CN113078095A - 承载装置及半导体检测设备 - Google Patents
承载装置及半导体检测设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113078095A CN113078095A CN202110325987.4A CN202110325987A CN113078095A CN 113078095 A CN113078095 A CN 113078095A CN 202110325987 A CN202110325987 A CN 202110325987A CN 113078095 A CN113078095 A CN 113078095A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- region
- area
- negative pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本申请提供一种承载装置及半导体检测设备。承载装置包括基板,基板上设有气孔、泄气孔和排气槽,所述气孔用于为工件提供正压和/或负压,以承载所述工件,泄气孔设置于基板的中心区域,用于排出基板的上表面与工件之间的部分气体,至少部分排气槽用于将基板的中心区域的气体导引至基板的边缘区域。本申请的承载装置及半导体检测设备中,中心区域的泄气孔排出基板上表面与工件之间的部分气体,排气槽将基板的中心区域的气体导引至边缘区域,从而减小中心区域和边缘区域的气压差距,最大程度防止悬浮于承载装置上的工件发生形变,保证工件具有良好的平面度。
Description
技术领域
本申请涉及半导体检测技术领域,更具体而言,涉及一种承载装置及半导体检测设备。
背景技术
目前,检测设备包括承载装置,承载装置的主要作用是对工件进行承载,并带动工件运动。通常,承载装置包括真空吸盘、静电吸盘和气浮吸盘等,其中,真空吸盘和静电吸盘均与工件紧密接触,但是在某些情况下,工件的正反两面均不能与承载装置紧密接触,此时仅能使用气浮吸盘对工件进行承载,气浮吸盘对工件进行承载的原理是同时为工件提供正压和负压,使得工件悬浮于某一平面上,但是如何确保气浮状态的工件具有良好的平面度是亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施方式提供一种承载装置及半导体检测设备。
本申请实施方式的承载装置包括基板,所述基板上设有气孔、泄气孔和排气槽,所述气孔用于为工件提供正压和/或负压,以承载所述工件,所述泄气孔设置于所述基板的中心区域,用于排出所述基板的上表面与所述工件之间的部分气体,至少部分所述排气槽用于将所述基板的中心区域的气体导引至所述基板的边缘区域。
在某些实施方式中,所述基板设有与外界相通的第一气道,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述泄气孔包括设置于所述上表面的第一泄气孔,所述第一泄气孔位于所述第一区域并与所述第一气道连通。
在某些实施方式中,所述第一泄气孔的数量为多个,多个所述第一泄气孔环绕所述基板的中心均匀分布。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括调整块,所述调整块安装于所述基板上并位于所述第一区域,所述调整块的中心与所述基板的中心重合,所述第一泄气孔位于所述调整块的周缘。
在某些实施方式中,所述调整块转动地安装于所述基板,以改变所述第一泄气孔与所述第一气道连通处的开口大小。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括调整件。所述调整块设有腰型孔,在所述调整件穿过所述腰型孔并与所述基板紧配合时,所述调整块固定于所述基板,在所述调整件穿过所述腰型孔并与所述基板松配合时,所述调整块能够相对于所述基板转动;或所述调整块设有第一孔,所述第一区域设有环绕所述基板的中心的环形第二孔,所述调整件穿过所述第一孔后跟随所述调整块的转动后锁合于所述第二孔的不同位置;或所述调整块具有磁性,所述基板的所述第一区域也具有磁性,所述调整块磁吸于所述基板的所述第一区域。
在某些实施方式中,所述基座设有与外界连通的通道;所述气孔包括负压孔,所述负压孔用于为所述工件提供负压,所述负压孔包括贯穿所述调整块的第一负压孔,所述第一负压孔与所述通道连通,以用于为所述工件提供负压。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括可调件,所述可调件贯穿所述调整块,并能够伸缩地安装于所述基座,所述可调件包括贯穿侧壁及底壁的流道,所述第一负压孔包括所述调整块与所述基座之间的间隙及所述流道,所述间隙与所述流道连通,所述流道与所述通道连通。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括弹性件,所述基座设有阶梯形的固定孔,所述可调件伸入所述固定孔,并包括头部及身部,所述弹性件设置于所述固定孔的阶梯与所述头部之间,为所述可调件在所述固定孔内的伸缩提供弹性力。
在某些实施方式中,所述第一负压孔位于所述调整块的中心位置。
在某些实施方式中,所述基板设有与外界相通的第二气道,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述泄气孔包括设置于所述上表面的第二泄气孔,所述第二泄气孔位于所述第三区域并与所述第二气道连通。
在某些实施方式中,所述第二泄气孔的数量为多个,多个所述第二泄气孔环绕所述基板的中心均匀分布。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括连接件,所述连接件用于连接所述基板于外接装置;所述连接件位于所述中心区域的第三区域,所述泄气孔包括贯通所述连接件的第三泄气孔。
在某些实施方式中,所述泄气孔包括多个第二泄气孔时,多个所述第二泄气孔环绕所述基板的中心均匀分布;所述泄气孔包括第二泄气孔及第三泄气孔时,所述第二泄气孔及所述第三泄气孔相互间隔地环绕所述基板的中心分布。
在某些实施方式中,所述基板设有吹气管道,所述气孔包括正压孔,所述中心区域及所述边缘区域均设有多孔陶瓷结构,所述多孔陶瓷结构上的微孔形成所述正压孔,所述正压孔与所述吹气管道连通,以用于对所述工件提供正压。
