CN113066434A - 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种像素驱动电路及其驱动方法和显示面板，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、电容器和发光器件，所述电容器的两端分别与第一电源端和所述驱动晶体管的栅极相连，所述像素驱动电路还包括：复位模块；数据写入模块；阈值补偿模块，包括补偿晶体管，该补偿晶体管用于在数据写入阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极导通；发光控制模块，包括第一选通晶体管，该第一选通晶体管用于在复位阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通并且在数据写入阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件断开，所述补偿晶体管为氧化物晶体管，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管，以及所述第一选通晶体管为氧化物晶体管。

Description

像素驱动电路及其驱动方法、显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术，具体涉及一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板。
背景技术
LTPS-TFT(低温多晶硅薄膜晶体管)具有高的电子迁移率，而Oxide TFT(氧化物薄膜晶体管)也具有高的电子迁移率、大面积均匀性较好、制备工艺温度较低等诸多优势，因此包含二者结合的LTPO(包含低温多晶硅氧化物TFT)的显示面板可以实现更加优良的应答响应特性、更低的功耗与完美的黑屏画面，具有良好的应用前景。
发明内容
本公开提供了一种像素驱动电路及其驱动方法和显示面板。
在一个实施例中，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、电容器和发光器件，所述电容器的两端分别与第一电源端和所述驱动晶体管的栅极相连，其中，所述像素驱动电路还包括：复位模块，用于在复位阶段将初始化电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件的第一端，从而对所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件的第一端的电位进行初始化；数据写入模块，用于在数据写入阶段将数据写入端的数据信号写入所述驱动晶体管的第一极；阈值补偿模块，包括补偿晶体管，该补偿晶体管用于在数据写入阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极导通；发光控制模块，包括第一选通晶体管，所述发光控制模块用于在复位阶段和数据写入阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开；该第一选通晶体管用于在复位阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通并且在数据写入阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件断开；以及所述发光控制模块在发光阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通；其中，所述补偿晶体管为氧化物晶体管，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管，以及所述第一选通晶体管为氧化物晶体管。
在一个实施例中，所述发光控制模块还包括第二选通晶体管，其用于在复位阶段和数据写入阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开，以及在发光阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通。
在一个实施例中，所述第二选通晶体管的栅极与发光控制端相连，所述第一选通晶体管的栅极与扫描信号端连接，所述第二选通晶体管的第一极与所述第一电源端相连，所述第二选通晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极相连；所述第一选通晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第一选通晶体管的第二极与所述发光器件的第一端相连。
