用仪Intuvo 9000-5977B；美菱YC-260L医用冷藏冰箱；安捷伦7697A顶空进样器；安捷伦HPLC-1260-DAD；梅特勒托利多万分之一分析天平；0.45μm有机滤膜；HPLC级甲醇、四氢呋喃；色谱级1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮；2mL样品瓶；移液管、容量瓶等其他实验室常用玻璃器皿。
2.OLED材料为如下结构的化合物：
Figure BDA0002761845690000051
3.样品前处理：
称取待测试样2g于带盖玻璃瓶中，加入2mL四氢呋喃，拧紧盖子超声至全溶，向溶液加入2mL甲醇，摇匀，拧紧盖子后置于2℃冰箱20min析出材料；取适量上清液过有机滤膜作为试样溶液装瓶备测，将析出的OLED材料抽滤后回收，同时进行空白实验。经过多次试验，OLED材料回收率能达到95％以上，证明本前处理方法能大幅降低检测用样品消耗量，降低成本，减轻对检测设备的污染。
4.配制标准溶液
混合残留溶剂为1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮四种溶剂，各称取1.0g于同一个100mL容量瓶中，用四氢呋喃-甲醇＝1-1(体积比)定容至刻度，摇匀，得到10000mg/L的混合母液A，移取上述混合母液A1mL至100mL容量瓶中，用四氢呋喃-甲醇＝1-1(体积比)定容至刻度，摇匀，得到100mg/L的混合母液B，再由母液B分别移取0.1mL、0.2mL、0.4mL、0.6mL、0.8mL、1.0mL、2.0mL、5.0mL、8.0mL于10mL容量瓶中，用四氢呋喃-甲醇＝1-1(体积比)定容至刻度，摇匀，连同母液B，制成1mg/L；2mg/L；4mg/L；6mg/L；8mg/L；10mg/L；20mg/L；50mg/L；80mg/L；100mg/L上机梯度浓度标准溶液。
5.GCMS方法确认
5.1将步骤4得到的标准混合母液B，用以下条件检测，气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持8min，先以20℃/min升温到150℃并保持1min，再以40℃/min升温到250℃并保持1min；分流比2:1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟:0min；离子扫描范围：30～150；进样前后用溶剂A(甲醇)和B(四氢呋喃)各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次；载气：高纯氦气。
得到甲醇、四氢呋喃以及四种混合标准溶剂总离子色谱TIC结果见附图1，存在问题为：N-甲基吡咯烷酮保留时间较长，需要继续调整GCMS参数。
5.2将步骤4得到的混合标准母液B，用以下条件检测，气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持3min，先以30℃/min升温到150℃并保持1min，再以50℃/min升温到280℃并保持2min；分流比5：1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟:0min；离子扫描范围：30～150；进样前后用溶剂A(甲醇)和B(四氢呋喃)各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次；载气：高纯氦气。
得到甲醇、四氢呋喃以及四种混合标准溶剂总离子色谱TIC结果见附图2，存在的问题为：最后一个溶剂N-甲基吡咯烷酮可以通过继续调整GCMS参数使保留时间减少。
5.3将步骤4得到的混合标准母液B，用以下条件检测，气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持3min，先以50℃/min升温到150℃并保持1min，再以60℃/min升温到280℃并保持2min；分流比5：1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟:0min；离子扫描范围：30～150，进样前后用溶剂A(甲醇)和B(四氢呋喃)各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次；载气：高纯氦气。
得到甲醇、四氢呋喃以及四种混合标准溶剂总离子色谱TIC结果见附图3，结论：溶剂分离理想，总分析时间适宜。