在某些实施方式中,所述基板设有吸气管道,所述气孔包括负压孔,所述负压孔用于为所述工件提供负压,所述负压孔包括第二负压孔,所述中心区域和所述边缘区域均设有第二负压孔,所述第二负压孔与所述吸气管道连通,以用于对所述工件提供负压。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括固定件,所述固定件用于连接所述多孔陶瓷结构于所述基板;所述第二负压孔包括贯通所述固定件的穿孔。
在某些实施方式中,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述第二区域及所述边缘区域设有所述多孔陶瓷结构。
在某些实施方式中,所述第二区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或所述边缘区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或所述第二区域的多孔陶瓷结构包括多个扇环区,每间隔一个扇环区设置有所述第二负压孔;和/或所述边缘区域的所述第二负压孔的数量大于所述第二区域的所述第二负压孔的数量。
在某些实施方式中,所述排气槽包括位于所述第二区域的第一排气槽,多个所述第一排气槽设置于所述第二区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射。
在某些实施方式中,所述排气槽包括位于所述边缘区域的第二排气槽,多个所述第二排气槽设置于所述边缘区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射。
在某些实施方式中,所述第一排气槽与所述第二排气槽在所述基板的径向上一一对应。
在某些实施方式中,所述承载装置包括位于所述第三区域的泄气环,所述中心区域的多孔陶瓷结构高于所述泄气环及所述基板的边缘。
在某些实施方式中,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述第二区域、所述第三区域及所述边缘区域设有所述多孔陶瓷结构。
在某些实施方式中,所述第二区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或所述第三区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或所述边缘区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或所述边缘区域的所述第二负压孔的数量大于所述第二区域的所述第二负压孔的数量;和/或所述第二区域的所述第二负压孔的数量、所述第三区域的所述第二负压孔的数量、所述边缘区域的所述第二负压孔的数量依次递增。
在某些实施方式中,所述排气槽包括位于所述第二区域的第一排气槽,多个所述第一排气槽设置于所述第二区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射。
在某些实施方式中,所述排气槽包括位于所述第三区域的第二排气槽,多个所述第二排气槽设置于所述第三区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射。
在某些实施方式中,所述排气槽包括分隔所述第二区域与所述第三区域的环形的第三排气槽,所述第三排气槽与所述第一排气槽及所述第二排气槽均连通。
在某些实施方式中,所述排气槽包括分隔所述边缘区域与所述第三区域的环形的第四排气槽,所述边缘区域的所述多孔陶瓷结构设有间隔,所述第四排气槽连通所述第二排气槽与所述间隔。
在某些实施方式中,所述第一排气槽与所述第二排气槽在所述基板的径向上错开。
在某些实施方式中,所述承载装置还包括调整块,所述第一区域的多孔陶瓷结构高于所述调整块。
本申请实施方式的半导体检测设备包括检测仪及上述任一实施方式的承载装置,所述检测仪与所述承载装置对应,并用于对悬浮于所述承载装置上的工件进行检测。
本申请的承载装置及半导体检测设备中,中心区域的泄气孔排出基板上表面与工件之间的部分气体,排气槽将基板的中心区域的气体导引至边缘区域,从而减小中心区域和边缘区域的气压差距,最大程度防止悬浮于承载装置上方的工件发生形变,保证工件具有良好的平面度。
本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实施方式的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本申请某些实施方式的承载装置的立体结构示意图;
图2是本申请某些实施方式的承载装置的平面结构示意图;
图3是图1的承载装置中沿III-III线的截面示意图;
图4是图3中的可调件的截面放大示意图;
图5是本申请某些实施方式的承载装置的第二负压孔处的基板的截面示意图;
图6是本申请某些实施方式的承载装置的调整块与基板的结构示意图;
图7是本申请某些实施方式的另一承载装置的立体结构示意图;
图8是本申请某些实施方式的检测设备的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本申请的实施方式作进一步说明。附图中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
另外,下面结合附图描述的本申请的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请的实施方式,而不能理解为对本申请的限制。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参阅图1、图2及图8,本申请实施方式的承载装置100包括基板10。基板10上设有气孔11、泄气孔13和排气槽14,气孔11用于为工件200提供正压和/或负压,以使工件200承载于基板10,泄气孔13设置于基板10的中心区域15,用于排出基板10的上表面16与工件200之间的部分气体,至少部分排气槽14用于将基板10的中心区域15的气体导引至基板10的边缘区域17。
