CN112967985A - 转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置 - Google Patents
转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112967985A CN112967985A CN202011040663.8A CN202011040663A CN112967985A CN 112967985 A CN112967985 A CN 112967985A CN 202011040663 A CN202011040663 A CN 202011040663A CN 112967985 A CN112967985 A CN 112967985A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- transfer
- transfer structure
- accommodating groove
- carrier plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 78
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 perchloroethylene, trichloroethylene, ethylene glycol ether Chemical compound 0.000 description 7
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 7
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 208000010727 head pressing Diseases 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置。该转移结构包括载板主体；容置槽，开设在所述载板主体的一侧；尖刺部，设置于所述容置槽的内部；以及隔离层，将解粘剂封于容置槽内的隔离层。在进行芯片转移时，芯片粘附于隔离层上，向载板主体的方向活动的过程中，尖刺部戳破隔离层，并使解粘剂通过隔离层被戳破的破口与芯片的粘接材料接触以实现解粘。通过降低芯片与转移结构之间的粘接力，使得芯片更容易被拾取，从而在一些实施过程中达到提高芯片转移成功率的效果。
Description
技术领域
本发明涉及微型器件制作领域，尤其涉及一种转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置。
背景技术
在如Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)等微型器件的制作过程中，需要通过巨量转移等方式将微型器件进行多次转移。在转移的过程中，微型器件被设置到转移结构上暂时存放，再由转移结构上转移至后续的载板。转移过程的高难度已成为目前Micro LED实现产业化的拦路虎，在转移的过程中，经常出现没有成功将微型器件进行拾取等原因而导致最终制作出的显示面板存在芯片缺失的情况。
因此，如何提高芯片等微型器件的转移成功率是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置，旨在解决芯片等微型器件的转移成功率的问题。
一种转移结构，包括：
载板主体；
容置槽，所述容置槽开设在所述载板主体的一侧，所述容置槽的位置对应于生长载板上所生长的芯片的位置，用于存放解粘剂；
隔离层，所述隔离层设置于所述载板主体设有所述容置槽的一侧，所述隔离层将所述解粘剂密封于容置槽内；
尖刺部，所述尖刺部设置于所述容置槽的内部，用于戳破所述隔离层；
在进行转移时，所述芯片粘附于所述隔离层上，向所述载板主体的方向活动的过程中，所述隔离层被所述尖刺部戳破。
上述转移结构，通过容置槽和隔离层将解粘剂存放在转移结构的内部，在需要进行再次转移时，可以利用尖刺部戳破隔离层，使得解粘剂能够通过隔离层被戳破的破口接触到粘接材料以实现解粘，通过减小芯片与转移结构的粘接力从而使得芯片更容易被拾取，提高转移的成功率；并且，可以仅对转移结构上的部分芯片进行加压以解粘，可见本实施例的转移结构也有利于进行选择性转移。
可选地，每个所述容置槽中包括一个所述尖刺部，且位于所述容置槽的中轴，或，每个所述容置槽中包括至少两个所述尖刺部，各所述尖刺部等间隔设置。
尖刺部的合理设置，保证在转移过程中解粘的效果以及在一些实施过程中保证芯片姿态的稳定。
可选地，所述隔离层包括静电膜，所述静电膜通过静电贴附于所述载板主体。
静电膜作为隔离层，可以利用静电直接贴附到载板主体上，不需要额外的胶材，使得转移结构的结构更简单且易于制作，同时成本低。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种转移结构制作方法，包括：
提供一载板主体；
在所述载板主体的其中一侧形成容置槽以及尖刺部，所述容置槽的位置对应于生长载板上所生长的芯片的位置，用于存放解粘剂，所述尖刺部设置于所述容置槽的内部，用于戳破覆盖所述容置槽的隔离层；
在所述容置槽中设置解粘剂；
在所述载板主体设有所述容置槽的一侧设置隔离层，将所述解粘剂封于容置槽内。
上述转移结构制作方法，能够制成出如上所述的转移结构，制得的转移结构应用于芯片转移时，可以利用尖刺部戳破隔离层，使得解粘剂能够通过隔离层被戳破的破口接触到粘接材料以实现解粘，通过减小芯片与转移结构的粘接力从而使得芯片更容易被拾取，提高转移的成功率。
可选地，所述在所述载板主体的其中一侧开设容置槽并形成尖刺部包括：
