CN113093471A - 形成euvl防尘薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成EUVL防尘薄膜的方法，该方法包括：对碳纳米管(CNT)膜片进行涂覆；以及将CNT膜片安装到防尘薄膜框架上，其中，对CNT膜片进行涂覆包括：用种子材料对膜片的CNT进行预涂覆；以及在预涂覆的CNT上形成外涂层，外涂层覆盖了预涂覆的CNT，外涂层的形成包括：通过原子层沉积使得涂料材料沉积在预涂覆的CNT上。
Description
技术领域
本发明概念涉及一种用于形成EUVL防尘薄膜的方法。
背景技术
为了能够用极紫外(EUV)光刻(EUVL)进行大规模生产，需要使用防尘薄膜(pellicle)来保护掩模版(reticle)不受任何落下的颗粒影响。包括碳纳米管(CNT)膜片的EUVL防尘薄膜是一种有前途的防尘薄膜解决方案，其是足够透明的，以限制成像效果，同时足够坚固以承受处理并能够阻止颗粒。然而，实现CNT基防尘薄膜仍然面临的相当大的主要问题是使其在大量曝光(例如，优选数以万计或更多)期间经得住EUV扫描仪的氢等离子体环境。已经提出对CNT膜片进行涂覆以使其对暴露于氢等离子体的敏感性降低。然而，由于CNT膜片的互连网状结构和相对惰性的CNT表面，因此获得高且均匀的EUV透射率得以充分维持的经涂覆CNT膜片并非易事。
发明内容
本发明构思的目的在于解决上述问题，并且提供以改进方式形成具有经涂覆CNT基防尘薄膜膜片的EUVL防尘薄膜的方法。可从下文中理解其它目的或另外一些目的。
根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成EUVL防尘薄膜的方法，该方法包括：
对碳纳米管CNT膜片进行涂覆；以及
将CNT膜片安装到防尘薄膜框架上，
其中，对CNT膜片进行涂覆包括：
用种子材料(seed material)对膜片的CNT进行预涂覆；以及
在预涂覆的CNT上形成外涂层，外涂层覆盖了预涂覆的CNT，外涂层的形成包括：通过原子层沉积使得涂料材料沉积在预涂覆的CNT上。
原子层沉积(ALD)是允许形成控制度高且均匀性出色的原子薄膜或层的方法。然而，在初始生长阶段用于薄膜锚固和成核的少量活性位点由CNT提供(通常仅由CNT膜片的缺陷位点提供)，向CNT施加ALD常常导致形成局部岛，产生部分未涂覆的CNT，即使进行多次ALD循环亦是如此。
然而，如发明人所意识到的，在ALD之前通过用种子材料对CNT(即其外表面)进行预涂覆的动作允许可用于ALD工艺的活性位点的数量增加到可以获得覆盖度和均匀度足够(用于EUVL应用)的外涂层的程度。优选地，形成外涂层以完全封装预涂覆CNT。
应理解，膜片可以包括CNT束。因此，用种子材料对CNT进行预涂覆可以包括：对CNT束的暴露外表面进行预涂覆。因此，在预涂覆CNT上形成外涂层可以包括：使涂料材料沉积在CNT束的暴露外表面上和CNT束的预涂覆外表面(即，覆盖有种子材料的CNT表面)上。
与用于使CNT功能化以降低表面惰性的其他技术(例如，臭氧和等离子体处理)相比，通过种子材料进行预涂覆能够以有益的方式实现上述功能化。期望涂覆工艺不会导致对CNT的明显结构损坏。CNT损坏将破坏CNT膜片的机械稳定性和完整性，这对于防尘薄膜的机械可靠性和颗粒阻止功能相当重要。
CNT膜片可以有利地是自立式CNT膜片。CNT可以是单壁(SWCNT)或多壁(MWCNT)的。本文所用术语“MWCNT”意图还涵盖双壁CNT(DWCNT)。
CNT膜片可以使用非ALD沉积技术进行预涂覆。用于使种子材料沉积的多种优选沉积技术包括：物理气相沉积(PVD)方法，例如，热蒸发或电子束蒸发、远程等离子体溅射；或者电化学沉积(ECD)和电镀。这些沉积技术的共同点是它们对CNT有益，并允许形成种子材料预涂层，该预涂层既薄又提供了通过ALD获得足够均匀外涂层的覆盖度。仅这些技术中的任一不能在满足上述设计目标的CNT膜片上产生涂层。但是，种子材料的预涂覆步骤与外涂层ALD步骤结合提供了协同作用：在对EUV透射率影响最小的情况下能够在CNT膜上提供涂层以提供可靠保护。
可以有利地使种子材料沉积以形成平均厚度范围为0.5nm至4nm、优选0.5nm至3nm、更优选1nm至2nm的种子层。从上文可以理解，预涂层可能不会导致形成均匀且连续的层。但是，将种子材料沉积到CNT上直至获得平均厚度在此范围内的种子层提供了足够数量的成核位点，以利于后续涂料材料的ALD，同时使种子层保持较薄，以限制涂层的总厚度(种子层厚度加上外涂层厚度)。平均厚度在此是指膜片的所有暴露CNT(不论是否成束)外表面上，种子层的平均厚度(可以是连续的或由多个离散的种子层部分所形成)。
