CN218677100U - 一种可吸附翘曲的晶圆平整装置 - Google Patents

一种可吸附翘曲的晶圆平整装置 Download PDF

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Abstract

公开了一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,包括晶圆载台和负压组件,晶圆载台的吸附面上的第一吸附孔和第二吸附孔分别与负压组件中的两个气流通道连通,吸附面上的沟槽呈若干个圆环状沟槽圈排布,多个第一吸附孔和多个第二吸附孔分别沿与晶圆载台同心的圆周等间距排布,第一吸附孔和第二吸附孔分别与沟槽形成第一吸附区域和第二吸附区域,导流板外接的大流量电磁阀动作时,通过气流通道到达吸附孔对晶圆载台上固定的晶圆进行真空吸附,从而消除晶圆产品的翘曲。本申请的晶圆平整装置能够有效覆盖产品翘曲形变,利用真空吸附的方式增加了晶圆表面的平整度,不受其他外力影响,且能够适应不同寸别晶圆的翘曲消除需求,能够广泛适用于晶圆加工的场景。

Description

一种可吸附翘曲的晶圆平整装置
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,具体是一种可吸附翘曲的晶圆平整装置。
背景技术
晶圆产品有不同的大小和寸别,且晶圆产品本身较薄,容易出现一定的形变,晶圆产品交接给载台时,晶圆产品的形变翘起部位脱离载台,使得载台真空无法建立,设备无法运转,从而影响了工作效率,且晶圆的上表面为产品面,不可接触,如果使用压覆的方式消除产品的翘起可能造成晶圆产品的损伤,因此设计一块能够有效消除晶圆翘曲形变,使得晶圆产品能够精密吸附于载台平面上,从而使得晶圆检测工作更加精密、流畅的晶圆平整装置成为亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型提出了一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,以解决上述背景技术中提出的问题,为实现上述目的,本实用新型提供如下方案:
根据本实用新型实施例的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,包括晶圆载台和负压组件,晶圆载台固定设置在负压组件上,晶圆载台包括吸附面,吸附面上分布有多个沟槽、多个第一吸附孔和多个第二吸附孔,多个第一吸附孔和沟槽形成第一吸附区域,多个第二吸附孔和部分沟槽形成第二吸附区域,负压组件包括第一气流通道和第二气流通道,第一气流通道与多个第一吸附孔连通,第二气流通道与多个第二吸附孔连通,晶圆载台与负压组件之间密封配合。
将晶圆固定在晶圆载台上,进行晶圆翘曲的吸附工作,第一气流通道和第二气流通道之间互不连通,外接气源供给第一气流通道和第二气流通道,通过与第一气流通道连通的第一吸附孔和与第二气流通道连通的第二吸附孔对晶圆的形变翘曲进行真空负压吸附,沟槽的设置增大了吸附面对晶圆表面的吸附面积,提高了晶圆和晶圆载台之间的气密性,具有紧密贴合和牢靠耐久的效果,密封配合使得晶圆载台和负压组件之间的气密性更好,保证真空负压吸附晶圆翘曲工作的顺利进行,设置有两个气流通道和对应的吸附孔,第一吸附孔和第二吸附孔分别与沟槽组成第一吸附区域和第二吸附区域,第一吸附区域和第二吸附区域分别适应不同寸别晶圆吸附翘曲的需求,具体是,对于尺寸比较小的晶圆,利用第二吸附区域的第二吸附孔、沟槽和第二气流通道对晶圆的翘曲进行吸附,对于尺寸较大的晶圆,可同时对第一气流通道和第二气流通道进行供气,此时第一吸附区域和第二吸附区域同时对晶圆产生吸附力,共同完成晶圆翘曲的吸附。
在具体的实施例中,负压组件还包括两个导流板,两个导流板分别与第一气流通道和第二气流通道相连接。
导流板具有导向引流的效果,使得负压组件中的压力慢慢趋向于均衡,从而使得晶圆翘曲的吸附工作能够稳定地进行,避免因为突然施加真空负压导致气流通道中的压力不均衡,进一步使得与气流通道连通的吸附孔对晶圆产生的吸附力不均衡,影响晶圆产品平面度。
在具体的实施例中,多个沟槽呈若干个圆环状沟槽圈排布,若干个沟槽圈的圆心与晶圆载台的圆心重叠,并沿着晶圆载台的直径方向由内向外排布。
沟槽的排布方式使得在进行晶圆翘曲真空吸附的工作时,晶圆所收到的来自晶圆载台吸附面的吸附力更均匀,真空吸附效果更好。
在进一步的实施例中,若干个沟槽圈分别包括多个等间距分隔的沟槽。
多个沟槽之间等间距分隔,组成非封闭的沟槽圈,进一步使得吸附面表面的吸附力更加均衡。
