CN113054076A - 玻璃线路板及其制备方法、封装结构及其制备方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 266
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 129
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 206
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 242
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 242
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 106
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 59
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 29
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 21
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 21
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 19
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 12
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 6
- 238000009504 vacuum film coating Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本申请提供了一种玻璃线路板及其制备方法、一种封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，所述玻璃基板的上表面设置有导电层；LED芯片，所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；围坝，所述围坝设置在所述玻璃基板的上表面；封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。以玻璃基板作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板上直接制作导电层，由此，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
Description
技术领域
本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种玻璃线路板及其制备方法、一种封装结构及其制备方法。
背景技术
LED光源等半导体器件一般采用陶瓷基板封装方式，常用的封装结构是在带有线路层的陶瓷基板上设置围坝，围坝上设置盖板，盖板、围坝与陶瓷基板围设成密封腔室，该密封腔室内用于放置各类芯片等器件，通过向密封腔室内填充封装胶水、惰性气体或直接抽真空，实现器件的气密封装。
当下，玻璃幕墙已经成为常见的建筑装饰之一，能够妆点城市，使城市更加美观，而搭配玻璃幕墙使用的玻璃幕墙LED显示屏更是受到了市场的追捧，一方面，它具有高通透、隐形安装、绿色节能的优异性能，另一方面，玻璃幕墙LED显示屏可以进行内容展示，设置在商业区等繁华路段，能够起到很好的宣传推广作用，具有很高的商业价值，使其倍受市场青睐，发展迅速。
现有技术下玻璃线路板的制备有如下几种方法：1、采用粘贴的方法，将线路贴在玻璃上。2、在玻璃上镀金属膜，再蚀刻出线路。3，丝网印刷的方式印刷出线路，然后烘烤或者烧结形成线路。
第一种方式散热不好，附着力不好，有机物粘胶耐UV差。第二种金属膜薄，不能驱动大电流。第三种线路精度差。
现有的玻璃幕墙LED显示屏中，多个LED光源预先设置在承载件上，承载件粘附在玻璃幕墙上或者间隔设置在玻璃幕墙的内侧，不足之处在于，LED芯片发出的光需要穿过透明的封装体和玻璃幕墙两层介质射出，光透过率有所降低。
因此，研究开发一种光透过率高的玻璃幕墙LED显示屏有着十分重要的意义。
发明内容
本申请的目的在于提供一种玻璃线路板及其制备方法、一种封装结构及其制备方法，LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板，光透过率高。
本申请的目的采用以下技术方案实现：
第一方面，本申请提供了一种玻璃线路板的制备方法，包括：提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面；在所述玻璃基板的上表面设置导电层；所述导电层采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；采用丝网印刷方式得到；在所述玻璃基板的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该技术方案的有益效果在于，通过在玻璃基板上直接设置导电层以形成玻璃线路板，当该玻璃线路板应用于玻璃幕墙LED显示屏时，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
在一些可选的实施例中，所述导电层采用直接镀铜方式得到，采用直接镀铜方式得到所述导电层的方法包括：对所述玻璃基板的上表面先后进行两次真空镀膜，分别得到深色金属膜和铜膜；对所述玻璃基板的上表面进行曝光显影；对所述玻璃基板的上表面进行电镀；对所述玻璃基板的上表面进行去膜蚀刻；对所述玻璃基板的上表面进行表面处理。该技术方案的有益效果在于，采用直接镀铜方式制作导电层，工艺成熟，适用范围广；在玻璃基板的上表面先设置深色金属膜再设置铜膜，用此方式做出的线路，由于底部采用深色金属膜，深色金属膜呈钛灰色等深色，其光反射率比铜膜低，能够有效避免反光，做成显示屏后不反光，色彩饱和度高，提升玻璃幕墙LED显示屏的显示效果；线路解析度高，覆铜厚度可以灵活调整；另外，附着力好，线路不易脱落。
在一些可选的实施例中，在对所述玻璃基板的上表面先后进行两次真空镀膜之前，对所述玻璃基板的上表面进行化学粗化。该技术方案的有益效果在于，对玻璃基板的上表面进行化学粗化，便于后续进行真空镀膜，增大薄膜与玻璃基板的上表面之间的附着力。
第二方面，本申请提供了一种由上述任一项玻璃线路板的制备方法制备而成的玻璃线路板，所述玻璃线路板包括：玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面；导电层，所述导电层设置于所述玻璃基板的上表面。该技术方案的有益效果在于，通过在玻璃基板上直接设置导电层以形成玻璃线路板，当该玻璃线路板应用于玻璃幕墙LED显示屏时，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
在一些可选的实施例中，所述导电层包括深色金属膜和铜膜，所述深色金属膜设置于所述玻璃基板的上表面与所述铜膜之间。该技术方案的有益效果在于，一方面，在玻璃基板的上表面先设置深色金属膜再设置铜膜，用此方式做出的线路，由于底部采用深色金属膜，深色金属膜呈钛灰色等深色，其光反射率比铜膜低，能够有效避免反光，做成显示屏后不反光，色彩饱和度高，提升玻璃幕墙LED显示屏的显示效果；一方面，线路解析度高，覆铜厚度可以灵活调整；另外，附着力好，线路不易脱落。
第三方面，本申请提供了一种封装结构，包括：玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，所述玻璃基板的上表面设置有导电层；LED芯片，所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；所述导电层采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；采用丝网印刷方式得到；在所述玻璃基板的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该技术方案的有益效果在于，以玻璃基板作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板上直接制作导电层，由此，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
在一些可选的实施例中，所述封装结构还包括：围坝，所述围坝设置在所述玻璃基板的上表面；封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。该技术方案的有益效果在于，设置围坝和封装体，实现封装结构的封装。
在一些可选的实施例中，所述玻璃基板的上表面还设置有基层，所述导电层设置在所述基层上，所述基层由钛、镍中的一种或多种材料制成。该技术方案的有益效果在于，在玻璃基板和导电层之间设置颜色较深、附着性较好的基层，一方面，白天在室外看玻璃幕墙LED显示屏时，颜色较深的基层不易反光，另一方面基层附着性较高，可以增强封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述围坝为塑胶围坝，所述围坝具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述封装结构还包括：金属件，所述金属件设置在所述围坝上并覆盖所述围坝的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，围坝采用塑胶材质，一方面，相比于金属材质的围坝来说，塑胶材料成本较低；一方面，围坝的制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；一方面，通过金属件覆盖围坝的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；一方面，通过金属件覆盖围坝的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝从而破坏围坝的结构，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述金属件包括第一金属件和/或第二金属件，所述第一金属件设置在所述围坝上并覆盖所述围坝的至少部分顶面，所述第二金属件设置在所述围坝上并覆盖所述围坝的至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，一方面，设置第一金属件来覆盖围坝的至少部分顶面，可以提供无机封装条件，气密性好；一方面，设置第二金属件来覆盖围坝的至少部分内侧面，可以提供耐受紫外线照射的功能；在具体实施中，可以根据实际应用中的需求选择合适的金属件，例如在只需要无机封装的场合使用第一金属件，在只需要耐受紫外线照射的场合使用第二金属件，在同时需要无机封装和耐受紫外线照射的场合使用第一金属件和第二金属件。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构；所述封装结构还包括：金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，塑胶材质的下层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体和下层坝体，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件覆盖围坝的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件覆盖围坝的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝从而破坏围坝的结构，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述金属件包括第一金属件和/或第二金属件，所述第一金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面，所述第二金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，设置第一金属件来覆盖下层坝体的至少部分顶面，可以提供无机封装条件，气密性好；设置第二金属件来覆盖下层坝体的至少部分内侧面，可以提供耐受紫外线照射的功能；在具体实施中，可以根据实际应用中的需求选择合适的金属件，例如在只需要无机封装的场合使用第一金属件，在只需要耐受紫外线照射的场合使用第二金属件，在同时需要无机封装和耐受紫外线照射的场合使用第一金属件和第二金属件。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为金属材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，金属材质的下层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体和下层坝体，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的下层坝体能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体设置在围坝上时，可以将封装体焊接在下层坝体上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的下层坝体能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的下层坝体比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述上层坝体为金属材质或塑胶材质。该技术方案的有益效果在于，上层坝体采用金属材质，能够提高整个围坝的结构强度；上层坝体采用塑胶材质，与金属材质相比，制造方法简单，制造成本低。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为塑胶材质，所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述封装结构还包括：金属件，所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，塑胶材质的内层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为内层坝体和外层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体和外层坝体，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件覆盖内层坝体的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件覆盖内层坝体的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射内层坝体从而破坏围坝的结构，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述外层坝体为金属材质或塑胶材质。该技术方案的有益效果在于，外层坝体采用金属材质，能够提高整个围坝的结构强度；外层坝体采用塑胶材质，与金属材质相比，制造方法简单，制造成本低。
在一些可选的实施例中，所述金属件包括第一金属件和/或第二金属件，所述第一金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面，所述第二金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，设置第一金属件来覆盖内层坝体的至少部分顶面，可以提供无机封装条件，气密性好；设置第二金属件来覆盖内层坝体的至少部分内侧面，可以提供耐受紫外线照射的功能；在具体实施中，可以根据实际应用中的需求选择合适的金属件，例如在只需要无机封装的场合使用第一金属件，在只需要耐受紫外线照射的场合使用第二金属件，在同时需要无机封装和耐受紫外线照射的场合使用第一金属件和第二金属件。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为金属材质。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，金属材质的内层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为内层坝体和外层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体和外层坝体，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的内层坝体能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体设置在围坝上时，可以将封装体焊接在内层坝体上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的内层坝体能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的内层坝体比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述外层坝体为金属材质或塑胶材质。该技术方案的有益效果在于，外层坝体采用金属材质，能够提高整个围坝的结构强度；外层坝体采用塑胶材质，与金属材质相比，制造方法简单，制造成本低。
第四方面，本申请提供了一种封装结构的制备方法，包括：提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，在所述玻璃基板的上表面设置导电层；提供一LED芯片，将所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；所述导电层采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；采用丝网印刷方式得到；在所述玻璃基板的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。该技术方案的有益效果在于，以玻璃基板作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板上直接制作导电层，由此，与导电层电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
在一些可选的实施例中，所述导电层采用直接镀铜方式得到，采用直接镀铜方式得到所述导电层的方法包括：对所述玻璃基板的上表面先后进行两次真空镀膜，分别得到深色金属膜和铜膜；对所述玻璃基板的上表面进行曝光显影；对所述玻璃基板的上表面进行电镀；对所述玻璃基板的上表面进行去膜蚀刻；对所述玻璃基板的上表面进行表面处理。该技术方案的有益效果在于，采用直接镀铜方式制作导电层，工艺成熟，适用范围广；在玻璃基板的上表面先设置深色金属膜再设置铜膜，用此方式做出的线路，由于底部采用深色金属膜，深色金属膜呈钛灰色等深色，其光反射率比铜膜低，能够有效避免反光，做成显示屏后不反光，色彩饱和度高，提升玻璃幕墙LED显示屏的显示效果；线路解析度高，覆铜厚度可以灵活调整；另外，附着力好，线路不易脱落。
在一些可选的实施例中，所述封装结构的制备方法还包括：在所述玻璃基板的上表面设置围坝；提供一封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。该技术方案的有益效果在于，设置围坝和封装体，实现封装结构的封装。
在一些可选的实施例中，还包括在所述玻璃基板的上表面设置基层，在所述基层上设置所述导电层，所述基层由钛、镍中的一种或多种材料制成。该技术方案的有益效果在于，在玻璃基板和导电层之间设置颜色较深、附着性较好的基层，一方面，白天在室外看玻璃幕墙LED显示屏时，颜色较深的基层不易反光，另一方面基层附着性较高，可以增强封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述围坝为塑胶围坝，所述围坝具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述制备方法还包括：提供一金属件，所述金属件设置在所述围坝上并覆盖所述围坝的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，围坝采用塑胶材质，一方面，相比于金属材质的围坝来说，塑胶材料成本较低；一方面，围坝的制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；一方面，通过金属件覆盖围坝的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；一方面，通过金属件覆盖围坝的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝从而破坏围坝的结构，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，将所述金属件设置在所述围坝上的方法包括以下任意一种：将所述金属件粘附在所述围坝上；采用真空镀膜方式在所述围坝上制作所述金属件；先采用真空镀膜方式，后采用电镀方式在所述围坝上制作所述金属件。该技术方案的有益效果在于，金属件可以粘附在围坝的顶面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；金属件还可以采用真空镀膜方式制作，与真空镀薄膜并电镀加厚的制作方式相比，对环境无污染，且制备得到的坝体宽度尺寸不受限制；金属件还可以采用真空镀膜加电镀方式制作，这种制作方式工艺成熟，应用广泛。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构；所述封装结构的制备方法还包括：提供一金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，塑胶材质的下层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体和下层坝体，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件覆盖围坝的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件覆盖围坝的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝从而破坏围坝的结构，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，将所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面的方法包括以下任意一种：将所述下层坝体粘附在所述玻璃基板的上表面；将所述金属件作为制作所述下层坝体的模具的一部分，采用注塑方式在所述玻璃基板的上表面制作所述下层坝体；将所述金属件埋入制作所述下层坝体的模具，采用注塑方式制作得到连接为一体的所述金属件和所述下层坝体，并将连接为一体的所述金属件和所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面。该技术方案的有益效果在于，下层坝体可以粘附在玻璃基板的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；下层坝体也可以采用注塑方式制作，注塑工艺生产速度快，效率高，操作可实现自动化；将金属件作为制作下层坝体的模具的一部分或者在下层坝体的注塑成型过程中将金属件埋入模具，能够将金属件和下层坝体牢固地结合，不需要再使用粘合剂使二者结合，提高封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为金属材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，金属材质的下层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体和下层坝体，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的下层坝体能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体设置在围坝上时，可以将封装体焊接在下层坝体上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的下层坝体能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的下层坝体比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，将所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面的方法包括以下任意一种：将所述下层坝体粘附在所述玻璃基板的上表面；采用真空镀膜方式在所述玻璃基板的上表面制作所述下层坝体；先采用真空镀膜方式，后采用电镀方式在所述玻璃基板的上表面制作所述下层坝体。该技术方案的有益效果在于，下层坝体可以粘附在玻璃基板的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；下层坝体也可以采用真空镀膜方式制作，与真空镀薄膜并电镀加厚的制作方式相比，对环境无污染，且制备得到的坝体宽度尺寸不受限制；下层坝体还可以采用真空镀膜加电镀方式制作，这种制作方式工艺成熟，应用广泛。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为塑胶材质，所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述封装结构的制备方法还包括：提供一金属件，所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，塑胶材质的内层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为内层坝体和外层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体和外层坝体，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件覆盖内层坝体的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件覆盖内层坝体的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射内层坝体从而破坏围坝的结构，保障围坝的整体性能稳定可靠；另外，金属件还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，在所述玻璃基板的上表面设置所述内层坝体的方法包括以下任意一种：将所述内层坝体粘附在所述玻璃基板的上表面；将所述金属件作为制作所述内层坝体的模具的一部分，采用注塑方式在所述玻璃基板的上表面制作内层坝体；将所述金属件埋入制作所述内层坝体的模具，采用注塑方式制作得到连接为一体的所述金属件和所述内层坝体，并将连接为一体的所述金属件和所述内层坝体设置在所述玻璃基板的上表面。该技术方案的有益效果在于，内层坝体可以粘附在玻璃基板的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；内层坝体也可以采用注塑方式制作，注塑工艺生产速度快，效率高，操作可实现自动化；将金属件作为制作内层坝体的模具的一部分或者在内层坝体的注塑成型过程中将金属件埋入模具，能够将金属件和内层坝体牢固地结合，不需要再使用粘合剂使二者结合，提高封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为金属材质。该技术方案的有益效果在于，相比陶瓷围坝，金属材质的内层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝分为内层坝体和外层坝体两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体和外层坝体，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝，由此，使围坝的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的内层坝体能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体设置在围坝上时，可以将封装体焊接在内层坝体上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的内层坝体能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的内层坝体比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些可选的实施例中，在所述玻璃基板的上表面设置所述内层坝体的方法包括以下任意一种：将所述内层坝体粘附在所述玻璃基板的上表面；采用真空镀膜方式在所述玻璃基板的上表面制作所述内层坝体；先采用真空镀膜方式，后采用电镀方式在所述玻璃基板的上表面制作所述内层坝体。该技术方案的有益效果在于，内层坝体可以粘附在玻璃基板的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；内层坝体也可以采用真空镀膜方式制作，与真空镀薄膜并电镀加厚的制作方式相比，对环境无污染，且制备得到的坝体宽度尺寸不受限制；内层坝体还可以采用真空镀膜加电镀方式制作，这种制作方式工艺成熟，应用广泛。
附图说明
下面结合附图和实施例对本申请进一步说明。
图1是本申请实施例提供的一种玻璃线路板的制备方法的流程示意图。
图2是本申请实施例提供的一种采用直接镀铜方式制作导电层的方法的流程示意图。
图3是本申请实施例提供的一种玻璃线路板的截面示意图。
图4是本申请实施例提供的一种封装结构的截面示意图。
图5是本申请实施例提供的另一种封装结构的截面示意图。
图6是本申请实施例提供的又一种封装结构的截面示意图。
图7是本申请实施例提供的又一种封装结构的截面示意图。
图8是本申请实施例提供的又一种封装结构的截面示意图。
图9是本申请实施例提供的一种封装结构的制备方法的流程示意图。
图中：10、玻璃基板；11、导电层；20、围坝；21、下层坝体；22、上层坝体；23、内层坝体；24、外层坝体；30、金属件；31、第一金属件；32、第二金属件；40、LED芯片；50、封装体。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本申请做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
本申请中所描述的表达位置与方向的词，如“上”、“下”，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本申请保护范围内。本申请的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸张显示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
参见图1，本申请实施例提供了一种玻璃线路板的制备方法，包括步骤S101～S102。
步骤S101：提供一玻璃基板10，所述玻璃基板10具有相对的上表面和下表面；
步骤S102：在所述玻璃基板10的上表面设置导电层11；
所述导电层11采用以下任意一种方法得到：
采用直接镀铜方式得到；
采用丝网印刷方式得到；
在所述玻璃基板10的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
由此，通过在玻璃基板10上直接设置导电层11以形成玻璃线路板，当该玻璃线路板应用于玻璃幕墙LED显示屏时，与导电层11电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板10这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
参见图2，在一些实施方式中，所述导电层11可以采用直接镀铜方式得到，采用直接镀铜方式得到所述导电层11的方法可以包括步骤S201～S205。
步骤S201：对所述玻璃基板10的上表面先后进行两次真空镀膜，分别得到深色金属膜和铜膜；
步骤S202：对所述玻璃基板10的上表面进行曝光显影；
步骤S203：对所述玻璃基板10的上表面进行电镀；
步骤S204：对所述玻璃基板10的上表面进行去膜蚀刻；
步骤S205：对所述玻璃基板10的上表面进行表面处理。
由此，采用直接镀铜方式制作导电层11，工艺成熟，适用范围广；另外，在玻璃基板10的上表面先设置深色金属膜再设置铜膜，用此方式做出的线路，由于底部采用深色金属膜，深色金属膜呈钛灰色等深色，其光反射率比铜膜低，能够有效避免反光，做成显示屏后不反光，色彩饱和度高，提升玻璃幕墙LED显示屏的显示效果；线路解析度高，覆铜厚度可以灵活调整；另外，附着力好，线路不易脱落。
继续参见图3，在一些实施方式中，在步骤S201对所述玻璃基板10的上表面先后进行两次真空镀膜之前，所述玻璃线路板的制备方法还可以包括步骤S200：对所述玻璃基板10的上表面进行化学粗化。
由此，对玻璃基板10的上表面进行化学粗化，便于后续进行真空镀膜，增大薄膜与玻璃基板10的上表面之间的附着力。
参见图3，本申请实施例提供了一种玻璃线路板，所述玻璃线路板由上述任一项玻璃线路板的制备方法制备而成。
所述封装结构包括：玻璃基板10，所述玻璃基板10具有相对的上表面和下表面；导电层11，所述导电层11设置于所述玻璃基板10的上表面。
其中，所述导电层11可以采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；采用丝网印刷方式得到；在所述玻璃基板10的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
由此，通过在玻璃基板10上直接设置导电层11以形成玻璃线路板，当该玻璃线路板应用于玻璃幕墙LED显示屏时，与导电层11电连接的LED芯片发出的光直接穿过玻璃基板10这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
在一些实施方式中，所述导电层11可以包括深色金属膜和铜膜，所述深色金属膜设置于所述玻璃基板10的上表面与所述铜膜之间。
其中，深色金属膜的材质可以是钛、镍等深色金属。
由此，一方面，在玻璃基板10的上表面先设置深色金属膜再设置铜膜，用此方式做出的线路，由于底部采用深色金属膜，深色金属膜呈钛灰色等深色，其光反射率比铜膜低，能够有效避免反光，做成显示屏后不反光，色彩饱和度高，提升玻璃幕墙LED显示屏的显示效果；一方面，线路解析度高，覆铜厚度可以灵活调整；另外，附着力好，线路不易脱落。
参见图4至图8，本申请实施例提供了一种封装结构，包括：玻璃基板10，所述玻璃基板10具有相对的上表面和下表面，所述玻璃基板10的上表面设置有导电层11；LED芯片40，所述LED芯片40设置在所述玻璃基板10的上表面并电性连接所述导电层11；
所述导电层11采用以下任意一种方法得到：
采用直接镀铜方式得到；
采用丝网印刷方式得到；
在所述玻璃基板10的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
本申请实施例对玻璃基板10的透明度不做限定，玻璃基板10可以采用透明玻璃、半透明玻璃或者不透明玻璃。导电层11的材质可以包括铜、银、钛、铬、钨、镍或其合金中的一种或多种。
本申请实施例对LED芯片40的安装方式不做限定，LED芯片40可以是正装芯片或者倒装芯片。
本申请实施例对封装体50不做限定，其可以是封装胶，也可以是盖体。
以玻璃基板10作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板10上直接制作导电层11，由此，与导电层11电连接的LED芯片40发出的光直接穿过玻璃基板10这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片40的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
在一些实施方式中，所述封装结构还包括：围坝20，所述围坝20设置在所述玻璃基板10的上表面；封装体50，所述封装体50与围坝20配合封装所述LED芯片40。
由此，设置围坝和封装体，实现封装结构的封装。
在一些实施方式中，所述玻璃基板10的上表面还可以设置有基层，所述导电层11设置在所述基层上，所述基层由钛、镍中的一种或多种材料制成。
钛、镍的颜色较深、附着性较好，在玻璃基板10和导电层11之间设置颜色较深、附着性较好的基层，一方面，白天在室外看玻璃幕墙LED显示屏时，颜色较深的基层不易反光，另一方面基层附着性较高，可以增强封装结构的稳定性。
继续参见图4，在一些实施方式中，所述围坝20可以为塑胶围坝，所述围坝20具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述封装结构还可以包括：金属件30，所述金属件30设置在所述围坝20上并覆盖所述围坝20的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
围坝20采用塑胶材质，一方面，相比于金属材质的围坝20来说，塑胶材料成本较低；一方面，围坝20的制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；一方面，通过金属件30覆盖围坝20的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；一方面，通过金属件30覆盖围坝20的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件30耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝20从而破坏围坝20的结构，保障围坝20的整体性能稳定可靠；另外，金属件30还可以增强围坝20的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
继续参见图4，在一些实施方式中，所述金属件30可以包括第一金属件31和/或第二金属件32，所述第一金属件31设置在所述围坝20上并覆盖所述围坝20的至少部分顶面，所述第二金属件32设置在所述围坝20上并覆盖所述围坝20的至少部分内侧面。
其中，第一金属件31和第二金属件32可以是相连接的，也可以是不连接的。
一方面，设置第一金属件31来覆盖围坝20的至少部分顶面，可以提供无机封装条件，气密性好；一方面，设置第二金属件32来覆盖围坝20的至少部分内侧面，可以提供耐受紫外线照射的功能；在具体实施中，可以根据实际应用中的需求选择合适的金属件30，例如在只需要无机封装的场合使用第一金属件31，在只需要耐受紫外线照射的场合使用第二金属件32，在同时需要无机封装和耐受紫外线照射的场合使用第一金属件31和第二金属件32。
参见图5，在一些实施方式中，所述围坝20可以包括下层坝体21和上层坝体22，所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面，所述下层坝体21为塑胶材质，所述下层坝体21具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体22设置在所述下层坝体21的顶面并形成阶梯结构；所述封装结构还可以包括：金属件30，所述金属件30设置在所述下层坝体21上并覆盖所述下层坝体21的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
相比陶瓷围坝，塑胶材质的下层坝体21在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为下层坝体21和上层坝体22两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体22和下层坝体21，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件30覆盖围坝20的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件30覆盖围坝20的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件30耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝20从而破坏围坝20的结构，保障围坝20的整体性能稳定可靠；另外，金属件30还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
继续参见图5，在一些实施方式中，所述金属件30可以包括第一金属件31和/或第二金属件32，所述第一金属件31设置在所述下层坝体21上并覆盖所述下层坝体21的至少部分顶面，所述第二金属件32设置在所述下层坝体21上并覆盖所述下层坝体21的至少部分内侧面。
设置第一金属件31来覆盖下层坝体21的至少部分顶面，可以提供无机封装条件，气密性好；设置第二金属件32来覆盖下层坝体21的至少部分内侧面，可以提供耐受紫外线照射的功能；在具体实施中，可以根据实际应用中的需求选择合适的金属件30，例如在只需要无机封装的场合使用第一金属件31，在只需要耐受紫外线照射的场合使用第二金属件32，在同时需要无机封装和耐受紫外线照射的场合使用第一金属件31和第二金属件32。
参见图6，在一些实施方式中，所述围坝20可以包括下层坝体21和上层坝体22，所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面，所述下层坝体21为金属材质，所述下层坝体21具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体22设置在所述下层坝体21的顶面并形成阶梯结构。
相比陶瓷围坝，金属材质的下层坝体21在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为下层坝体21和上层坝体22两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体22和下层坝体21，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的下层坝体21能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体50设置在围坝20上时，可以将封装体50焊接在下层坝体21上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的下层坝体21能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的下层坝体21比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，所述上层坝体22可以为金属材质或塑胶材质。
上层坝体22采用金属材质，能够提高整个围坝20的结构强度；上层坝体22采用塑胶材质，与金属材质相比，制造方法简单，制造成本低。
参见图7，在一些实施方式中，所述围坝20可以包括内层坝体23和外层坝体24，所述内层坝体23套设在所述外层坝体24内，所述内层坝体23为塑胶材质，所述内层坝体23具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述封装结构还可以包括：金属件30，所述金属件30设置在所述内层坝体23上并覆盖所述内层坝体23的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
相比陶瓷围坝，塑胶材质的内层坝体23在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为内层坝体23和外层坝体24两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体23和外层坝体24，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件30覆盖内层坝体23的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件30覆盖内层坝体23的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件30耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射内层坝体23从而破坏围坝20的结构，保障围坝20的整体性能稳定可靠；另外，金属件30还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，所述外层坝体24可以为金属材质或塑胶材质。
外层坝体24采用金属材质，能够提高整个围坝20的结构强度；外层坝体24采用塑胶材质，与金属材质相比，制造方法简单，制造成本低。
继续参见图7，在一些实施方式中，所述金属件30可以包括第一金属件31和/或第二金属件32，所述第一金属件31设置在所述内层坝体23上并覆盖所述内层坝体23的至少部分顶面，所述第二金属件32设置在所述内层坝体23上并覆盖所述内层坝体23的至少部分内侧面。
设置第一金属件31来覆盖内层坝体23的至少部分顶面，可以提供无机封装条件，气密性好；设置第二金属件32来覆盖内层坝体23的至少部分内侧面，可以提供耐受紫外线照射的功能；在具体实施中，可以根据实际应用中的需求选择合适的金属件30，例如在只需要无机封装的场合使用第一金属件31，在只需要耐受紫外线照射的场合使用第二金属件32，在同时需要无机封装和耐受紫外线照射的场合使用第一金属件31和第二金属件32。
参见图8，在一些实施方式中，所述围坝20可以包括内层坝体23和外层坝体24，所述内层坝体23套设在所述外层坝体24内，所述内层坝体23为金属材质。
相比陶瓷围坝，金属材质的内层坝体23在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为内层坝体23和外层坝体24两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体23和外层坝体24，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的内层坝体23能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体50设置在围坝20上时，可以将封装体50焊接在内层坝体23上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的内层坝体23能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的内层坝体23比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，所述外层坝体24可以为金属材质或塑胶材质。
外层坝体24采用金属材质，能够提高整个围坝20的结构强度；外层坝体24采用塑胶材质，与金属材质相比，制造方法简单，制造成本低。
参见图9，本申请实施例还提供了一种封装结构的制备方法，包括步骤S1～S2。
步骤S1：提供一玻璃基板10，所述玻璃基板10具有相对的上表面和下表面，在所述玻璃基板10的上表面设置导电层11；
步骤S2：提供一LED芯片40，将所述LED芯片40设置在所述玻璃基板10的上表面并电性连接所述导电层11；
所述导电层11采用以下任意一种方法得到：采用直接镀铜方式得到；采用丝网印刷方式得到；在所述玻璃基板10的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
以玻璃基板10作为LED光源封装结构的基板，在玻璃基板10上直接制作导电层11，由此，与导电层11电连接的LED芯片40发出的光直接穿过玻璃基板10这样一层介质射出，相比于现有技术下LED芯片40的光需要通过两层介质射出，光透过率得到提高，应用于玻璃幕墙LED显示屏时，显示屏的亮度高，节能环保。
继续参见图2，在一些实施方式中，所述导电层11可以采用直接镀铜方式得到，采用直接镀铜方式得到所述导电层11的方法可以包括步骤S201～S205。
步骤S201：对所述玻璃基板10的上表面先后进行两次真空镀膜，分别得到深色金属膜和铜膜；
步骤S202：对所述玻璃基板10的上表面进行曝光显影；
步骤S203：对所述玻璃基板10的上表面进行电镀；
步骤S204：对所述玻璃基板10的上表面进行去膜蚀刻；
步骤S205：对所述玻璃基板10的上表面进行表面处理。
由此，采用直接镀铜方式制作导电层11，工艺成熟，适用范围广；另外，在玻璃基板10的上表面先设置深色金属膜再设置铜膜，用此方式做出的线路，由于底部采用深色金属膜，深色金属膜呈钛灰色等深色，其光反射率比铜膜低，能够有效避免反光，做成显示屏后不反光，色彩饱和度高，提升玻璃幕墙LED显示屏的显示效果；线路解析度高，覆铜厚度可以灵活调整；另外，附着力好，线路不易脱落。
继续参见图9，在一些实施方式中，所述封装结构的制备方法还可以包括：
步骤S3：在所述玻璃基板10的上表面设置围坝20；
步骤S4：提供一封装体50，所述封装体50与围坝20配合封装所述LED芯片40。
由此，设置围坝和封装体，实现封装结构的封装。
在一些实施方式中，所述制备方法还可以包括在所述玻璃基板10的上表面设置基层，在所述基层上设置所述导电层11，所述基层由钛、镍中的一种或多种材料制成。
在玻璃基板10和导电层11之间设置颜色较深、附着性较好的基层，一方面，白天在室外看玻璃幕墙LED显示屏时，颜色较深的基层不易反光，另一方面基层附着性较高，可以增强封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，所述围坝20可以为塑胶围坝，所述围坝20具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述制备方法还可以包括：提供一金属件30，所述金属件30设置在所述围坝20上并覆盖所述围坝20的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
围坝20采用塑胶材质，一方面，相比于金属材质的围坝20来说，塑胶材料成本较低；一方面，围坝20的制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；一方面，通过金属件30覆盖围坝20的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；一方面，通过金属件30覆盖围坝20的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件30耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝20从而破坏围坝20的结构，保障围坝20的整体性能稳定可靠；另外，金属件30还可以增强围坝20的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，将所述金属件30设置在所述围坝20上的方法可以包括以下任意一种：将所述金属件30粘附在所述围坝20上；采用真空镀膜方式在所述围坝20上制作所述金属件30；先采用真空镀膜方式，后采用电镀方式在所述围坝20上制作所述金属件30。
金属件30可以粘附在围坝20的顶面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；金属件30还可以采用真空镀膜方式制作，与真空镀薄膜并电镀加厚的制作方式相比，对环境无污染，且制备得到的坝体宽度尺寸不受限制；金属件30还可以采用真空镀膜加电镀方式制作，这种制作方式工艺成熟，应用广泛。
在一些实施方式中，所述围坝20可以包括下层坝体21和上层坝体22，所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面，所述下层坝体21为塑胶材质，所述下层坝体21具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体22设置在所述下层坝体21的顶面并形成阶梯结构；所述封装结构的制备方法还可以包括：提供一金属件30，所述金属件30设置在所述下层坝体21上并覆盖所述下层坝体21的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
相比陶瓷围坝，塑胶材质的下层坝体21在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为下层坝体21和上层坝体22两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体22和下层坝体21，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件30覆盖围坝20的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件30覆盖围坝20的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件30耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射围坝20从而破坏围坝20的结构，保障围坝20的整体性能稳定可靠；另外，金属件30还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，将所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面的方法可以包括以下任意一种：将所述下层坝体21粘附在所述玻璃基板10的上表面；将所述金属件30作为制作所述下层坝体21的模具的一部分，采用注塑方式在所述玻璃基板10的上表面制作所述下层坝体21；将所述金属件30埋入制作所述下层坝体21的模具，采用注塑方式制作得到连接为一体的所述金属件30和所述下层坝体21，并将连接为一体的所述金属件30和所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面。
下层坝体21可以粘附在玻璃基板10的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；下层坝体21也可以采用注塑方式制作，注塑工艺生产速度快，效率高，操作可实现自动化；将金属件30作为制作下层坝体21的模具的一部分或者在下层坝体21的注塑成型过程中将金属件30埋入模具，能够将金属件30和下层坝体21牢固地结合，不需要再使用粘合剂使二者结合，提高封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，所述围坝20可以包括下层坝体21和上层坝体22，所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面，所述下层坝体21为金属材质，所述下层坝体21具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体22设置在所述下层坝体21的顶面并形成阶梯结构。
相比陶瓷围坝，金属材质的下层坝体21在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为下层坝体21和上层坝体22两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体22和下层坝体21，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的下层坝体21能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体50设置在围坝20上时，可以将封装体50焊接在下层坝体21上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的下层坝体21能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的下层坝体21比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，将所述下层坝体21设置在所述玻璃基板10的上表面的方法可以包括以下任意一种：将所述下层坝体21粘附在所述玻璃基板10的上表面；采用真空镀膜方式在所述玻璃基板10的上表面制作所述下层坝体21；先采用真空镀膜方式，后采用电镀方式在所述玻璃基板10的上表面制作所述下层坝体21。
下层坝体21可以粘附在玻璃基板10的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；下层坝体21也可以采用真空镀膜方式制作，与真空镀薄膜并电镀加厚的制作方式相比，对环境无污染，且制备得到的坝体宽度尺寸不受限制；下层坝体21还可以采用真空镀膜加电镀方式制作，这种制作方式工艺成熟，应用广泛。
在一些实施方式中，所述围坝20可以包括内层坝体23和外层坝体24，所述内层坝体23套设在所述外层坝体24内，所述内层坝体23为塑胶材质，所述内层坝体23具有顶面、相对的内侧面和外侧面；所述封装结构的制备方法还可以包括：提供一金属件30，所述金属件30设置在所述内层坝体23上并覆盖所述内层坝体23的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
相比陶瓷围坝，塑胶材质的内层坝体23在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，塑胶材料成本较低，制造方法简单，制造成本低，而且对环境的污染小，较为环保；相比塑胶围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为内层坝体23和外层坝体24两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体23和外层坝体24，通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广；通过金属件30覆盖内层坝体23的至少部分顶面，可以提供无机封装条件；通过金属件30覆盖内层坝体23的至少部分内侧面，提高紫外线照射的耐受程度，金属件30耐受紫外线照射，反射率高，能够避免紫外线直接照射内层坝体23从而破坏围坝20的结构，保障围坝20的整体性能稳定可靠；另外，金属件30还可以增强塑胶围坝的结构强度，提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，在所述玻璃基板10的上表面设置所述内层坝体23的方法可以包括以下任意一种：将所述内层坝体23粘附在所述玻璃基板10的上表面；将所述金属件30作为制作所述内层坝体23的模具的一部分，采用注塑方式在所述玻璃基板10的上表面制作内层坝体23；将所述金属件30埋入制作所述内层坝体23的模具，采用注塑方式制作得到连接为一体的所述金属件30和所述内层坝体23，并将连接为一体的所述金属件30和所述内层坝体23设置在所述玻璃基板10的上表面。
内层坝体23可以粘附在玻璃基板10的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；内层坝体23也可以采用注塑方式制作，注塑工艺生产速度快，效率高，操作可实现自动化；将金属件30作为制作内层坝体23的模具的一部分或者在内层坝体23的注塑成型过程中将金属件30埋入模具，能够将金属件30和内层坝体23牢固地结合，不需要再使用粘合剂使二者结合，提高封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，所述围坝20可以包括内层坝体23和外层坝体24，所述内层坝体23套设在所述外层坝体24内，所述内层坝体23为金属材质。
相比陶瓷围坝，金属材质的内层坝体23在制备时可以避免高温烧结步骤，制造成本低；相比金属围坝，采用模块化设计的理念，将围坝20分为内层坝体23和外层坝体24两部分，用户可以根据实际应用中的需求，各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的内层坝体23和外层坝体24，通过两层坝体之间的粘附、焊接或者先后制作两层坝体的方式形成整个围坝20，由此，使围坝20的制备过程更加灵活，适用范围广，且强度与金属围坝基本相同或相当；相比塑胶围坝，金属材质的内层坝体23能够提供无机封装条件，当封装结构需要将封装体50设置在围坝20上时，可以将封装体50焊接在内层坝体23上，气密性更佳，当封装结构产生UV光线时，金属材质的内层坝体23能够有效耐受UV照射，此外，金属材质的内层坝体23比塑胶围坝的强度更高，能提高整个封装结构的稳定性。
在一些实施方式中，在所述玻璃基板10的上表面设置所述内层坝体23的方法可以包括以下任意一种：将所述内层坝体23粘附在所述玻璃基板10的上表面；采用真空镀膜方式在所述玻璃基板10的上表面制作所述内层坝体23；先采用真空镀膜方式，后采用电镀方式在所述玻璃基板10的上表面制作所述内层坝体23。
内层坝体23可以粘附在玻璃基板10的上表面，粘附的连接方式工艺简单，成本较低，便于推广；内层坝体23也可以采用真空镀膜方式制作，与真空镀薄膜并电镀加厚的制作方式相比，对环境无污染，且制备得到的坝体宽度尺寸不受限制；内层坝体23还可以采用真空镀膜加电镀方式制作，这种制作方式工艺成熟，应用广泛。
本申请从使用目的上，效能上，进步及新颖性等观点进行阐述，已符合专利法所强调的功能增进及使用要件，本申请以上的说明书及说明书附图，仅为本申请的较佳实施例而已，并非以此局限本申请，因此，凡一切与本申请构造，装置，特征等近似、雷同的，即凡依本申请专利申请范围所作的等同替换或修饰等，皆应属本申请的专利申请保护的范围之内。
Claims (17)
1.一种玻璃线路板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面；
在所述玻璃基板的上表面设置导电层；
所述导电层采用以下任意一种方法得到：
采用直接镀铜方式得到；
采用丝网印刷方式得到；
在所述玻璃基板的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
2.根据权利要求1所述的玻璃线路板的制备方法，其特征在于，所述导电层采用直接镀铜方式得到，采用直接镀铜方式得到所述导电层的方法包括：
对所述玻璃基板的上表面先后进行两次真空镀膜，分别得到深色金属膜和铜膜；
对所述玻璃基板的上表面进行曝光显影；
对所述玻璃基板的上表面进行电镀；
对所述玻璃基板的上表面进行去膜蚀刻；
对所述玻璃基板的上表面进行表面处理。
3.根据权利要求2所述的玻璃线路板的制备方法，其特征在于，在对所述玻璃基板的上表面先后进行两次真空镀膜之前，对所述玻璃基板的上表面进行化学粗化。
4.一种由权利要求1-3中任一项玻璃线路板的制备方法制备而成的玻璃线路板，其特征在于，所述玻璃线路板包括：
玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面；
导电层，所述导电层设置于所述玻璃基板的上表面。
5.一种封装结构，其特征在于，包括：
玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，所述玻璃基板的上表面设置有导电层；
LED芯片，所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；
所述导电层采用以下任意一种方法得到：
采用直接镀铜方式得到；
采用丝网印刷方式得到；
在所述玻璃基板的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括：
围坝，所述围坝设置在所述玻璃基板的上表面；
封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构；
所述封装结构还包括：金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为金属材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构。
9.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为塑胶材质，所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面；
所述封装结构还包括：金属件，所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为金属材质。
11.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对的上表面和下表面，在所述玻璃基板的上表面设置导电层；
提供一LED芯片，将所述LED芯片设置在所述玻璃基板的上表面并电性连接所述导电层；
所述导电层采用以下任意一种方法得到：
采用直接镀铜方式得到；
采用丝网印刷方式得到；
在所述玻璃基板的上表面制作导电膜层，根据预设的电路图形，对所述导电膜层进行激光刻蚀或采用CNC加工方式去除部分导电膜层。
12.根据权利要求11所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电层采用直接镀铜方式得到，采用直接镀铜方式得到所述导电层的方法包括：
对所述玻璃基板的上表面先后进行两次真空镀膜，分别得到深色金属膜和铜膜；
对所述玻璃基板的上表面进行曝光显影；
对所述玻璃基板的上表面进行电镀；
对所述玻璃基板的上表面进行去膜蚀刻；
对所述玻璃基板的上表面进行表面处理。
13.根据权利要求11所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述封装结构的制备方法还包括：
在所述玻璃基板的上表面设置围坝；
提供一封装体，所述封装体与围坝配合封装所述LED芯片。
14.根据权利要求13所述封装结构的制备方法，其特征在于，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为塑胶材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构；
所述封装结构的制备方法还包括：提供一金属件，所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
15.根据权利要求13所述封装结构的制备方法，其特征在于，所述围坝包括下层坝体和上层坝体，所述下层坝体设置在所述玻璃基板的上表面，所述下层坝体为金属材质，所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面，所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构。
16.根据权利要求13所述封装结构的制备方法，其特征在于，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为塑胶材质，所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面；
所述封装结构的制备方法还包括：提供一金属件，所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
17.根据权利要求13所述封装结构的制备方法，其特征在于，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为金属材质。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110259649.5A CN113054076B (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 玻璃线路板及其制备方法、封装结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110259649.5A CN113054076B (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 玻璃线路板及其制备方法、封装结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113054076A true CN113054076A (zh) | 2021-06-29 |
| CN113054076B CN113054076B (zh) | 2022-09-02 |
Family
ID=76511779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110259649.5A Active CN113054076B (zh) | 2021-03-10 | 2021-03-10 | 玻璃线路板及其制备方法、封装结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113054076B (zh) |
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| CN111640845A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-08 | 旭宇光电（深圳）股份有限公司 | 深紫外led光源及其封装方法 |
| CN212659557U (zh) * | 2020-07-20 | 2021-03-05 | 麦科勒（滁州）新材料科技有限公司 | 一种显示可见光的紫外led灯珠 |
| CN212571036U (zh) * | 2020-08-04 | 2021-02-19 | 深圳市鼎华芯泰科技有限公司 | 一种深紫外led的封装支架和封装结构 |
| CN112151658A (zh) * | 2020-11-06 | 2020-12-29 | 松山湖材料实验室 | 一种围坝、安装座、发光二极管及其透镜的安装方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113054076B (zh) | 2022-09-02 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |