CN112992094B - 一种gip电路驱动方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种GIP电路驱动方法及显示装置,适用于GIP电路中晶体管的临限电压Vth为负值这一情况,通过调整控制信号V1的VGH来达到降低P2点的电压的作用,间接降低晶体管T13的栅源电压Vgs,改善晶体管T13在关态时的漏电情况。Q点不受漏电的影响,GIP电路仍可正常输出信号,这改善显示装置的显示品质,提升显示装置的观感,进而提高显示装置的竞争力。同时,GIP电路的结构简单,成本低,可以提升产品的品质与良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种GIP电路驱动方法。
背景技术
近年来,显示装置已进入产品多元化,由于产品的多样化应用与客端需求,显示装置在向着轻、薄、低功耗与低成本方面发展。其中,低成本与低功耗是相对重要得课题,为达到此需求,通常是导入金属氧化物(MOX)晶体管来达到此目的。
金属氧化物(MOX)晶体管相较于硅材料的晶体管来说,金属氧化物(MOX)晶体管的优势在于高电子迁移率。当金属氧化物(MOX)晶体管和硅材料的晶体管在相同的充电能力下,因为金属氧化物晶体管的尺寸会比硅材料的晶体管的尺较小,因此金属氧化物晶体管的功耗比硅材料的晶体管的功耗低。但是,金属氧化物晶体管的临限电压Vth特性比硅材料的晶体管的Vth特性偏负些,金属氧化物晶体管的临限电压Vth的数值也有可能为负值。
为了降低显示面板的制造成本并借以实现窄边框的目的,在制造过程中通常采用GIP(Gate in Panel,门面板)技术,直接将栅极电路(即GIP电路)集成于平板显示面板上。当GIP电路中晶体管的临限电压Vth为负值时,会造成元件发生漏电,Q点受漏电影响后会无法保持(holding)电压准位。当栅源电压VGS比临限电压Vth大则有漏电产生,差值越大则漏电越大。
发明内容
为此,需要提供一种GIP电路驱动方法及显示装置,解决GIP电路中的晶体管的临限电压Vth为负值时,元件发生漏电,进而影响到栅极线G(n)输出信号的能力。
为实现上述目的,本实施例提供一种GIP电路驱动方法,所述GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容;
所述晶体管T1的控制端连接栅极线G(n-1),所述晶体管T1的输入端连接电压信号Vfwd,所述晶体管T1的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端;
所述晶体管T2的输出端连接电压信号VGL,所述晶体管T2的输入端连接所述晶体管T3的控制端、所述晶体管T8的输出端、所述晶体管T10的输入端和所述晶体管T6的控制端;
所述晶体管T3的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T3的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK,所述晶体管T4的输出端连接所述晶体管T5的输入端和栅极线G(n);
所述晶体管T5的控制端连接所述晶体管T12的输入端,所述晶体管T5的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T6的输入端连接所述电容的第一极板和栅极线G(n),所述晶体管T6的输出端连接电压信号VGL,所述电容的第二极板连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的输入端相连接的线路上;
所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+1),所述晶体管T7的输入端连接电压信号Vbwd,所述晶体管T7的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端;
控制信号V2连接所述晶体管T8的控制端、所述晶体管T8的输入端和所述晶体管T11的控制端;
控制信号V1连接所述晶体管T9的控制端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的控制端,所述晶体管T9的输出端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T10的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T11的输入端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T11的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T12的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T13的控制端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T13的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T13的输出端连接电压信号VGL;
所述驱动方法用于驱动所述GIP电路执行如下步骤:
在第一预设时间的预充阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的输出阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的复位阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位;
在第一预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间中,控制信号V1写入的电位小于电压信号VGH的电位。
进一步地,控制信号V1写入的电位数值和电压信号VGH的电位数值的差在7V以上,在9V以下。
进一步地,电压信号VGH写入的电位在13V以上,电压信号VGH写入的电位在15V以下,控制信号V1写入的电位在6V以上,控制信号V1写入的电位在7V以上。
进一步地,所述第一预设时间为一帧。
进一步地,所述驱动方法还包括如下步骤:
在第二预设时间的预充阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第二预设时间的输出阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第二预设时间的复位阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位;
在第二预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。