可以使涂料材料沉积以形成平均厚度范围为0.5nm至4nm、优选1nm至2nm的外涂层。在这些厚度范围内的外涂层可为CNT提供可靠保护，使其免受氢等离子体环境的影响，同时制约了对EUV透射率的影响。
种子材料可以0.7埃/秒或更低的速率进行沉积。已经确定0.7埃/秒或更低的沉积速率能够获得质量足够好的种子材料预涂层，对于薄层也是如此。
种子材料可以选自下组：C、Zr、ZrN、Hf、HfN、B、B4C、BN、Y、YN、La、LaN、SiC、SiN、Ti、TiN、W、Be、Au、Ru、Al、Mo、MoN、Sr、Nb、Sc、Ca、Ni、Ni-P、Ni-B、Cu、Ag。这些材料可以为多种材料提供接种(seeding)功能，所述多种材料可以通过ALD沉积，且可以形成可靠性和EUV透射率足够的外涂层。
涂料材料可以选自下组:Zr、Al、B、C、Hf、La、Nb、Mo、Ru、Si、Ti或Y，或者它们的碳化物、氮化物或氧化物。
有利的是，种子材料和涂料材料可以选自下组：Zr种子材料和ZrO2涂料材料；B种子材料和ZrO2涂料材料、HfO2涂料材料或Al2O3涂料材料；B4C种子材料和ZrO2涂料材料、HfO2涂料材料或Al2O3涂料材料；Zr种子材料和Al2O3涂料材料或ZrAlOx涂料材料；Mo种子材料和ZrO2涂料材料。
根据一些实施方式，用种子材料对CNT进行预涂覆包括：通过PVD使种子材料沉积。种子材料可以有利地通过热蒸发或电子束蒸发、或通过远程等离子体溅射来进行沉积。这些沉积技术的共同之处在于，其允许材料在相对较低的温度下以薄膜形式沉积在CNT上，而不会引起对CNT结构的显著损害。
使用PVD(例如上述技术中的任一)用种子材料对CNT进行预涂覆可以包括：从膜片的第一侧沉积种子材料(例如，通过蒸发或远程等离子体溅射)以及从膜片的第二相对侧沉积种子材料(例如，通过蒸发或远程等离子体溅射)。由此，种子材料可以首先沉积在膜片的第一侧/第一主表面上，然后沉积到膜片的第二侧/第二主表面上。这有助于为后续ALD工艺提供覆盖度和均匀性足够的预涂层。
对膜片的CNT进行预涂覆的动作可以在沉积工具中进行，所述沉积工具包括对膜片进行支撑的基材支架。从膜片的第一侧沉积种子材料可包括：将膜片安装到基材支架，并且膜片的第一侧/第一主表面面向种子材料蒸气通量。相应地，从膜片的第二侧沉积种子材料可包括：将膜片安装到基材支架，并且膜片的第二侧/第二主表面面向种子材料蒸气通量。应理解，使膜片的一侧/主表面向着种子材料通量取向意味着使该侧/主表面向着保持种子材料源(即，待汽化的目标材料)的沉积工具的坩埚取向。
对膜片的CNT进行预涂覆的动作可以在沉积工具中进行，所述沉积工具包括对膜片进行支撑的基材支架。为了种子材料更均匀地进行沉积，可以在基材支架连续旋转期间进行种子材料的沉积。通过使基材支架旋转，膜片可以相对于种子材料蒸气通量、或者等同于相对于容纳种子材料源(即，待汽化目标材料)的沉积工具的坩埚来进行旋转。这能够使得种子材料更均匀分布。
根据一些实施方式，用种子材料对CNT进行预涂覆包括：通过电化学沉积或电镀使种子材料沉积。这些沉积技术的共同之处在于，其允许材料在相对较低的温度下以薄膜形式沉积在CNT上，同时限制了破坏CNT膜片的风险。
可以通过热ALD或等离子体增强ALD(PEALD)来沉积涂料材料。热ALD可能比PEALD对CNT更有益，因此在某些情况下可能更优选。
CNT膜片优选在安装到防尘薄膜框架之前进行涂覆。在进行涂覆之前，CNT膜片可以与膜片缘框(membrane border)组装在一起。
附图说明
本发明构思的上述及其它目的、特征和优点将参考附图通过以下说明和非限制性的详细阐述进行更好地理解。除非另有说明，在附图中，相同的附图标记用于表示相同的元件。
图1是EUVL防尘薄膜和掩模版系统的示意性说明。
图2是对CNT防尘薄膜膜片进行涂覆的方法的流程图。
图3是电子束蒸发器工具的示意图。
图4的a、b显示了在预涂覆步骤之后通过ALD步骤获得的涂层示例。
图5的a、b显示了在没有在先预涂覆步骤的情况下通过ALD步骤获得的对比涂层示例。
图6的a、b分别显示了通过ALD获得的没有在先预涂覆步骤的对比涂层示例和具有在先预涂覆步骤的涂层示例。
图7显示了在预涂覆步骤之后通过ALD步骤获得的涂层的许多其他示例。
详述
