CN113097230B - 阵列基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提出了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板通过在所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区处设置阻隔层，使所述阻隔层在所述有源层上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区在所述有源层上的正投影，阻隔层不仅起到了水氧阻隔的作用，而且还可以阻挡光线对有源裸露区处有源层的直接照射，避免了薄膜晶体管中的结构由于受到水氧渗透或者光线直接照射而影响薄膜晶体管的器件性能，也提高了薄膜晶体管器件的耐候性。

Description

阵列基板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，在诸如有机发光二极管显示器(OLED，Organic LightEmitting Diode)、迷你发光二极管(Mini LED，Mini Light Emitting Diode)和微型发光二极管(Micro LED，Micro Light Emitting Diode)等以电流驱动显示的显示装置中，需要具备较大电流通过能力和较好器件稳定性的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)。
目前，一般采用具有较高的迁移率、较小寄生电容和低漏电流的顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管，但由于顶栅结构的薄膜晶体管在栅极与源漏极之间的区域没有膜层阻挡，有源层容易受到水氧渗透或者光线直接照射而影响TFT器件性能，而降低了TFT器件的耐候性。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有顶栅结构的薄膜晶体管在栅极与源漏极之间的区域处容易受到水氧渗透或者光线直接照射而影响TFT器件性能的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种阵列基板，包括：基底，设置于所述基底上的有源层，设置于所述基底和所述有源层上的第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层上的第一金属层，设置于所述基底、有源层、第一绝缘层和所述第一金属层上且覆盖所述第一绝缘层和所述第一金属层的第二绝缘层，以及设置于所述第二绝缘层上的第二金属层；
所述阵列基板包括TFT区，所述第一金属层包括位于所述TFT区内的栅极子层，所述第二金属层包括位于所述TFT区内的源漏金属子层，所述TFT区内设有位于所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区，所述阵列基板包括位于所述有源层上方的阻隔层，所述阻隔层在所述有源层上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区在所述有源层上的正投影。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阻隔层设置于所述第二绝缘层上，且所述阻隔层与所述第二金属层在同一道制程形成。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述TFT区包括驱动TFT子区，所述栅极子层包括位于所述驱动TFT子区内的第一栅极，所述源漏金属子层包括位于所述驱动TFT子区内的第一源极和第一漏极，所述有源裸露区包括位于所述第一源极与所述第一栅极之间的第一裸露子区及位于所述第一漏极与所述第一栅极之间的第二裸露子区，所述阻隔层包括第一阻隔子层，所述有源层包括位于所述驱动TFT子区内的第一有源子层；
所述第一阻隔子层在所述第一有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第一裸露子区在所述第一有源子层上的正投影；和/或
所述第一阻隔子层在所述第一有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第二裸露子区在所述第一有源子层上的正投影。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第一阻隔子层在所述第一有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第一栅极在所述第一有源子层上的正投影。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第一阻隔子层包括设置于所述第一栅极上方的阻隔主体及由所述阻隔主体两端分别延伸至所述第一裸露子区内的第一分支和延伸至所述第二裸露子区内的第二分支，所述阻隔主体在所述第一有源子层上的正投影覆盖所述第一栅极在所述第一有源子层上的正投影；
所述第一分支远离所述阻隔主体的一端与所述第一源极连接；或
