CN113097401B - 有机发光二极管、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种有机发光二极管、显示面板和显示装置，有机发光二极管，包括：阳极，阴极，发光层，发光层包括激基复合物，激基复合物包括：第一化合物和第二化合物，第一化合物具有式(Ⅰ)所示的结构，第二化合物具有式(Ⅱ)所示的结构，由此，可通过将第一化合物和第二化合物的共混而成激基复合物作为发光主体材料，进而获得具有较好发光性能的有机发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体地，涉及有机发光二极管、显示面板和显示装置。
背景技术
当今量产的OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)器件中，常见的绿光器件为磷光器件，其中绿光主体材料为是由P型材料(空穴传输)和N型材料(电子传输)共混而成，绿光掺杂材料为磷光材料，但是目前由P型材料和N型材料共混而成的绿光主体材料所制备的有机发光二极管具有发光亮度较弱，使用寿命较差等问题。
因此，目前的有机发光二极管、显示面板和显示装置仍有待改进。
发明内容
本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本申请的一个方面，本发明提出了一种有机发光二极管，包括：阳极，阴极，发光层，所述发光层包括激基复合物，所述激基复合物包括：第一化合物和第二化合物，所述第一化合物具有式(Ⅰ)所示的结构，所述第二化合物具有式(Ⅱ)所示的结构，
其中，在式(Ⅰ)中，R1，R2各自独立地选自芳基、杂环基、芳基胺基、二苯并呋喃以及二苯并噻吩中的至少一种；其中，在式(Ⅱ)中，L为单键或亚芳基；n＝0，1，2，3；X为O，S，N-R7；R3-R7各自独立地选自氢、氘、烷基、芳基、杂环基、腈基、异腈基以及羟基中的至少一种。由此，可通过将第一化合物和第二化合物的共混而成激基复合物作为发光主体材料，进而获得具有较好发光性能的有机发光二极管。
根据本发明的实施例，在式(Ⅰ)中，R1，R2各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基和经取代或未经取代的C6至C30芳基胺基中的至少一种；在式(Ⅱ)中，L为单键或经取代或未经取代的C6至C30亚芳基；n＝0，1，2，3；R3-R7各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基、经取代或未经取代的腈基以及经取代或未经取代的异腈基、羟基、硫醇基中的至少一种。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述激基复合物中所述第一化合物和所述第二化合物的摩尔比为1：1。由此，可获得具有较优发光性能的激基复合物，进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述第一化合物的最高占据分子轨道为5.2eV-5.6eV，所述第二化合物的最高占据分子轨道为5.5eV-6.0eV，其中，所述第一化合物的最高占据分子轨道与所述第二化合物的最高占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV，所述第一化合物的最低未占据分子轨道与所述第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述第一化合物的最高占据分子轨道与所述第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.4埃米-5埃米。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述激基复合物的第一激发单重态为2.3eV-2.7eV，所述激基复合物的第一激发三重态为2.2eV-2.6eV，其中，所述激基复合物的第一激发单重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不大于0.2eV。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述第一化合物的第一激发三重态为2.4eV-2.8eV，所述第二化合物的第一激发三重态为2.4eV-2.8eV，其中，所述第一化合物的第一激发三重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不小于0.1eV，所述第二化合物的第一激发三重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不小于0.1eV。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述第一化合物的相对分子质量与所述第二化合物的相对分子质量的差值绝对值不大于100。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述第一化合物的发射光谱峰值为380nm-450nm，所述第二化合物的发射光谱峰值为420nm-480nm，所述激基复合物的发射光谱峰值与所述第一化合物的发射光谱峰值的差值不小于20nm，所述激基复合物的发射光谱峰值与所述第二化合物的发射光谱峰值的差值不小于20nm。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述第一化合物的空穴迁移率为1x10-8 cm2/v·s-1x10-3cm2/v·s，所述第二化合物的电子迁移率为1x10-8 cm2/v·s-1x10-3 cm2/v·s，所述第一化合物的空穴迁移率与所述第二化合物的电子迁移率的比值为0.01-100。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。