在一个实施例中，所述补偿晶体管的栅极与所述发光控制端相连，所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，以及所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连。
在一个实施例中，所述数据写入模块包括写入晶体管，以及所述写入晶体管的栅极与所述扫描信号端相连，所述写入晶体管的第一极与所述数据写入端相连，以及所述写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极相连。
在一个实施例中，所述复位模块包括复位晶体管，以及所述复位晶体管的栅极与复位端相连，所述复位晶体管的第一极与所述发光器件的第一端相连，以及所述复位晶体管的第二极与所述初始电压端相连。
在一个实施例中，所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管均为低温多晶硅晶体管。
在一个实施例中，其中，所述补偿晶体管和所述第一选通晶体管为N型晶体管，以及所述驱动晶体管、所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管均为P型晶体管。
在一个实施例中，所述像素驱动电路，还包括衬底，其中，所述第一选通晶体管、所述第二选通晶体管、所述写入晶体管、所述复位晶体管、所述补偿晶体管、所述驱动晶体管和所述电容器布置在所述衬底上。
在一个实施例中，所述像素驱动电路还包括依次设置在衬底上方的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、层间介电层、平坦化层和像素限定层，其中，所述驱动晶体管的有源层设置在所述衬底和所述第一绝缘层之间；所述驱动晶体管的栅极设置在所述驱动晶体管的有源层上方，并且位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；所述驱动晶体管的源极和漏极同层设置在所述层间介电层和所述平坦化层之间；以及所述补偿晶体管的栅极、所述第一选通晶体管的栅极与所述驱动晶体管的栅极同层设置，均位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；所述补偿晶体管的有源层和所述第一选通晶体管的有源层同层设置且位于所述第二绝缘层和第三绝缘层之间；以及所述补偿晶体管的源极和漏极、所述第一选通晶体管的源极和漏极与所述驱动晶体管的源极和漏极同层设置且均位于所述层间介电层和所述平坦化层之间。
在一个实施例中，所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管的有源层与所述驱动晶体管的有源层同层设置，并且均位于所述衬底和所述第一绝缘层之间；所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管的栅极与所述驱动晶体管的栅极同层设置，并且均位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；以及所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管的源极和漏极与所述驱动晶体管的源极和漏极同层设置，且均位于所述层间介电层和所述平坦化层之间。
在一个实施例中，所述写入晶体管的栅极和所述第一选通晶体管的栅极设置在同一条第一扫描信号线上；和/或所述第二选通晶体管的栅极和所述补偿晶体管的栅极设置在同一条发光信号线上。
在一个实施例中，所述复位晶体管的栅极设置在复位信号线上；和/或所述电容器的第一极板与所述驱动晶体管的栅极同层设置，以及所述电容器的第二极板连接至所述第一电源端并且与所述像素驱动电路的不同于第一扫描信号线的第二扫描信号线同层设置，其中所述第二极板设置在所述第一极板的正上方。
在一个实施例中，所述补偿晶体管的源极通过穿过所述第二极板中的过孔连接至所述第一极板。
在一个实施例中，所述驱动晶体管的有源层、所述写入晶体管的有源层、所述第二选通晶体管的有源层和所述复位晶体管的材料为低温多晶硅；以及所述补偿晶体管的有源层和所述第一选通晶体管的有源层的材料为氧化物。
在一个实施例中，所述氧化物为IGZO。
本公开还提供了一种上述像素驱动电路的驱动方法，包括：在复位阶段，所述第一选通晶体管和所述补偿晶体管导通，所述复位模块通过所述第一选通晶体管和所述补偿晶体管将所述初始化电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件，以控制所述驱动晶体管开启；所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开；在数据写入阶段，所述数据写入模块将所述数据写入端的数据信号写入所述驱动晶体管的第一极；所述补偿晶体管将所述驱动晶体管的第二极与栅极导通；所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件断开；在发光阶段，所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通。
