CN113745249A - 显示面板及其制备方法、移动终端 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端；该显示面板包括衬底基板、位于衬底基板上的阵列驱动层和遮光构件，阵列驱动层包括与遮光构件同层设置的薄膜晶体管，在显示面板的俯视图方向上，遮光构件位于薄膜晶体管的至少一侧；上述显示面板通过在薄膜晶体管的至少一侧设置遮光构件，遮光构件能够阻挡位于薄膜晶体管背离衬底基板一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层与栅极金属层之间来回反射并穿过有源层，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、移动终端。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。其中，在OLED显示面板的像素设计中，一般采用顶栅自对准型非晶氧化物薄膜晶体管构成的3T1C电路(3个薄膜晶体管和1个电容)来驱动OLED发光，但非晶氧化物对短波，尤其是紫外光非常敏感，器件的阈值电压会在紫外光的作用下减小，从而严重影响OLED的发光强度，因此制作背板时会先沉积金属遮光层保护薄膜晶体管器件不受底部环境光影响。
然而，由于OLED器件的内部光强很大，采用金属做为遮光层时，顶部的短波漏光会在遮光层和栅极间来回反射并穿过有源层，进而影响OLED器件的阈值电压Vth。
因此，亟需一种显示面板及其制备方法、移动终端以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端，可以改善当前技术的显示面板因外界光线漏光而导致显示面板中的驱动晶体管的稳定性下降的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的阵列驱动层和遮光构件，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件同层设置的薄膜晶体管；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述遮光构件位于所述薄膜晶体管的至少一侧。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管包括有源层，所述遮光构件位于所述有源层的至少一侧。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层的两端电性连接的源漏极金属层；
其中，所述遮光构件的顶部和所述衬底基板的第一间距大于或等于所述源漏极金属层的顶部和所述衬底基板的第二间距，位于所述有源层同一侧的所述遮光构件与所述源漏极金属层的间距范围为1um至20um。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括位于所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间的遮光层，所述遮光构件的材料与所述遮光层的材料相同。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光构件围绕所述遮光层的至少一侧设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光构件在所述衬底基板上的正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影重叠或者部分重叠。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光构件与所述遮光层电性连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列结构层还包括设置于所述衬底基板上的缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层；
其中，所述遮光构件的底部贯穿部分所述缓冲层。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
在一衬底基板上形成遮光层；
在所述遮光层上依次形成有源层、栅极绝缘层以及栅极金属层；
在所述衬底基板上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层在对应于所述有源层的两端上方设置有第一过孔，所述层间绝缘层在远离所述有源层的至少一侧设置有第二过孔；
在所述层间绝缘层上形成一金属层，所述金属层经图案化后形成源漏极金属层以及遮光构件，所述源漏极金属层填充所述第一过孔，所述遮光构件填充所述第二过孔。
相应的，本申请实施例又提供一种移动终端，包括终端主体以及如上任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端；该显示面板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的阵列驱动层和遮光构件，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件同层设置的薄膜晶体管，其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述遮光构件位于所述薄膜晶体管的至少一侧；上述显示面板通过在薄膜晶体管的至少一侧设置遮光构件，遮光构件能够阻挡位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层与栅极金属层之间来回反射并穿过有源层，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例提供的显示面板的截面结构示意图；
图2是本申请第一实施例提供的显示面板中部分膜层的俯视图；
图3是本申请第二实施例提供的显示面板的截面结构示意图；
图4是本申请第二实施例提供的显示面板中部分膜层的俯视图；
图5是本申请第三实施例提供的显示面板的截面结构示意图；
图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法流程图；