根据本发明的实施例，所述激基复合物中的所述第一化合物为选自以下化合物中的至少一种：
根据本发明的实施例，所述激基复合物中的所述第二化合物为选自以下化合物中的至少一种：
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示面板，所述显示面板上具有前面所述的有机发光二极管。由此，该显示面板具有前面所述的有机发光二极管所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置，包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的显示面板所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例1的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距的模拟计算图；
图2显示了根据本发明一个实施例2的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距的模拟计算图；
图3显示了根据本发明一个实施例3的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距的模拟计算图；
图4显示了根据本发明一个实施例4的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距的模拟计算图；
图5显示了相关技术中的一个对比例的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距的模拟计算图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
除非另外说明，本发明所使用的所有科技术语具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。本发明涉及的所有专利和公开出版物通过引用方式整体并入本发明。术语“包含”或“包括”为开放式表达，即包括本发明所指明的内容，但并不排除其他方面的内容。在本发明中，无论是否使用“大约”或“约”等字眼，所有在此公开了的数字均为近似值。每一个数字的数值有可能会出现10％以下的差异或者本领域人员认为的合理的差异，如1％、2％、3％、4％或5％的差异。
在本申请的一个方面，本发明提出了一种有机发光二极管，包括：阳极，阴极，发光层，发光层包括激基复合物，激基复合物包括：第一化合物和第二化合物，第一化合物具有式(Ⅰ)所示的结构，第二化合物具有式(Ⅱ)所示的结构，
其中，在式(Ⅰ)中，R1，R2各自独立地选自芳基、杂环基、芳基胺基、二苯并呋喃以及二苯并噻吩中的至少一种；其中，在式(Ⅱ)中，L为单键或亚芳基；n＝0，1，2，3；X为O，S，N-R7；R3-R7各自独立地选自氢、氘、烷基、芳基、杂环基、腈基、异腈基以及羟基中的至少一种。第一化合物作为激基复合物中的P型材料，第二化合物作为激基复合物中的N型材料，由此，可获得具有较小能级差(ΔEst)的激基复合物，进而获得具有发光亮度较强，使用寿命较长的有机发光二极管。
为了方便理解，下面首先对该显示面板可以实现上述有益效果的原理进行简单说明：
现有技术中的绿光OLED器件中的发光层材料一般为由两种化合物共混相互作用形成的激基复合物，其中由起空穴传输作用的P型材料和起电子传输作用的N型材料共混相互作用产生的激基复合物，该激基复合物的的光致发光光谱，与P型材料和N型材料的光致发光光谱相比发生了红移。在光致或者电致作用下，可以在激基复合物主体上产生激子，然后通过能量传递将能量转移到掺杂材料，即客体材料上，从而通过客体材料发光。
发明人发现，现有技术中所常用的P型材料和N型材料所形成的激基复合物的第一激发单重态与第一激发三重态的差异较大，一般情况下，第一激发单重态与第一激发三重态的差值，即能级差均不小于0.3eV，从而导致反向系间窜越较为困难，激基复合物的第一激发三重态能量通过Dexter能量传递将能量传递到客体的第一激发三重态上，最终通过Dexter能量传递所带来能量导致形成客体材料的化合物的分子键断裂。
在本申请中，发明人提出了第一化合物和第二化合物，由第一化合物和第二化合物共混形成的激基复合物具有较小的能级差，能量可通过反向系间窜越从第一激发三重态传递到第一激发单重态上，再通过Forster能量传递将能量传递到客体材料的第一激发三重态和第一激发单重态上，再通过客体材料的辐射跃迁发光。Forster能量传递与Dexter能量传递所不同的是，Forster能量传递不通过电子传递能量，进而使得形成客体材料的化合物分子键不易发生断裂，进而提升有机发光二极管的器件寿命。
根据本发明的一些实施例，在式(Ⅰ)中，R1，R2所代表的基团不受特别限制，例如R1，R2可各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基和经取代或未经取代的C6至C30芳基胺基中的至少一种。根据本发明的一些实施例，在式(Ⅱ)中，L所代表的基团不受特别限制，例如L可以为单键或经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，其中L的数量n可以为0，1，2，3。根据本发明的一些实施例，在式(Ⅱ)中，R3-R7所代表的基团不受特别限制，例如R3-R7可以各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基、经取代或未经取代的腈基以及经取代或未经取代的异腈基、羟基、硫醇基中的至少一种。由此，可通过第一化合物、第二化合物的共混得到具有较小能级差的激基复合物。