在所述载板主体的其中一侧涂布光阻材料；
利用半色调掩膜板对所述光阻材料进行图案化，所述光阻材料形成的图案对应于所述容置槽以及所述尖刺部；
通过蚀刻形成所述容置槽以及所述尖刺部。
通过光阻材料图案化和蚀刻的方式在载板主体上形成容置槽以及尖刺部，在一些制作过程中，所制成的转移结构相较于机械切割成型的精度更高，形成的容置槽以及尖刺部位置更准确，且规格更一致，有利于保证芯片转移过程中的成功率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移方法，包括：
提供一转移结构，所述转移结构为如上所述的转移结构；
将芯片转移至所述转移结构，每个所述芯片分别与一个所述容置槽所处的区域粘接；
对所述芯片施加向所述尖刺部靠近的压力，使其对应的隔离层形变直至被所述尖刺部戳破；
使所述解粘剂通过所述隔离层被戳破的区域与粘接所述芯片的粘接材料接触以实现解粘；
将被解粘的所述芯片转移至目标载板。
上述芯片转移方法通过利用上述的转移结构，在进行芯片转移时，可直接利用转移结构内存放的解粘剂对芯片的粘接材料实现解粘，降低芯片与转移结构之间的粘接力度，通过减小芯片与转移结构的粘接力从而使得芯片更容易被拾取，提高转移的成功率，同时，上述方法便捷高效。
可选地，所述对所述芯片施加向所述尖刺部靠近的压力包括：
使用转移头对所述芯片施加向所述尖刺部靠近的压力；
所述将被解粘的所述芯片转移至目标载板包括：
使用所述转移头对所述芯片进行拾取并转移至所述目标载板。
通过转移头直接进行解粘的施压和解粘后的拾取步骤，便捷高效，提升转移效率。
可选的，所述使所述解粘剂通过所述隔离层被戳破的区域与芯片上的粘接胶接触以实现解粘包括：
对所述转移结构进行超声波振动，以使所述解粘剂通过所述隔离层被戳破的区域浸润所述粘接材料。
通过超声波振动，解粘剂可高效且均匀的浸润所述粘接材料以实现解粘。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板上设置有多个固晶区；所述显示面板还包括多颗发光芯片，所述多颗发光芯片通过如上所述的芯片转移方法，转移至所述固晶区上完成键合。
由于采用了上述的芯片转移方法，使得发光芯片的转移成功率高，显示面板中发光芯片缺失率低，显示面板的制成后的品质得到保证，且显示面板的制作便捷高效。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
由于显示装置包括上述的显示面板，因而该显示装置中发光芯片的缺失率低，制成后的品质得到保证，且显示装置的制作也相对便捷高效。
附图说明
图1为本发明实施例提供的转移结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的载板主体的结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的载板主体的结构示意图二；
图4为本发明实施例提供的芯片设置位置的一种示意图；
图5为本发明实施例提供的转移结构示意图二；
图6a为本发明另一可选实施例提供的转移结构制作方法的流程示意图；
图6b为本发明另一可选实施例提供的转移结构制作过程示意图；
图7a为本发明另一可选实施例提供的形成容置槽以及尖刺部的一种流程示意图；
图7b为本发明另一可选实施例提供的形成容置槽以及尖刺部的一种制作过程示意图；
图8a为本发明又一可选实施例提供的芯片转移方法的流程示意图；
图8b为本发明又一可选实施例提供的芯片转移方法的过程示意图；
图9为本发明又一可选实施例提供的生长基板及芯片的结构示意图；
图10为本发明又一可选实施例提供的转移结构的隔离层上涂布光解胶的结构示意图；
图11为本发明又一可选实施例提供的生长基板与转移结构对向贴合的示意图；
图12为本发明又一可选实施例提供的剥离生长基板的示意图；
图13为本发明又一可选实施例提供的转移头下压芯片的的示意图；
图14为本发明又一可选实施例提供的转移头将芯片放置到目标载板的示意图；
附图标记说明：
1-载板主体；2-容置槽；3-尖刺部；4-隔离层；5-解粘剂；6-光阻材料；7-半色调掩模版；8-粘接材料；9-芯片；10-生长基板；11-转移头；12-目标载板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
现有技术中在对芯片进行转移时，容易产生芯片缺失等问题，转移成功率低。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
实施例：
本实施例提供一种转移结构，如图1所示，本实施例的转移结构包括载板主体1，载板主体1的材质可以为包括但不限于例如蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，或其他半导体基板材料。在载板主体1的一侧开设有容置槽2，该容置槽2的位置对应于生长基板上所生长的芯片的位置，用于存放解粘剂5。在容置槽2的内部还设置有尖刺部3，该尖刺部3用于戳破覆盖在其上方的隔离层4，可以理解的是，在正常状态下，尖刺部3不接触隔离层4，或刚好接触隔离层4，一般而言，其不从容置槽2的槽口凸出。在载板主体1开设有容置槽2的一侧，设置有隔离层4，该隔离层4将解粘剂5密封在容置槽2中，并且在实际应用中，该隔离层4受力会产生形变。应当说明的是，本实施例中的解粘剂5是指能够使得芯片与转移结构之间粘接材料的粘性降低或完全解除粘性的材料，其可以是通过化学反应使得粘接材料失去粘性，也可以通过将粘接材料溶解等物理方式使芯片与隔离层之间的粘性减弱。
在进行转移时，芯片被粘附于隔离层上，具体的，其粘附的位置对应于容置槽的位置。并且，芯片粘附到隔离层之后，能够向载板主体的方向活动，可以理解的是，芯片向载板主体的方向活动时，隔离层同时会产生形变，并且，芯片与转移结构相粘附接触的面积小于容置槽的槽口的面积，且芯片向容置槽底部方向的投影会完全落入容置槽的槽口的范围，从而保证芯片向靠近容置槽底部活动时不会受到容置槽的阻挡。应当理解的是，本实施例的隔离层在一定大小的力的作用下才会产生显著的形变，在正常的状态下，隔离层整体为平面，且芯片以及其本身的重力对其形成的形变是可以忽略不计的。在芯片被转移到转移结构之后，可对芯片施加压力，从而使得该芯片向容置槽底部靠近，隔离层作为转移结构上对芯片形成直接支撑的部分，在芯片的压力下发生形变，且形变的区域随芯片靠近容置槽底部，使隔离层与尖刺部接触并被戳破，容置槽内部所存放的解粘剂可通过被戳破的区域浸出，将芯片与转移结构粘接的粘接材料进行解粘。因而，不需要通过复杂的解粘工艺，只需要利用转移结构中存放的解粘剂即可实现粘接材料的解粘，利于提高芯片转移的成功率的同时，转移的方式简单便捷，转移效率也能够保证。
一些示例中，如图2，容置槽2中包括一个尖刺部3，且位于容置槽2的中轴，可以理解的是，一些实施过程中，当芯片转移到转移结构上之后，尖刺部3所对准的位置位于芯片的对称轴上，当隔离层被戳破，解粘剂从芯片的中心位置开始将粘接材料解粘，能够有较好的解粘效果。在另一些示例，容置槽中包括至少两个等间隔设置的尖刺部，如图3示出了容置槽2中设置两个尖刺部3的示例，这样的示例中，粘接芯片的粘接材料被较为均匀的解粘，同样有较好的解粘效果。
参见图4所示，作为一种更为具体的示例，容置槽2中包括两个尖刺部3，芯片有两极，且两个尖刺部3的位置分别对应于芯片上的两个电极的位置，当芯片受压时，其两个电极粘接的位置的隔离层4的形变最为显著，并能够更容易的被尖刺部3戳破，同时，电极下方的尖刺部3在芯片两个电极的位置形成稳定的支撑，防止芯片受压发生倾斜。同时可以理解的是，在使用本实施例中的转移结构进行芯片转移时，在隔离层4被戳破之后应当及时停止对芯片的施压，避免芯片被尖刺部3损坏，实际生产中，技术人员可以多次试验、调试以设定较为合适的施压力度和施压时间。
实际应用中，例如图1中的示例，解粘剂5并非完全充满容置槽2，例如解粘剂5的体积仅占容置槽2容积的一半、三分之二或五分之三等，容置槽2中余出一部分空间充满空气，空气更容易被压缩，这部分空间所密封的空气使得芯片在受压带动隔离层4向设有尖刺部3的方向形变时更为容易。
本实施例中，容置槽的内部形状和尖刺部的形状并不受限制，例如容置槽的槽口可以形成为与芯片的形状对应但比芯片略大的形状，或与芯片不同的其他形状，容置槽的底部可以是例如图1-图4中示出的小于槽口的样式，且容置槽的侧壁是倾斜的，也可以形成为底部与槽口等大或大于槽口的容置槽，例如图5中所示的转移结构中，容置槽2的底部与槽口等大。尖刺部则只需要在靠近隔离膜的一侧是尖锐的形状，其应当满足能够在对芯片施加不损坏芯片和隔离膜以外的其他结构的压力的情况下能够将隔离膜戳破。尖刺部的形状可以是锥体，也可以整体为刀片型或其他形状，在此不做限制，其尖锐的一端靠近隔离层。
在实际应用中，尖刺部与隔离膜之间可以留有适当的间隙，该间隙保证在将芯片转移到本实施例的转移结构的过程中，不会因芯片粘接到转移结构时的动作而导致尖刺部将隔离膜戳破，或保证其他工艺步骤中不会意外导致尖刺部将隔离膜戳破。或者，可以设置尖刺部的顶部较为钝或设置隔离膜的强度略高，应当满足在较轻的力度下并不会将隔离膜戳破，而在需要将芯片从转移结构上拾取下时，可以对其施加较大的压力，在需要的情况下能够将隔离膜戳破以对粘接材料进行解粘。
在一些示例中，芯片通过有机粘接胶材粘附于隔离层上，解粘剂可包括有机溶剂，通过有机溶剂对有机粘接胶材进行溶剂以达到解粘的效果。示例性的，有机粘接胶材可以是包括但不限于光解胶或热解胶等胶材，有机溶剂可以是包括但不限于丙酮、甲苯、苯乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯、乙烯乙二醇醚和三乙醇胺等。在实际应用中，可以选择对于隔离层和粘接材料的浸润性较好的有机溶剂，当隔离膜被刺破后，容置槽内部的解粘剂更容易通过隔离层与外部的粘接胶接触。
可选的，隔离层包括静电膜，静电膜通过静电贴附到载板主体上。示例性的，静电膜可以是包括但不限于聚乙烯(polyethylene，简称PE)膜等。在例如解粘剂包括有机溶剂的应用示例中，静电膜应当选用与解粘剂对应的材质，即静电膜的材质不溶于解粘剂或不发生反应。在另一些示例中，隔离层可以是其他非静电贴附的材质，可选用不受解粘剂影响的粘接材料将隔离层与载板主体进行结合。
本实施例中所提供的转移结构，将能够解除或降低芯片与转移结构之间的粘性的物质(即解粘剂)保存于转移结构的内部，即容置槽之中，当需要对芯片进行再次转移时，可以通过下压芯片，使得隔离层发生形变并被容置槽内部的尖刺部戳破，解粘剂能够直接从芯片与隔离层之间的粘接处开始解除粘接材料的粘性。由于芯片与隔离层之间的粘接材料粘性降低，芯片能够更加容易的从转移结构上拾取下来，进而保证了转移的成功率，并且，可以仅对转移结构上的部分芯片进行加压以解粘，可见本实施例的转移结构也有利于进行选择性转移。
本发明另一可选实施例：
为便于理解，本实施例提供一种转移结构制作方法，其能够制作上述的转移结构，请参见图6a、6b，该方法包括但不限于：
S601、提供一载板主体；
如上所示，该载板主体1可以为包括但不限于例如蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，或其他半导体基板材料。本示例中，提供的载板主体1为一整块材料。
S602、在载板主体的其中一侧形成容置槽以及尖刺部；
示例性的，容置槽2以及尖刺部3可以通过腐蚀、光刻、切割等方式在载板主体1上形成。可以理解的是，容置槽2的槽口应当比该转移结构将会转移的芯片的一侧更大，以保证芯片向靠近容置槽2底部活动时不会受到容置槽2的阻挡。
S603、在容置槽中设置解粘剂；
当容置槽2形成后，在容置槽2中添加解粘剂5，在一些实施方式中，容置槽2中设置的尖刺部3可能将同一个容置槽2分割为几个互不连通的容置区域，因而在设置解粘剂5时，应当尽量使得每一个尖刺部3所相邻的容置区域至少有一个存放有解粘剂5，在实际应用中，使得所有容置区域均存放有一定量的解粘剂5能够达到较好的效果。
S604、在载板主体设有容置槽的一侧设置隔离层，将解粘剂封于容置槽内；
本实施例中，将隔离层4覆盖到容置槽2上方，可以理解的是，解粘剂5是不会透过隔离层4的，且隔离层4不被解粘剂5溶解或与解粘剂5发生反应。如上所示，本实施例中隔离层4整体为一个平面，也就是说隔离层4并非与载板主体1的表面完全贴合设置的，载板主体1上凹进去的容置槽2与隔离层4一起形成了密封的容置区域，解粘剂5则填充在该密封的容置区域内。在实际应用中，其可以是一层膜结构，例如包括但不限于聚乙烯膜等通常情况下不溶于例如水、有机溶剂等一般溶剂的塑料膜。隔离层可以通过包括但不限于静电贴附或粘贴的方式设置到载板上。作为一种示例，隔离层使用包括但不限于聚乙烯膜等静电膜，在解粘剂填充完毕后，将聚乙烯膜直接贴附到载板主体上，利用聚乙烯膜的静电力实现与载板主体的粘着。
在一些实施方式中，容置槽和尖刺部可以通过光刻的方式同时形成，为更详细的说明，下面结合一种应用示例对制作方式进行说明。参见图7a、7b，在本示例中，步骤S602包括：
S6021、在载板主体的其中一侧涂布光阻材料；
光阻材料6以一定的厚度涂布于载板主体1一侧的表面。应当说明的是，该光阻材料6可以是正向光阻也可以是负向光阻，正向光阻受到目标光线(通常为紫外光)照射后，被照射到的部分可被显影液洗去，未被照射到的部分可被保留；而采用负向光阻时，被目标光线照射到的部分会被保留，未被照射到的部分可被洗去，本实施例中以正向光阻为例进行说明。
光阻材料6设置完毕后，利用半色调掩膜板7对光阻材料6进行图案化，光阻材料6形成的图案对应于容置槽以及尖刺部；在具体示例中，该过程可包括以下步骤S6022至S6023。
S6022、透过半色调掩膜板对光阻材料进行曝光；
S6023、使用显影液对曝光后的光阻材料进行清洗；
应当说明的是，半色调掩膜板中的透光区域、半透光区域以及不透光区域均是对应于容置槽和尖刺部布置的，因而，光阻材料图案化后形成的图案也对应于容置槽和尖刺部。
具体的，将半色调掩膜板设置在转移结构设有光阻材料的一侧，这一侧即是转移结构中将会形成容置槽以及尖刺部的一侧。通过目标光线透过半色调掩膜板对光阻材料进行照射，并进行显影，得到所需的光阻材料图案。
S6024、通过蚀刻形成容置槽以及尖刺部；
对光阻材料图案化之后的载板主体1进行蚀刻，基于光阻材料图案蚀刻形成了容置槽2以及尖刺部3，其中，对应于容置槽2的区域被蚀刻掉，形成容置槽2，但其中对应于尖刺部3的区域被保留并形成了顶部尖锐的形状。示例性的，蚀刻可以使用干刻法或湿刻法，只要能够基于光阻材料图案形成容置槽2以及尖刺部3即可。
本示例通过蚀刻制作转移结构，相较于机械切割等方式具有更高的精度，生产出的转移结构均匀性更好，转移结构中的容置槽以及尖刺部的位置以及高度更准确一致，减少工艺误差而导致容置槽和尖刺部的位置与芯片的位置出现错位或各容置槽内尖刺部的高度不一的情况。可见利用蚀刻制作的转移结构在使用过程中能够进一步保证芯片转移过程中的成功率。本实施例的转移结构制作方法能够根据实际的芯片的位置分布和个数，对应的形成容置槽以及尖刺部，并不仅限于上述示例。
本发明又一可选实施例：
本实施例中还对芯片转移方法进行说明，该芯片转移方法利用上述的转移结构进行，在一些实施过程中能够保证芯片转移的成功率，参见图8a、8b，本实施例的芯片转移方法包括：
S801、提供一转移结构；
应当说明的是，该转移结构是上述所示出的转移结构。转移结构可以直接制作，制作该转移结构的方法可以采用如上的转移结构制作方法，也可以是其他的方法，也可以直接获取成品的转移结构。
S802、将芯片转移至转移结构，每个芯片分别与一个容置槽所处的区域粘接；
芯片可以通过任意方式转移到上述的转移结构上。在将芯片转移到转移结构的过程中，芯片通过粘接材料与转移结构的隔离层相粘接。可以通过在芯片上预先涂布粘接材料的方式，在芯片要与隔离层接触的一侧涂布一层粘接材料，在一些示例中还可将芯片整体使用粘接材料包裹住；如图8b中还可以在隔离层4粘接芯片9的一侧的表面贴附一层粘接材料8。粘接材料可以是例如包括但不限于光解胶或热解胶等有机粘接胶材，使用的粘接材料应当与转移结构中容置槽所存放的解粘剂相对应，例如在存放的解粘剂为有机溶剂时，该粘接材料可以是如上示出的有机粘接胶材，在存放的解粘剂为其他类型的解粘剂时，该粘接材料是其他材料。
本实施例中，芯片转移至转移结构后，一个芯片对应一个容置槽的位置，在芯片向容置槽底部方向的投影完全落入容置槽槽口的范围之中。转移结构中容置槽的位置对应于生长基板上所生长的芯片的位置，因而在进行转移时，将生长基板上的芯片与转移结构上的容置槽的位置对准贴合。
应当注意的是，在将芯片转移到转移结构的过程中，应当注意控制将芯片与转移结构上的隔离层相粘接的力度，在此过程中应当保证隔离层不被容置槽中的尖刺部所刺破。
S803、对芯片施加向尖刺部靠近的压力，使其对应的隔离层形变直至被尖刺部戳破；
如上述记载，本实施例的转移结构中，隔离层4受力后会产生形变，并且芯片9被粘贴在转移结构上时，能够向载板主体1的方向活动，当芯片被施加有向尖刺部3靠近的压力，应当理解的是，此时所施加的压力较大，即能够使得芯片9带动隔离层4发生较为明显的形变，设有芯片9的隔离层4的区域向尖刺部3靠近，直至被尖刺部3戳破。