图1示意性显示了用于制造EUVL防尘薄膜20和包括防尘薄膜20和掩模版22的掩模版系统24(即“防尘掩模版(pelliclized reticle)”)的基本结构和步骤。图1中的结构以示意性横截面侧视图显示。
防尘薄膜20包括防尘薄膜膜片10，或简称“膜片”。膜片10是CNT膜片，并且因此可以通过一层或多层CNT膜(SWCNT或MWCNT)形成。SWCNT可以描述为单一石墨烯片的圆柱状或管状分子。SWCNT的直径范围可以是0.5nm至2nm。MWCNT的直径范围可以是5nm至30nm。
膜片10可以有利地形成为自立式CNT膜片。自立式CNT膜片的性质以及制造技术是本领域中已知的，因此本文中将不进行详细讨论。然而，为了完整性的目的，应注意，当通过例如防尘薄膜框架进行悬挂时，自立式的或自支撑的CNT膜片能够支撑其自身的重量。换言之，自立式CNT防尘薄膜膜片能够在具有与光刻中使用相关的尺寸时支撑其自身重量，而没有任何明显的下垂。
CNT防尘薄膜膜片可以包含以堆叠方式设置在彼此顶部上的多个CNT膜。膜片10可以例如包括1、2、3、4或更多个CNT膜，以仅提供一些非限制性示例。各CNT膜可以包括无规或规则的CNT网或网格。CNT膜可以结合在一起以形成CNT防尘薄膜膜片。
CNT还可以形成束，其中，CNT膜可以由CNT束的网形成。例如，CNT束可以包括例如2至20个单独的CNT。在CNT束中，单独CNT可以沿着其纵向对齐和连接。CNT的束也可以头尾相连的连接，以使得CNT束的长度大于单独CNT的长度。CNT可以典型地通过范德华力进行连接。
仍然参考图1，膜片10与缘框12组装(如步骤S10所示)。膜片10可以沿着其边缘附着至缘框12。膜片10可以附着至缘框，例如，通过粘合剂、通过冷焊、范德华结合或以本领域已知的任意其它常规方式进行。
膜片10进行涂覆(如步骤S12所示)。如将在下文更详细地公开的，涂覆过程包括预涂覆步骤和随后的第二涂覆步骤，以形成具有涂层14的经涂覆膜片16，该涂层14具有EUVL应用所需的覆盖度和均匀性。一部分涂层14形成在膜片10的第一侧或第一主表面10a上。一部分涂层14形成在膜片10的与第一侧/第一主表面相对的第二侧或第二主表面10b上。
经涂覆膜片16和缘框12与防尘薄膜框架18组装(如步骤S14所示)，以形成防尘薄膜20。缘框12可以附着至框架18，例如，通过粘合剂、通过冷焊、或通过一些机械固定结构(例如，夹子)。例如，框架18可以通过Si、SiN、SiO2或石英形成。然而，也可以是其它材料，例如，金属、塑料或陶瓷材料。
步骤S16描绘了掩模版系统24的组装，包括在掩模版22上安装防尘薄膜20。框架18可以使用粘合剂附着至掩模版22。掩模版可以形成为反射掩模版，其限定了待转移至晶片的图案。
膜片10可以具有长方形形状，但是也可以设想其它形状，例如圆形、椭圆形或多边形形状。缘框12和框架18的形状可以与膜片10的形状对应。
在上文所公开的步骤S12的涂覆工艺之前组装膜片10和缘框12可以有助于在涂覆工艺期间对膜片10进行处理。但是，也可以首先对膜片10进行涂覆，然后组装经涂覆膜片10和缘框12。还有一个选择是省略缘框，而使防尘薄膜膜片直接与防尘薄膜框架组装，例如通过使用粘合剂使膜片直接附着至框架上。
应注意，为清楚起见，图1中所示的元件的相对尺寸(例如膜片10和涂层14相对于例如缘框12和框架18的厚度尺寸和高度/尺寸)仅是示意性的，并且可能与物理结构不同。
图2显示了用于在防尘薄膜膜片上形成涂层(例如，图1中膜片10的涂层14)的涂覆工艺100的流程图。涂覆工艺100包括预涂覆步骤S102、随后通过ALD在预涂覆膜片上形成外涂层的步骤S104。
更具体地，预涂覆步骤S102可以包括：通过电子束蒸发使得种子材料沉积在膜片10的CNT上。图3示意性描绘了电子束蒸发装置200。装置200包括含有目标材料206的坩埚204。出于预涂覆工艺的目的，目标材料206是种子材料。装置200还包括电子束源208和基材支架或沉积台214。基材支架214适用于在预涂覆工艺期间对防尘薄膜膜片进行支撑。如图所示，基材支架214可以适用于对超过一个膜片10进行支撑以允许同时对多个膜片进行预涂覆。坩埚204和基材支架214可以安装在装置200的真空室202中。真空室202可以通过真空泵抽真空。
在使用时，电子束源208向目标材料发出电子束，目标材料由此蒸发以形成向着基材支架214的目标/种子材料蒸气通量212。箭头表示从坩埚204(或等效地从目标/源材料206)到基材支架214的瞄准线，其中，箭头z表示通量212的主轴。蒸气将涂覆受基材支架214支撑的膜片10的暴露表面。因此，可以沉积目标/种子材料，从而在膜片10的CNT上形成种子层。