根据本发明的一个实施例，激基复合物中第一化合物和第二化合物的摩尔比的不受特别限制，例如激基复合物中第一化合物和第二化合物的摩尔比可以为1：1。
根据本发明的一个实施例，制备有机发光二极管时对激基复合物中第一化合物和第二化合物的摩尔比的控制方法不受特别限制，例如，当采用蒸镀工艺进行发光层的制备时，可通过对蒸镀速率的控制实现对发光层中所包含的激基复合物中第一化合物和第二化合物的摩尔比的控制。
根据本发明的一些实施例，第一化合物的最高占据分子轨道和第二化合物的最高占据分子轨道均不受特别限制，具体地，第一化合物的最高占据分子轨道范围可以为5.2eV-5.6eV，第二化合物的最高占据分子轨道范围可以为5.5eV-6.0eV，进一步地，当第一化合物的最高占据分子轨道和第二化合物的最高占据分子轨道位于上述范围时，第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最高占据分子轨道的差值的绝对值可不小于0.3eV，第一化合物的最低未占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV。
根据本发明的一些实施例，第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距不受特别限制，例如，第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距范围可以为3.4埃米-5埃米，具体地，第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.67埃米。第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.4埃米-5埃米时，会使得激基复合物主体的最高占据分子轨道与最低未占据分子轨道的轨道重叠程度降低，形成的激基复合物具有较小的能级差，同时还可以降低发光层中的三线态浓度，抑制三线态-极化子湮灭(TPA)，进而提高有机发光二极管的器件寿命。
根据本发明的一些实施例，激基复合物的第一激发单重态和第一激发三重态的范围不受特别限制，例如激基复合物的第一激发单重态范围可以为2.3eV-2.7eV，激基复合物的第一激发三重态范围可以为2.2eV-2.6eV，进一步地，当激基复合物的第一激发单重态和第一激发三重态位于上述范围时，激基复合物的第一激发单重态与激基复合物的第一激发三重态的差值可不大于0.2eV。当激基复合物的第一激发单重态与激基复合物的第一激发三重态的差值不大于0.2eV，即具有较小的能级差时，激基复合物主体的反向系间窜越速率(kRISC)得以提升，激基复合物主体材料对客体材料分子的能量传递增强，提高了有机发光二极管的器件效率。并且，主体和客体材料通过共振实现Forster能量传递，抑制了Dexter能量传递，避免了通过Dexter能量传递所带来的下形成客体材料的化合物分子键发生断裂，进而有效提高了该有机发光二极管的器件使用寿命。
根据本发明的一些实施例，第一化合物的第一激发三重态和第二化合物的第一激发三重态不受特别限制，例如第一化合物的第一激发三重态范围可以为2.4eV-2.8eV，第二化合物的第一激发三重态的范围可以为2.4eV-2.8eV，当第一化合物的第一激发三重态和第二化合物的第一激发三重态位于上述范围是，第一化合物的第一激发三重态与由第一化合物和第二化合物共混形成的激基复合物的第一激发三重态的差值可不小于0.1eV，第二化合物的第一激发三重态与由第一化合物和第二化合物共混形成的激基复合物的第一激发三重态的差值可不小于0.1eV。
根据本发明的一些实施例，第一化合物的相对分子质量与第二化合物的相对分子质量的差值不受特别限制，具体地，第一化合物的相对分子质量与第二化合物的相对分子质量的差值绝对值可不大于100。当第一化合物的相对分子质量与第二化合物的相对分子质量的差值的绝对值小于或等于100时，易通过较为简单的工艺制备获得发光层中所包含的激基复合物。
根据本发明的一些实施例，第一化合物的发射光谱峰值和第二化合物的发射光谱峰值不受特别限制，例如第一化合物的发射光谱峰值范围可以为380nm-450nm，第二化合物的发射光谱峰值范围可以为420nm-480nm，进一步地，当第一化合物的发射光谱峰值和第二化合物的发射光谱峰值位于上述范围内时，激基复合物的发射光谱峰值与第一化合物的发射光谱峰值的差值可不小于20nm，激基复合物的发射光谱峰值与第二化合物的发射光谱峰值的差值可不小于20nm。由此，可令激基复合物的发光范围位于绿光波长范围内。
根据本发明的一些实施例，第一化合物的空穴迁移率和第二化合物的电子迁移率不受特别限制，例如，第一化合物的空穴迁移率范围可以为1x10-8 cm2/v·s-1x10-3 cm2/v·s，第二化合物的电子迁移率范围可以为1x10-8 cm2/v·s-1x10-3 cm2/v·s，第一化合物的空穴迁移率与第二化合物的电子迁移率的比值可以为0.01-100。因为由阴极产生的电子和由阳极产生的空穴都需要在发光层中传输，需要确保注入发光层的电子和空穴的复合发生在发光层中，进而使得足够的电子和空穴能发生复合而发出光。故发光层需要具有较好的电子和空穴传输性能，故形成发光层中所具有的激基复合物的第一化合物和第二化合物分别应具有相匹配的较优的空穴迁移率和电子迁移率，进而实现载流子的平衡。