其中,承载装置100可用于承载各类工件200以供后续处理,例如承载晶圆、芯片、显示屏面板、手机前盖、手机后盖、智能手表盖板、玻璃、透镜等元件,以供后续检测或加工工序。工件200承载在承载装置100上时,可通过外接的吹气装置对部分气孔11进行吹气以对工件200朝向承载装置100的一面施加正压,使工件200能远离基板10的上表面16,同时,通过外接的抽气装置对其余气孔11进行抽气以使工件200能够悬浮于基板10的上表面16的某一平面上,防止施加的正压使工件200偏离工件200悬浮状态下的平面,该悬浮平面可高出基板10的上表面16约0.05毫米。在工件200气浮到这一平面后,通过泄气孔13和排气槽14与外界连通的设置,使得基板10的中心区域15的气体排出至基板10的边缘区域17,尽量使中心区域17的气压和边缘区域17的气压平衡,即气压差距最小,从而保证工件200整体的平面度。
通常,在半导体检测领域,检测设备包括承载装置,承载装置的主要作用是对工件进行承载,并带动工件运动。通常,承载装置包括真空吸盘、静电吸盘和气浮吸盘等,其中,真空吸盘和静电吸盘均与工件紧密接触,但是在某些情况下,如工件两面均包括图案,工件的正反两面均不能与承载装置紧密接触,此时仅能使用气浮吸盘对工件进行承载,气浮吸盘对工件进行承载的原理是同时为工件提供正压和负压,使得工件悬浮于某一平面上。为了保证工件处于某一平面上,提供的正压大于提供的负压和工件自身向下的重力,由于大气压的存在,提供的气体大部分会从工件的边缘排出,工件的中心部分气压较大,导致工件中心区域容易凸起,工件的中心部分和边缘部分的平面度不同。
请继续参阅图1、图2及图8,本申请的承载装置100中,中心区域15的泄气孔13排出基板10的上表面16与工件200之间的部分气体,排气槽14将基板10的中心区域15的气体导引至边缘区域17,从而减小中心区域15和边缘区域17的气压差距,最大程度防止悬浮于承载装置100上的工件200发生形变,保证工件200具有良好的平面度。
请参阅图1及图2,在某些实施方式中,气孔11包括正压孔111和负压孔112。其中,中心区域15和边缘区域17均设有多孔陶瓷结构18,多孔陶瓷结构18的微孔形成正压孔111,正压孔111仅在图中一处标出,可认为多孔陶瓷结构18上均分布有正压孔111,不一一标出。基板10上还设有吹气管道(图未示出),正压孔111与吹气管道连通,以用于为工件200(图8所示)提供正压。利用多孔陶瓷结构18对工件200的大部分区域提供正压,使得工件200能够较平稳地悬浮于承载装置100以上的某一平面。
请参阅图2,在一个实施例中,在沿基板10的中心至边缘的方向上,中心区域15包括依次环绕基板10的中心的第一区域151、第二区域152及第三区域153。边缘区域17环绕第三区域153。其中,第二区域142和边缘区域17均设有多孔陶瓷结构18。
请结合图1,负压孔112可包括第一负压孔1121和第二负压孔1122,第一负压孔1121位于第一区域151,第二负压孔1122位于第二区域152和边缘区域17,用于为工件200(图8所示)提供负压,保证工件200能够稳定地悬浮在某一平面上。泄气孔13可包括设置于基板10的上表面16的第一泄气孔131和第二泄气孔132,第一泄气孔131和第二泄气孔132分别位于第一区域151和第三区域153,用于排出中心区域15与工件200之间的部分气体,降低中心区域15的气压,以减小中心区域15的气压和边缘区域17的气压之间的差距。
请参阅图2,在某些实施方式中,承载装置100还可包括调整块30,调整块30安装于基板10上并位于第一区域151,调整块30的中心与基板10的中心重合。
请结合图1及图3,第一负压孔1121位于调整块30的中心位置并贯穿调整块30。基板10设有与外界连通的通道19,通道19与第一负压孔1121连通,以便于外界的负压装置(如抽气泵、抽气筒)通过与通道19连通的第一负压孔1121对调整块30的上表面16进行抽气,为工件200提供负压。进一步的,第一泄气孔131设置在调整块30的上表面并位于调整块30的周缘,以便于将调整块30的上表面16与工件200之间的部分气体排出。
请结合图4,承载装置100还可包括可调件40,可调件40贯穿调整块30,并能够伸缩地安装于基板10的第一区域151,以调整第一负压孔1121的负压大小。具体的,可调件40开设有贯穿侧壁及底壁的流道41并包括头部42及身部43,第一负压孔1121包括调整块30与基板10之间的间隙11211及流道41,基板10还可包括与第一负压孔1121连通的通道19。间隙1111与流道41连通,流道41与通道19连通,第一负压孔1121(包括间隙1111和流道41)通过通道19与外界的负压装置连通,为工件200提供负压。
承载装置100还可包括弹性件50,基座10设有阶梯形的固定孔20。在一个例子中,可调件40为螺钉,弹性件50为弹簧,可调件40伸入固定孔20内,弹性件50设置于固定孔20的阶梯与可调件40的头部42之间,为可调件40在固定孔20内的伸缩提供弹性力。例如,在可调件40转动以朝通道19内移动时,弹性件50受到压力发生形变,并产生向上的弹力,可调件40与固定孔20的阶梯处存在间隙11211,此时,通过对可调件40进行抽真空,第一负压孔1121的上表面11212的气体依次通过第一负压孔1121及通道19排出,从而形成负压。由于弹性件50的设置,使得可调件40的头部42可相对远离和靠近基板10的上表面16,使得第一负压孔1121的开口变大或变小,实现第一负压孔1121的负压大小可调。
请参阅图1、图2及图5,在某些实施方式中,承载装置100还可包括吸气管道21,吸气管道21与第二负压孔1122连通,以用于对工件200(图8所示)提供负压。第二负压孔1122设置在多孔陶瓷结构18上,由于第二区域152及边缘区域17均设有多孔陶瓷结构18,当负压装置通过吸气管道21对第二负压孔1122进行抽气时,负压装置也通过通道19对第一负压孔1121对进行抽气,从而为工件200的整面提供负压,防止工件200悬浮到达某一平面后无法稳定。
在某些实施方式中,承载装置100还可包括固定件60,固定件60用于连接多孔陶瓷结构18于基板10上,第二负压孔1122包括用于贯穿固定件60的穿孔61,即,固定件60不仅能够将多孔陶瓷结构18固定在基板10上,起到固定作用,还能够利用穿孔61作为第二负压孔1122,为悬浮工件200提供负压,防止工件200由于施加的正压过大而偏离工件200稳定悬浮的某一平面。