图7A-7D是本申请实施例提供的显示面板的制备方法结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例针对当前技术的显示面板因外界光线漏光而导致显示面板中的驱动晶体管的稳定性下降的技术问题，本申请实施例能够改善上述技术问题。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1至图5，本申请实施例提供一种显示面板100，该显示面板100包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的阵列驱动层和遮光构件20，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件20同层设置的薄膜晶体管10；
其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述遮光构件20位于所述薄膜晶体管10的至少一侧。
上述显示面板100通过在薄膜晶体管10的至少一侧设置遮光构件20，遮光构件20能够阻挡位于所述薄膜晶体管10背离所述衬底基板11一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层12与栅极金属层16之间来回反射并穿过有源层14，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管10中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板100的稳定性。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
如图1所示，为本申请第一实施例提供的显示面板100的截面示意图；如图2所示，为本申请第一实施例提供的显示面板100中部分膜层的俯视图；其中，所述显示面板100包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的阵列驱动层和遮光构件20，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件20同层设置的薄膜晶体管10；
其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述遮光构件20位于所述薄膜晶体管10的至少一侧。
具体地，所述阵列驱动层包括设置于所述衬底基板11上的遮光层12以及设置于所述遮光层12上方的所述薄膜晶体管10。所述薄膜晶体管10包括设置于所述遮光层12上的缓冲层13、设置于所述缓冲层13上的有源层14、设置于所述有源层14上的栅极绝缘层15、设置于所述栅极绝缘层15上的栅极金属层16、设置于所述缓冲层13上并覆盖栅极金属层16上的层间绝缘层17以及设置于所述层间绝缘层17上的源漏极金属层18。
具体地，所述衬底基板11为玻璃衬底；所述缓冲层13、所述栅极绝缘层15、以及所述层间绝缘层17可采用SiOx、SiNx、SiON等介质材料制成，也可采用聚硅氧烷系、亚克力系、聚酰亚胺等新型的有机绝缘材料制成，还可采用AlOx、HfOx、TaOx等高介电常数(High-k)材料制成。
具体地，所述有源层14为金属氧化物半导体材料，所述氧化物半导体材料为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)；所述栅极金属层16、所述源漏极金属层18、所述遮光层12、可采用Ti、Al、Mo或其合金及叠层等金属材料制成，也可采用如MoNb/Cu/MoNb等复合金属材料制成，还可采用如AlNd、MoNb等各种金属材料的合金制成。当然，上述各结构也可采用除上述材料以外的其他材料制成，本实施例对此并不作具体限制。
优选地，所述栅极金属层16、所述源漏极金属层18以及所述遮光层12的材料为MoTiCu合金、MoCu合金以及MoAL合金中的任意一种。
在本申请实施例中，所述遮光构件20包括位于所述薄膜晶体管10两侧的第一遮光构件21、第二遮光构件22、以及位于所述第一遮光构件21与所述第二遮光构件22之间的第三遮光构件23，所述第三遮光构件23环绕所述薄膜晶体管10的外围设置。这样设置可以用于提升所述显示面板100的遮光效果。
具体地，所述遮光构件20的材料与所述遮光层12的材料相同。
在本申请实施例中，所述遮光构件20设置于所述有源层14的至少一侧；所述遮光构件20的顶部和所述衬底基板11的第一间距等于所述源漏极金属层18的顶部和所述衬底基板11的第二间距；优选地，位于所述有源层14同一侧的所述遮光构件20与所述源漏极金属层18的间距范围为1um至20um。
在本申请实施例中，所述阵列结构层还包括设置于薄膜晶体管10上的平坦化层19、设置于所述平坦化层19上的钝化层110以及设置于所述钝化层110上的阳极金属层111；其中，所述阳极金属层111通过所述钝化层110上的过孔与所述源漏极金属层18电性连接。
在本申请实施例中，所述钝化层110以及所述平坦化层19可采用化学气相沉积制备；所述钝化层110的材料以及所述平坦化层19的材料可以是SiO、SiN、或者是两者的结合；所述阳极金属层111包括上层氧化铟锡半导体层、中层银金属层以及下层氧化铟锡半导体层构成的膜层或者氧化铟锡半导体层中的任意一种。
如图2所示，为本申请第一实施例提供的显示面板100中部分膜层的俯视图；其中，所述第三遮光构件23包括第一挡墙231、与所述第一挡墙231连接的第二挡墙232、与所述第二挡墙232连接的第三挡墙233以及与所述第三挡墙233和所述第一挡墙231连接的第四挡墙234。
具体地，所述栅极金属层16沿着第一方向延伸，所述栅极金属层16的一端贯穿所述第一挡墙231，所述栅极金属层16的另一端未贯穿所述第三挡墙233；所述源漏极金属层18包括间隔设置的源极181以及漏极182，所述源极181的一端与所述有源层14电性连接，所述源极181的另一端贯穿所述第四挡墙234，所述漏极182的一端与所述有源层14电性连接，所述漏极182的另一端贯穿所述第二挡墙232。
在本申请实施例中，所述第三遮光构件23与所述源漏极金属层18同时制备，且避开了所述源漏极金属层18及所述栅极金属层16所在的电路区域，使得所述第三遮光构件23分别与所述源漏极金属层18及所述栅极金属层16绝缘设置，在提升所述显示面板100的遮光效果的同时，避免对所述薄膜晶体管10的电性性能造成影响。