S804、使解粘剂通过隔离层被戳破的区域与粘接芯片的粘接材料接触以实现解粘；
可通过振动、摇晃、倒置等动作，使得解粘剂5通过隔离层4被戳破的区域与粘接材料8接触到。图8b中对应S804的部分以竖线区域示意出粘接材料8被解粘剂浸润的部分，为便于理解，图8b中对应S804的部分仅以放大的形式示出结构中的一部分。
S805、将被解粘的芯片转移至目标载板；
此时的芯片与转移结构之间的粘接力已经被减小，能够很轻松的将芯片从转移结构上取下，芯片的缺失率得以降低。将解粘后的芯片拾取并转移至目标载板的过程可以采用任意现有的方式，本实施例对此不作限制。
在一些实施方式中，可使用转移头对芯片施加向尖刺部靠近的压力，转移头对准要进行转移的芯片，并用一定力度向下压芯片，使得设有芯片的位置的隔离层被尖刺部戳破，对芯片的粘接材料进行解粘之后，再通过该转移头将芯片从转移结构上拾取下来，并转移至目标载板。
在一些实施方式中，上述S804中，可通过对转移结构进行超声波振动，解粘剂在振动的过程中通过隔离层被戳破的区域浸润粘接材料，超声波振动的方式较普通的振动，更为高效且效果佳。可以理解的是，同样可以通过普通的振动，或将转移结构倒置一定时间等方式，使得解粘剂能够通过隔离层被戳破的区域浸润到粘接材料即可。
为了更直观的说明本实施例的转移结构以及利用其实现的芯片转移方法，本实施例中以一较具体的转移过程为示例进行说明：
如图9，在生长基板10上生长有多颗芯片9，多颗芯片9呈阵列排布，生长基板10可以是包括但不限于例如蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓，或其他半导体基板材料，本实施例中对此并不限制。
提供一转移结构，该转移结构包括多个容置槽，各容置槽中设置有两个尖刺部，各个容置槽的位置对应于生长基板上芯片的位置，且两个尖刺部的位置分别对应于芯片的两个电极。作为具体的示例，容置槽中存放例如丙酮、甲苯等有机溶剂。
如图10，在该转移结构的隔离层4上涂布光解胶以作为芯片与转移结构之间的粘接材料8。光解胶可以溶于丙酮、甲苯等有机溶剂，在拾取转移结构上的芯片之前，将光解胶溶解掉即可实现解粘。
将生长基板10上生长有芯片9的一侧与转移结构上设置隔离层4的一侧对向贴合，且将芯片9与各个容置槽2所处的位置对准，如图11所示。应当注意的是，在将生长基板与转移结构进行对向贴合的过程中，应当控制贴合的力度，贴合的力度满足将芯片与光解胶充分接触以进行粘接，且尖刺部不将隔离层戳破。
如图12，当芯片9与转移结构实现粘接之后，将生长基板10剥离，即将芯片9从生长基板上分离10下来。作为一种具体的示例，可使用LLO(Laser Lift Off，激光剥离)技术将生长基板剥离，目标激光从生长基板没有生长芯片的一侧进行照射，激光在生长基板与芯片的交界处产生作用，使得生长基板与芯片之间的物质分解(一种示例中为氮化镓分解为金属镓和氮气)，生长基板因而可被剥离掉，芯片被转移至转移结构上。
本示例中利用转移头进行芯片的再次转移，如图13，使用转移头11对准要拾取的芯片9并将芯片9用力向靠近容置槽2底部的方向压。芯片粘接的位置的隔离层在转移头的压力下向靠近容置槽底部的方向产生形变并最终与设置在容置槽内部的尖刺部接触，转移头向芯片施加压力直至隔离层被尖刺部戳破，此时的隔离层上出现破口。对转移结构进行振动，直至使容置槽中的有机溶剂通过隔离层被戳破形成的破口浸润到光解胶，至少一部分光解胶被有机溶剂所溶解从而降低了芯片与转移结构之间的粘接力。直接利用转移头对芯片施加压力，在粘接材料解粘之后，转移头再将芯片拾取。在拾取过程中，转移头吸附芯片并施加远离转移结构方向的拉力，使芯片从转移结构上脱落并被转移头拾取到，由于芯片与转移结构之间的粘接力被降低，转移头能够轻易将芯片从转移结构上拾取。在此过程中，仅利用转移头的动作实现了对芯片粘接的解粘和拾取两个步骤，并且在此期间，转移头并不需要进行较大范围的动作，芯片转移的过程便捷且效率高。
在一种示例中，生长基板被剥离之后，将粘接有芯片的转移结构放置到超声波振动台上，转移头对超声波振动台上的转移结构进行作业。当转移头向芯片施加压力至隔离层被尖刺部戳破之后，直接开启超声波振动装置使超声波振动台发生振动，转移基板内的有机溶剂振动，部分通过隔离膜的破口浸润光解胶，而后转移头将芯片从转移结构上拾取。可见，对于芯片的解粘和拾取的整个过程之间在超声波振动台上进行，在解粘和转移头拾取的过程中，不需要对转移结构进行搬动，进一步提升了芯片转移的便捷性和效率。
如图14，转移头11在拾取芯片9之后，将芯片9放置到目标载板12上，在实际生产中，该目标载板可以是显示面板中的电路板，芯片可通过激光或热等方式绑定到电路板上，或目标载板也可以是其他作用的载板。可以理解的是，在进行全彩显示面板的制作时，转移头交替进行红绿蓝(RGB)各色的芯片的转移，直至完成制作。在一些实施过程中，将芯片放置到目标载板之前，还对芯片进行清洗，以将芯片上残留的光解胶等粘接材料清除等工序。
本实施例中还提供一种显示面板，该显示面板上设置有多个固晶区；显示面板还包括多颗发光芯片，发光芯片被转移至固晶区上完成键合，发光芯片转移到本实施例的显示面板的固晶区的方法采用包括但不限于上述所示例的芯片转移方法。
本实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以各种采用发光芯片制作的显示面板进行显示的电子装置，例如可包括但不限于各种智能移动终端，PC、显示器、电子广告板等，其中该显示装置中的显示面板可为包括但不限于上述的显示面板。
可以理解的是，上述示例中仅以芯片作为示例，但进行转移的物体还可以是其他微型器件。