具体地,固定件60可以是中间部分开设有穿孔61的螺钉,穿孔61贯穿整个螺钉,以使穿孔61与吸气管道21连通,在负压装置的作用下,为悬浮工件200提供负压,防止工件200由于施加的正压过大而偏离工件200稳定悬浮的某一平面。其中,穿孔61的尺寸可进行更换,从而使得第二负压孔1122的负压大小可调。
请参阅图1及图2,在某些实施方式中,第二区域152的第二负压孔1122可环绕基板10的中心均匀分布,边缘区域17的第二负压孔1122也可环绕基板10的中心均匀分布;或者,第二区域152的第二负压孔1122可环绕基板10的中心均匀分布,而边缘区域17的第二负压孔1122可环绕基板10的中心随机分布;或者第二区域152的第二负压孔1122可环绕基板10的中心随机分布,而边缘区域17的第二负压孔1122可环绕基板10的中心均匀分布。优选的,第二区域152和边缘区域17的第二负压孔1122都环绕基板10的中心均匀分布,使得悬浮于承载装置100上方某一平面处的工件200(图8所示)各处受到均匀的负压,防止工件200与第二区域152、边缘区域17对应的区域因受到不均匀的负压而使工件200倾斜或局部翘曲。
在一个例子中,第二区域152的多孔陶瓷结构18包括多个扇环区181,边缘区域17的多孔陶瓷结构18也包括多个扇环区181,第二区域152的扇环区181与边缘区域17的扇环区181的数量相同。边缘区域17的第二负压孔1122的数量大于第二区域152的第二负压孔1122的数量。例如,边缘区域17的每个扇环区181均设置有第二负压孔1122,第二区域152每间隔一个扇环区181设置有第二负压孔1122,第二区域152和边缘区域17的第二负压孔1122都环绕基板10的中心均匀分布。如此,当中心区域15的第一负压孔1121和第二负压孔1122、边缘区域17的第二负压孔1122均通过负压装置对工件200提供负压时,使得工件200与中心区域15对应的部分、和工件200与边缘区域17对应的部分能够受到同样大小的负压,有效保证工件200的平面度。
请继续参阅图1及图2,在另一个例子中,第二区域152的多孔陶瓷结构18包括多个扇环区181,边缘区域17的多孔陶瓷结构18也包括多个扇环区181,第二区域152的扇环区181与边缘区域17的扇环区181的数量相同。边缘区域17的第二负压孔1122的数量等于第二区域152的第二负压孔1122的数量。例如,第二区域152和边缘区域17均每间隔一个扇环区181设置有第二负压孔1122;还例如,第二区域152和边缘区域17的每个扇环区181都均设置有第二负压孔1122。当对工件200提供负压时,中心区域15的第一负压孔1121和第二负压孔1122、边缘区域17的第二负压孔1122连接不同的负压装置,连接中心区域15的第一负压孔1121和第二负压孔1122的负压装置,相较于连接边缘区域17的第二负压孔1122的负压装置提供的气压较小,使得工件200与中心区域15对应的部分、和工件200与边缘区域17对应的部分受到同样大小的负压,有效保证工件200的平面度。
请参阅图1、图3及图8,在一个实施例中,第一泄气孔131的数量包括多个,多个第一泄气孔131环绕调整块30的中心,即基板10的中心均匀分布,具体的,多个第一泄气孔131均匀地分布在调整块30的周缘。基板10还设有与外界相通的第一气道22,第一气道22贯穿基板10的下表面23或者侧面24。第一泄气孔131与第一气道22连通,以将调整块30的上表面31与工件200之间的部分气体从基板10的下表面23或侧面24排出,减小上表面31的气压。多个第一泄气孔131环绕调整块30的中心均匀分布,使得调整块30的上表面31与工件200之间的部分气体能够被均匀排出,减小调整块30的上表面31与工件200之间的气压流动,保证工件200稳定地悬浮于某一平面上。同时,多个均匀分布的第一泄气孔131能够增加调整块30的上表面31与工件200之间的泄气面积,加快调整块30的上表面31与工件200之间的气体的排出。
在某些实施方式中,调整块30转动地安装在基板10的第一区域151,以改变第一泄气孔131与第一气道22连通处的开口大小,从而起到调节第一泄气孔131排出气体的大小,同时可方便更换调整块30,从而可更换不同开口大小的第一负压孔1121及第一泄气孔131。在另一些实施方式中,调整块30固定地安装在基板10的第一区域,第一泄气孔131与第一气道22连通处的开口大小固定不变,为了防止第一泄气孔131排出的气体量过多,可通过调整第一泄气孔131的数量来改变第一泄气孔131的泄气量。
请结合图3,具体地,承载装置100还可包括调整件70,调整件70用于固定调整块30,调整件70可以是螺钉。在一个例子中,调整块30上可设有腰型孔32,基板10与腰型孔32对应的位置设有螺纹孔,在调整件70穿过腰型孔32并与基板10的螺纹孔紧配合时,调整块30固定于基板10上;在调节第一泄气孔131与第一气道22处的开口大小时,拧松固定在调整块30上的调整件70,使得调整块30能够通过调整件70绕基板10的中心轴线在腰型孔32的长度范围内旋转,从而使得调整块30上的第一泄气孔131与第一气道22连通处的开口大小可变,进而调整第一泄气孔131的泄气量。调整块30上设置腰型孔32,保证调整块30转动后,调整件70仍能通过腰型孔32与基板10上的螺纹孔配合,从而将调整块30固定在基板10上。
请结合图2、图3及图6,在另一个例子中,调整块30可设有第一孔33,第一区域151设有环绕基板10的中心的环形第二孔25,第二孔25的侧壁上可设有螺纹,以便于调整件70将调整块30固定在基板10上。其中,第一孔33与第二孔25在沿基板10的下表面至上表面的方向上对应。调整件70穿过第一孔33后跟随调整块30的转动后可锁合于第二孔25的不同位置。具体的,在调整第一泄气孔131的泄气量时,拧松固定在调整块30上的调整件30,调整件70穿过第一孔33并跟随调整块30绕基板10的中心轴线旋转,以调整第一泄气孔131的泄气量。待转到合适的位置后,调整件70与第二孔25紧配合,将调整块30固定在基板10上。通过设计环形第二孔25,第一泄气孔131与第一气道22连通处的开口大小可变,同时,在中心区域15与边缘区域17的气体压强差不大时,还可关闭第一泄气孔131与第一气道22的连通,避免中心区域15的气体排出过多,导致中心区域15对应的工件200(图8所示)出现凹陷。