为了改进种子层沉积的均匀性，预涂覆步骤102可以包括对膜片10的第一侧10a进行预涂覆的第一子步骤S102a以及对膜片10b的第二侧进行预涂覆的第二子步骤S102b。也就是说，膜片10可以首先设置在基材支架214上，并且第一侧10a面向坩埚204，由此，第一侧10a可以面向蒸气通量。种子材料随后可以蒸发至膜片10。随后预涂覆过程可以中断，其中，膜片10可以在基材支架214上重新取向，并且第二侧10b面向坩埚204，由此，第二侧10b可以面向蒸气通量。
改善种子层沉积均匀性的另一措施可以是在基材支架10的连续旋转期间使种子材料沉积。这可以在第一和第二预涂覆子步骤102a、102b期间进行。
改善种子层沉积均匀性的另一措施是使膜片10取向成使得通量主轴z偏离法线入射(即，偏离0°的入射角)入射到面对蒸汽通量212的膜片10的主表面上(与之平行的平面)。如图3中所示，这可以通过有角度的基材支架214来实现。图3中所示的角度x对应于通量主轴z与法线入射的偏离。例如，角度x范围可以是10°至20°。非零入射角(特别是如果与沉积期间的连续旋转结合)可以允许原本被沿视线更靠近坩埚的CNT所遮盖的CNT表面暴露于蒸气通量212，从而用种子材料进行预涂覆。
通常可以选择种子材料作为可以为后续ALD步骤提供接种功能的任意材料。例如，种子材料可以选自下组：C、Zr、ZrN、Hf、HfN、B、B4C、BN、Y、YN、La、LaN、SiC、SiN、Ti、TiN、W、Be、Au、Ru、Al、Mo、MoN、Sr、Nb、Sc、Ca、Ni、Ni-P、Ni-B、Cu、Ag。
可以使种子材料蒸发至膜片10，直至形成平均厚度范围为例如0.5nm至4nm、0.5nm至3nm、或1nm至2nm的种子层。实际上，可以通过基于膜片10上多个(随机)选择的测量位置处的厚度测量结果来计算平均厚度，以估算种子层的平均厚度。可以通过限制沉积速率来提高种子层质量。实验表明，0.7埃/秒或更低的种子材料沉积速率可以产生令人满意的预涂覆质量。蒸发期间，可以控制跨越膜片10的气流，以确保膜片10可以经受抽吸/排气循环。工具的真空室可以维持在约10-5mbar或更低的压力，例如，约10-6mbar或更低的压力。
尽管上述沉积工具200是电子束蒸发器工具，但应注意，也可以使用其他PVD技术以相应方式进行预涂覆步骤，例如热蒸发(因此，意图涵盖非电子束技术，例如，热蒸发(例如通过电阻加热蒸发)以及分子束外延)或远程等离子体溅射。
在预涂覆步骤S102之后，可以将膜片10从工具200取下并且转移至ALD工具(未显示)。ALD工具可以是常规类型的，例如热ALD工具或PE-ALD。如果使用PE-ALD，则远程PE-ALD可能是有利的，因为用等离子体破坏预涂膜片10的CNT的风险较低。在ALD工具中，涂料材料可以在膜片10的预涂覆CNT上沉积/外延生长，以形成覆盖其的外涂层。
与以上讨论一致，预涂覆在膜片10的CNT上的种子材料/种子层增加了可用于ALD工艺的活性位点的数量。例如，可以形成外涂层以完全封装膜片10的预涂覆CNT。
涂料材料通常可以选择为任意材料，所述任意材料可以通过ALD沉积，为CNT提供足够保护使其免受氢气氛影响，并使外涂层具有足够的EUV透射率。涂料材料可以选自下组：Zr、Al、B、C、Hf、La、Nb、Mo、Ru、Si、Ti或Y。上述物质的碳化物、氮化物或氧化物也是可能的涂料材料。
可以使涂料材料沉积以形成平均厚度范围为例如0.5nm至4nm、或1nm至2nm的外涂层。增加厚度还能导致膜片10的EUV透射率过低。
可以适合用于预期EUVL应用的种子材料和涂料材料的组合包括：
-用Zr预涂覆，然后进行ZrO2、Al2O3或ZrAlOx的ALD
-用B预涂覆，然后进行ZrO2、HfO2或Al2O3的ALD
-用HfO2预涂覆，然后进行Al2O3的ALD
-用B4C预涂覆，然后进行ZrO2、Al2O3或HfO2的ALD
-用Mo种子预涂覆，然后进行ZrO2的ALD。
ZrO2 ALD涂层可以例如在280-350℃(例如300℃)范围内的温度下进行沉积。前体气体(如ZrCl4和H2O)可以交替脉冲进入真空室。涂层的生长速率可以为例如0.04纳米/循环至0.06纳米/循环，例如，0.05纳米/循环。生长速率降低有利于涂料层的厚度控制，还适用于非常薄的涂料层。可以理解，这些工艺条件和前体仅是示例，并且对于不同的涂料材料和ALD工具，工艺条件和/或前体组合可以变化。
图4的a是上述涂覆过程的示意图，显示SWCNT 300(可以表示膜片的CNT，例如图1中的膜片10)，进行预涂覆之前(左)，用种子材料进行预涂覆形成种子层302后(中)，最后通过ALD 304形成外涂层(右)。种子层302和ALD外涂层304形成了组合的涂层306(例如，对应于图1中的涂层14)。图4的b显示了以对应方式进行涂覆的部分SWCNT膜片的SEM图像：CNT已经用平均厚度1nm的B4C种子层进行了预涂覆。通过ALD ZrO2(27次循环)在B4C预涂覆CNT上形成了外涂层。可以看出，已经获得了封装CNT的均匀外涂层。
图5的a是对比涂覆过程的示意图，其中，SWCNT 400在没有在先预涂覆步骤的情况下通过ALD进行涂覆。可以看出，结果是不完整且不均匀的涂层402。图5的b显示了以对应方式进行涂覆(即，在没有在先预涂覆步骤的情况下通过ALD进行涂覆)的SWCNT膜片的SEM图像。可以看出，已经获得了不均匀、不完整的涂层。
图6显示了在没有通过Zr的在先电子束预涂覆(图6的a)和具有通过Zr的在先电子束预涂覆(图6的b)的情况下，通过ALD ZrO2(22次循环)涂覆的MWCNT的SEM图像。图6的a显示出相对不均匀且颗粒状的涂层。相比之下，图6b显示出均匀的涂层。图6b中的外涂层的平均厚度为约2.8nm。
图7显示了通过电子束蒸发预涂覆的SWCNT上的不同ALD涂层的SEM图像。同样，涂层的均匀性是显而易见的。
在上文中，已经参考有限的几个实施例主要描述了本发明构思。但是，如同本领域技术人员容易理解的，上述实施例以外的其它实施例也同样可以落在所附权利要求限定的本发明范围内。
例如，尽管主要参考PVD技术讨论了上述预涂覆，但是其它用于对CNT膜片进行预涂覆的工艺也是可能的。例如，CNT可以通过电化学沉积(ECD)、无电镀覆或电镀用种子材料进行预涂覆。电镀以及无电镀覆可包括将膜片(例如，在与缘框12组装之前或之后的膜片10)浸没在将要沉积在CNT上的种子材料特有的溶液中。在电镀中，膜片10另外需要连接至电流源。在任一情况下，种子材料可以沉积在膜片的CNT上，以在其上形成薄种子层。如上所讨论，预涂覆膜片随后可以使用ALD提供有外涂层。
Claims (14)
1.一种形成EUVL防尘薄膜的方法，所述方法包括：
对碳纳米管CNT膜片进行涂覆；以及
将CNT膜片安装到防尘薄膜框架上，
其中，对CNT膜片进行涂覆包括：
用种子材料对膜片的CNT进行预涂覆；以及
在预涂覆的CNT上形成外涂层，外涂层覆盖了预涂覆的CNT，外涂层的形成包括：通过原子层沉积使得涂料材料沉积在预涂覆的CNT上。
2.如权利要求1所述的方法，其中，使种子材料沉积以形成平均厚度范围为0.5nm至4nm、优选0.5nm至3nm、更优选1nm至2nm的种子层。
3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，种子材料以0.7埃/秒或更低的速率沉积。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使涂料材料沉积以形成平均厚度范围为0.5nm至4nm、优选1nm至2nm的外涂层。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，种子材料选自下组：C、Zr、ZrN、Hf、HfN、B、B4C、BN、Y、YN、La、LaN、SiC、SiN、Ti、TiN、W、Be、Au、Ru、Al、Mo、MoN、Sr、Nb、Sc、Ca、Ni、Ni-P、Ni-B、Cu、Ag。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，涂料材料是Zr、Al、B、C、Hf、La、Nb、Mo、Ru、Si、Ti或Y，或者它们的碳化物、氮化物或氧化物。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，种子材料和涂料材料选自下组：Zr种子材料和ZrO2涂料材料；B种子材料和ZrO2涂料材料、HfO2涂料材料或Al2O3涂料材料；B4C种子材料和ZrO2涂料材料、HfO2涂料材料或Al2O3涂料材料；Zr种子材料和Al2O3涂料材料或ZrAlOx涂料材料；钼种子材料和ZrO2涂料材料。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，用种子材料对CNT进行预涂覆包括：通过物理气相沉积使种子材料沉积。
9.如权利要求8所述的方法，其中，种子材料通过热蒸发、电子束蒸发或远程等离子体溅射来进行沉积。