所述第二分支远离所述阻隔主体的一端与所述第一漏极连接。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述TFT区包括开关TFT子区，所述栅极子层包括位于所述开关TFT子区内的第二栅极，所述源漏金属子层包括位于所述开关TFT子区内的第二源极和第二漏极，所述有源裸露区包括位于所述第二源极与所述第二栅极之间的第三裸露子区及位于所述第二漏极与所述第二栅极之间的第四裸露子区，所述阻隔层包括第二阻隔子层，所述有源层包括位于所述开关TFT子区内的第二有源子层；
所述第二阻隔子层在所述第二有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第三裸露子区在所述第二有源子层上的正投影；和/或
所述第二阻隔子层在所述第二有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第四裸露子区在所述第二有源子层上的正投影。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第二阻隔子层包括间隔设置的第一子段或第二子段；
所述第一子段在所述第二有源子层上的正投影覆盖所述第三裸露子区在所述第二有源子层上的正投影；
所述第二子段在所述第二有源子层上的正投影覆盖所述第四裸露子区在所述第二有源子层上的正投影。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第一子段与所述第二源极连接，所述第二子段与所述第二漏极连接；
所述第一子段远离所述第二源极的一端延伸至所述第二栅极上方；和/或
所述第二子段远离所述第二漏极的一端延伸至所述第二栅极上方。
在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括存储电容区，所述第一金属层包括位于所述存储电容区内的第一极板，所述第二金属层包括位于所述存储电容区内的第二极板，所述第二极板一端与所述第二源极或所述第二漏极连接；
所述第二极板在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一极板在所述基底上的正投影。
本申请还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
提供一基底，在所述基底上形成有源层，所述阵列基板包括TFT区；
在所述基底和所述有源层上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一金属层，所述第一金属层包括形成于所述TFT区内的栅极子层；
在所述基底、有源层、第一绝缘层和所述第一金属层上形成覆盖所述第一绝缘层和所述第一金属层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层形成第二金属层，所述第二金属层包括形成于所述TFT区内的源漏金属子层；
在所述有源层上方形成阻隔层，所述TFT区内设有位于所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区，所述阻隔层在所述有源层上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区在所述有源层上的正投影。
本申请的有益效果：本申请通过在所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区处设置阻隔层，使所述阻隔层在所述有源层上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区在所述有源层上的正投影，阻隔层不仅起到了水氧阻隔的作用，而且还可以阻挡光线对有源裸露区处有源层的直接照射，避免了薄膜晶体管中的结构由于受到水氧渗透或者光线直接照射而影响薄膜晶体管的器件性能，也提高了薄膜晶体管器件的耐候性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例中阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例中像素驱动电路的结构示意图；
图3为本申请实施例中阵列基板的制作方法的步骤示意图；
图4-图7为本申请实施例中阵列基板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请提供了一种阵列基板，如图1和图7所示，包括：基底100，设置于所述基底100上的有源层200，设置于所述基底100和所述有源层200上的第一绝缘层300，设置于所述第一绝缘层300上的第一金属层400，设置于所述基底100、有源层200、第一绝缘层300和所述第一金属层400上且覆盖所述第一绝缘层300和所述第一金属层400的第二绝缘层500，以及设置于所述第二绝缘层500上的第二金属层600；
所述阵列基板包括TFT区，所述第一金属层400包括位于所述TFT区内的栅极子层，所述第二金属层600包括位于所述TFT区内的源漏金属子层，所述TFT区内设有位于所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区2，所述阵列基板包括位于所述有源层200上方的阻隔层700，所述阻隔层700在所述有源层200上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区2在所述有源层200上的正投影。
