CN112527149A - 一种提升显示稳定性的gip电路及驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公布一种提升显示稳定性的GIP电路及驱动方法，其中GIP电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、电容C1、电容C2和电容C3；上述技术方案通过晶体管T4来输出栅极线G(n)的资料，利用晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10来控制Q2节点的电位。还防止Q1节点的漏电，使得该级GIP电路后续的输出阶段的GIP输出信号无异常，解决了一般的GIP电路在触控后的显示暗纹问题。该结构解决GIP电路在不同触控模式下输出信号发生失真的问题，可以改善显示面板的显示品质和触控质量，提升显示面板的观感，进而提高显示面板的竞争力。

Description

一种提升显示稳定性的GIP电路及驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种提升显示稳定性的GIP电路及驱动方法。
背景技术
目前触控技术主要分为On-Cell技术和In-Cell技术，On Cell技术是指将触摸屏嵌入到显示屏和偏光片之间，即在显示面板上配触摸传感器；In-cell技术是指将触摸面板功能嵌入到Array基板上，这样由于少了一层触控屏的厚度，使得In-Cell面板的厚度得到降低。
采用In-Cell技术的显示面板具有产品更轻，厚度更低，透光性更好，减少屏幕贴合的时间，提高了生产效率等优点。但是采用In-Cell技术的显示面板在采用不同的方式进行触控时，会存在一些问题。
In-Cell显示面板的在触控显示时分为两种模式：请参阅图1，第一种模式可称其为Long V触控显示模式，Long V触控显示模式是在显示一帧画面时，将其分为DisplayTime和Blanking Time(触控插入到Blanking Time中)，即把Touch放在Display之后，两个时间段相加的和为一帧画面的时间。请参阅图2，第二种模式可称其为Long H触控显示模式，Long H触控显示模式是在显示一帧画面时，将Touch分批次的插入到Display中，即在一帧画面从上到下会分为Display(即显示)-Touch(即触控)-Display-Touch-Display这样的循环方式。在进行Long H触控显示模式时，由于触控阶段会插入在显示阶段，所以在采用GIP设计时，会由于两个显示段之间插入一个触控段，使得第二显示段的GIP电路的Q节点要在较长的时间内保持一个高电位(约200us左右)，由于晶体管的漏电问题，使得第二显示阶段的Q节点会存在较大的漏电问题，使得第二显示阶段第一行GIP和第一显示阶段GIP的Q节点会存在较大差异，从而有可能造成显示面板GIP输出信号的差异，使得显示面板出现水平暗线的问题。
发明内容
为此，需要提供一种提升显示稳定性的GIP电路及驱动方法，解决因为晶体管发生的漏电，影响到GIP输出信号，导致显示面板出现水平暗线的问题。
为实现上述目的，本实施例提供了一种提升显示稳定性的GIP电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、电容C1、电容C2和电容C3；
所述晶体管T1的控制端和所述晶体管T8的控制端分别连接栅极线G(n-4)，所述晶体管T1的输入端和所述晶体管T8的输入端分别连接开启电压VGH,所述晶体管T1的输出端连接晶体管T4的控制端，所述晶体管T8的输出端连接晶体管T9的控制端；
所述晶体管T9的输入端连接开启电压VGH，所述晶体管T9的输出端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上；
所述晶体管T2的控制端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上，所述晶体管T2的输入端分别连接晶体管T3的控制端、电容C1的第一极板和晶体管T6的控制端，所述晶体管T2的输出端、晶体管T3的输出端和晶体管T6的输出端分别连接关闭电压VGL；
电容C1的第二极板连接时钟信号CK；
所述晶体管T3的输入端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上；
所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK，晶体管T4的输出端连接栅极线G(n)，所述电容C2的第一极板连接晶体管T4的控制端，所述电容C2的第二极板连接到晶体管T4的输出端和栅极线G(n)相连接的线路上；
所述晶体管T6的输入端和晶体管T5的输入端分别连接栅极线G(n)，所述晶体管T5的控制端连接时钟信号CKB，所述晶体管T5的输出端连接关闭电压VGL；
所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+4)，所述晶体管T7的输入端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上，所述晶体管T7的输出端连接关闭电压VGL；
所述晶体管T10的控制端连接到时钟信号CK，所述晶体管T10的输入端连接到所述晶体管T8的输出端和晶体管T9的控制端相连接的线路上，所述晶体管T10的输出端连接关闭电压VGL；
所述电容C3的第一极板连接所述晶体管T8的输出端，所述电容C3的第二极板用于连接外部元器件。
进一步地，所述晶体管T1的输入端、所述晶体管T2的输入端、所述晶体管T3的输入端、所述晶体管T4的输入端、所述晶体管T5的输入端、所述晶体管T6的输入端、所述晶体管T7的输入端、所述晶体管T8的输入端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的输入端均为漏极。
进一步地，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9和所述晶体管T10均为薄膜晶体管。
进一步地，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9、所述晶体管T10、所述电容C1和所述电容C2均设置在显示面板上。