在一个实施例中，所述驱动方法还包括：在复位阶段，向所述复位端提供第一电平信号、并向所述扫描信号端和所述发光控制端提供第二电平信号；在数据写入阶段，向所述复位端和所述发光控制端提供第二电平信号、并向所述扫描信号端提供第一电平信号；以及在发光阶段，向所述复位端和所述扫描信号端提供第二电平信号，向所述发光控制端提供第一电平信号。
本公开还提供了一种包括上述像素驱动电路的显示面板。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1示出了根据本公开实施例的像素驱动电路的结构示意图；
图2示出了根据本公开实施例的像素驱动电路的结构示意图；
图3示出了图2所示的本公开实施例的像素驱动电路中各信号端上施加的信号的时序图；
图4至图6示出了图2所示的本公开实施例的像素驱动电路中各晶体管和电容器在衬底上的布置方式的示意图；
图7示出了图2所示的本公开实施例的像素驱动电路的平面布局图；以及
图8示出了根据本公开实施例的像素驱动电路的驱动方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
由于相关技术的LTPO结构较为复杂，通孔较多，难以实现具有高的像素分辨率(PPI)产品，且由于需要同时使用P型-Oxide TFT和N型-Oxide TFT，需要设计新的栅极驱动电路(GOA)且单独输出控制信号，对窄边框产品的实现也造成较大困难。
图1为本公开实施例提供的一种像素驱动电路的示意图，如图1所示，该像素驱动电路包括：驱动晶体管DTFT、电容器Cst、发光器件10、复位模块20、数据写入模块30、阈值补偿模块40和发光控制模块50。
该像素驱动电路的工作阶段例如可以包括复位阶段、数据写入阶段和发光阶段。
电容器Cst的两端分别与驱动晶体管DTFT的栅极和第一电源端VDD相连。复位模块20与复位端Reset、初始化电压端Vinit和发光器件10的第一端相连，用于在复位阶段响应于复位端Reset提供的第一电平信号(例如低电平)的控制，将初始化电压端Vinit的信号传输至发光器件10的第一端，从而对发光器件10的第一端的电位进行初始化。本公开的复位模块20还可以在复位阶段将初始化电压端Vinit的信号传输至驱动晶体管DTFT的栅极，从而对驱动晶体管DTFT的栅极进行初始化
数据写入模块30与数据写入端Data相连，并且与驱动晶体管DTFT的第一极在第一节点Vs相连，用于在数据写入阶段将数据写入端Data的数据信号写入驱动晶体管DTFT的第一极。
阈值补偿模块40包括补偿晶体管T1，该补偿晶体管T1的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极相连，补偿晶体管T1的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极相连；补偿晶体管T1用于在数据写入阶段将驱动晶体管DTFT的第二极与栅极导通,如图2所示。
发光控制模块50与第一电源端VDD、驱动晶体管DTFT的第一极、驱动晶体管DTFT的第二极、发光器件10的第一端相连，发光控制模块50包括第一选通晶体管T5，发光控制模块50用于在复位阶段和数据写入阶段将第一电源端VDD与驱动晶体管DTFT的第一极断开；第一选通晶体管T5用于在复位阶段将驱动晶体管DTFT的第二极与发光器件10导通并且在数据写入阶段将驱动晶体管DTFT的第二极与发光器件10断开；以及发光控制模块50在发光阶段将第一电源端VDD与驱动晶体管DTFT的第一极导通、并将驱动晶体管DTFT的第二极与发光器件10导通，如图2所述。
补偿晶体管T1为氧化物晶体管(Oxide TFT)；驱动晶体管DTFT为低温多晶硅晶体管(LTPS)，第一选通晶体管T5为氧化物晶体管。本公开中的氧化物晶体管可以均为N型晶体管，低温多晶硅晶体管可以均为P型晶体管。但是本公开不限于此，例如氧化物晶体管也可以均为P型晶体管，而低温多晶硅晶体管可以均为N型晶体管。在本公开实施例中，氧化物晶体管的有源层的材料例如可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。
发光器件10的第二端与第二电源端VSS相连。其中，第一电源端VDD可以为高电平信号端，第二电源端VSS可以为低电平信号端，例如接地端。