在再一个实施例中,调整块30可具有磁性,基板10的第一区域151也具有磁性,如,在调整块30与基板10相接处的调整块30与基板10均设有磁性件或二者由磁性材料制成。同样的,通过转动调整块30改变第一泄气孔131与第一气道22连通处的开口大小,由于调整块30、及与调整块30对应的基板10均具有磁性,转动后的调整块30能够固定在基板10的第一区域151。
请参阅图1及图2,在某些实施方式中,基板10还可设有与外界相通的第二气道(图未示出)。第二气道与位于第三区域153的第二泄气孔132连通。
第二泄气孔132的数量为多个,多个第二泄气孔132环绕基板10的中心均匀分布,使得第三区域153的上表面与工件200之间的部分气体能够被均匀排出,减小第三区域153的上表面与工件200之间的气压流动,保证工件200(图8所示)稳定地悬浮于某一平面上。
在某些实施方式中,承载装置100还可包括连接件80,连接件80用于将基板10连接并固定在外接装置(如载台)上。其中,泄气孔13还可包括第三泄气孔133,第三泄气孔133位于第三区域153,第三泄气孔133的结构与第二泄气孔132的结构相同,即,第二泄气孔132中的部分穿孔为第三泄气孔133,第三泄气孔133与第二泄气孔132相互间隔地环绕基板10的中心分布。连接件80贯穿第三泄气孔133以将基板10连接并功固定于外接装置上。例如,在第二泄气孔132选择间隔相同的三个、四个、五个、或者六个孔作为第三泄气孔133,以用于与连接件80配合,从而将基板10固定于外接装置。连接件80可以是普通的螺钉,第三泄气孔133仅起到固定作用;连接件80还可以是可调件40,使得第三泄气孔133既能起到固定基板10的作用,也能起到泄气的作用,将第三区域153上表面与工件200之间的部分气体排出。
请继续参阅图1及图2,在某些实施方式中,排气槽14可包括第一排气槽141和第二排气槽142。其中,第一排气槽141位于第二区域152,多个第一排气槽141设置于第二区域152的多孔陶瓷结构18的扇环区181之间,并沿基板10的径向辐射。第二排气槽142位于边缘区域17,多个第二排气槽142设置于边缘区域17的多孔陶瓷结构18的扇环区181之间,并沿基板10的径向辐射。第一排气槽141与第二排气槽142在基板10的径向上一一对应,使得第二区域152与工件200之间的气体通过第一排气槽141导引至边缘区域17,再通过第二排气槽142导引至基板10以外,从而降低中心区域15的气压,减小中心区域15和边缘区域17的气压差距,保证悬浮于承载装置100上的工件200(图8所示)具有良好的平面度。
在一个实施例中,中心区域15的多孔陶瓷结构18高于泄气孔13对应处的泄气环26、调整块30和基板10的边缘,使得通过中心区域15的多孔陶瓷结构18处的第一排气槽141的气体能朝边缘区域17的第二排气槽142排气至基板10的外边缘27之外,也能通过调整块30处的第一泄气孔131从基板10的下表面23排出,加快中心区域15的气体的排出。
在另一个实施例中,第二区域152的多孔陶瓷结构18、边缘区域17的多孔陶瓷结构18和调整块30位于同一平面上;第三区域153处的泄气环26与基板10的外边缘27位于另一平面上,并低于调整块30所在的平面,以将泄气孔13与排气槽14形成连通的气路,将中心区域15的部分气体通过排气槽14引导到基板10的外边缘27之外,及将中心区域15的部分气体通过泄气孔13从基板10的下表面23排出。
请参阅图7,在某些实施方式中,第二区域152、第三区域153及边缘区域17均设有多孔陶瓷结构18。第二区域152、第三区域153和边缘区域17的第二负压孔1122均环绕基板10的中心均匀分布;或者第二区域152、第三区域153和边缘区域17中一个或两个区域的第二负压孔1122环绕基板10的中心均匀分布,其余区域的第二负压孔1122随机分布。
其中,第二区域152的多孔陶瓷结构18与边缘区域17的多孔陶瓷结构18的设置与前述的相同,在此不再赘述。
在一个实施例中,第二区域152的第二负压孔1122的数量、第三区域153的第二负压孔1122的数量、边缘区域17的第二负压孔1122的数量依次递增,以保证中心区域17的第一负压孔1121和第二负压孔1122提供的负压、与边缘区域17的第二负压孔1122提供的负压相同,有效保证工件200(图8所示)的平面度。
在某些实施方式中,第二排气槽142位于第三区域153,第二排气槽142沿基板10的径向辐射。排气槽14还包括分隔第二区域152与第三区域153的环形的第三排气槽143、分隔边缘区域17与第三区域153的环形的第四排气槽144,边缘区域17的多孔陶瓷结构18设有间隔182;第三排气槽143与第一排气槽141及第二排气槽142均连通,第四排气槽144连通第二排气槽142和间隔182,其中,第一排气槽141与第二排气槽142在基板10的径向上错开设置,以便将调整块30和第二区域152上表面的气体依次通过第一排气槽141、第三排气槽143、第二排气槽142、第四排气槽144及间隔182导引至基板10的外边缘27,且第一区域151的多孔陶瓷结构18所在的平面高于调整块30所在的平面,使得第一区域151与工件200之间的气体还能通过调整块30上的第一泄气孔131从基板10的下表面23排出,保证中心区域15的气压与边缘区域17的气压差距较小,从而保证工件200整体的平面度。
请参阅图7及图8,在某些实施方式中,承载装置100还可包括夹持件90,夹持块90用于将具有良好的平面度的工件200的边缘进行夹持,使得悬浮的工件200能够固定在某一平面,从而实现对工件200的旋转和/或平移检测,使得检测仪300能够检测到工件200上的缺陷。夹持件90可包括多个,各夹持件90均能与待承载对象(工件200)的外周壁沿径向相抵,以对待承载对象(工件200)进行夹持固定,可更好地保证待承载对象(工件200)在检测或加工处理过程中的稳定性。
上述的各夹持件90可以全部是位置固定的夹持件90,此时,该夹持机构仅能够针对一种特定径向尺寸的待承载对象进行夹持。或者,上述的各夹持件90也可以存在至少一个夹持件90为能够在径向上进行调节的可调夹持件90a,便于对工件200进行边缘夹持。