10.如权利要求8-9中任一项所述的方法，其中，用种子材料对CNT进行预涂覆包括：从膜片的第一侧沉积种子材料，然后从膜片的第二相对侧沉积种子材料。
11.如权利要求10所述的方法，其中，在沉积工具中进行预涂覆，所述沉积工具包括对膜片进行支撑的基材支架，并且其中，在基材支架连续旋转期间进行种子材料的沉积。
12.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，用种子材料对CNT进行预涂覆包括：通过电化学沉积或电镀使种子材料沉积。
13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过热原子层沉积使涂料材料进行沉积。
14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在安装到防尘薄膜框架之前对CNT膜片进行涂覆。
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|---|---|---|---|---|
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| US20230044415A1 (en) | 2021-08-06 | 2023-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for an euv lithography mask and a method of manufacturing thereof |
| US20230176471A1 (en) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | Entegris, Inc. | Pellicle comprising silicon carbide nanostructure and related devices and methods |
| KR20230171906A (ko) | 2023-04-03 | 2023-12-21 | 포항공과대학교 산학협력단 | Euv 리소그래피용 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법, 그리고 제조 장치, 그리고 이를 포함하는 euv 리소그래피 장치 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054151A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | The Regents Of The University Of California | A method for fabricating reticles |
| US20050272196A1 (en) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Anelva Corporation | Method of depositing a higher permittivity dielectric film |
| US20060216912A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Bristol Robert L | Methods to manufacture contaminant-gettering materials in the surface of EUV optics |
| US20060258152A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Process and integration scheme for a high sidewall coverage ultra-thin metal seed layer |
| US20140061919A1 (en) * | 1999-10-02 | 2014-03-06 | Uri Cohen | Electroplated Metallic Interconnects And Products |
| JP2015018228A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル膜及びペリクル |
| US20150309405A1 (en) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of making an extreme ultraviolet pellicle |
| CN107209293A (zh) * | 2014-11-26 | 2017-09-26 | 苏普利亚·杰西瓦尔 | 使用远紫外线辐射光刻的材料、组件和方法，及其它应用 |
| WO2018008594A1 (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 三井化学株式会社 | ペリクル膜、ペリクル枠体、ペリクル、その製造方法、露光原版、露光装置、半導体装置の製造方法 |
| CN108572512A (zh) * | 2017-03-10 | 2018-09-25 | 三星电子株式会社 | 用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备 |
| CN108572511A (zh) * | 2017-03-10 | 2018-09-25 | 思而施技术株式会社 | 用于euv光刻的防护膜及其制造方法 |
| US20180329289A1 (en) * | 2017-05-15 | 2018-11-15 | Imec Vzw | Method for Forming a Carbon Nanotube Pellicle Membrane |
| CN108878259A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | Imec 非营利协会 | 形成防尘薄膜的方法 |
| WO2019211083A1 (en) * | 2018-05-04 | 2019-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for euv lithography |
| US20210124252A1 (en) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank defect reduction methods |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102366806B1 (ko) | 2015-05-13 | 2022-02-23 | 삼성전자주식회사 | 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치 |
| US9759997B2 (en) | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
| KR102310124B1 (ko) | 2017-03-28 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-12-23 EP EP19219382.9A patent/EP3842861A1/en active Pending
-
2020
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Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140061919A1 (en) * | 1999-10-02 | 2014-03-06 | Uri Cohen | Electroplated Metallic Interconnects And Products |
| WO2002054151A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | The Regents Of The University Of California | A method for fabricating reticles |
| US20050272196A1 (en) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Anelva Corporation | Method of depositing a higher permittivity dielectric film |