针对当前技术的显示面板100因外界光线漏光而导致显示面板100中的驱动晶体管的稳定性下降的技术问题，本申请第一实施例通过提供一种显示面板100，该显示面板100包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的阵列驱动层和遮光构件20，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件20同层设置的薄膜晶体管10，其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述遮光构件20位于所述薄膜晶体管10的至少一侧，所述遮光构件20包括位于所述薄膜晶体管10两侧的第一遮光构件21、第二遮光构件22、以及位于所述第一遮光构件21与所述第二遮光构件22之间的第三遮光构件23，所述第三遮光构件23环绕所述薄膜晶体管10的外围设置；上述显示面板100通过在薄膜晶体管10的至少一侧设置遮光构件20，遮光构件20避开了薄膜晶体管10中源漏极电路与栅极电路所在的区域，遮光构件20能够阻挡位于所述薄膜晶体管10背离所述衬底基板11一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层12与栅极金属层16之间来回反射并穿过有源层14，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管10中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板100的稳定性。
实施例二
如图3所示，为本申请第二实施例提供的显示面板100的截面结构图；其中，本申请实施例二中显示面板100的结构与本申请实施例一的结构相同或相似，不同之处仅在于，所述遮光构件20在所述衬底基板11上的正投影与所述遮光层12在所述衬底基板11上的正投影重叠或者部分重叠。
具体地，在本申请实施例中，所述遮光构件20包括位于所述薄膜晶体管10两侧的第一遮光构件21、第二遮光构件22、以及位于所述第一遮光构件21与所述第二遮光构件22之间的第三遮光构件23；其中，所述第一遮光构件21以及所述第二遮光构件22与所述遮光层12电性连接。
如图4所示，为本申请第二实施例提供的显示面板100中部分膜层的俯视图；其中，所述第三遮光构件23包括第一挡墙231、与所述第一挡墙231连接的第二挡墙232、与所述第二挡墙232连接的第三挡墙233以及与所述第三挡墙233和所述第一挡墙231连接的第四挡墙234。
具体地，所述第一挡墙231、所述第二挡墙232、所述第三挡墙233以及所述第四挡墙234在所述衬底基板11上的正投影均与所述遮光层12在所述衬底基板11上的正投影部分重叠。这样设置可以起到减小所述第三遮光器件对所述显示面板100的开口率的影响。
针对当前技术的显示面板100因外界光线漏光而导致显示面板100中的驱动晶体管的稳定性下降的技术问题，本申请第二实施例通过提供一种显示面板100，该显示面板100包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的阵列驱动层和遮光构件20，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件20同层设置的薄膜晶体管10，其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述遮光构件20位于所述薄膜晶体管10的至少一侧，所述遮光构件20包括位于所述薄膜晶体管10两侧的第一遮光构件21、第二遮光构件22、以及位于所述第一遮光构件21与所述第二遮光构件22之间的第三遮光构件23，所述第三遮光构件23在所述衬底基板11上的正投影均与所述遮光层12在所述衬底基板11上的正投影部分重叠；上述显示面板100通过在薄膜晶体管10的至少一侧设置遮光构件20，遮光构件20避开了薄膜晶体管10中源漏极电路与栅极电路所在的区域，且减小了对显示面板100的开口率的影响，同时遮光构件20能够阻挡位于所述薄膜晶体管10背离所述衬底基板11一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层12与栅极金属层16之间来回反射并穿过有源层14，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管10中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板100的稳定性。
实施例三
如图5所示，为本申请第三实施例提供的显示面板100的截面结构图；其中，本申请实施例三中显示面板100的结构与本申请实施例一的结构相同或相似，不同之处仅在于，所述遮光构件20的底部贯穿部分所述缓冲层13，所述遮光构件20的顶部和所述衬底基板11的第一间距大于所述源漏极金属层18的顶部和所述衬底基板11的第二间距。
本申请实施例三的上述设置相对于本申请实施例一能够进一步提升遮光效果。
针对当前技术的显示面板100因外界光线漏光而导致显示面板100中的驱动晶体管的稳定性下降的技术问题，本申请第一实施例通过提供一种显示面板100，该显示面板100包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的阵列驱动层和遮光构件20，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件20同层设置的薄膜晶体管10，其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述遮光构件20位于所述薄膜晶体管10的至少一侧，所述遮光构件20的底部贯穿部分所述缓冲层13，所述遮光构件20的顶部和所述衬底基板11的第一间距大于所述源漏极金属层18的顶部和所述衬底基板11的第二间距；所述遮光构件20包括位于所述薄膜晶体管10两侧的第一遮光构件21、第二遮光构件22、以及位于所述第一遮光构件21与所述第二遮光构件22之间的第三遮光构件23，所述第三遮光构件23环绕所述薄膜晶体管10的外围设置；上述显示面板100通过在薄膜晶体管10的至少一侧设置遮光构件20，遮光构件20避开了薄膜晶体管10中源漏极电路与栅极电路所在的区域，遮光构件20能够阻挡位于所述薄膜晶体管10背离所述衬底基板11一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层12与栅极金属层16之间来回反射并穿过有源层14，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管10中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板100的稳定性。本申请实施例三相对于本申请实施例一能够进一步提升所述显示面板100的遮光效果。
如图6所示，本实施例提供了一种显示面板100的制作方法，所述显示面板100的制作方法应用于如本申请实施例一至本申请实施例三任意一项所述的显示面板100中，现以本申请实施例一举例说明。
本实施例所提供的显示面板100的制作方法具体包括：