本实施例的上述示例中，在将芯片从上述转移结构转移到目标载板时，都可以通过对芯片施加压力使其对应的隔离层被转移结构中的尖刺部戳破，并利用容置槽中存放的解粘剂对粘接芯片的粘接材料进行解粘，从而降低芯片与转移结构之间的粘接力，保证芯片从转移结构上拾取下的成功率，且该过程便捷高效。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种转移结构，其特征在于，包括：
载板主体；
容置槽，所述容置槽开设在所述载板主体的一侧，所述容置槽的位置对应于生长载板上所生长的芯片的位置，用于存放解粘剂；
隔离层，所述隔离层设置于所述载板主体设有所述容置槽的一侧，所述隔离层将所述解粘剂密封于容置槽内；
尖刺部，所述尖刺部设置于所述容置槽的内部，用于戳破所述隔离层；
在进行转移时，所述芯片粘附于所述隔离层上，向所述载板主体的方向活动的过程中，所述隔离层被所述尖刺部戳破。
2.如权利要求1所述的转移结构，其特征在于，每个所述容置槽中包括一个所述尖刺部，且位于所述容置槽的中轴，或，每个所述容置槽中包括至少两个所述尖刺部，各所述尖刺部等间隔设置。
3.如权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述隔离层包括静电膜，所述静电膜通过静电贴附于所述载板主体。
4.一种转移结构制作方法，其特征在于，包括：
提供一载板主体；
在所述载板主体的其中一侧形成容置槽以及尖刺部，所述容置槽的位置对应于生长载板上所生长的芯片的位置，用于存放解粘剂，所述尖刺部设置于所述容置槽的内部，用于戳破覆盖所述容置槽的隔离层；
在所述容置槽中设置解粘剂；
在所述载板主体设有所述容置槽的一侧设置隔离层，将所述解粘剂封于容置槽内。
5.如权利要求4所述的转移结构制作方法，其特征在于，所述在所述载板主体的其中一侧开设容置槽并形成尖刺部包括：
在所述载板主体的其中一侧涂布光阻材料；
利用半色调掩膜板对所述光阻材料进行图案化，所述光阻材料形成的图案对应于所述容置槽以及所述尖刺部；
通过蚀刻形成所述容置槽以及所述尖刺部。
6.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
提供一转移结构，所述转移结构为权利要求1至3任一项所述的转移结构；
将芯片转移至所述转移结构，每个所述芯片分别与一个所述容置槽所处的区域粘接；
对所述芯片施加向所述尖刺部靠近的压力，使其对应的隔离层形变直至被所述尖刺部戳破；
使所述解粘剂通过所述隔离层被戳破的区域与粘接所述芯片的粘接材料接触以实现解粘；
将被解粘的所述芯片转移至目标载板。
7.如权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述芯片施加向所述尖刺部靠近的压力包括：
使用转移头对所述芯片施加向所述尖刺部靠近的压力；
所述将被解粘的所述芯片转移至目标载板包括：
使用所述转移头对所述芯片进行拾取并转移至所述目标载板。
8.如权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，所述使所述解粘剂通过所述隔离层被戳破的区域与芯片上的粘接胶接触以实现解粘包括：
对所述转移结构进行超声波振动，以使所述解粘剂通过所述隔离层被戳破的区域浸润所述粘接材料。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板上设置有多个固晶区；所述显示面板还包括多颗发光芯片，所述多颗发光芯片通过如权利要求6-8任一项所述的芯片转移方法，转移至所述固晶区上完成键合。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011040663.8A CN112967985B (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011040663.8A CN112967985B (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112967985A true CN112967985A (zh) | 2021-06-15 |
| CN112967985B CN112967985B (zh) | 2022-04-19 |
Family
ID=76271044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011040663.8A Active CN112967985B (zh) | 2020-09-28 | 2020-09-28 | 转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112967985B (zh) |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827394A (en) * | 1996-07-15 | 1998-10-27 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing |
| JP2003059555A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法 |
| JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| TW200802518A (en) * | 2005-11-18 | 2008-01-01 | Checkpoint Systems Inc | Rotary chip attach |