在本公开实施例中，在数据写入阶段，补偿晶体管T1将驱动晶体管DTFT的栅极和第二极导通，从而形成经过驱动晶体管DTFT的第二极而对驱动晶体管DTFT的栅极进行电压补偿的路径。具体地，在复位阶段，驱动晶体管DTFT的栅极接收到初始化电压端Vinit的信号，从而达到初始电压；在数据写入阶段，数据写入端Data的数据被写入至驱动晶体管DTFT的第一极，且驱动晶体管DTFT的栅极和第二极短接，形成二极管结构，此时，数据信号经过驱动晶体管DTFT和补偿晶体管T1，一直流向驱动晶体管DTFT的栅极，驱动晶体管DTFT的栅极电位达到Vdata+Vth，其中，Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压，Vdata为数据写入端Data提供的数据信号的电压。在发光阶段，在电容Cst的电压保持作用下，驱动晶体管DTFT的栅极电位保持为Vdata+Vth；第一电源端VDD的电压经由发光控制模块50和驱动晶体管DTFT产生驱动电流流入发光器件10。此时，驱动电流IOLED满足以下饱和电流公式：
IOLED＝K(Vgs-Vth)2＝K(Vdata+Vth-ELVDD-Vth)2
＝K(Vdata-ELVDD)2 (1)
其中，K为与驱动晶体管DTFT本身特性有关的系数，Vgs为驱动晶体管DTFT的栅源电压，即，驱动晶体管DTFT栅极与第一极之间的电压，ELVDD为第一电源端VDD提供的电压。
可见，提供给发光器件10的驱动电流IOLED不受阈值影响。
另外，由于低温多晶硅晶体管具有阈值电压偏大、开启电压小、迁移率高等优点，因此，本公开中的驱动晶体管DTFT采用低温多晶硅晶体管能够实现低频、低功耗驱动；而氧化物晶体管相对于低温多晶硅晶体管而言，在截止状态时的电流Ioff较小，且Ioff平缓，因此，本公开的补偿晶体管T1和第一选通个晶体管T5采用氧化物晶体管，电路中的漏电流非常小，可以改善像素驱动电路中发光器件10发光亮度不一致的问题。另外，在本公开的像素驱动电路中，第一选通晶体管T5采用了氧化物晶体管并且与补偿晶体管T1为相同类型的晶体管，例如本公开实施例中所述的第一选通晶体管T5和补偿晶体管T1均为N型氧化物晶体管，则在实现上述像素驱动电路的驱动方法中，如图1所示，数据写入模块30和发光控制模块50可以仅仅采用同样的扫描信号端Gate，从而降低了LTPO像素驱动电路的复杂度，节省了一条栅极驱动电路的输出信号线，降低了布线难度，从而能够实现窄边框，并且有利于实现高的PPI。
图2示出了本公开实施例提供的一种像素驱动电路的示意图，该像素驱动电路是图1中结构的一种具体化实现方式。
如图2所示，数据写入模块30包括：写入晶体管T2。写入晶体管T2的栅极与扫描信号端Gate相连，写入晶体管T2的第一极与数据写入端Data相连，写入晶体管T2的第二极与驱动晶体管DTFT的第一极相连。写入晶体管T2例如可以采用低温多晶硅晶体管。
补偿模块40包括：补偿晶体管T1。补偿晶体管T1的栅极与发光控制端EM相连，补偿晶体管T1的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极相连，补偿晶体管T1的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极相连。
复位模块20包括：复位晶体管T6。复位晶体管T6的栅极与复位端Reset相连，复位晶体管T6的第二极与初始化电压端Vinit相连，复位晶体管T6的第一极与发光器件10的第一端相连。
发光控制模块50包括：第一选通晶体管T5和第二选通晶体管T4。第一选通晶体管T5的栅极与扫描信号端Gate相连，第二选通晶体管T4的栅极与发光控制端EM相连，第二选通晶体管T4的第一极与第一电源端VDD相连，第二选通晶体管T4的第二极与驱动晶体管DTFT的第一极相连，第一选通晶体管T5的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极相连，第一选通晶体管T5的第二极与发光器件10的第一端相连。
在本实施例中，与驱动晶体管DTFT的栅极和第二极直接相连的晶体管(即，复位晶体管T1和第一选通晶体管T5)为氧化物晶体管，其余各晶体管均为低温多晶硅晶体管。
其中，复位端Reset在复位阶段提供的第一电平信号为控制复位晶体管T6开启的信号，扫描信号端Gate在数据写入阶段提供的第一电平信号为控制写入晶体管T2开启的信号，扫描信号端Gate在复位阶段和发光阶段提供的第二电平信号(例如高电平信号)为控制第一选通晶体管T5开启的信号，而发光控制端EM在复位阶段和数据写入阶段提供的第二电平信号为控制补偿晶体管T1开启的信号，在发光阶段提供的第一电平信号为控制第二选通晶体管T4开启的信号。而在本实施例中，复位晶体管T6和写入晶体管T2均为P型晶体管，即，第一电平信号为低电平信号，扫描信号端Gate在数据写入阶段提供低电平信号。
图3示出了图2所示的像素驱动电路中各信号端的时序图，结合图2和图3所示，在复位阶段t1，发光控制端EM和扫描信号端Gate均提供高电平信号(即，第二电平信号)，复位端Reset提供低电平信号(即，第一电平信号)。