进一步地，所述显示面板为In-Cell显示面板。
本实施例还提供一种提升显示稳定性的GIP电路驱动方法，应用于上述任意一项实施例所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，包括触控阶段步骤：
在触控预充阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入高电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在触控稳压阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在触控输出阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入高电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入高电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在触控下拉阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB依次写入低电位、高电位和低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)依次写入高电位和低电位；
在触控下拉维持阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK依次循环写入高电位和低电位，时钟信号CKB依次循环写入低电位和高电位，栅极线G(n-4)、栅极线G(n)和栅极线G(n+4)分别写入低电位。
进一步地，还包括显示阶段步骤：
在显示预充阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入高电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在显示输出阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入高电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入高电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在显示下拉阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB依次写入低电位、高电位和低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)依次写入高电位和低电位；
在显示下拉维持阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK依次循环写入高电位和低电位，时钟信号CKB依次循环写入低电位和高电位，栅极线G(n-4)、栅极线G(n)和栅极线G(n+4)分别写入低电位。
进一步地，在预设时间内，所述显示阶段步骤和所述触控阶段步骤为依次循环。
区别于现有技术，上述技术方案通过晶体管T4来输出栅极线G(n)的资料，利用晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10来控制Q2节点的电位。可以防止了Q1节点的漏电，使得该级GIP电路后续的输出阶段的GIP输出信号无异常，解决了一般的GIP电路在触控后的显示暗纹问题。该结构解决GIP电路在不同触控模式下输出信号发生失真的问题，提供一个实现高清晰度的显示屏的解决方案，可以改善显示面板的显示品质和触控质量，提升显示面板的观感，进而提高显示面板的竞争力。
附图说明
图1为背景技术所述Long V触控显示模式的时序图；
图2为背景技术所述Long H触控显示模式的时序图；
图3为本实施例所述GIP电路的结构示意图；
图4为本实施例所述触控阶段的时序图；
图5为本实施例所述显示阶段的时序图；
图6为本实施例所述GIP电路在触控预充阶段的结构示意图；
图7为本实施例所述GIP电路在触控稳压阶段的结构示意图；
图8为本实施例所述GIP电路在触控输出阶段的结构示意图；
图9为本实施例所述GIP电路在触控下拉阶段的结构示意图；
图10为本实施例所述GIP电路在触控下拉维持阶段的结构示意图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图3至图10，本实施例提供一种提升显示稳定性的GIP电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、电容C1、电容C2和电容C3。所述晶体管T1的控制端和所述晶体管T8的控制端分别连接栅极线G(n-4)，所述晶体管T1的输入端和所述晶体管T8的输入端分别连接开启电压VGH,所述晶体管T1的输出端连接晶体管T4的控制端，所述晶体管T8的输出端连接晶体管T9的控制端。所述晶体管T9的输入端连接开启电压VGH，所述晶体管T9的输出端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上。所述晶体管T2的控制端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上，所述晶体管T2的输入端分别连接晶体管T3的控制端、电容C1的第一极板和晶体管T6的控制端，所述晶体管T2的输出端、晶体管T3的输出端和晶体管T6的输出端分别连接关闭电压VGL。电容C1的第二极板连接时钟信号CK。所述晶体管T3的输入端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上。所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK，晶体管T4的输出端连接栅极线G(n)，所述电容C2的第一极板连接晶体管T4的控制端，所述电容C2的第二极板连接到晶体管T4的输出端和栅极线G(n)相连接的线路上。所述晶体管T6的输入端和晶体管T5的输入端分别连接栅极线G(n)，所述晶体管T5的控制端连接时钟信号CKB，所述晶体管T5的输出端连接关闭电压VGL。所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+4)，所述晶体管T7的输入端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上，所述晶体管T7的输出端连接关闭电压VGL。所述晶体管T10的控制端连接到时钟信号CK，所述晶体管T10的输入端连接到所述晶体管T8的输出端和晶体管T9的控制端相连接的线路上，所述晶体管T10的输出端连接关闭电压VGL。所述电容C3的第一极板连接所述晶体管T8的输出端，所述电容C3的第二极板用于连接外部元器件。
上述技术方案通过晶体管T4来输出栅极线G(n)的资料，利用晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10来控制Q2节点的电位。可以防止了Q1节点的漏电，使得该级GIP电路后续的输出阶段的GIP输出信号无异常，解决了一般的GIP电路在触控后的显示暗纹问题。该结构解决GIP电路在不同触控模式下输出信号发生失真的问题，提供一个实现高清晰度的显示屏的解决方案，可以改善显示面板的显示品质和触控质量，提升显示面板的观感，进而提高显示面板的竞争力。
在本实施例中，晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流，本申请可以使用的晶体管有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，缩写TFT)、MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管，缩写MOSFET)、结场效应管等。优选的，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9和所述晶体管T10均为薄膜晶体管。薄膜晶体管作为开关来驱动液晶像素点可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。
在本实施例中，所述晶体管T1的输入端、所述晶体管T2的输入端、所述晶体管T3的输入端、所述晶体管T4的输入端、所述晶体管T5的输入端、所述晶体管T6的输入端、所述晶体管T7的输入端、所述晶体管T8的输入端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的输入端均为漏极，上述10个晶体管的输出端便为源极，上述10个晶体管的控制端为栅极。
在本实施例中，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9、所述晶体管T10、所述电容C1和所述电容C2均设置在显示面板上。在优选的实施例中，所述显示面板为in-cell显示面板。In-cell技术是指将触摸面板功能嵌入到Array基板上，这样由于少了一层触控屏的厚度，使得In-Cell面板的厚度得到降低。采用In-Cell技术的显示面板具有产品更轻，厚度更低，透光性更好，减少屏幕贴合的时间，提高了生产效率等优点。
在本实施例中，所述显示面板可以为LCD显示面板，LCD是Liquid CrystalDisplay的简称，中文为液晶显示器。LCD显示面板的优势是体积小、功耗低和高亮度。或者在某些实施例中，所述GIP电路还可以设置在OLED显示面板上，OLED是Organic Light-Emitting Diode的简称，中文为有机电激光显示或者有机发光半导体。OLED显示面板具有轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等特点，能满足消费者对显示技术的新需求。
要说明的是，VG(n)表示栅极线G(n)上的电压。显示面板中有多个这样的GIP电路，每个GIP电路通过栅极线G(n)连接到一个子像素中，以实现对子像素的驱动，每个GIP电路通过栅极线G(n+4)和栅极线G(n-4)连接驱动ic中，使得驱动ic通过GIP电路来驱动子像素。多个的子像素是阵列排布在显示面板上，而每个子像素的一侧均设置有一个GIP电路。
请参阅图3和图4，本实施例提供一种提升显示稳定性的GIP电路驱动方法，应用于上述任意一项实施例所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，包括触控阶段步骤：在触控预充阶段(即在图4上标注为a1)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入高电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；在触控稳压阶段(即在图4上标注为a2)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；在触控输出阶段(即在图4上标注为a3)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入高电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入高电位，栅极线G(n+4)写入低电位；在触控下拉阶段(即在图4上标注为a4)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB依次写入低电位、高电位和低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)依次写入高电位和低电位；在触控下拉维持阶段(即在图4上标注为a5)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK依次循环写入高电位和低电位，时钟信号CKB依次循环写入低电位和高电位，栅极线G(n-4)、栅极线G(n)和栅极线G(n+4)分别写入低电位。