可以理解的是，现有诸如有机发光二极管显示器、迷你发光二极管和微型发光二极管等以电流驱动显示的显示装置中，需要具备较大电流通过能力和较好器件稳定性的薄膜晶体管，因此，一般采用具有较高的迁移率、较小寄生电容和低漏电流的顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管，但由于顶栅结构的薄膜晶体管在栅极与源漏极之间的区域没有膜层阻挡，容易受到水氧渗透或者光线直接照射而影响TFT器件性能，而降低了TFT器件的耐候性。本实施例中，通过在所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区2处设置阻隔层700，使所述阻隔层700在所述有源层200上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区2在所述有源层200上的正投影，阻隔层700不仅起到了水氧阻隔的作用，而且还可以阻挡光线对有源裸露区2处有源层200的直接照射，避免了薄膜晶体管中的结构由于受到水氧渗透或者光线直接照射而影响薄膜晶体管的器件性能，也提高了薄膜晶体管器件的耐候性。
需要说明的是，如图2所示，为像素驱动电路的结构示意图，其中，所述像素驱动电路用于驱动发光元件，其中，所述像素驱动电路至少包括开关薄膜晶体管T2、复位检测薄膜晶体管T3、存储电容Cst以及用于产生驱动电流的驱动薄膜晶体管T1。本实施例中，所述TFT区内用于设置薄膜晶体管，具体的，所述TFT区内可以设置所述开关薄膜晶体管T2和所述驱动薄膜晶体管T1等。此外，所述第一金属层400除了包括所述栅极子层，还可以包括诸如栅极走线等结构，所述第二金属层600除了包括所述源漏金属子层，还可以包括诸如数据线、存储电容线等走线结构，在此不做限制。
在一实施例中，所述阻隔层700设置于所述第二绝缘层500上，且所述阻隔层700与所述第二金属层600在同一道制程形成；可以理解的是，所述阻隔层700可以与所述第二金属层600的材料相同，并且，所述阻隔层700与所述第二金属层600可以采用同一道制程在所述第二绝缘层500上形成；具体的，所述阻隔层700与所述第二金属层600的材料可以为金属材料或者金属氧化物材料。
在一实施例中，如图1和图7所示，所述TFT区包括驱动TFT子区10，所述栅极子层包括位于所述驱动TFT子区10内的第一栅极410，所述源漏金属子层包括位于所述驱动TFT子区10内的第一源极610和第一漏极620，所述有源裸露区2包括位于所述第一源极610与所述第一栅极410之间的第一裸露子区21及位于所述第一漏极620与所述第一栅极410之间的第二裸露子区22，所述阻隔层700包括第一阻隔子层710，所述有源层200包括位于所述驱动TFT子区10内的第一有源子层210；
所述第一阻隔子层710在所述第一有源子层210上的正投影至少部分覆盖所述第一裸露子区21在所述第一有源子层210上的正投影；和/或
所述第一阻隔子层710在所述第一有源子层210上的正投影至少部分覆盖所述第二裸露子区22在所述第一有源子层210上的正投影。
可以理解的是，所述第一源极610、第一漏极620和第一阻隔子层710同层设置，所述第一源极610、第一漏极620和第一阻隔子层710可以采用同一道制程制作形成且为一体成型结构，所述驱动TFT子区10内可以设置驱动薄膜晶体管T1，本实施例中，所述驱动薄膜晶体管T1可以包括所述第一栅极410、第一源极610和所述第一漏极620，所述第一源极610连接一迷你发光二极管800；将所述第一阻隔子层710在所述第一有源子层210上的正投影至少部分覆盖所述第一裸露子区21在所述第一有源子层210上的正投影；和/或所述第一阻隔子层710在所述第一有源子层210上的正投影至少部分覆盖所述第二裸露子区22在所述第一有源子层210上的正投影，使得所述第一阻隔子层710至少部分覆盖所述第一有源子层210位于所述第一裸露子区21和/或第二裸露子区22的部分，起到了一定的水氧阻隔和避免光线直射的作用。
在一实施例中，如图1至图2所示，所述第一阻隔子层710在所述第一有源子层210上的正投影至少部分覆盖所述第一栅极410在所述第一有源子层210上的正投影。可以理解的是，所述第一阻隔子层710在所述第一有源子层210上的正投影至少部分覆盖所述第一栅极410在所述第一有源子层210上的正投影时，所述第一阻隔子层710可以与所述第一栅极410形成电容，具体的，如图2所示，在所述驱动薄膜晶体管T1中，当所述第一栅极410接收数据电压Vdata信号使所述第一漏极620与所述第一漏极620导通进行驱动显示时，所述第一阻隔子层710与所述第一栅极410形成的电容可以提高所述驱动薄膜晶体管T1的电压保持等电学特性。
在一实施例中，如图1所示，所述第一阻隔子层710包括设置于所述第一栅极410上方的阻隔主体711及由所述阻隔主体711两端分别延伸至所述第一裸露子区21内的第一分支712和延伸至所述第二裸露子区22内的第二分支713，所述阻隔主体711在所述第一有源子层210上的正投影覆盖所述第一栅极410在所述第一有源子层210上的正投影；