此时，在发光控制端EM和扫描信号端Gate的高电平信号控制下，第一选通晶体管T5和补偿晶体管T1开启，而在复位端Reset的低电平信号控制下，复位晶体管T6开启，初始化电压端Vinit的初始化信号通过复位晶体管T6、第一选通晶体管T5和补偿晶体管T1传输至驱动晶体管DTFT的栅极、并通过复位晶体管T6传输至发光器件10的第一端。另外，由于发光控制端EM提供高电平信号，则第一选通晶体管T4关断，不会产生驱动电流；由于扫描信号端Gate提供高电平信号，则写入晶体管T2关断，不会有信号写入驱动晶体管DTFT。
在数据写入阶段t2，复位端Reset均提供高电平信号，发光控制端EM提供高电平信号，扫描信号端Gate提供低电平信号。
此时，复位晶体管T6、第一选通晶体管T5和第二选通晶体管T4均关闭。由于扫描信号端Gate提供低电平信号和发光控制端EM提供高电平，因此，写入晶体管T2和补偿晶体管T1开启，从而数据写入端Data的数据信号经过补偿晶体管T1和写入晶体管T2传输至驱动晶体管DTFT的栅极，驱动晶体管DTFT的栅极电位达到Vdata+Vth。
在发光阶段t3，复位端Reset提供高电平，扫描信号端Gate提供高电平信号，发光控制端EM提供低电平信号。
此时，复位晶体管T6保持关闭，写入晶体管T2关闭，补偿晶体管T1关闭。
在发光控制端EM提供的低电平信号的控制下，第二选通晶体管T4开启，而在扫描信号端EM提供的低电平信号的控制下，第一选通晶体管T5开启。在电容器Cst的电压保持作用下，驱动晶体管DTFT的栅极电位保持Vdata+Vth，驱动晶体管DTFT保持开启，驱动电流流入发光器件10，使发光器件10发光，驱动电流大小参见上述公式(1)。
如上所述，在本公开实施例的像素驱动电路中，仅仅设置了三个信号控制端：复位端Reset、扫描信号端Gate和发光控制端EM。第二选通晶体管T4和补偿晶体管T1的开启和关闭均由发光控制端EM来进行控制，而第一选通晶体管T5和写入晶体管T2均由扫描信号端Gate来控制，因此，在像素驱动电路的布局上，可以使用较少的线路，易于实现窄边框的显示面板，并且易于实现高的PPI。
如上所述，本公开的像素驱动电路包括了氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管，例如，第一选通晶体管T5和补偿晶体管T1可以为氧化物晶体管；复位晶体管T6、驱动晶体管DTFT、第二选通晶体管T4和写入晶体管T2可以为低温多晶硅晶体管；补偿晶体管T1和第一选通晶体管T5可以为N型氧化物晶体管，以及驱动晶体管DTFT、第二选通晶体管T4、写入晶体管T2和复位晶体管T6可以均为P型低温多晶硅晶体管。基于此，为了实现如上所述的各个阶段的操作，第二选通晶体管T4和补偿晶体管T1的栅极可以通过发光控制端EM连接至同一条发光控制信号线em，而写入晶体管T2和第一选通晶体管T5的栅极可以通过扫描信号端Gate连接至同一条第一扫描信号线gate，如图7所示。
图4示出了在同一衬底上布置氧化物晶体管、低温多晶硅晶体管和电容器Cst的布局示例。例如，可以在同一衬底PI上设置本公开实施例的像素驱动电路中的第一选通晶体管T5、第二选通晶体管T4、写入晶体管T2、复位晶体管T6、补偿晶体管T1、驱动晶体管DTFT和电容器Cst。
具体地，如图4至图6所示，衬底PI上依次设置缓冲层Buffer、第一绝缘层GI1、第二绝缘层GI2、第三绝缘层GI3、层间绝缘层ILD、平坦化层PLN和像素限定层PDL。另外，可以在像素限定层PDL形成的开口中设置有发光器件的第一极(例如有机发光二极管的阳极AND)。如图2所示，本公开的像素驱动电路中仅有第一选通晶体管T5和复位晶体管T6连接至第一极AND，而其他晶体管并不连接至第一极AND。
如图4所示，衬底PI上设置有低温多晶硅晶体管100和氧化物晶体管200。低温多晶硅晶体管100包括有源层P-Si(多晶硅)、栅极(在图4和图6中示出为栅极Gate，而在图5中示出为栅极EM，这取决具体晶体管的驱动信号线)和源漏极SD；氧化物晶体管200包括栅极(在图4和图6中示出为栅极Gate，而在图5中示出为栅极EM，这取决具体晶体管的驱动信号端)、有源层Oxide(氧化物有源层，例如IGZO)和源漏极SD。在本实施例中，如图2所示，与发光器件的第一极AND连接的晶体管例如为第一选通晶体管T5和复位晶体管T6。在图4所示的实施例中，在示出氧化物晶体管200(T5)的位置同时示出了低温多晶硅晶体管100，这样示出的目的仅仅是为了表示氧化物晶体管200和低温多晶硅晶体管100的各层之间的位置关系，其并不代表本公开实施例的像素驱动电路中氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管的具体设置方式，具体设置方式例如图7所示的本公开实施例的像素驱动电路中各个晶体管之间的布局示例。