请参阅图3和图5，在本实施例中，还包括显示阶段步骤：在显示预充阶段(即在图5上标注为t1)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入高电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；在显示输出阶段(即在图5上标注为t2)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入高电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入高电位，栅极线G(n+4)写入低电位；在显示下拉阶段(即在图5上标注为t3)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB依次写入低电位、高电位和低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)依次写入高电位和低电位；在显示下拉维持阶段(即在图5上标注为t4)，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK依次循环写入高电位和低电位，时钟信号CKB依次循环写入低电位和高电位，栅极线G(n-4)、栅极线G(n)和栅极线G(n+4)分别写入低电位。
要说明的是，在预设时间内，所述显示阶段步骤和所述触控阶段步骤为依次循环。所述显示阶段步骤和所述触控阶段步骤为依次循环。这个预设时间可以是一帧画面的时间，显示面板按显示阶段、触控阶段、显示阶段、触控阶段……来运行的，实现上文所述的Long H触控显示模式。当然，这个预设时间可以是半帧、两帧、十帧等。
请参阅图3、图4和图6，在此对该GIP电路的触控预充阶段(即在图4上标注为a1)进行说明：栅极线G(n-4)和开启电压VGH为高电位，晶体管T1和晶体管T8开启。VGH通过晶体管T1和晶体管T8来对Q1节点和Q2节点来进行充电，使得Q1节点和Q2节点处的电位上升为高电位，并控制晶体管T2、晶体管T4和晶体管T9开启。时钟信号CK和关闭电压VGL为低电位，通过晶体管T2和晶体管T4将栅极线G(n)和P节点的电位下拉，并使二者的电位维持在低电位。要说明的是，该触控预充阶段(即在图4上标注为a1)的工作方式和显示预充阶段(即在图5上标注为t1)的工作方式相同。
请参阅图3、图4和图7，在此对该GIP电路的触控稳压阶段(即在图4上标注为a2)进行说明：开启电压VGH、Q1节点和Q2节点为高电位，晶体管T2、晶体管T4和晶体管T9开启。栅极线G(n-4)、栅极线G(n+4)、时钟信号CK、时钟信号CKB、关闭电压VGL和P节点为低电位，晶体管T1、晶体管T3、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8和晶体管T10关闭。触控稳压阶段的持续时间为200us左右，也就是某一级的GIP电路的Q1节点的高电位在200us内要保持高电位。但是现有的GIP电路中晶体管会发生漏电，进而导致Q1节点也发生漏电，这就会造成后续输出阶段的栅极线G(n)输出的电压会比上一级的要低，这会造成显示面板在某些位置存在暗线问题，使得显示面板的显示效果不佳，影响显示面板的质量。而在本申请的GIP电路中的触控阶段，Q2节点为高电位，晶体管T9开启，使得Q1节点通过晶体管T8一直补充到与开启电压VGH相同的电位，防止了Q1节点的漏电，使得该级GIP电路后续的输出阶段的GIP输出信号无异常，解决了一般的GIP电路在触控后的显示暗纹问题。
请参阅图3、图4和图8，在此对该GIP电路的触控输出阶段(即在图4上标注为a3)进行说明：时钟信号CK和Q1节点为高电位，晶体管T2、晶体管T4和晶体管T10开启。栅极线G(n-4)、栅极线G(n+4)、关闭电压VGL和时钟信号CKB点为低电位，晶体管T1、晶体管T3、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7和晶体管T8关闭。由于晶体管T10打开，Q2节点的电位通过晶体管T10被关闭电压VGL拉低成低电位，使得晶体管T9关闭。由于晶体管T2打开，P节点通过晶体管T2被关闭电压VGL拉低成低电位。由于晶体管T4打开，时钟信号CK为高电位，此时栅极线G(n)为高电位，且Q1节点受电容C2的耦合效应影响升高为2H的电位，提高了栅极线G(n)输出的稳定性。要说明的是，该触控输出阶段(即在图4上标注为a3)的工作方式和显示输出阶段(即在图5上标注为t2)的工作方式相同。
请参阅图3、图4和图9，在此对该GIP电路的触控下拉阶段(即在图4上标注为a4)进行说明：栅极线G(n+4)、时钟信号CKB和开启电压VGH为高电位，晶体管T5和晶体管T7开启。栅极线G(n-4)、时钟信号CK和关闭电压VGL为低电位，晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T6、晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10关闭。由于Q1节点的前期为高电位，晶体管T4开启，栅极线G(n)的电位通过晶体管T4和晶体管T5被时钟信号CK和关闭电压VGL拉低至低电位，同时Q1节点的电位通过晶体管T7被关闭电压VGL拉低至低电位，由于此时时钟信号CK为低电位，P节点受电容C1耦合的影响，P节点仍然为低电位。要说明的是，该触控下拉阶段(即在图4上标注为a4)的工作方式和显示下拉阶段(即在图5上标注为t3)的工作方式相同。
请参阅图3、图4和图10，在此对该GIP电路的触控下拉维持阶段(即在图4上标注为a5)进行说明：P节点受时钟信号CK的耦合作用，当P点为高电位时，晶体管T3和晶体管T6均打开，使得Q1节点的电位和栅极线G(n)的电位分别通过晶体管T3和晶体管T6被关闭电压VGL拉低到低电位，在时钟信号CK为高电位时，Q2节点被下拉到低电位。要说明的是，该触控下拉维持阶段(即在图4上标注为a5)的工作方式和显示下拉维持阶段(即在图5上标注为t4)的工作方式相同。
上述技术方案解决GIP电路在不同触控模式下输出信号发生失真的问题，提供一个实现高清晰度的显示屏的解决方案，可以改善显示面板的显示品质和触控质量，提升显示面板的观感，进而提高显示面板的竞争力。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。

Claims (8)

1.一种提升显示稳定性的GIP电路，其特征在于，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、电容C1、电容C2和电容C3；
所述晶体管T1的控制端和所述晶体管T8的控制端分别连接栅极线G(n-4)，所述晶体管T1的输入端和所述晶体管T8的输入端分别连接开启电压VGH,所述晶体管T1的输出端连接晶体管T4的控制端，所述晶体管T8的输出端连接晶体管T9的控制端；