S10，在一衬底基板11上形成遮光层12。
具体地，所述S10还包括：
首先，在一衬底基板11上利用物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)工艺沉积第一金属层，之后在所述第一金属层上涂布一层光阻，经过曝光显影后形成图形，所述第一金属层通过黄光、蚀刻等步骤形成图案化的遮光层12之后，利用化学气相沉积工艺沉积缓冲层13，如图7A所示。
其中，所述遮光层12优选为1000埃米厚度的MoTi合金，所述缓冲层13优选为4000埃米厚度的硅氧化合物。
S20，在所述遮光层12上形成有源层14。
具体地，所述S20还包括：
首先，在所述缓冲层13上利用物理气相沉积工艺沉积半导体层，所述半导体层通过黄光蚀刻工艺定义出图案，形成有源层14；之后，通过化学沉积工艺在所述有源层14上沉积形成栅极绝缘层15；然后，通过物理气相工艺沉积第二层金属层，所述第二层金属层通过黄光和湿蚀刻定义出图案，形成栅极金属层16；最后，对所述有源层14的两端进行导体化处理，如图7B所示。
S30，在所述衬底基板11上形成层间绝缘层17，所述层间绝缘层17在对应于所述有源层14的两端上方设置有第一过孔171，所述层间绝缘层17在远离所述有源层14的至少一侧设置有第二过孔172。
具体地，所述S30还包括：
在所述缓冲层13上通过化学气相沉积工艺沉积层间绝缘层17，所述层间绝缘层17完全覆盖栅极金属层16；之后，在所述层间绝缘层17上对应于所述有源层14的部分区域开设第一过孔171，在所述层间绝缘层17上对应于所述有源层14的至少一侧开设第二过孔172，其中。所述第一过孔171暴露出所述有源层14，所述第二过孔172暴露出所述衬底基板11，如图7C所示。
S40，在所述层间绝缘层17上形成一金属层，所述金属层经图案化后形成源漏极金属层18以及遮光构件20，所述源漏极金属层18填充所述第一过孔171，所述遮光构件20填充所述第二过孔172。
具体地，所述S40还包括：
首先，通过物理气相工艺沉积第三层金属层，所述第三层金属层通过黄光和湿蚀刻定义出图案，形成源漏极金属层18以及遮光构件20，所述源漏极金属层18通过所述第一过孔171与所述有源层14电性连接，所述遮光构件20通过所述第二过孔172与所述衬底基板11连接，其中，所述第三层金属层的材料与所述遮光层12的材料相同；之后，在所述层间绝缘层17上依次沉积钝化层110以及平坦化层19，并在所述平坦化层19上开设第三过孔，所述第三过孔贯穿所述平坦化层19并暴露所述源漏极金属层18；最后，在所述平坦化层19上通过物理气相工艺沉积第四层金属层，所述第四层金属层通过黄光和湿蚀刻定义出图案，形成阳极金属层111，所述阳极金属层111包括上层氧化铟锡半导体层、中层银金属层以及下层氧化铟锡半导体层构成的膜层或者氧化铟锡半导体层中的任意一种，如图7D所示。
在本申请实施例中，所述第三层金属层采用不透光层，所述遮光构件20设置于所述有源层14的至少一侧，能够从纵向隔绝周边光线对所述有源层14的影响。
进一步地，所述遮光构件20的制备可搭配在原有所述源漏极金属层18中同时制备，从而不增加制程道数。
在本申请实施例中，所述第二过孔172可在对所述层间绝缘层17进行开孔形成所述第一过孔171时同时制备完成，所述第二过孔172的尺寸范围在1.5um至10um范围内。同时，为了保证所述遮光构件20与所述薄膜晶体管10之间互不干扰，位于所述有源层14同一侧的所述遮光构件20与所述源漏极金属层18的间距在1～20um之间。
在本申请实施例中，所述钝化层110以及所述平坦化层19可采用化学气相沉积制备；所述钝化层110的材料以及所述平坦化层19的材料可以是SiO、SiN、或者是两者的结合。
相应地，本申请实施例还提供一种移动终端，包括终端主体以及如上任一项所述的显示面板100，所述终端主体与所述显示面板100组合为一体。其中，所述移动终端在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
本申请实施例提供一种显示面板100及其制备方法、移动终端；该显示面板100包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的阵列驱动层和遮光构件20，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件20同层设置的薄膜晶体管10，其中，在所述显示面板100的俯视图方向上，所述遮光构件20位于所述薄膜晶体管10的至少一侧；上述显示面板100通过在薄膜晶体管10的至少一侧设置遮光构件20，遮光构件20能够阻挡位于所述薄膜晶体管10背离所述衬底基板11一侧的光线，防止上述光线在底部遮光层12与栅极金属层16之间来回反射并穿过有源层14，从而改善了因外界漏光导致薄膜晶体管10中的阈值电压不稳定的问题，进一步提升了显示面板100的稳定性。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板100及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的阵列驱动层和遮光构件，所述阵列驱动层包括与所述遮光构件同层设置的薄膜晶体管；
其中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述遮光构件位于所述薄膜晶体管的至少一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层，所述遮光构件位于所述有源层的至少一侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层的两端电性连接的源漏极金属层；
其中，所述遮光构件的顶部和所述衬底基板的第一间距大于或等于所述源漏极金属层的顶部和所述衬底基板的第二间距，位于所述有源层同一侧的所述遮光构件与所述源漏极金属层的间距范围为1um至20um。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间的遮光层，所述遮光构件的材料与所述遮光层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光构件围绕所述遮光层的至少一侧设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光构件在所述衬底基板上的正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影重叠或者部分重叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述遮光构件与所述遮光层电性连接。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列结构层还包括设置于所述衬底基板上的缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光层；