| US20090075429A1 (en) * | 2005-04-27 | 2009-03-19 | Lintec Corporation | Sheet-Like Underfill Material and Semiconductor Device Manufacturing Method |
| WO2009139407A1 (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | 日本化薬株式会社 | マイクロ分析チップ用粘着シート及びマイクロ分析チップ並びにその製造方法 |
| EP2357875A1 (fr) * | 2010-02-16 | 2011-08-17 | Gemalto SA | Procédé pour fabriquer un boîtier électronique |
| EP2682981A2 (de) * | 2012-07-04 | 2014-01-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ausstoßvorrichtung zum Abheben eines Chips von einem Trägermaterial |
| CN109065482A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-21 | 深圳市华腾半导体设备有限公司 | 一种芯片分选机构及其芯片分选方法 |
| US20190006307A1 (en) * | 2016-01-22 | 2019-01-03 | Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation | Package method and package structure of fan-out chip |
| US10410905B1 (en) * | 2018-05-12 | 2019-09-10 | Rohinni, LLC | Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices |
| CN110993749A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板 |
| CN111415886A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-14 | 深圳市海铭德科技有限公司 | 一种半导体芯片的镀膜贴胶设备 |
| CN111540705A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-08-14 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种激光剥离的巨量转移系统及方法 |
-
2020
- 2020-09-28 CN CN202011040663.8A patent/CN112967985B/zh active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827394A (en) * | 1996-07-15 | 1998-10-27 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing |
| JP2003059555A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法 |
| JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| US20090075429A1 (en) * | 2005-04-27 | 2009-03-19 | Lintec Corporation | Sheet-Like Underfill Material and Semiconductor Device Manufacturing Method |
| TW200802518A (en) * | 2005-11-18 | 2008-01-01 | Checkpoint Systems Inc | Rotary chip attach |
| WO2009139407A1 (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | 日本化薬株式会社 | マイクロ分析チップ用粘着シート及びマイクロ分析チップ並びにその製造方法 |
| EP2357875A1 (fr) * | 2010-02-16 | 2011-08-17 | Gemalto SA | Procédé pour fabriquer un boîtier électronique |
| EP2682981A2 (de) * | 2012-07-04 | 2014-01-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ausstoßvorrichtung zum Abheben eines Chips von einem Trägermaterial |
| US20190006307A1 (en) * | 2016-01-22 | 2019-01-03 | Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation | Package method and package structure of fan-out chip |