5.4将步骤4得到的混合标准母液B，用以下条件检测，气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持3min，先以50℃/min升温到150℃并保持1min，再以60℃/min升温到280℃并保持2min；分流比2：1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟时间:3min；进样前后用溶剂A(甲醇)和B(四氢呋喃)各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次，载气：高纯氦气；溶剂延迟时间为3min；离子扫描范围：30～150。
得到四种混合标准溶剂总离子色谱TIC结果见附图4，溶剂分离理想，总分析时间适宜。
6.溶剂残留定量与定性离子选择：
6.1根据5.4标样的结果，1，4-二氧六环定量离子选择88.1，定性离子选择87.1、58.0、43.0，见附图5；
6.2根据5.4标样的结果，甲苯定量离子选择91.1，定性离子选择65.1、63.0、39.1，见附图6；
6.3根据5.3标样的结果，二甲基甲酰胺定量离子选择73.1，定性离子选择72.1、44.1、42.1，见附图7；
6.4根据5.3标样的结果，N-甲基吡咯烷酮定量离子选择99.1，定性离子选择98.1、70.1、44.1，见附图8；
7.最终检测条件，气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持3min，先以50℃/min升温到150℃并保持1min，再以60℃/min升温到280℃并保持2min；分流比2：1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟时间:3min；进样前后用溶剂A(甲醇)和B(四氢呋喃)各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次；载气：高纯氦气；质谱用SIM离子扫描；四种溶剂检测参数如下表。
Figure BDA0002761845690000071
8.标准曲线绘制：将步骤4配得的标准溶液，用7.的检测条件上机检测，用响应值为纵坐标Y，浓度为横坐标X绘制回归方程，得：
8.1溶剂1，4-二氧六环：Y＝23839X+3553.6 R2＝0.9951，见附图9。
8.2溶剂甲苯：Y＝92926X+114493 R2＝0.9928，见附图10。
8.3溶剂二甲基甲酰胺：Y＝48987X-41895 R2＝0.9982，见附图11。
8.4溶剂N-甲基吡咯烷酮：Y＝33786X-70929 R2＝0.9971，见附图12。
8.5小结：在1ppm～100ppm范围内，4种溶剂线性良好。
9.试样溶剂残留量的检测：将步骤3配得的试样溶液，用7.的检测条件上机检测，按照如下公式计算样品中溶剂残留含量。
Figure BDA0002761845690000072
式中：
X——样品溶剂残留含量，mg/Kg c——曲线读得的残留溶剂浓度，mg/L
V——总稀释体积，mL m——称样量，g
9.1将不同工艺生产的3批样品分别检测，每批样品3平行，根据上述公式算得样品中四种溶剂残留如下表:
Figure BDA0002761845690000073
Figure BDA0002761845690000081
结论：1.三批不同工艺生产的样品，6平行结果RSD均小于15％；2.经向生产确认，三批样品最后一步反应溶剂均为1，4-二氧六环，反应后均用溶剂进行了两次纯化，其中样品1第一次纯化溶剂是N-甲基吡咯烷酮，第二次纯化溶剂是甲苯；样品2第一次纯化溶剂是二甲基甲酰胺，第二次纯化溶剂是甲苯；样品3第一次纯化溶剂是甲苯，第二次纯化溶剂是N-甲基吡咯烷酮；检测结果与生产实际相符合，证明结果可靠。
9.2方法专属性验证
用7.的方法对样品空白和100mg/L的4种混合标准溶剂进行检测，结果显示：空白无干扰，4种混合溶剂之间分离良好，见附图13。
9.3检出限与定量限验证
配制1mg/L的4种溶剂混合溶液，用7.方法上机检测，以三倍信噪比为检出限，10倍信噪比为定量限，算得本方法的检出限和定量限如下表：
Figure BDA0002761845690000082
9.4准确度的验证
对样品1进行三水平、三平行加标实验，结果如下表：
Figure BDA0002761845690000091
结论：1，4-二氧六环回收率在83.4％～102.1％之间；甲苯回收率在78.6％～94.3％之间；二甲基甲酰胺回收率在86.3％～113.5％之间；N-甲基吡咯烷酮回收率在74.3％～92.1％之间。
10.与传统方法对比，本发明方法在OLED材料溶剂残留检测中的优势。
10.1用HPLC方法测本四种溶剂残留是否可行？