具体地，在本公开实施例中，对于作为低温多晶硅晶体管的驱动晶体管DTFT、复位晶体管T6、写入晶体管T2和第二选通晶体管T4中的任意一个而言，其有源层P-Si设置在衬底PI和第一绝缘层GI1之间，如图4至图6所示，设置在缓冲层Buffer的表面上，被第一绝缘层GI1覆盖；其栅极设置在驱动晶体管DTFT的有源层P-Si上方，并且位于第一绝缘层GI1和第二绝缘层GI2之间，如图4所示，设置在第一绝缘层GI1上，被第二绝缘层GI2覆盖；其源漏极SD同层设置在层间介电层ILD和平坦化层PLN之间，如图4至图6所示，设置在层间绝缘层ILD上，并且被平坦化层PLN覆盖，源漏极SD通过层间介电层ILD、第一绝缘层GI1、第二绝缘层GI2和第三绝缘层GI3的过孔连接至有源层P-Si。
对于作为氧化物晶体管的补偿晶体管T1或第一选通晶体管T5而言，其栅极可以与驱动晶体管DTFT的栅极Gate同层设置，均位于第一绝缘层GI1和第二绝缘层GI2之间，如图4和图5所示，设置在第一绝缘层GI1上，被第二绝缘层GI2覆盖；其有源层Oxide位于第二绝缘层GI2和第三绝缘层GI3之间，如图4和图5所示，其设置在第二绝缘层GI2上，被第三绝缘层GI3覆盖；其源漏极SD与驱动晶体管DTFT的源漏极SD同层设置且均位于层间介电层ILD和平坦化层PLN之间，如图4和图5所示，设置在层间绝缘层ILD上，并且被平坦化层PLN覆盖，源漏极SD通过层间介电层ILD和第三绝缘层GI3的过孔连接至有源层Oxide。
在图4中，写入晶体管T2的栅极Gate与第一选通晶体管T5的栅极Gate同层设置，例如，如7所示的本公开实施例的像素驱动电路中各部件的布局图中，写入晶体管T2的栅极Gate和第一选通晶体管T5的栅极Gate设置在同一条第一扫描信号线gate上；在图5中，第二选通晶体管T4的栅极EM与补偿晶体管T1的栅极EM同层设置，例如，如图7所示，第二选通晶体管T4的栅极EM和补偿晶体管T1的栅极EM设置在同一条发光信号线em上。如图6所示，复位晶体管T6的栅极Reset设置在复位信号线reset上。进一步地，如图4至图6所示，电容器Cst的第一极板PL1与驱动晶体管DTFT的栅极Gate同层设置，以及电容器Cst的第二极板PL2连接至第一电源端VDD并且与像素驱动电路DTFT的不同于第一扫描信号线gate的第二扫描信号线gate2(未示出，可以为驱动电路中的其他扫描信号线，但是本公开不限于此，例如可以为其他的任意金属层)同层设置，其中所述第二极板PL2设置在所述第一极板PL1的正上方，如图7所示。
另外，如图7所示，补偿晶体管T1的源漏极SD中的一个可以通过穿过所述第二极板PL2中的过孔V1连接至所述第一极板PL1。
在本公开的如上实施例中，如图4至图6所示，驱动晶体管DTFT的有源层、写入晶体管T2的有源层和第二选通晶体管T4的有源层的材料为低温多晶硅P-Si(low temperaturepolysilicon)；而补偿晶体管T1的有源层和第一选通晶体管T5的有源层的材料为氧化物Oxide(例如，IGZO)，如图7所示。
另外，本公开还提供了上述像素驱动电路的驱动方法，如图8所示，包括：
S1：在复位阶段，所述第一选通晶体管和所述补偿晶体管导通，所述复位模块通过所述第一选通晶体管和所述补偿晶体管将所述初始化电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件，以控制所述驱动晶体管开启；所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开；
S2：在数据写入阶段，所述数据写入模块将所述数据写入端的数据信号写入所述驱动晶体管的第一极；所述补偿晶体管将所述驱动晶体管的第二极与栅极导通；所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件断开；
S3：在发光阶段，所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通。
其中，当像素驱动电路采用图2所示的像素驱动电路，所述驱动方法具体包括：
在复位阶段，向所述复位端提供第一电平信号、并向所述扫描信号端和所述发光控制端提供第二电平信号；
在数据写入阶段，向所述复位端和所述发光控制端提供第二电平信号、并向所述扫描信号端提供第一电平信号；以及
在发光阶段，向所述复位端和所述扫描信号端提供第二电平信号，向所述发光控制端提供第一电平信号。
本公开还提供一种显示面板，包括上述任一实施例所述的像素驱动电路。具体地，显示面板的显示区包括多个像素单元，每个像素单元中包括例如有机发光二极管OLED的发光器件，多个像素单元布置成多行多列的矩阵形式，每个像素单元中均设置有像素驱动电路。