根据本发明的一些实施例，激基复合物中的第一化合物的种类不受特别限制，具体地，激基复合物中的第一化合物为选自以下化合物中的至少一种：
根据本发明的一些实施例，激基复合物中的第二化合物的种类不受特别限制，具体地，激基复合物中的第二化合物为选自以下化合物中的至少一种：
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示面板，显示面板上具有前述的有机发光二极管。由此，该显示面板具有前述的有机发光二极管所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置，包括上述的显示面板。由此，该显示装置具有上述的显示面板所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
下面所描述的实施例，除非另有说明，所使用的试剂均可以从市场上购得或者可以通过本发明所描述的方法制备而得。
实施例1：
制备有机发光二极管，包括阳极、阴极以及发光层，发光层通过真空蒸镀工艺制备，发光层厚度为32nn，发光层中掺杂材料与激基复合物的摩尔比为1：9，发光层包括激基复合物，激基复合物由第一化合物，如式(P1)所示，和第二化合物，如式(N1)所示的有机化合物以1：1的摩尔比制备而成，
结果表明，经计算可得，如式(P1)所示出的第一化合物的最高占据分子轨道为5.46eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.48eV，如式(N1)所示出的第二化合物的最高占据分子轨道为5.82eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.80eV，第一化合物与第二化合物的最高占据分子轨道差值的绝对值为0.36eV，第一化合物与第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值为0.32eV。第一化合物的第一激发单重态为3.28eV，第一化合物的第一激发三重态为2.68eV，第二化合物的第一激发单重态为3.02eV，第二化合物的第一激发三重态为2.70eV。第一化合物的空穴迁移率为3.6x10-5cm2/v·s，第二化合物的电子迁移率为5.4x10-5cm2/v·s。
参考图1，对实施例1中的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距进行模拟计算，最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.67埃米。
实施例2：
制备有机发光二极管，包括阳极、阴极以及发光层，发光层通过真空蒸镀工艺制备，发光层厚度为32nn，发光层中掺杂材料与激基复合物的摩尔比为1：9，发光层包括激基复合物，激基复合物由第一化合物，如式(P2)所示，和第二化合物，如式(N2)所示的有机化合物以1：1的摩尔比制备而成，
结果表明，经计算可得，如式(P2)所示出的第一化合物的最高占据分子轨道为5.51eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.52eV，如式(N2)所示出的第二化合物的最高占据分子轨道为5.85eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.84eV，第一化合物与第二化合物的最高占据分子轨道差值的绝对值为0.34eV，第一化合物与第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值为0.32eV。第一化合物的第一激发单重态为3.26eV，第一化合物的第一激发三重态为2.75eV，第二化合物的第一激发单重态为3.04eV，第二化合物的第一激发三重态为2.77eV。第一化合物的空穴迁移率为4.2x10-5cm2/v·s，第二化合物的电子迁移率为6.8x10-5cm2/v·s。
参考图2，对实施例2中的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距进行模拟计算，最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.72埃米。
实施例3：
制备有机发光二极管，包括阳极、阴极以及发光层，发光层通过真空蒸镀工艺制备，发光层厚度为32nn，发光层中掺杂材料与激基复合物的摩尔比为1：9，发光层包括激基复合物，激基复合物由第一化合物，如式(P3)所示，和第二化合物，如式(N3)所示的有机化合物以1：1的摩尔比制备而成，
结果表明，经计算可得，如式(P3)所示出的第一化合物的最高占据分子轨道为5.38eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.39eV，如式(N3)所示出的第二化合物的最高占据分子轨道为5.96eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.88eV，第一化合物与第二化合物的最高占据分子轨道差值的绝对值为0.58eV，第一化合物与第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值为0.49eV。第一化合物的第一激发单重态为3.20eV，第一化合物的第一激发三重态为2.71eV，第二化合物的第一激发单重态为3.12eV，第二化合物的第一激发三重态为2.77eV。第一化合物的空穴迁移率为8.8x10-5cm2/v·s，第二化合物的电子迁移率为9.6x10-5cm2/v·s。
参考图3，对实施例3中的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距进行模拟计算，最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.76埃米。
实施例4：
制备有机发光二极管，包括阳极、阴极以及发光层，发光层通过真空蒸镀工艺制备，发光层厚度为32nn，发光层中掺杂材料与激基复合物的摩尔比为1：9，发光层包括激基复合物，激基复合物由第一化合物，如式(P4)所示，和第二化合物，如式(N4)所示的有机化合物以1：1的摩尔比制备而成，
结果表明，经计算可得，如式(P4)所示出的第一化合物的最高占据分子轨道为5.44eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.47eV，如式(N4)所示出的第二化合物的最高占据分子轨道为5.78eV，第一化合物的最低未占据分子轨道为2.79eV，第一化合物与第二化合物的最高占据分子轨道差值的绝对值为0.34eV，第一化合物与第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值为0.32eV。第一化合物的第一激发单重态为3.16eV，第一化合物的第一激发三重态为2.70eV，第二化合物的第一激发单重态为3.09eV，第二化合物的第一激发三重态为2.78eV。第一化合物的空穴迁移率为5.8x10-5cm2/v·s，第二化合物的电子迁移率为5.6x10-5cm2/v·s。
参考图3，对实施例3中的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距进行模拟计算，最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.78埃米。
对比例1：
制备有机发光二极管，包括阳极、阴极以及发光层，发光层通过真空蒸镀工艺制备，发光层厚度为32nn，发光层中掺杂材料与激基复合物的摩尔比为1：9，发光层包括激基复合物，激基复合物由如式(DP1)所示的化合物，和如式(DN1)所示的化合物以1：1的摩尔比制备而成，
结果表明，经计算可得，如式(DP1)所示出的化合物的最高占据分子轨道为5.38eV，最低未占据分子轨道为2.66eV，如式(DN1)所示出的化合物的最高占据分子轨道为5.88eV，如式(DP1)所示出的化合物的最低未占据分子轨道为2.52eV，如式(DP1)所示出的化合物的第一激发单重态为3.31eV，第一激发三重态为2.61eV；如式(DN1)所示出的化合物的第一激发单重态为3.44eV，第一激发三重态为2.58eV。如式(DP1)所示出的化合物的空穴迁移率为4.8x10-5cm2/v·s，如式(DN1)所示出的化合物的电子迁移率为3.4x10-5cm2/v·s。
参考图5，对对比例1中的第一化合物的最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距进行模拟计算，最高占据分子轨道与第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.32埃米。
需要特别指出的是，对于实施例和对比例而言，有机发光二极管中除发光层外均还包括常见的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等结构。
对实施例1和对比例1中的有机发光二极管进行测试，结果见表1：
| 表1 | V(V) | Cd/A | CIE x | CIE y | LT95(h) |
| 实施例1 | 95％ | 123％ | 0.25 | 0.72 | 152％ |
| 实施例2 | 94％ | 126％ | 0.25 | 0.72 | 164％ |
| 实施例3 | 96％ | 130％ | 0.25 | 0.72 | 145％ |
| 实施例4 | 97％ | 121％ | 0.25 | 0.72 | 148％ |
| 对比例1 | 100％ | 100％ | 0.25 | 0.72 | 100％ |
由表1可知，以向对比例1中的有机发光二极管的电压为基准(100％)，分别向实施例1、实施例2、实施例3以及实施例4施加数值为对比例1中电压数值的95％、94％、96％、97％的相应电压，即可令实施例1、实施例2、实施例3以及实施例4中有机发光二极管的电流密度与对比例1中的有机发光二极管的电流密度相同。由此可见，当有机发光二极管的电流密度相同时，实施例1-5中的有机发光二极管所需电压与对比例1中的有机发光二极管相比更小，耗能更少。
由表1可知，对比例1和实施例1、实施例2、实施例3以及实施例4的发光色坐标均为(0.25，0.72)，均为标准绿光。
由表1可知，在相同电流密度下，以对比例1中的有机发光二极管的发光亮度(Cd/A)作为基准(100％)，实施例1中的有机发光二极管的发光亮度为对比例1的1.23倍，实施例2中的有机发光二极管的发光亮度为对比例1的1.26倍，实施例3中的有机发光二极管的发光亮度为对比例1的1.30倍，实施例4中的有机发光二极管的发光亮度为对比例1的1.21倍。由此可见，相同电流密度下，实施例1-5中的有机发光二极管的发光亮度较对比例1中的有机发光二极管而言更高，发光效果更好。
由表1可知，相同的恒定电流密度下，计算发光亮度由初始100％衰减至95％(LT95)时所用时可知，以对比例1中的有机发光二极管的LT95时间作为基准(100％)，实施例1中的有机发光二极管LT95时间为对比例1的1.52倍，实施例2中的有机发光二极管LT95时间为对比例1的1.64倍，实施例3中的有机发光二极管LT95时间为对比例1的1.45倍，实施例4中的有机发光二极管LT95时间为对比例1的1.48倍。由此可见，实施例1-5中的有机发光二极管较对比例1而言，在相同的恒定电流密度下，实施例1-5中的有机发光二极管亮度衰减较为缓慢，器件寿命较长。