进一步地,所述第二预设时间为一帧,所述第二预设时间位于第一预设时间之后。
进一步地,所述晶体管T12的尺寸大于所述晶体管T9的尺寸。
进一步地,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12和晶体管T13均的半导体层为金属氧化物。
本实施例还提供一种显示装置,包括GIP电路和驱动芯片,所述驱动芯片用于驱动GIP电路执行如下步骤:
在第一预设时间的预充阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的输出阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的复位阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位;
在第一预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。
进一步地,所述显示装置为LCD显示装置。
区别于现有技术,上述技术方案适用于GIP电路中晶体管的临限电压Vth为负值这一情况,通过调整控制信号V1的VGH来达到降低P2点的电压的作用,间接降低晶体管T13的栅源电压Vgs,改善晶体管T13在关态时的漏电情况。Q点不受漏电的影响,GIP电路仍可正常输出信号,这改善显示装置的显示品质,提升显示装置的观感,进而提高显示装置的竞争力。同时,GIP电路的结构简单,成本低,可以提升产品的品质与良率。
附图说明
图1为本实施例所述GIP电路的结构示意图;
图2为本实施例所述GIP电路的时序图;
图3为本实施例所述GIP电路在预充阶段的结构示意图;
图4为本实施例所述GIP电路在输出阶段的结构示意图;
图5为本实施例所述GIP电路在复位阶段的结构示意图;
图6为本实施例所述GIP电路在复位完成阶段的结构示意图;
图7为本实施例采用现有驱动方法所述GIP电路来驱动的电位图;
图8为采用本实施例的驱动方法来驱动所述GIP电路的电位图;
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图8,本实施例一种GIP电路驱动方法。所述GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容。所述晶体管T1的控制端连接栅极线G(n-1),所述晶体管T1的输入端连接电压信号Vfwd,所述晶体管T1的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端。所述晶体管T2的输出端连接电压信号VGL,所述晶体管T2的输入端连接所述晶体管T3的控制端、所述晶体管T8的输出端、所述晶体管T10的输入端和所述晶体管T6的控制端。所述晶体管T3的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T3的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK,所述晶体管T4的输出端连接所述晶体管T5的输入端和栅极线G(n)。所述晶体管T5的控制端连接所述晶体管T12的输入端,所述晶体管T5的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T6的输入端连接所述电容的第一极板和栅极线G(n),所述晶体管T6的输出端连接电压信号VGL,所述电容的第二极板连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的输入端相连接的线路上。所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+1),所述晶体管T7的输入端连接电压信号Vbwd,所述晶体管T7的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端。控制信号V2连接所述晶体管T8的控制端、所述晶体管T8的输入端和所述晶体管T11的控制端。控制信号V1连接所述晶体管T9的控制端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的控制端,所述晶体管T9的输出端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T10的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T11的输入端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T11的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T12的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T13的控制端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T13的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T13的输出端连接电压信号VGL。
在所述晶体管T3的输入端、所述晶体管T1的输出端和所述晶体管T4的控制端相连接的线路上设置Q点。在所述晶体管T8的输出端、所述晶体管T2的输入端、所述晶体管T6的控制端相连接的线路上设置P1点。在所述晶体管T9的输出端、所述晶体管T5的控制端和所述晶体管T12的输入端相连接的线路上设置P2点。
当该级GIP电路处于充能和输出阶段过渡的时间间隔内时,理论上这个时间段Q点处于浮动(floating)状态。以控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,GIP为16phase为例。若晶体管T13元件的临限电压Vth为负值,意味着晶体管T13在关态情况下漏电,导致Q点的电压下降,保持开启状态的晶体管T12在受Q点的影响,晶体管T12的开启电流减小,影响P2点下拉L,从而影响此刻受P2点作用而保持关闭状态的晶体管T3元件的漏电流增大,通过此循环将导致Q点持续下拉。
请参阅图7,图7为采用现有驱动方法来驱动该GIP电路,GIP电路中的G(1)级传给G(9),在520.0微秒(us)时,GOUT(1)给GOUT(9)充能,Q(9)电压上升。充能结束后,Q(9)处于floating状态,Q(9)持续通过晶体管T13下拉直至0V。后面CK(9)达到VGH时,Q(9)的电压一直维持在较低的范围,导致GOUT(9)无法正常输出,继而中断GIP电路的级传。需要说明的是,GOUT(9)表示第9级上的输出线,即第九级GIP电路上的栅极线G(n)。需要说明的是,图7上的横轴的单位为秒(时间单位),纵轴的单位为伏特(电压单位)。
请参阅图2,所述驱动方法用于驱动所述GIP电路执行如下步骤:在第一预设时间的预充阶段(Set),控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第一预设时间的输出阶段(Boot-strapping),控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第一预设时间的复位阶段(Reset),控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位。在第一预设时间的复位完成阶段(Next),控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第一预设时间中,控制信号V1写入的电位小于电压信号VGH的电位。
需要说明的是,电压信号VGH就是电路信号默认写入的高电位,电路信号像时钟信号CK、电压信号Vfwd这些信号。电压信号VGL就是电路信号默认写入的低电位。控制信号V1和控制信号V2写入的高电位分别是VGH1和VGH2,这通过驱动芯片(即驱动IC)来实现。
请参阅图8,所述驱动方法驱动的GIP电路中的GOUT(9)在550微秒(us)时,其电压逐渐上升,之后达到13V。在560微秒后,GOUT(9)的电位才逐渐下降,GOUT(9)是正常输出资料到显示装置上。
需要说明的是,预充阶段、输出阶段、复位阶段、复位完成阶段这四个阶段为自先而后的顺序。在这四个阶段中,电压信号Vfwd均写入高电位,电压信号VBwd均写入低电位。电压信号Vfwd写入的是高电位,我们可以设定电压信号Vfwd写入的高电位为15伏(V),这相当于电压信号VGH为15伏(V)。而电压信号Vbwd写入的是低电位,我们可以设定电压信号Vbwd写入的低电位为-10伏(V)。
需要说明的是,控制信号V1和控制信号V2二者为交替工作,即在一段预设时间(可以为第一预设时间)内,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,而在下一段预设时间(可以为第二预设时间)内,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位。GIP电路中除控制信号V1和控制信号V2外的输入信号默认的高电位设置值为VGH,低电位设置为VGL。此时,控制信号V1的高电位为VGH1,低电位为VGL;控制信号V2的高电位VGH2,低电位为VGL;VGH1和VGH2的值一样。
请参阅图3,在预充阶段,GIP电路中所述晶体管T12的尺寸大于所述晶体管T9的尺寸。晶体管T9的尺寸较小,因此晶体管T12的放电的能力比晶体管T9的充电能力强。
请参阅图4,在输出阶段,原本Q点的电压为H,附图上的H表示高电位(Highpotential),附图上的L表示低电位(Low potential)。Q点四周的晶体管关闭。Q点在受到时钟信号CK的作用,Q点的电压变为2H。
请参阅图5,图5为本实施例所述GIP电路在复位阶段的结构示意图。
请参阅图6,在复位完成阶段,控制信号V1和控制信号V2的时间差刚好为一个Frame,所以设V1为高电位,控制信号V2为低电位,两者电压的极性相反,即控制信号V1开P2点,控制信号V2开P1点,皆会拉低Q点电压。
上述技术方案从循环效益的源头(晶体管T13的关态漏电)入手,晶体管T13的关态稳定性与晶体管T13的栅源电压Vgs和晶体管T13的临限电压Vth的大小有关。当栅源电压Vgs比临限电压大,晶体管T13则有漏电流产生,而且二者的差值越大,则晶体管T13的漏电越大。晶体管T13的临限电压Vth=P2-VGL,临限电压Vth不变,VGL不变,则考虑降低P2点的电压。
上述技术方案适用于GIP电路中晶体管的临限电压Vth为负值这一情况,通过调整控制信号V1的VGH来达到降低P2点的电压的作用,间接降低晶体管T13的栅源电压Vgs,改善晶体管T13在关态时的漏电情况。Q点不受漏电的影响,GIP电路仍可正常输出信号,这改善显示装置的显示品质,提升显示装置的观感,进而提高显示装置的竞争力。同时,GIP电路的结构简单,成本低,可以提升产品的品质与良率。
在本实施例中,控制信号V1写入的电位和电压信号VGH的电位的差在7V以上,在9V以下,此时GIP电路的稳定性最佳。
在优选的实施例中,电压信号VGH写入的电位在13V以上,电压信号VGH写入的电位在15V以下,控制信号V1写入的电位在6V以上,控制信号V1写入的电位在7V以上。具体的,当电压信号VGH为13V时,控制信号V1从10V减小到6V,GIP级传数量逐渐改善,电压信号VGH与控制信号V1的差值为7V;当电压信号VGH为14V时,控制信号V1从10V减小到6V,GIP级传数量逐渐改善,电压信号VGH与控制信号V1的差值为8V;当电压信号VGH为15V时,控制信号V1从10V减小到6V,级传数量同样逐渐改善,电压信号VGH与控制信号V1的差值为9V。
在某些实施例中,控制信号V1写入的电位和电压信号VGH的电位的差在7V以下,或者在9V以上,也是可以的。例如电压信号VGH的电位为15V,控制信号V1的电位为9V;电压信号VGH的电位为15V,控制信号V1的电位为10V;电压信号VGH的电位为14V,控制信号V1的电位为4V;电压信号VGH的电位为13V,控制信号V1的电位为4V等。
在本实施例中,所述第一预设时间为一帧。在某些实施例中,所述第一预设时间为两帧、三帧、四帧等任意的时间。
在本实施例中,所述驱动方法还包括如下步骤:
在第二预设时间的预充阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第二预设时间的输出阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第二预设时间的复位阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位。在第二预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。
此时,在合理范围内增大VGH1的电压,可以增加GIP级传的数量。VGH1为控制信号V1外的元件的写入电压。增加VGH1的电位,使得VGH1的电位和电压信号VGH的电位之间的差值(VGH1的电位减电压信号VGH的电位)在7V以上,在9V以下,可以实现稳定GIP电路的稳定性,避免GIP电路出现异常,影响到画面的正常显示。
在本实施例中,所述第二预设时间为一帧,所述第二预设时间位于第一预设时间之后。
在本实施例中,晶体管作为开关来控制线路的导通与否。所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9、所述晶体管T10、所述晶体管T11、所述晶体管T12和所述晶体管T13均为薄膜晶体管。薄膜晶体管来驱动液晶像素点可以达到高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。
在某些实施例中,所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9、所述晶体管T10、所述晶体管T11、所述晶体管T12和所述晶体管T13均为MOS管。
在本实施例中,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12和晶体管T13均的半导体层为金属氧化物,金属氧化物可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化铟锌(IZO)等。在薄膜晶体管中,半导体层也被称作为有源层。金属氧化物晶体管的架构的尺寸会比硅材料的晶体管的尺较小,其功耗低,金属氧化物晶体管被广泛地应用于显示面板领域中。
在本实施例中,GIP电路通过栅极线G(n)连接显示装置上的像素,每个子像素处理一个色彩通道,使得显示装置可以显示画面。
本实施例还提供一种显示装置,包括GIP电路和驱动芯片。所述驱动芯片用于驱动GIP电路执行如下步骤:
在第一预设时间的预充阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第一预设时间的输出阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第一预设时间的复位阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位。在第一预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。在第一预设时间中,控制信号V1写入的电位小于电压信号VGH的电位。
所述GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容。所述晶体管T1的控制端连接栅极线G(n-1),所述晶体管T1的输入端连接电压信号Vfwd,所述晶体管T1的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端。所述晶体管T2的输出端连接电压信号VGL,所述晶体管T2的输入端连接所述晶体管T3的控制端、所述晶体管T8的输出端、所述晶体管T10的输入端和所述晶体管T6的控制端。所述晶体管T3的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T3的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK,所述晶体管T4的输出端连接所述晶体管T5的输入端和栅极线G(n)。所述晶体管T5的控制端连接所述晶体管T12的输入端,所述晶体管T5的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T6的输入端连接所述电容的第一极板和栅极线G(n),所述晶体管T6的输出端连接电压信号VGL,所述电容的第二极板连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的输入端相连接的线路上。所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+1),所述晶体管T7的输入端连接电压信号Vbwd,所述晶体管T7的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端。控制信号V2连接所述晶体管T8的控制端、所述晶体管T8的输入端和所述晶体管T11的控制端。控制信号V1连接所述晶体管T9的控制端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的控制端,所述晶体管T9的输出端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T10的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T11的输入端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T11的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T12的输出端连接电压信号VGL。所述晶体管T13的控制端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T13的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T13的输出端连接电压信号VGL。
在本实施例中,显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、等任何具有显示功能的产品或部件。所述显示装置为LCD显示装置或者OLED显示装置。LCD是Liquid Crystal Display的简称,中文为液晶显示器。LCD显示装置的优势是体积小、功耗低和高亮度。OLED是Organic Light-Emitting Diode的简称,中文为有机电激光显示或者有机发光半导体。OLED显示装置具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等特点,能满足消费者对显示技术的新需求。
需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种GIP电路驱动方法,其特征在于,所述GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容;
所述晶体管T1的控制端连接栅极线G(n-1),所述晶体管T1的输入端连接电压信号Vfwd,所述晶体管T1的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端;
所述晶体管T2的输出端连接电压信号VGL,所述晶体管T2的输入端连接所述晶体管T3的控制端、所述晶体管T8的输出端、所述晶体管T10的输入端和所述晶体管T6的控制端;
所述晶体管T3的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T3的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK,所述晶体管T4的输出端连接所述晶体管T5的输入端和栅极线G(n);
所述晶体管T5的控制端连接所述晶体管T12的输入端,所述晶体管T5的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T6的输入端连接所述电容的第一极板和栅极线G(n),所述晶体管T6的输出端连接电压信号VGL,所述电容的第二极板连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的输入端相连接的线路上;
所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+1),所述晶体管T7的输入端连接电压信号Vbwd,所述晶体管T7的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端;
控制信号V2连接所述晶体管T8的控制端、所述晶体管T8的输入端和所述晶体管T11的控制端;
控制信号V1连接所述晶体管T9的控制端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的控制端,所述晶体管T9的输出端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T10的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T11的输入端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T11的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T12的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T13的控制端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T13的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T13的输出端连接电压信号VGL;
所述驱动方法用于驱动所述GIP电路执行如下步骤:
在第一预设时间的预充阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的输出阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的复位阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位;
在第一预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间中,控制信号V1写入的电位小于电压信号VGH的电位。
2.根据权利要求1所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,控制信号V1写入的电位数值和电压信号VGH的电位数值的差在7V以上,在9V以下。
3.根据权利要求1或2所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,电压信号VGH写入的电位在13V以上,电压信号VGH写入的电位在15V以下,控制信号V1写入的电位在6V以上,控制信号V1写入的电位在7V以上。
4.根据权利要求1所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,所述第一预设时间为一帧。
5.根据权利要求1所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,所述驱动方法还包括如下步骤:
在第二预设时间的预充阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第二预设时间的输出阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第二预设时间的复位阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位;
在第二预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入低电位,控制信号V2写入高电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位。
6.根据权利要求5所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,所述第二预设时间为一帧,所述第二预设时间位于第一预设时间之后。
7.根据权利要求1所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,所述晶体管T12的尺寸大于所述晶体管T9的尺寸。
8.根据权利要求1所述的一种GIP电路驱动方法,其特征在于,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12和晶体管T13均的半导体层为金属氧化物。
9.一种显示装置,其特征在于,包括GIP电路和驱动芯片,所述GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12、晶体管T13和电容;
所述晶体管T1的控制端连接栅极线G(n-1),所述晶体管T1的输入端连接电压信号Vfwd,所述晶体管T1的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端;
所述晶体管T2的输出端连接电压信号VGL,所述晶体管T2的输入端连接所述晶体管T3的控制端、所述晶体管T8的输出端、所述晶体管T10的输入端和所述晶体管T6的控制端;
所述晶体管T3的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T3的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK,所述晶体管T4的输出端连接所述晶体管T5的输入端和栅极线G(n);
所述晶体管T5的控制端连接所述晶体管T12的输入端,所述晶体管T5的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T6的输入端连接所述电容的第一极板和栅极线G(n),所述晶体管T6的输出端连接电压信号VGL,所述电容的第二极板连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的输入端相连接的线路上;
所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+1),所述晶体管T7的输入端连接电压信号Vbwd,所述晶体管T7的输出端连接所述晶体管T2的控制端、所述晶体管T4的控制端和所述晶体管T12的控制端;
控制信号V2连接所述晶体管T8的控制端、所述晶体管T8的输入端和所述晶体管T11的控制端;
控制信号V1连接所述晶体管T9的控制端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的控制端,所述晶体管T9的输出端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T10的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T11的输入端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T11的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T12的输出端连接电压信号VGL;
所述晶体管T13的控制端连接到所述晶体管T5的控制端与所述晶体管T12的输入端相连接的线路上,所述晶体管T13的输入端连接到所述晶体管T1的输出端与所述晶体管T4的控制端相连接的线路上,所述晶体管T13的输出端连接电压信号VGL;
所述驱动芯片用于驱动GIP电路执行如下步骤:
在第一预设时间的预充阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入高电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的输出阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入高电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间的复位阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入低电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入高电位;
在第一预设时间的复位完成阶段,控制信号V1写入高电位,控制信号V2写入低电位,时钟信号CK写入高电位,栅极线G(n-1)写入低电位,栅极线G(n)写入低电位,栅极线G(n+1)写入低电位;
在第一预设时间中,控制信号V1写入的电位小于电压信号VGH的电位。
10.根据权利要求9所述的一种显示装置,其特征在于,所述显示装置为LCD显示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110203542.9A CN112992094B (zh) | 2021-02-23 | 2021-02-23 | 一种gip电路驱动方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110203542.9A CN112992094B (zh) | 2021-02-23 | 2021-02-23 | 一种gip电路驱动方法及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112992094A CN112992094A (zh) | 2021-06-18 |
CN112992094B true CN112992094B (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=76349821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110203542.9A Active CN112992094B (zh) | 2021-02-23 | 2021-02-23 | 一种gip电路驱动方法及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112992094B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113870787A (zh) * | 2021-09-29 | 2021-12-31 | 华映科技(集团)股份有限公司 | 一种解决Vth为负值时无法动作的GIP电路及其驱动方法 |
CN114942707B (zh) * | 2022-06-08 | 2024-05-10 | 福建华佳彩有限公司 | 一种提升gip驱动电路稳定性的触控显示屏 |
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---|---|---|---|---|
CN101567160A (zh) * | 2009-05-31 | 2009-10-28 | 上海广电光电子有限公司 | Gip型液晶显示面板及其检测方法 |
CN110428785A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-11-08 | 福建华佳彩有限公司 | Tft面板控制电路 |
CN112331149A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-05 | 福建华佳彩有限公司 | 一种栅极电路及驱动方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101441958B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2014-09-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 보상회로를 포함하는 액정표시장치 |
CN104882108B (zh) * | 2015-06-08 | 2017-03-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路 |
KR102499314B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102558898B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gip 구동 장치 및 이를 구비하는 유기발광 표시 장치 |
CN111161657A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-05-15 | 福建华佳彩有限公司 | 一种gip检测电路 |
-
2021
- 2021-02-23 CN CN202110203542.9A patent/CN112992094B/zh active Active
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CN112331149A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-05 | 福建华佳彩有限公司 | 一种栅极电路及驱动方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112992094A (zh) | 2021-06-18 |
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