JP2021197373A - 基板保持装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態に係る基板保持装置について図1および図2を参照して、説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板保持装置の上面の一例を示した模式図である。また、図2は、図1のI−II線における断面を示した基板保持装置の部分断面図である。基板保持装置100は、基板(ウエハ)Wを吸着保持するための略平板状の基体10を備えている。基体10は、セラミックス焼結体により略平板状に形成されている。基体10は略円板状のほか、多角形板状または楕円板状などのさまざまな形状であってもよい。
周知の方法により、原料粉末から円板形状の成形体が作成され、この成形体を焼成することによりセラミック焼結体が得られる。本発明の基板保持装置はセラミック焼結体により平板状の円板形状からなるが、多角形形状、楕円形状など、どんな形状でもよい。セラミック焼結体としては、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどが用いられる。
実施例1の基板保持装置として、炭化珪素の焼結体からなる、径φ310mm、厚さt1.2mmの略円板形状の基体の上面(基板保持面)に複数の通気孔、複数のリフトピン孔を設けた。さらに複数の凸部、複数の凸部を取り囲む略円環状の外周リブ、リフトピン孔を取り囲む略円環状のリフトピンリブ、および基板保持面を複数の領域に分割する内側リブを形成した。
作製した実施例および比較例の基板保持装置に基板を吸着させ、基板の平面度を測定した。基板の平面度の測定は、基板全面を□20mm(一辺20mmの正方形)の領域に分割して各々の領域のPV値をZYGO社製の非接触式レーザ干渉計(GPI Hs)を用いて測定し、このPV値を当該領域のローカルフラットネス(LF)とした。その中で、最大値を基板の平面度とした。この値が小さいほど、基板保持装置が基板を平坦に吸着しているといえる。
作製した実施例および比較例の基板保持装置に基板を吸着させ、大気圧と通気孔の近傍に設けられたゲージポートとの圧力差を圧力計(ゲージ圧:大気圧が0kPa)で測定した。この値が小さい(負の絶対値が大きい)ほど、基板を強く吸着できることを示している。ケージ圧が−60kPa以下であれば、基板を十分な力で吸着することができる。
作製した実施例および比較例の基板保持装置に基板を吸着させ、真空吸引によって基板が静定するまでの時間を、基板平面度の時間変化の観察により評価測定した。静定時間が1秒未満(<1)であれば特に良好、1秒以上2秒未満(1)であれば良好、2秒以上(>2)であれば使用可能と判断した。
作製した実施例および比較例の基板保持装置に基板を静定後30秒間吸着させ、基板の吸着の終了後、基板裏面をパーティクルカウンタ(トプコン社製ウエハ表面検査装置WM−10)で測定(0.1μm以上カウント)し、パーティクルの付着形態がリブの形態と一致しているか目視にて判断した。
実施例1〜9は外周リブ、リフトピンリブ、および内側リブの高さを同一にした基板保持装置であったが、実施例10、11は、外周リブの高さと、リフトピンリブおよび内側リブの高さを異なる高さとした基板保持装置の実施例である。図6は、実施例10および11の条件、試験結果を示した表である。
11 通気孔
11a 開口
17 リフトピン孔
20 上面
21 凸部
21a 複数の凸部の上端により形成される平面(基準面)
23 リブ
23a リブの上端面
25 外周リブ
25a 外周リブの上端面
27 リフトピンリブ
27a リフトピンリブの上端面
29 内側リブ
29a 内側リブの上端面
100 基板保持装置
W 基板
Claims (5)
- 基板を保持する基板保持装置であって、
上面に開口する複数の通気孔および複数のリフトピン孔を有する平板状の基体と、
前記基体の上面から上方に突出して形成され、前記基板を支持する複数の凸部と、
前記基体の上面から上方に突出して形成されるリブと、を備え、
前記リブは、前記基体の上面の外周に沿って環状に形成される外周リブ、前記リフトピン孔の縁に沿って環状に形成されるリフトピンリブ、および前記外周リブの内側かつ前記リフトピンリブの外側の領域を複数の領域に分割する内側リブを含み、
前記複数の領域は、それぞれ1以上の前記通気孔を有し、
前記リブの上端面は、前記複数の凸部の上端により形成される平面よりも前記基体の上面に近い位置に形成されることを特徴とする基板保持装置。 - 前記リブの上端面と前記複数の凸部の上端により形成される平面との垂直方向の差は、500nmより大きく5000nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記リブの上端面と前記複数の凸部の上端により形成される平面との垂直方向の差は、10nm以上500nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記外周リブの上端面は、前記リフトピンリブの上端面および前記内側リブの上端面よりも前記基体の上面に近い位置に形成されることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の基板保持装置。
- 前記リフトピンリブの上端面および前記内側リブの上端面は、前記外周リブの上端面よりも前記基体の上面に近い位置に形成されることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の基板保持装置。
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