所述第一分支712远离所述阻隔主体711的一端与所述第一源极610连接；或
所述第二分支713远离所述阻隔主体711的一端与所述第一漏极620连接。
可以理解的是，所述第一阻隔子层710包括设置于所述第一栅极410上方的阻隔主体711及由所述阻隔主体711两端分别延伸至所述第一裸露子区21内的第一分支712和延伸至所述第二裸露子区22内的第二分支713，此时，所述第一阻隔子层710可以完全覆盖所述第一栅极410，相比于所述第一阻隔子层710部分覆盖所述第一栅极410，可以提高所述第一阻隔子层710与所述第一栅极410形成的电容，最大化的提高所述驱动薄膜晶体管T1的电压保持等电学特性。此外，通过采用所述第一分支712远离所述阻隔主体711的一端与所述第一源极610连接；或所述第二分支713远离所述阻隔主体711的一端与所述第一漏极620连接的结构，至少使得所述第一阻隔子层710对所述第一裸露子区21或所述第二裸露子区22在所述第一有源子层210上的正投影完全覆盖，具体的，当所述第一分支712远离所述阻隔主体711的一端与所述第一源极610连接时，所述第一阻隔子层710中的第一分支712对所述第一裸露子区21在所述第一有源子层210上的正投影完全覆盖，当所述第二分支713远离所述阻隔主体711的一端与所述第一漏极620连接时，所述第一阻隔子层710中的第二分支713对所述第二裸露子区22在所述第一有源子层210上的正投影完全覆盖，在最大化实现提高所述驱动薄膜晶体管T1的电压保持等电学特性的基础上，又最大化的保证了所述第一阻隔子层710对所述第一有源子层210的遮挡面积，保证了所述第一阻隔子层710对所述第一有源子层210起到一定的水氧阻隔和光线遮挡效果。
需要说明的是，所述第一分支712、第二分支713和所述阻隔主体711可以呈其它形式的结构设置，所述第一分支712和所述第二分支713中的一者与所述阻隔主体711连接，另一者与所述阻隔主体711呈间隔设置，也可以是所述第一分支712、第二分支713和所述阻隔主体711呈间隔设置，此外，基于上述结构，可以将所述阻隔主体711在所述第一有源子层210上的正投影设置成部分覆盖所述第一栅极410在所述第一有源子层210上的正投影，此时，可以将所述第一分支712在所述第一有源子层210上的正投影设置成完全覆盖所述第一裸露子区21在所述第一有源子层210上的正投影，同时，将所述第二分支713在所述第一有源子层210上的正投影设置成完全覆盖所述第二裸露子区22在所述第一有源子层210上的正投影，在此不做限制。
在一实施例中，如图1所示，所述TFT区包括开关TFT子区20，所述栅极子层包括位于所述开关TFT子区20内的第二栅极420，所述源漏金属子层包括位于所述开关TFT子区20内的第二源极630和第二漏极640，所述有源裸露区2包括位于所述第二源极630与所述第二栅极420之间的第三裸露子区23及位于所述第二漏极640与所述第二栅极420之间的第四裸露子区24，所述阻隔层700包括第二阻隔子层720，所述有源层200包括位于所述开关TFT子区20内的第二有源子层220；
所述第二阻隔子层720在所述第二有源子层220上的正投影至少部分覆盖所述第三裸露子区23在所述第二有源子层220上的正投影；和/或
所述第二阻隔子层720在所述第二有源子层220上的正投影至少部分覆盖所述第四裸露子区24在所述第二有源子层220上的正投影。
可以理解的是，所述第二源极630、第二漏极640和第二阻隔子层720同层设置，所述第二源极630、第二漏极640和第二阻隔子层720可以采用同一道制程制作形成且为一体成型结构，所述开关TFT子区20内可以设置数据开关薄膜晶体管T2，本实施例中，所述数据开关薄膜晶体管T2可以包括所述第二栅极420、第二源极630和所述第二漏极640；将所述第二阻隔子层720在所述第二有源子层220上的正投影至少部分覆盖所述第三裸露子区23在所述第二有源子层220上的正投影；和/或所述第二阻隔子层720在所述第二有源子层220上的正投影至少部分覆盖所述第四裸露子区24在所述第二有源子层220上的正投影，使得所述第二阻隔子层720至少部分覆盖所述第二有源子层220位于所述第三裸露子区23和/或第四裸露子区24的部分，起到了一定的水氧阻隔和避免光线直射的作用。
在一实施例中，如图1所示，所述第二阻隔子层720包括间隔设置的第一子段721或第二子段722；
所述第一子段721在所述第二有源子层220上的正投影覆盖所述第三裸露子区23在所述第二有源子层220上的正投影；
所述第二子段722在所述第二有源子层220上的正投影覆盖所述第四裸露子区24在所述第二有源子层220上的正投影。
可以理解的是，将所述第一子段721在所述第二有源子层220上的正投影设置成完全覆盖所述第三裸露子区23在所述第二有源子层220上的正投影；并且将所述第二子段722在所述第二有源子层220上的正投影设置成完全覆盖所述第四裸露子区24在所述第二有源子层220上的正投影，从而实现所述第二阻隔子层720对所述第二有源子层220位于所述第三裸露子区23和所述第四裸露子区24内部分的完全覆盖，在所述第三裸露子区23和所述第四裸露子区24处均起到了很好的水氧阻隔和避免光线直射的作用。
在一实施例中，如图1所示，所述第一子段721与所述第二源极630连接，所述第二子段722与所述第二漏极640连接；