10.1.1将1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮4个标准溶液，分别上带二极管阵列检测器的安捷伦1260HPLC检测，色谱条件为流动相：乙腈-水＝7-3(体积比)；色谱柱：Inertsustain C18 4.6×250mm 5μm；流速：1.0mL/min；柱温：40℃；得到1，4-二氧六环(见附图14)、甲苯(见附图15)、二甲基甲酰胺(见附图16)、N-甲基吡咯烷酮(见附图17)4个标准溶液的紫外光谱，四种标准溶剂最大吸收波长分别为1，4-二氧六环192.5nm、甲苯193.4nm、二甲基甲酰胺203.9nm、N-甲基吡咯烷酮235.9nm，因为溶剂残留本身含量低，为了得到较高响应值，日常检测通常需要选择最大吸收波长，但这些溶剂最大吸收波长都低于或者接近常用流动相如甲醇(205nm)、乙腈(190nm)紫外截止吸收波长，这样，如果选择溶剂最大吸收波长作为检测波长，由于流动相本身的吸收造成干扰大，影响检测结果的准确性，如果选择较大波长作为检测波长，溶剂响应偏弱，方法检出限高，对于溶剂残留这种痕量分析影响大。
10.1.2将1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮4个标准溶剂，用不同的流动相在安捷伦1260HPLC-DAD检测，其他色谱条件为色谱柱：Inertsustain C18 4.6×250mm 5μm；流速：1.0mL/min；柱温：40℃，结果如下表：
Figure BDA0002761845690000092
Figure BDA0002761845690000101
总结：1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮4种溶剂由于最大紫外吸收波长偏短，在色谱柱上保留弱难分离等因素存在，如果用HPLC方法检测本发明中的四种高沸点溶剂残留，检测结果准确性无法保证。
10.2用顶空进样-GCMS法测本四种溶剂残留是否可行？
对样品1用顶空-GCMS法检测，因为本OLED材料在非有机溶剂中不溶，而用有机溶剂溶解后顶空带来的干扰太大而且危险，因此将材料直烘法检测，具体做法为称取2g样品于20mL顶空瓶中，扎好盖子，同时进行标样检测，其中标样为用10微升气相进样针吸取10mg/L的4种溶剂混合标液1微升于20mL顶空瓶中，扎好盖子制得，样品、标样同时上机用顶空-GCMS检测。
10.2.1检测参数如下，顶空进样器端的参数为柱箱：160℃；定量环：170℃；传输线：180℃；样品瓶平衡时间：30min；压力平衡时间：0.25min；进样时间：0.5min；GCMS端设置的参数为上述7.条件，但进样方式改为手动进样，结果：4种溶剂混合标样响应良好，样品几乎没有响应，见附图18。
10.2.2检测参数如下，顶空进样器端的参数为柱箱：180℃；定量环：190℃；传输线200℃；样品瓶平衡时间：30min；压力平衡时间：0.25min；进样时间：0.5min；GCMS端设置的参数为上述7.条件，但进样方式改为手动进样，对样品1进行检测，结果：虽然提高了柱箱温度，但样品依然几乎没有响应，见附图19。
10.2.3检测参数如下，顶空进样器端的参数为柱箱：200℃；定量环：205℃；传输线210℃；样品瓶平衡时间：30min；压力平衡时间：0.25min；进样时间：0.5min；GCMS端设置的参数为上述7.条件，但进样方式改为手动进样，对样品1进行检测，结果：即使把温度提高到接近柱箱极限，样品依然几乎没有响应，见附图20。
结论：由于目标溶剂沸点较高，而且残留溶剂绝大部分是被材料包裹在里面，OLED材料熔点远高于顶空进样器能达到的最高温度，如果用检测溶剂残留常用的顶空进样器法，即使是把温度设置到接近顶空进样器的极限温度，残留溶剂也无法逸出，检测结果很不理想，况且顶空法样品需要量较大，在有氧气存在的情况下加热材料很容易变质导致无法回收利用，对于价格昂贵的OLED材料来说是一种巨大浪费。
综上所述，由于OLED材料熔点高、溶解性差、生产过程中使用的溶剂特殊、材料价格昂贵等特点，传统溶剂残留检测方法如液相色谱法、顶空进样法均不适用，本发明针对这些特点采取合适的措施，发明了适用于OLED材料常用高沸点的4种溶剂残留的检测方法，能达到传统方法无法媲美的效果。

Claims (10)

1.一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，包括如下步骤：
1)称取一定量的待测OLED材料于带盖玻璃瓶中，加入溶剂A，摇动或者超声至试样完全溶解，同时做试样空白实验；