在具体的实施例中,多个第一吸附孔组成一个与晶圆载台圆心重叠的第一吸附孔圈,多个第二吸附孔组成一个与晶圆载台圆心重叠的第二吸附孔圈。
吸附孔以吸附孔圈的方式排布,也进一步提升了对吸附面上的晶圆施加真空负压时,晶圆受到的吸附力更加均匀,从而避免因为各个方向的吸附力不均造成晶圆产品形变的情况发生。
在具体的实施例中,多个第一吸附孔以等间距均匀分布的方式设置,多个第二吸附孔以等间距均匀分布的方式设置。
以等间距均匀分布的方式设置吸附孔,进一步保证了晶圆在吸附面上的吸附力更加均匀。
在具体的实施例中,吸附面上还分布有上下贯通的多个穿孔。
吸附面上的穿孔与外界的气源连接,多个穿孔设置在靠近圆心的位置,沿与晶圆载台同心的圆周排布,能够在进行晶圆翘曲吸附前,对晶圆产品进行固定。
在具体的实施例中,晶圆载台与第一气流通道和第二气流通道之间设置有密封条,两个导流板与第一气流通道和第二气流通道之间设置有密封圈。
密封条的设置使得气流通道和晶圆载台之间接触紧密,密封圈的设置使两个气流通道与两个导流板之间接触紧密,密封条和密封圈的设置可以有效地防止漏气,提高气密性,降低损耗并保证了后续的吸附工作的顺利进行。
在具体的实施例中,晶圆载台上设置有固定孔,所述晶圆载台与所述负压组件通过固定孔连接。
晶圆载台和负压组件通过固定孔和固定孔内的紧固件进行连接,晶圆载台的吸附面上不会因为部件连接产生凸起,在进行吸附工作时不会影响到晶圆产品的平整度。
在具体的实施例中,两个所述导流板分别与大流量电磁阀连接。
大流量电磁阀控制进入导流板从而供给气流通道的气体流量,能够根据晶圆产品的翘曲和形变程度进行气体流量的控制,大流量电磁阀能够控制通入大流量的气体,从而对晶圆产品产生较大的吸附力,能够有效地吸附晶圆的翘曲,提高晶圆产品的平整度。
在具体的实施例中,第一吸附孔的数量为10个,所述第二吸附孔的数量为6个。
第一吸附孔和第二吸附孔的数量较多,能够对吸附面上的晶圆产品产生更强的吸附力,保证了对晶圆翘曲的吸附效果。
在进一步的实施例中,穿孔和固定孔以等间距的方式进行设置,穿孔和固定孔的数量为3个。
穿孔和固定孔的设置方式能够较为牢固地对晶圆载台和晶圆载台上的晶圆进行固定。
本申请公开了一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,包括晶圆载台和负压组件,晶圆载台的吸附面上设置有呈若干个圆环状沟槽圈排布的多个沟槽,吸附面上的多个第一吸附孔和多个第二吸附孔分别沿与晶圆载台同心的圆周等间距均匀排布,多个第一吸附孔与第一气流通道相通,多个第二吸附孔与第二气流通道相通,两个气流通道与两个导流板分别连接,两个导流板外接大流量电磁阀,大流量电磁阀动作时,施加的真空负压通过导流板到达气流通道从而通过与气流通道相通的吸附孔对吸附面上的晶圆翘曲进行吸附,沟槽与第一吸附孔和第二吸附孔分别形成第一吸附区域和第二吸附区域,能够适用于不同尺寸晶圆产品进行翘曲形变的吸附,沟槽的设置增加了吸附面和晶圆产品的吸附面积,使得吸附更加紧密牢靠,晶圆载台和负压组件之间密封配合提高了装置整体的气密性,进一步保证了施加真空负压进行晶圆翘曲吸附工作的顺利进行。本申请的可吸附翘曲的晶圆平整装置,解决了需要外力对晶圆产品进行压覆从而可能导致晶圆产品损伤的问题,结构较为简易,能够适应不同尺寸晶圆产品的翘曲吸附需求。
附图说明
包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本实用新型的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点,因为通过引用以下详细描述,它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。
图1a为本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的立体图;
图1b为本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的爆炸图;
图1c为本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的剖视立体图;
图2为本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的晶圆载台结构示意图;
图3为本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的负压组件结构示意图。
具体实施方式