| US20060216912A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Bristol Robert L | Methods to manufacture contaminant-gettering materials in the surface of EUV optics |
| US20060258152A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Process and integration scheme for a high sidewall coverage ultra-thin metal seed layer |
| JP2015018228A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル膜及びペリクル |
| US20150309405A1 (en) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of making an extreme ultraviolet pellicle |
| CN107209293A (zh) * | 2014-11-26 | 2017-09-26 | 苏普利亚·杰西瓦尔 | 使用远紫外线辐射光刻的材料、组件和方法，及其它应用 |
| WO2018008594A1 (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 三井化学株式会社 | ペリクル膜、ペリクル枠体、ペリクル、その製造方法、露光原版、露光装置、半導体装置の製造方法 |
| CN108572512A (zh) * | 2017-03-10 | 2018-09-25 | 三星电子株式会社 | 用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备 |
| CN108572511A (zh) * | 2017-03-10 | 2018-09-25 | 思而施技术株式会社 | 用于euv光刻的防护膜及其制造方法 |
| US20180329289A1 (en) * | 2017-05-15 | 2018-11-15 | Imec Vzw | Method for Forming a Carbon Nanotube Pellicle Membrane |
| CN108878259A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | Imec 非营利协会 | 形成防尘薄膜的方法 |
| WO2019211083A1 (en) * | 2018-05-04 | 2019-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle for euv lithography |
| US20210124252A1 (en) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank defect reduction methods |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| TIMMERMANS, MARINA Y.，等: "CNT EUV pellicle: moving towards a full-size solution", 《PHOTOMASK TECHNOLOGY 2017》, vol. 10451, 31 December 2018 (2018-12-31), pages 104510 * |
| 山斯曼（SHER ZAMAN）: "碳纳米管复合物的合成与特性及应用研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》, no. 5, 15 May 2015 (2015-05-15), pages 020 - 40 * |
| 莫大康: "极紫外光EUV光刻技术促进半导体格局新变化", 《集成电路应用》, no. 1, 31 January 2015 (2015-01-31), pages 18 - 19 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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