请参阅图8,本申请还提供一种检测设备1000,检测设备1000包括检测仪300及上述任一实施方式的承载装置100,检测仪300与承载装置100对应,并用于对悬浮于承载装置100上方的工件200进行旋转和/或平移检测,使得检测仪300能够检测到工件200上的缺陷。
本申请的承载装置100及半导体检测设备1000中,中心区域15的泄气孔13排出基板10的上表面16与工件200之间的部分气体,排气槽14将基板10的中心区域15的气体导引至边缘区域17,从而减小中心区域15和边缘区域17的气压差距,最大程度防止悬浮于承载装置上方的工件200发生形变,保证工件200具有良好的平面度。
在本说明书的描述中,参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个,除非另有明确具体的限定。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本申请的限制,本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型,本申请的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (27)
1.一种承载装置,其特征在于,包括基板,所述基板上设有气孔、泄气孔和排气槽,所述气孔用于为工件提供正压和/或负压,以承载所述工件,所述泄气孔设置于所述基板的中心区域,用于排出所述基板的上表面与所述工件之间的部分气体,至少部分所述排气槽用于将所述基板的中心区域的气体导引至所述基板的边缘区域。
2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述基板设有与外界相通的第一气道,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述泄气孔包括设置于所述上表面的第一泄气孔,所述第一泄气孔位于所述第一区域并与所述第一气道连通。
3.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述第一泄气孔的数量为多个,多个所述第一泄气孔环绕所述基板的中心均匀分布。
4.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括调整块,所述调整块安装于所述基板上并位于所述第一区域,所述调整块的中心与所述基板的中心重合,所述第一泄气孔位于所述调整块的周缘。
5.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述调整块转动地安装于所述基板,以改变所述第一泄气孔与所述第一气道连通处的开口大小。
6.根据权利要求5所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括调整件;
所述调整块设有腰型孔,在所述调整件穿过所述腰型孔并与所述基板紧配合时,所述调整块固定于所述基板,在所述调整件穿过所述腰型孔并与所述基板松配合时,所述调整块能够相对于所述基板转动;或
所述调整块设有第一孔,所述第一区域设有环绕所述基板的中心的环形第二孔,所述调整件穿过所述第一孔后跟随所述调整块的转动后锁合于所述第二孔的不同位置;或
所述调整块具有磁性,所述基板的所述第一区域也具有磁性,所述调整块磁吸于所述基板的所述第一区域。
7.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述基座设有与外界连通的通道;所述气孔包括负压孔,所述负压孔用于为所述工件提供负压,所述负压孔包括贯穿所述调整块的第一负压孔,所述第一负压孔与所述通道连通,以用于为所述工件提供负压。
8.根据权利要求7所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括可调件,所述可调件贯穿所述调整块,并能够伸缩地安装于所述基座,所述可调件包括贯穿侧壁及底壁的流道,所述第一负压孔包括所述调整块与所述基座之间的间隙及所述流道,所述间隙与所述流道连通,所述流道与所述通道连通。
9.根据权利要求8所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括弹性件,所述基座设有阶梯形的固定孔,所述可调件伸入所述固定孔,并包括头部及身部,所述弹性件设置于所述固定孔的阶梯与所述头部之间,为所述可调件在所述固定孔内的伸缩提供弹性力。
10.根据权利要求7所述的承载装置,其特征在于,所述第一负压孔位于所述调整块的中心位置。
11.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述基板设有与外界相通的第二气道,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述泄气孔包括设置于所述上表面的第二泄气孔,所述第二泄气孔位于所述第三区域并与所述第二气道连通。
12.根据权利要求11所述的承载装置,其特征在于,所述第二泄气孔的数量为多个,多个所述第二泄气孔环绕所述基板的中心均匀分布。
13.根据权利要求1或11所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括连接件,所述连接件用于连接所述基板于外接装置;所述连接件位于所述中心区域的第三区域,所述泄气孔包括贯通所述连接件的第三泄气孔。
14.根据权利要求13所述的承载装置,其特征在于,所述泄气孔包括多个第二泄气孔时,多个所述第二泄气孔环绕所述基板的中心均匀分布;所述泄气孔包括第二泄气孔及第三泄气孔时,所述第二泄气孔及所述第三泄气孔相互间隔地环绕所述基板的中心分布。
15.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述基板设有吹气管道,所述气孔包括正压孔,所述中心区域及所述边缘区域均设有多孔陶瓷结构,所述多孔陶瓷结构上的微孔形成所述正压孔,所述正压孔与所述吹气管道连通,以用于对所述工件提供正压。
16.根据权利要求15所述的承载装置,其特征在于,所述基板设有吸气管道,所述气孔包括负压孔,所述负压孔用于为所述工件提供负压,所述负压孔包括第二负压孔,所述中心区域和所述边缘区域均设有所述第二负压孔,所述第二负压孔与所述吸气管道连通,以用于对所述工件提供负压。