具体的，该显示面板可为有机发光二极管(OLED)显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开的显示面板中，由于每个像素驱动电路中，采用了氧化物晶体管作为发光控制模块的第一选通晶体管，则数据写入模块30和发光控制模块50可以仅仅采用一条扫描信号线gate来进行控制，阈值补偿模块40和发光控制模块50可以仅仅采用一条发光控制线em来进行控制，从而降低了LTPO像素驱动电路的复杂度，节省了栅极驱动电路的输出信号线，降低了布线难度，从而能够实现窄边框，并且有利于实现高的PPI。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (15)

1.一种像素驱动电路，包括驱动晶体管、电容器和发光器件，所述电容器的两端分别与第一电源端和所述驱动晶体管的栅极相连，其中，所述像素驱动电路还包括：
复位模块，用于在复位阶段将初始化电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件的第一端，从而对所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件的第一端的电位进行初始化；
数据写入模块，用于在数据写入阶段将数据写入端的数据信号写入所述驱动晶体管的第一极；
阈值补偿模块，包括补偿晶体管，该补偿晶体管用于在数据写入阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极导通；
发光控制模块，包括第一选通晶体管，所述发光控制模块用于在复位阶段和数据写入阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开；该第一选通晶体管用于在复位阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通并且在数据写入阶段将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件断开；以及所述发光控制模块在发光阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通；
其中，所述补偿晶体管为氧化物晶体管，所述驱动晶体管为低温多晶硅晶体管，以及所述第一选通晶体管为氧化物晶体管。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述发光控制模块还包括第二选通晶体管，其用于在复位阶段和数据写入阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开，以及在发光阶段将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其中，所述第二选通晶体管的栅极与发光控制端相连，所述第一选通晶体管的栅极与扫描信号端连接，所述第二选通晶体管的第一极与所述第一电源端相连，所述第二选通晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极相连；所述第一选通晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，所述第一选通晶体管的第二极与所述发光器件的第一端相连。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其中，所述补偿晶体管的栅极与所述发光控制端相连，所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极相连，以及所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连。
5.根据权利要求3或4所述的像素驱动电路，其中，
所述数据写入模块包括写入晶体管，以及
所述写入晶体管的栅极与所述扫描信号端相连，所述写入晶体管的第一极与所述数据写入端相连，以及所述写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极相连。
6.根据权利要求5所述的像素驱动电路，其中，
所述复位模块包括复位晶体管；
所述复位晶体管的栅极与复位端相连，所述复位晶体管的第一极与所述发光器件的第一端相连，以及所述复位晶体管的第二极与所述初始电压端相连；
所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管均为低温多晶硅晶体管；
所述补偿晶体管和所述第一选通晶体管为N型晶体管；以及
所述驱动晶体管、所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管均为P型晶体管。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路，还包括衬底，
其中，所述第一选通晶体管、所述第二选通晶体管、所述写入晶体管、所述复位晶体管、所述补偿晶体管、所述驱动晶体管和所述电容器布置在所述衬底上。
8.根据权利要求7所述的像素驱动电路，还包括依次设置在衬底上方的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、层间介电层、平坦化层和像素限定层，
其中，所述驱动晶体管的有源层设置在所述衬底和所述第一绝缘层之间；所述驱动晶体管的栅极设置在所述驱动晶体管的有源层上方，并且位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；所述驱动晶体管的源极和漏极同层设置在所述层间介电层和所述平坦化层之间；以及
所述补偿晶体管的栅极、所述第一选通晶体管的栅极与所述驱动晶体管的栅极同层设置，均位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；所述补偿晶体管的有源层和所述第一选通晶体管的有源层同层设置且位于所述第二绝缘层和第三绝缘层之间；以及所述补偿晶体管的源极和漏极、所述第一选通晶体管的源极和漏极与所述驱动晶体管的源极和漏极同层设置且均位于所述层间介电层和所述平坦化层之间。
9.根据权利要求8所述的像素驱动电路，其中，
所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管的有源层与所述驱动晶体管的有源层同层设置，并且均位于所述衬底和所述第一绝缘层之间；
所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管的栅极与所述驱动晶体管的栅极同层设置，并且均位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；以及
所述第二选通晶体管、所述写入晶体管和所述复位晶体管的源极和漏极与所述驱动晶体管的源极和漏极同层设置，且均位于所述层间介电层和所述平坦化层之间。
10.根据权利要求9所述的像素驱动电路，其中，
所述写入晶体管的栅极和所述第一选通晶体管的栅极设置在同一条第一扫描信号线上；和/或
所述第二选通晶体管的栅极和所述补偿晶体管的栅极设置在同一条发光信号线上。
11.根据权利要求10所述的像素驱动电路，其中，
所述复位晶体管的栅极设置在复位信号线上；和/或
所述电容器的第一极板与所述驱动晶体管的栅极同层设置，以及所述电容器的第二极板连接至所述第一电源端并且与所述像素驱动电路的不同于第一扫描信号线的第二扫描信号线同层设置，其中所述第二极板设置在所述第一极板的正上方。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的像素驱动电路，其中，
所述驱动晶体管的有源层、所述写入晶体管的有源层、所述第二选通晶体管和所述复位晶体管的有源层的材料为低温多晶硅；以及
所述补偿晶体管的有源层和所述第一选通晶体管的有源层的材料为氧化物。
13.一种如权利要求1至12中任意一项所述的像素驱动电路的驱动方法，包括：
在复位阶段，所述第一选通晶体管和所述补偿晶体管导通，所述复位模块通过所述第一选通晶体管和所述补偿晶体管将所述初始化电压端的信号传输至所述驱动晶体管的栅极和所述发光器件，以控制所述驱动晶体管开启；所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开；
在数据写入阶段，所述数据写入模块将所述数据写入端的数据信号写入所述驱动晶体管的第一极；所述补偿晶体管将所述驱动晶体管的第二极与栅极导通；所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极断开、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件断开；
在发光阶段，所述发光控制模块将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通、并将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通。
14.根据权利要求13所述的驱动方法，其中，所述像素驱动电路采用权利要求12的像素驱动电路，所述驱动方法包括：
在复位阶段，向所述复位端提供第一电平信号、并向所述扫描信号端和所述发光控制端提供第二电平信号；
在数据写入阶段，向所述复位端和所述发光控制端提供第二电平信号、并向所述扫描信号端提供第一电平信号；以及
在发光阶段，向所述复位端和所述扫描信号端提供第二电平信号，向所述发光控制端提供第一电平信号。
15.一种显示面板，包括权利要求1至12中任意一项的像素驱动电路。
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