| US10410905B1 (en) * | 2018-05-12 | 2019-09-10 | Rohinni, LLC | Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices |
| CN109065482A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-21 | 深圳市华腾半导体设备有限公司 | 一种芯片分选机构及其芯片分选方法 |
| CN110993749A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板 |
| CN111415886A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-14 | 深圳市海铭德科技有限公司 | 一种半导体芯片的镀膜贴胶设备 |
| CN111540705A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-08-14 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种激光剥离的巨量转移系统及方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PELAND KOH: "影响晶圆凸起网板印刷效果的基本设计事项", 《电子工业专用设备》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112967985B (zh) | 2022-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101239282B1 (ko) | 캐리어 기판으로부터 가역적으로 장착된 디바이스 웨이퍼를 제거하는 장치 및 방법 | |
| CN112582520B (zh) | 微发光二极管转移方法及显示面板 | |
| CN112768370B (zh) | 微元件的转移方法及转移装置 | |
| CN112967984B (zh) | 微芯片的巨量转移方法及显示背板 | |
| CN209232754U (zh) | 微发光器件的转移装置及设备 | |
| WO2020103405A1 (zh) | 微发光器件的转移方法以及转移设备 | |
| CN112750741A (zh) | 一种微元件的转移基板及转移方法 | |
| CN112967985B (zh) | 转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置 | |
| JP2007103826A (ja) | 半導体チップのピックアップ装置 | |
| WO2022022097A1 (zh) | 一种用于Micro LED晶粒的转移组件及转移方法 | |
| JP2011035301A (ja) | ワーク粘着保持装置及び真空貼り合わせ機 | |
| CN111987193B (zh) | 微发光二极管转移装置及其制作方法 | |
| CN113327883A (zh) | 转移载板 | |
| JP2008109119A (ja) | ピックアップ装置及びピックアップ方法 | |
| CN112967983B (zh) | 转移系统和转移方法 | |
| CN115763294A (zh) | 一种巨量转移方法及巨量转移装置 | |
| CN115706134A (zh) | 微型元件结构及其制备方法、led芯片的转移方法 | |
| KR101513226B1 (ko) | 저주파 진동을 이용한 반도체 칩의 픽업 방법 | |
| CN114420799A (zh) | 基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置 | |
| CN110289279B (zh) | 一种转移方法、阵列基板、其制作方法及显示装置 | |
| CN112993133B (zh) | 显示装置及其制作方法 | |
| TW201724331A (zh) | 晶片分離裝置與晶片分離方法 | |
| TW200926444A (en) | Method for packaging LED | |
| US6366334B1 (en) | Method and apparatus for removing removal part in liquid crystal display device using jet of compressed air to remove part of the substrate | |
| CN219267605U (zh) | 一种发光元件巨量转移装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 402760 No.69, Wushan Road, Biquan street, Bishan District, Chongqing Patentee after: Chongqing Kangjia Optoelectronic Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 402760 No.69, Wushan Road, Biquan street, Bishan District, Chongqing Patentee before: Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co.,Ltd. Country or region before: China |