在以下详细描述中,参考附图,该附图形成详细描述的一部分,并且通过其中可实践本实用新型的说明性具体实施例来示出。对此,参考描述的图的取向来使用方向术语,例如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为实施例的部件可被定位于若干不同取向中,为了图示的目的使用方向术语并且方向术语绝非限制。应当理解的是,可以利用其他实施例或可以做出逻辑改变,而不背离本实用新型的范围。因此以下详细描述不应当在限制的意义上被采用,并且本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
如图1a-c所示,本实用新型的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,包括晶圆载台1和负压组件2,晶圆载台1固定设置在负压组件2上,晶圆载台1包括吸附面11,吸附面11上分布有多个沟槽113、多个第一吸附孔111和多个第二吸附孔112,多个第一吸附孔111和多个沟槽113形成第一吸附区域,多个第二吸附孔112和部分沟槽113形成第二吸附区域,负压组件2包括第一气流通道21和第二气流通道22,第一气流通道21与多个第一吸附孔111连通,第二气流通道21与多个第二吸附孔112连通,晶圆载台1与负压组件2之间密封配合。
将晶圆固定在晶圆载台1上,进行晶圆翘曲的吸附工作,第一气流通道21和第二气流通道22之间互不连通,外接气源供给第一气流通道21和第二气流通道22,通过与第一气流通道21连通的第一吸附孔111和与第二气流通道22连通的第二吸附孔112对晶圆的形变翘曲进行真空负压吸附,沟槽113的设置增大了吸附面11对晶圆表面的吸附面积,提高了晶圆和晶圆载台1之间的气密性,具有紧密贴合和牢靠耐久的效果,密封配合的设置使得晶圆载台1和负压组件2之间的气密性更好,保证真空负压吸附晶圆翘曲工作的顺利进行,设置有第一气流通道21、第二气流通道22和对应的第一吸附孔111、第二吸附孔112,第一吸附孔111和第二吸附孔112分别与沟槽113组成第一吸附区域和第二吸附区域,第一吸附区域和第二吸附区域分别适应不同寸别晶圆吸附翘曲的需求,具体是,对于尺寸比较小的晶圆,利用第二吸附区域的第二吸附孔112、沟槽113和第二气流通道22对晶圆的翘曲进行吸附,对于尺寸较大的晶圆,可同时对第一气流通道21和第二气流通道22进行供气,此时第一吸附区域和第二吸附区域同时对晶圆产生吸附力,共同完成晶圆翘曲的吸附。
图2示出了本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的晶圆载台结构示意图,如图2所示,多个沟槽113呈若干个圆环状沟槽圈排布,若干个沟槽圈的圆心与晶圆载台1的圆心重叠,并沿着晶圆载台1的直径方向由内向外排布。
多个沟槽113的排布方式使得在进行晶圆翘曲真空吸附的工作时,晶圆所收到的来自晶圆载台1的吸附面11的吸附力更均匀,真空吸附效果更好。
在进一步的实施例中,若干个沟槽圈分别包括多个等间距分隔的沟槽113。
多个沟槽113之间等间距分隔,组成非封闭的沟槽圈,进一步使得吸附面11表面的吸附力更加均衡。
在具体的实施例中,多个第一吸附孔11组成一个与晶圆载台1圆心重叠的第一吸附孔圈,多个第二吸附孔112组成一个与晶圆载台圆心重叠的第二吸附孔圈。
第一吸附孔111和第二吸附孔112以吸附孔圈的方式排布,对吸附面1上的晶圆施加真空负压时,晶圆受到的吸附力更加均匀,从而避免因为各个方向的吸附力不均造成晶圆产品形变的情况发生。
在具体的实施例中,多个第一吸附孔111以等间距均匀分布的方式设置,多个第二吸附孔112以等间距均匀分布的方式设置。
以等间距均匀分布的方式分别设置第一吸附孔111、第二吸附孔112,进一步保证了晶圆在吸附面11上的吸附力更加均匀。
在进一步的实施例中,第一吸附孔圈与第一吸附孔圈内的多个沟槽圈形成第一吸附区域,第二吸附孔圈与第一吸附孔圈和第二吸附孔圈之间的一或多个沟槽圈形成第二吸附区域。
第一吸附区域和第二吸附区域分别适应不同寸别晶圆吸附翘曲的需求,具体是,在第二吸附区域的第二吸附孔112、沟槽113和第二气流通道22的配合小尺寸较小的晶圆的翘曲进行吸附,对第一气流通道21和第二气流通道22进行供气,使得第一吸附区域和第二吸附区域同时对晶圆产生吸附力,共同完成大尺寸晶圆翘曲的吸附。
在具体的实施例中,吸附面11上还分布有上下贯通的多个穿孔114。
吸附面11上的穿孔114与外界的气源连接,多个穿孔114设置在靠近圆心的位置,沿与晶圆载台同心的圆周排布,能够在进行晶圆翘曲吸附前,对晶圆产品进行固定。
在具体的实施例中,晶圆载台1上设置有固定孔115,所述晶圆载台1与所述负压组件2通过固定孔115连接。