17.根据权利要求16所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括固定件,所述固定件用于连接所述多孔陶瓷结构于所述基板;所述第二负压孔包括贯通所述固定件的穿孔。
18.根据权利要求16所述的承载装置,其特征在于,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述第二区域及所述边缘区域设有所述多孔陶瓷结构。
19.根据权利要求18所述的承载装置,其特征在于,
所述第二区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或
所述边缘区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或
所述第二区域的多孔陶瓷结构包括多个扇环区,每间隔一个扇环区设置有所述第二负压孔;和/或
所述边缘区域的所述第二负压孔的数量大于所述第二区域的所述第二负压孔的数量。
20.根据权利要求18所述的承载装置,其特征在于,所述排气槽包括位于所述第二区域的第一排气槽,多个所述第一排气槽设置于所述第二区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射;
所述排气槽包括位于所述边缘区域的第二排气槽,多个所述第二排气槽设置于所述边缘区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射;
所述第一排气槽与所述第二排气槽在所述基板的径向上一一对应。
21.根据权利要求18所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置包括位于所述第三区域的泄气环,所述中心区域的多孔陶瓷结构高于所述泄气环及所述基板的边缘。
22.根据权利要求16所述的承载装置,其特征在于,沿所述基板的中心至边缘的方向上,所述中心区域包括依次环绕所述基板的中心的第一区域、第二区域及第三区域,所述第二区域、所述第三区域及所述边缘区域设有所述多孔陶瓷结构。
23.根据权利要求22所述的承载装置,其特征在于,
所述第二区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或
所述第三区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或
所述边缘区域的所述第二负压孔环绕所述基板的中心均匀分布;和/或
所述边缘区域的所述第二负压孔的数量大于所述第二区域的所述第二负压孔的数量;和/或
所述第二区域的所述第二负压孔的数量、所述第三区域的所述第二负压孔的数量、所述边缘区域的所述第二负压孔的数量依次递增。
24.根据权利要求22所述的承载装置,其特征在于,所述排气槽包括位于所述第二区域的第一排气槽,多个所述第一排气槽设置于所述第二区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射;
所述排气槽包括位于所述第三区域的第二排气槽,多个所述第二排气槽设置于所述第三区域的多孔陶瓷结构,并沿所述基板的径向辐射;
所述排气槽包括分隔所述第二区域与所述第三区域的环形的第三排气槽,所述第三排气槽与所述第一排气槽及所述第二排气槽均连通;
所述排气槽包括分隔所述边缘区域与所述第三区域的环形的第四排气槽,所述边缘区域的所述多孔陶瓷结构设有间隔,所述第四排气槽连通所述第二排气槽与所述间隔。
25.根据权利要求24所述的承载装置,其特征在于,所述第一排气槽与所述第二排气槽在所述基板的径向上错开。
26.根据权利要求22所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括调整块,所述第一区域的多孔陶瓷结构高于所述调整块。
27.一种检测设备,其特征在于,包括:
检测仪;及
权利要求1-26任意一所述的承载装置,所述检测仪与所述承载装置对应,并用于对悬浮于所述承载装置上的工件进行检测。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110325987.4A CN113078095B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 承载装置及半导体检测设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110325987.4A CN113078095B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 承载装置及半导体检测设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113078095A true CN113078095A (zh) | 2021-07-06 |
CN113078095B CN113078095B (zh) | 2023-10-03 |
Family
ID=76610438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110325987.4A Active CN113078095B (zh) | 2021-03-26 | 2021-03-26 | 承载装置及半导体检测设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113078095B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI824795B (zh) * | 2022-10-26 | 2023-12-01 | 盛詮科技股份有限公司 | 載板懸浮手臂 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070137570A1 (en) * | 2004-01-30 | 2007-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method using the same |
CN105702610A (zh) * | 2014-11-26 | 2016-06-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片承载装置 |