所述第一子段721远离所述第二源极630的一端延伸至所述第二栅极420上方；和/或
所述第二子段722远离所述第二漏极640的一端延伸至所述第二栅极420上方。
可以理解的是，在所述开关TFT子区20内可以设置数据开关薄膜晶体管T2，本实施例中，所述数据开关薄膜晶体管T2可以包括所述第二栅极420、第二源极630和所述第二漏极640；具体的，所述数据开关薄膜晶体管T2在像素电路中需要起到数据开关的作用，也即是起到充放电的作用，本实施例中，所述第一子段721远离所述第二源极630的一端延伸至所述第二栅极420上方；和/或所述第二子段722远离所述第二漏极640的一端延伸至所述第二栅极420上方，也即是使得所述第一子段721和/或所述第二子段722在所述第二有源子层220上的正投影部分覆盖所述第二栅极420在所述第二有源子层220上的正投影，并且，所述第一子段721与所述第二子段722呈间隔设置，从而保证所述第二阻隔子层720没有对所述第二栅极420完全覆盖，避免所述第二阻隔子层720与所述第二栅极420形成电容而造成所述数据开关薄膜晶体管T2充放电灵敏度的降低，保证了所述数据开关薄膜晶体管T2充放电的灵敏度，具体的，所述第一子段721与所述第二子段722的间距大于2um。
需要说明的是，将所述第一子段721远离所述第二源极630的一端延伸至所述第二栅极420上方；和/或所述第二子段722远离所述第二漏极640的一端延伸至所述第二栅极420上方，可以增加所述第一子段721和/或所述第二子段722的水氧阻隔和阻挡光线直射的面积，在最大化避免降低与所述第二栅极420形成电容而降低数据开关薄膜晶体管T2充放电灵敏度的基础上，最大化的实现所述第一子段721和所述第二子段722的水氧阻隔和光线照射阻隔的作用。
在一实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括存储电容区30，所述第一金属层400包括位于所述存储电容区30内的第一极板430，所述第二金属层600包括位于所述存储电容区30内的第二极板650，所述第二极板650一端与所述第二源极630或所述第二漏极640连接；本实施例中，所述第二极板650一端与所述第二源极630连接。
所述第二极板650在所述基底100上的正投影至少部分覆盖所述第一极板430在所述基底100上的正投影。
可以理解的是，如图1至图2所示，所述存储电容区30内可以用于设置存储电容Cst，本实施例中，所述第一金属层400包括位于所述存储电容区30内的第一极板430，所述第二金属层600包括位于所述存储电容区30内的第二极板650；所述第二极板650在所述基底100上的正投影至少部分覆盖所述第一极板430在所述基底100上的正投影；所述存储电容Cst可以包括所述第一极板430和所述第二极板650，当然，所述第二极板650在所述基底100上的正投影可以完全覆盖所述第一极板430在所述基底100上的正投影，从而提高了所述第一极板430与所述第二极板650的正对面积，具体的，所述第一极板430与所述第二极板650的正对面积的大小可以根据存储电容Cst大小的要求进行调节。此外，所述第二极板650还可以与所述第二源极630或第二漏极640连接，且所述第二极板650、第二源极630和第二漏极640可以采用同一道制程制作形成且为一体成型结构。
本申请还提供一种阵列基板的制作方法，如图3所示，包括以下步骤：
S10：如图4所示，提供一基底100，在所述基底100上形成有源层200，所述阵列基板包括TFT区；具体的，所述有源层200可采用在所述基底100上整层镀膜结合图案化的方式形成，所述有源层200的材料可以是诸如铟镓锌氧化物(IGZO，indium gallium zinc oxide)等氧化物半导体材料。
S20：如图5所示，在所述基底100和所述有源层200上形成第一绝缘层300，在所述第一绝缘层300上形成第一金属层400，所述第一金属层400包括形成于所述TFT区内的栅极子层；具体的，所述第一绝缘层300为栅极绝缘层，所述第一金属层400包括位于所述TFT区内第一栅极410和第二栅极420，所述第一绝缘层300可以是以所述第一栅极410和第二栅极420为掩膜进行图案化制作而成。
S30：如图6所示，在所述基底100、有源层200、第一绝缘层300和所述第一金属层400上形成覆盖所述第一绝缘层300和所述第一金属层400的第二绝缘层500。
S40：在所述第二绝缘层500形成第二金属层600，所述第二金属层600包括形成于所述TFT区内的源漏金属子层；
S50：在所述有源层200上方形成阻隔层700，所述TFT区内设有位于所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区2，所述阻隔层700在所述有源层200上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区2在所述有源层200上的正投影。
可以理解的是，如图7所示，所述源漏金属子层的材料可以与所述阻隔层700的材料相同，并且，所述源漏金属子层与所述阻隔层700采用同一道制程制作，以使得所述源漏金属子层与所述阻隔层700为一体成型结构，在避免了薄膜晶体管中的结构由于受到水氧渗透或者光线直接照射而影响薄膜晶体管的器件性能，提高薄膜晶体管器件的耐候性的基础上，也避免了额外增加制作工序而导致生产成本的增加。此外，需要说明的是，在步骤S20：形成所述第一绝缘层300和所述第一金属层400之后，还可以包括一将所述有源层200与所述第一源极610、第一漏极620、第二源极630和第二漏极640连接部分进行金属化的步骤。
综上所述，本申请通过在所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区2处设置阻隔层700，使所述阻隔层700在所述有源层200上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区2在所述有源层200上的正投影，阻隔层700不仅起到了水氧阻隔的作用，而且还可以阻挡光线对有源裸露区2处有源层200的直接照射，避免了薄膜晶体管中的结构由于受到水氧渗透或者光线直接照射而影响薄膜晶体管的器件性能，也提高了薄膜晶体管器件的耐候性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底，设置于所述基底上的有源层，设置于所述基底和所述有源层上的第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层上的第一金属层，设置于所述基底、有源层、第一绝缘层和所述第一金属层上且覆盖所述第一绝缘层和所述第一金属层的第二绝缘层，以及设置于所述第二绝缘层上的第二金属层；
所述阵列基板包括TFT区，所述第一金属层包括位于所述TFT区内的栅极子层，所述第二金属层包括位于所述TFT区内的源漏金属子层，所述TFT区内设有位于所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区，所述阵列基板包括位于所述有源层上方的阻隔层，所述阻隔层在所述有源层上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区在所述有源层上的正投影；
所述阻隔层设置于所述第二绝缘层上，所述阻隔层与所述第二金属层的材料相同且所述阻隔层与所述第二金属层在同一道制程形成；
所述TFT区包括开关TFT子区，所述栅极子层包括位于所述开关TFT子区内的第二栅极，所述源漏金属子层包括位于所述开关TFT子区内的第二源极和第二漏极，所述有源裸露区包括位于所述第二源极与所述第二栅极之间的第三裸露子区及位于所述第二漏极与所述第二栅极之间的第四裸露子区，所述阻隔层包括第二阻隔子层，所述有源层包括位于所述开关TFT子区内的第二有源子层；
所述第二阻隔子层包括间隔设置的第一子段或第二子段；
所述第一子段在所述第二有源子层上的正投影覆盖所述第三裸露子区在所述第二有源子层上的正投影；
所述第二子段在所述第二有源子层上的正投影覆盖所述第四裸露子区在所述第二有源子层上的正投影。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区包括驱动TFT子区，所述栅极子层包括位于所述驱动TFT子区内的第一栅极，所述源漏金属子层包括位于所述驱动TFT子区内的第一源极和第一漏极，所述有源裸露区包括位于所述第一源极与所述第一栅极之间的第一裸露子区及位于所述第一漏极与所述第一栅极之间的第二裸露子区，所述阻隔层包括第一阻隔子层，所述有源层包括位于所述驱动TFT子区内的第一有源子层；
所述第一阻隔子层在所述第一有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第一裸露子区在所述第一有源子层上的正投影；和/或
所述第一阻隔子层在所述第一有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第二裸露子区在所述第一有源子层上的正投影。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻隔子层在所述第一有源子层上的正投影至少部分覆盖所述第一栅极在所述第一有源子层上的正投影。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻隔子层包括设置于所述第一栅极上方的阻隔主体及由所述阻隔主体两端分别延伸至所述第一裸露子区内的第一分支和延伸至所述第二裸露子区内的第二分支，所述阻隔主体在所述第一有源子层上的正投影覆盖所述第一栅极在所述第一有源子层上的正投影；
所述第一分支远离所述阻隔主体的一端与所述第一源极连接；或
所述第二分支远离所述阻隔主体的一端与所述第一漏极连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子段与所述第二源极连接，所述第二子段与所述第二漏极连接；
所述第一子段远离所述第二源极的一端延伸至所述第二栅极上方；和/或
所述第二子段远离所述第二漏极的一端延伸至所述第二栅极上方。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电容区，所述第一金属层包括位于所述存储电容区内的第一极板，所述第二金属层包括位于所述存储电容区内的第二极板，所述第二极板一端与所述第二源极或所述第二漏极连接；