晶圆载台1和负压组件2通过固定孔115进行连接,晶圆载台1的吸附面11上不会因为部件连接产生凸起,在进行吸附工作时不会影响到晶圆产品的平整度。
图3示出了本实用新型技术方案的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置的负压组件结构示意图,如图3所示,负压组件2还包括两个导流板24,两个导流板24分别与第一气流通道21和第二气流通道22相连接。
导流板24具有导向引流的效果,使得负压组件1中的压力慢慢趋向于均衡,从而使得晶圆翘曲的吸附工作能够稳定地进行,避免因为突然施加真空负压导致气流通道中的压力不均衡,进一步使得与气流通道连通的吸附孔对晶圆产生的吸附力不均衡,影响晶圆产品平面度。
在具体的实施例中,晶圆载台1与第一气流通道21和第二气流通道22之间设置有密封条23,两个导流板24与第一气流通道21和第二气流通道22之间设置有密封圈26。
密封条23的设置使得第一气流通道21和第二气流通道22与晶圆载台1之间接触紧密,密封圈26的设置使两个气流通道与两个导流板之间接触紧密,密封圈26和密封条23可以有效地防止漏气,提高气密性,降低损耗并保证了后续的吸附工作的顺利进行。
在具体的实施例中,两个导流板24分别与两个大流量电磁阀(大流量电磁阀未在图3中示出)连接。
大流量电磁阀控制进入导流板24从而供给第一气流通道21、第二气流通道22的气体流量,能够根据晶圆产品的翘曲和形变程度进行气体流量的控制,大流量电磁阀能够通入大流量的气体,从而对晶圆产品产生较大的吸附力,能够有效地吸附晶圆的翘曲,提高晶圆产品的平整度。
在具体的实施例中,负压组件2还包括紧固件25。
紧固件25与晶圆载台1中的固定孔115相配合,将晶圆载台1和负压组件2固定连接在一起,紧固件25设置在固定孔115内,在吸附面11上不会产生凸起,固定孔115和紧固件25的配合既达到了固定连接的效果,也不会在进行晶圆翘曲吸附的工作过程中对晶圆产品的平整度产生影响。
在具体的实施例中,第一吸附孔111的数量为10个,所述第二吸附孔112的数量为6个。
第一吸附孔111和第二吸附孔112的数量较多,能够对吸附面11上的晶圆产品产生更强的吸附力,保证了对晶圆翘曲的吸附效果。
在进一步的实施例中,穿孔114和固定孔115以等间距的方式进行设置,穿孔114和固定孔115的数量为3个。
穿孔114和固定孔115的设置方式能够较为牢固地对晶圆载台1和晶圆载台1上的晶圆进行固定。
在进一步的实施例中,第一气流通道21和第二气流通道22为环形气流通道。
第一气流通道21和第二气流通道22分别设置为内部连通的环形,第一气流通道21与第一吸附孔111围成的第一吸附孔圈相对应,第二气流通道22与第二吸附孔112围成的第二吸附孔圈相对应,施加真空负压时,通过吸附孔圈和与之对应的气流通道,能够快速均匀的对吸附面11上的晶圆产品产生吸附力,使得吸附翘曲的效果更佳。
本实用新型公开了一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,晶圆载台的吸附面上的沟槽连接穿孔至底部,穿孔连接气管对晶圆进行吸附,从而使得晶圆产品固定在吸附面上,吸附面上设置有第一吸附孔和第二吸附孔,沟槽与第一吸附孔和第二吸附孔分别形成第一吸附区域和第二吸附区域,适应不同尺寸晶圆的吸附需求,吸附孔对应地与两个气流通道连通,根据晶圆尺寸的大小,导流板外接的大流量电磁阀动作,通过气流通道和与气流通道相通的吸附孔对吸附面上的晶圆产品产生吸附力,从而对晶圆产品的翘曲进行吸附,吸附面上的沟槽使得晶圆产品与吸附面的吸附面增加,使得吸附更加紧固牢靠,提升了晶圆产品的平整度,晶圆载台与负压组件之间密封配合,使得晶圆平整装置的密封性更好,降低了能量的损耗,保证了吸附的效果。
本申请的可吸附翘曲的晶圆平整装置,结构简单,能够有效覆盖产品翘曲形变,利用真空吸附的方式增加了晶圆表面的平整度,不受其他外力影响,且能够适应不同寸别晶圆的翘曲消除需求,能够广泛适用于晶圆加工的场景。
显然,本领域技术人员在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下可以作出对本实用新型的实施例的各种修改和改变。以该方式,如果这些修改和改变处于本实用新型的权利要求及其等同形式的范围内,则本实用新型还旨在涵盖这些修改和改变。词语“包括”不排除未在权利要求中列出的其它元件或步骤的存在。某些措施记载在相互不同的从属权利要求中的简单事实不表明这些措施的组合不能被用于获利。权利要求中的任何附图标记不应当被认为限制范围。