其中，所述遮光构件的底部贯穿部分所述缓冲层。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在一衬底基板上形成遮光层；
在所述遮光层上依次形成有源层；
在所述衬底基板上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层在对应于所述有源层的两端上方设置有第一过孔，所述层间绝缘层在远离所述有源层的至少一侧设置有第二过孔；
在所述层间绝缘层上形成一金属层，所述金属层经图案化后形成源漏极金属层以及遮光构件，所述源漏极金属层填充所述第一过孔，所述遮光构件填充所述第二过孔。
10.一种移动终端，其特征在于，包括终端主体以及如权利要求1至8任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115000178A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| CN115101545A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-09-23 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其驱动基板 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003307725A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US20190074302A1 (en) * | 2017-02-17 | 2019-03-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display panel |
| US20190326325A1 (en) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and display panel |
| US20200044000A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method for fabricating the same, and display device |
| CN110911424A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111341814A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| US10962850B1 (en) * | 2019-10-31 | 2021-03-30 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Array substrate, display panel, and display device |
| CN112928125A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
-
2021
- 2021-08-23 CN CN202110967854.7A patent/CN113745249B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003307725A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US20190074302A1 (en) * | 2017-02-17 | 2019-03-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display panel |
| US20190326325A1 (en) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and display panel |
| US20200044000A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method for fabricating the same, and display device |
| US10962850B1 (en) * | 2019-10-31 | 2021-03-30 | Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Array substrate, display panel, and display device |
| CN110911424A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111341814A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN112928125A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115000178A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| CN115101545A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-09-23 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其驱动基板 |
| CN115101545B (zh) * | 2022-08-23 | 2023-01-31 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其驱动基板 |
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| Publication number | Publication date |
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