综上可知，本发明中的有机发光二极管具有较低的耗能、较高的发光强度和较长的器件使用寿命。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (14)
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：
阳极，
阴极，
发光层，所述发光层包括激基复合物，
所述激基复合物包括：第一化合物和第二化合物，所述第一化合物具有式(Ⅰ)所示的结构，所述第二化合物具有式(Ⅱ)所示的结构，
其中，在式(Ⅰ)中，R1，R2各自独立地选自芳基、杂环基、芳基胺基、二苯并呋喃以及二苯并噻吩中的至少一种；
其中，在式(Ⅱ)中，L为单键或亚芳基；n＝0，1，2，3；
X为O，S，N-R7；
R3-R7各自独立地选自氢、氘、烷基、芳基、杂环基、腈基、异腈基以及羟基中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，在式(Ⅰ)中，
R1，R2各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基和经取代或未经取代的C6至C30芳基胺基中的至少一种；
在式(Ⅱ)中，L为单键或经取代或未经取代的C6至C30亚芳基；n＝0，1，2，3；
R3-R7各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基、经取代或未经取代的腈基以及经取代或未经取代的异腈基、羟基、硫醇基中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激基复合物中所述第一化合物和所述第二化合物的摩尔比为1：1。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一化合物的最高占据分子轨道为5.2eV-5.6eV，所述第二化合物的最高占据分子轨道为5.5eV-6.0eV，
其中，所述第一化合物的最高占据分子轨道与所述第二化合物的最高占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV，所述第一化合物的最低未占据分子轨道与所述第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一化合物的最高占据分子轨道与所述第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.4埃米-5埃米。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激基复合物的第一激发单重态为2.3eV-2.7eV，所述激基复合物的第一激发三重态为2.2eV-2.6eV，
其中，所述激基复合物的第一激发单重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不大于0.2eV。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一化合物的第一激发三重态为2.4eV-2.8eV，所述第二化合物的第一激发三重态为2.4eV-2.8eV，
其中，所述第一化合物的第一激发三重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不小于0.1eV，所述第二化合物的第一激发三重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不小于0.1eV。
8.根据权利要求1-7任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一化合物的相对分子质量与所述第二化合物的相对分子质量的差值绝对值不大于100。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一化合物的发射光谱峰值为380nm-450nm，所述第二化合物的发射光谱峰值为420nm-480nm，所述激基复合物的发射光谱峰值与所述第一化合物的发射光谱峰值的差值不小于20nm，所述激基复合物的发射光谱峰值与所述第二化合物的发射光谱峰值的差值不小于20nm。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一化合物的空穴迁移率为1x10-8cm2/v·s-1x10-3cm2/v·s，所述第二化合物的电子迁移率为1x10-8cm2/v·s-1x10-3cm2/v·s，所述第一化合物的空穴迁移率与所述第二化合物的电子迁移率的比值为0.01-100。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激基复合物中的所述第一化合物为选自以下化合物中的至少一种：
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激基复合物中所述第二化合物为选自以下化合物中的至少一种：
13.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板上具有权利要求1-12任一项所述的有机发光二极管。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。
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