2)向步骤1溶液中滴加一定量的溶剂B摇匀，析出OLED材料；
3)取适量步骤2的混合上清溶液，过有机滤膜后作为试样溶液装瓶备测，剩余的溶液连同析出的材料一起过滤以回收OLED材料；
4)配制残留溶剂混合标准母液，再稀释成梯度曲线溶液作为标准溶液；
5)根据所测残留溶剂的特征，每个残留溶剂确定1个定量离子和3个定性离子；
6)将步骤3的试样溶液和步骤4的标准溶液，用确定好的GCMS方法分别检测；
7)用响应值为纵坐标、浓度为横坐标描绘标准曲线，根据公式计算出试样中高沸点溶剂残留。
2.根据权利要求1所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述GCMS方法中的GCMS气相色谱仪为安捷伦Intuvo 9000+5977B气质联用质谱仪。
3.根据权利要求1所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述步骤2)中的溶液放到防爆冰箱中，在2℃放置20min后再取上清溶液过滤；所述防爆冰箱为美菱YC-260L医用冷藏冰箱；所述步骤3)中取完试样溶液后的剩余的溶液抽滤回收OLED材料。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述待测OLED材料为以下结构化合物：
Figure FDA0002761845680000011
5.根据权利要求4所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述的高沸点溶剂为：1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述溶剂A为四氢呋喃，溶剂B为甲醇。
7.根据权利要求6所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述步骤1)为称取2g材料于带盖玻璃瓶中加入2mL四氢呋喃摇动或者超声至试样完全溶解，所述步骤2)为加入2mL甲醇析出OLED材料。
8.根据权利要求7所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述步骤4)为：混合残留溶剂为1，4-二氧六环、甲苯、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮四种溶剂中的一种或多种，各称取1.0g于同一个100mL容量瓶中，用体积比四氢呋喃-甲醇＝1-1定容至刻度，摇匀，得到10000mg/L的混合母液A；移取上述混合母液A1mL至100mL容量瓶中，用体积比四氢呋喃-甲醇＝1-1定容至刻度，摇匀，得到100mg/L的混合母液B，再由母液B分别移取0.1mL、0.2mL、0.4mL、0.6mL、0.8mL、1.0mL、2.0mL、5.0mL、8.0mL于10mL容量瓶中，用体积比四氢呋喃-甲醇＝1-1定容至刻度，摇匀，连同母液B，制成1mg/L；2mg/L；4mg/L；6mg/L；8mg/L；10mg/L；20mg/L；50mg/L；80mg/L；100mg/L上机梯度浓度标准溶液。
9.根据权利要求8所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述确定好的GCMS方法为：气化室温度：250℃；柱流量：1.2ml/min；柱温：初始40℃保持3min，先以50℃/min升温到150℃并保持1min，再以60℃/min升温到280℃并保持2min；分流比2：1；色谱柱：Agilent HP-5MS UI 30m*250μm*0.25μm；MS接口温度：300℃；Intuvo流路：280℃；进样量为：1微升；离子源：EI；电子能量：70eV；MS离子源:230℃；MS四极杆:150℃；溶剂延迟时间:3min；进样前后用溶剂A和溶剂B各清洗3次，进样前用待进样品清洗3次；载气：高纯氦气；质谱用SIM离子扫描；四种溶剂检测参数如下表：
Figure FDA0002761845680000021
10.根据权利要求1所述的一种OLED材料中高沸点溶剂残留分析方法，其特征在于，所述步骤7)为：以响应值为纵坐标，标样浓度为横坐标绘制回归方程，根据公式计算出试样中的溶剂残留，计算公式为：
Figure FDA0002761845680000022
式中：
X——试样中高沸点溶剂残留含量，mg/Kg，c——曲线读得的残留溶剂浓度，mg/L
V——总稀释体积，mL m——称样量，g。
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