Claims (10)

1.一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,包括晶圆载台和负压组件,所述晶圆载台固定设置在所述负压组件上,所述晶圆载台包括吸附面,所述吸附面上分布有多个沟槽、多个第一吸附孔和多个第二吸附孔,所述多个第一吸附孔和所述沟槽形成第一吸附区域,所述多个第二吸附孔和部分所述沟槽形成第二吸附区域,所述负压组件包括第一气流通道和第二气流通道,所述第一气流通道与多个所述第一吸附孔连通,所述第二气流通道与多个所述第二吸附孔连通,所述晶圆载台与所述负压组件之间密封配合。
2.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述负压组件还包括两个导流板,两个所述导流板分别与所述第一气流通道和所述第二气流通道相连接。
3.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,多个所述沟槽呈若干个圆环状沟槽圈排布,若干个所述沟槽圈的圆心与所述晶圆载台的圆心重叠,并沿着所述晶圆载台的直径方向由内向外排布。
4.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,多个所述第一吸附孔组成一个与晶圆载台圆心重叠的第一吸附孔圈,多个所述第二吸附孔组成一个与晶圆载台圆心重叠的第二吸附孔圈。
5.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,多个所述第一吸附孔等间距均匀分布,多个所述第二吸附孔等间距均匀分布。
6.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述吸附面上还分布有上下贯通的穿孔。
7.根据权利要求2所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述晶圆载台与所述第一气流通道和所述第二气流通道之间设置有密封条,两个所述导流板与所述第一气流通道和所述第二气流通道之间设置有密封圈。
8.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述晶圆载台上设置有固定孔,所述晶圆载台与所述负压组件通过固定孔连接。
9.根据权利要求2所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,两个所述导流板分别与大流量电磁阀连接。
10.根据权利要求1所述的一种可吸附翘曲的晶圆平整装置,其特征在于,所述第一吸附孔的数量为10个,所述第二吸附孔的数量为6个。
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Address after: Unit 1, 1st Floor, No. 670 Hong'an Road, Xiang'an Industrial Zone, Xiamen Torch High tech Zone, Xiamen, Fujian Province, 361000

Patentee after: Koer Microelectronics Equipment (Xiamen) Co.,Ltd.

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Patentee before: COER AUTOMATION EQUIPMENT CO.,LTD.

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Denomination of utility model: A wafer flattening device that can adsorb warping

Effective date of registration: 20231222

Granted publication date: 20230321

Pledgee: China Everbright Bank Limited by Share Ltd. Xiamen branch

Pledgor: Koer Microelectronics Equipment (Xiamen) Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980073410

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