所述第二极板在所述基底上的正投影至少部分覆盖所述第一极板在所述基底上的正投影。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底，在所述基底上形成有源层，所述阵列基板包括TFT区，所述TFT区包括开关TFT子区；
在所述基底和所述有源层上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一金属层，所述第一金属层包括形成于所述TFT区内的栅极子层，所述栅极子层包括位于所述开关TFT子区内的第二栅极；
在所述基底、有源层、第一绝缘层和所述第一金属层上形成覆盖所述第一绝缘层和所述第一金属层的第二绝缘层，所述有源层包括位于所述开关TFT子区内的第二有源子层；
在所述第二绝缘层形成第二金属层，所述第二金属层包括形成于所述TFT区内的源漏金属子层，所述源漏金属子层包括位于所述开关TFT子区内的第二源极和第二漏极；
在所述有源层上方形成阻隔层，所述TFT区内设有位于所述栅极子层与所述源漏金属子层之间的有源裸露区，所述阻隔层在所述有源层上的正投影至少部分覆盖所述有源裸露区在所述有源层上的正投影，所述阻隔层设置于所述第二绝缘层上，所述阻隔层与所述第二金属层的材料相同且所述阻隔层与所述第二金属层在同一道制程形成，所述有源裸露区包括位于所述第二源极与所述第二栅极之间的第三裸露子区及位于所述第二漏极与所述第二栅极之间的第四裸露子区，所述阻隔层包括第二阻隔子层，其中，所述第二阻隔子层包括间隔设置的第一子段或第二子段，所述第一子段在所述第二有源子层上的正投影覆盖所述第三裸露子区在所述第二有源子层上的正投影，所述第二子段在所述第二有源子层上的正投影覆盖所述第四裸露子区在所述第二有源子层上的正投影。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113745246B (zh) * 2021-08-16 2023-10-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130134424A1 (en) * 2011-11-30 2013-05-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate
CN106684103A (zh) * 2017-02-28 2017-05-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010140287A1 (ja) * 2009-06-03 2010-12-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN104241392B (zh) * 2014-07-14 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备
CN106558593B (zh) * 2015-09-18 2019-12-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN106206622B (zh) * 2016-09-23 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
JP2018170326A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2019166925A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN108493199A (zh) * 2018-04-19 2018-09-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
WO2020210946A1 (en) * 2019-04-15 2020-10-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of fabricating array substrate, array substrate, and display apparatus
CN110867456A (zh) * 2019-10-28 2020-03-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN112420745A (zh) * 2020-11-10 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示基板及制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130134424A1 (en) * 2011-11-30 2013-05-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate
CN106684103A (zh) * 2017-02-28 2017-05-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

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