所述晶体管T9的输入端连接开启电压VGH，所述晶体管T9的输出端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上；
所述晶体管T2的控制端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上，所述晶体管T2的输入端分别连接晶体管T3的控制端、电容C1的第一极板和晶体管T6的控制端，所述晶体管T2的输出端、晶体管T3的输出端和晶体管T6的输出端分别连接关闭电压VGL；
电容C1的第二极板连接时钟信号CK；
所述晶体管T3的输入端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上；
所述晶体管T4的输入端连接时钟信号CK，晶体管T4的输出端连接栅极线G(n)，所述电容C2的第一极板连接晶体管T4的控制端，所述电容C2的第二极板连接到晶体管T4的输出端和栅极线G(n)相连接的线路上；
所述晶体管T6的输入端和晶体管T5的输入端分别连接栅极线G(n)，所述晶体管T5的控制端连接时钟信号CKB，所述晶体管T5的输出端连接关闭电压VGL；
所述晶体管T7的控制端连接栅极线G(n+4)，所述晶体管T7的输入端连接到晶体管T1的输出端和晶体管T4的控制端相连接的线路上，所述晶体管T7的输出端连接关闭电压VGL；
所述晶体管T10的控制端连接到时钟信号CK，所述晶体管T10的输入端连接到所述晶体管T8的输出端和晶体管T9的控制端相连接的线路上，所述晶体管T10的输出端连接关闭电压VGL；
所述电容C3的第一极板连接所述晶体管T8的输出端，所述电容C3的第二极板用于连接外部元器件。
2.根据权利要求1所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，其特征在于，所述晶体管T1的输入端、所述晶体管T2的输入端、所述晶体管T3的输入端、所述晶体管T4的输入端、所述晶体管T5的输入端、所述晶体管T6的输入端、所述晶体管T7的输入端、所述晶体管T8的输入端、所述晶体管T9的输入端和所述晶体管T10的输入端均为漏极。
3.根据权利要求1所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，其特征在于，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9和所述晶体管T10均为薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，其特征在于，所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3、所述晶体管T4、所述晶体管T5、所述晶体管T6、所述晶体管T7、所述晶体管T8、所述晶体管T9、所述晶体管T10、所述电容C1和所述电容C2均设置在显示面板上。
5.根据权利要求4所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，其特征在于，所述显示面板为In-Cell显示面板。
6.一种提升显示稳定性的GIP电路驱动方法，其特征在于，应用于权利要求1至5任意一项所述的一种提升显示稳定性的GIP电路，包括触控阶段步骤：
在触控预充阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入高电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在触控稳压阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在触控输出阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入高电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入高电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在触控下拉阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB依次写入低电位、高电位和低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)依次写入高电位和低电位；
在触控下拉维持阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK依次循环写入高电位和低电位，时钟信号CKB依次循环写入低电位和高电位，栅极线G(n-4)、栅极线G(n)和栅极线G(n+4)分别写入低电位。
7.根据权利要求6所述的一种提升显示稳定性的GIP电路驱动方法，其特征在于，还包括显示阶段步骤：
在显示预充阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入高电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在显示输出阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入高电位，时钟信号CKB写入低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入高电位，栅极线G(n+4)写入低电位；
在显示下拉阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK写入低电位，时钟信号CKB依次写入低电位、高电位和低电位，栅极线G(n-4)写入低电位，栅极线G(n)写入低电位，栅极线G(n+4)依次写入高电位和低电位；
在显示下拉维持阶段，开启电压VGH写入高电位，关闭电压VGL写入低电位，时钟信号CK依次循环写入高电位和低电位，时钟信号CKB依次循环写入低电位和高电位，栅极线G(n-4)、栅极线G(n)和栅极线G(n+4)分别写入低电位。
8.根据权利要求7所述的一种提升显示稳定性的GIP电路驱动方法，其特征在于，在预设时间内，所述显示阶段步骤和所述触控阶段步骤为依次循环。
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