CN109552879A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-04-02 | 通彩智能科技集团有限公司 | 一种非接触式吸盘 |
US20200203207A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
CN111341718A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗设备的卡盘结构及半导体清洗设备 |
US20200266092A1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-20 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for non-contact holding and measurement of thin substrates |
CN112271155A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及半导体工艺设备 |
-
2021
- 2021-03-26 CN CN202110325987.4A patent/CN113078095B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070137570A1 (en) * | 2004-01-30 | 2007-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method using the same |
CN105702610A (zh) * | 2014-11-26 | 2016-06-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶片承载装置 |
CN109552879A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-04-02 | 通彩智能科技集团有限公司 | 一种非接触式吸盘 |
US20200203207A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
US20200266092A1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-20 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for non-contact holding and measurement of thin substrates |
CN111341718A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗设备的卡盘结构及半导体清洗设备 |
CN112271155A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及半导体工艺设备 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI824795B (zh) * | 2022-10-26 | 2023-12-01 | 盛詮科技股份有限公司 | 載板懸浮手臂 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113078095B (zh) | 2023-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3401637B2 (ja) | 平板状基板を無接触支持するための工具 | |
CN109461691A (zh) | 晶圆支撑装置 | |
CN113078095A (zh) | 承载装置及半导体检测设备 | |
CN218677100U (zh) | 一种可吸附翘曲的晶圆平整装置 | |
EP3605597B1 (en) | Silicon chip holding device, silicon chip conveying device, silicon chip delivery system and conveying method | |
JP2010165962A5 (zh) | ||
WO2011065021A1 (ja) | 真空チャック | |
KR101829039B1 (ko) | 베큠척 | |
KR102041044B1 (ko) | 기판 지지 유닛 | |
JP2011159655A (ja) | チャックテーブル装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
KR101059434B1 (ko) | 진공 척 | |
KR20090102568A (ko) | 세라믹 볼 패널 타입 에어진공척 | |
JP2021197373A (ja) | 基板保持装置 | |
JP5316172B2 (ja) | ウェハ吸引パッド及びそれを備えたプリアライナ | |
CN107408528A (zh) | 用于夹持翘曲晶片的设备及方法 | |
TW201805091A (zh) | 物件吸載機構 | |
TWM512574U (zh) | 真空吸盤 | |
CN113826190A (zh) | 真空夹持装置 | |
WO2018205822A1 (zh) | 吸片装置 | |
CN213752671U (zh) | 承载装置及半导体处理设备 | |
CN216120251U (zh) | 承载装置和检测设备 | |
CN218332289U (zh) | 用于芯片印刷吸附定位用的真空平台 | |
CN217983304U (zh) | 晶圆陶瓷真空吸附载盘 | |
CN220821523U (zh) | 一种晶圆吸附装置 | |
CN220253219U (zh) | 一种承载盘及检测设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |