CN115763294A - 一种巨量转移方法及巨量转移装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种巨量转移方法及巨量转移装置，包括：提供衬底，多个微型发光二极管生长于衬底的表面。提供临时胶层，通过临时胶层，将临时基板粘接微型发光二极管。去除衬底，以暴露微型发光二极管。通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的微型发光二极管背离其电极的一侧。以及通过转移基板，将微型发光二极管转移至显示基板，其中转移基板设有多个凸台。本发明提出的巨量转移方法及巨量转移装置，可以提高转移效率与准确性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种巨量转移方法及巨量转移装置。
背景技术
Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)作为新一代显示技术，与传统的液晶显示技术相比，由于具有发光亮度更高，色彩还原力更好以及降低功耗等优势广受青睐。在微型发光二极管的转移过程中，一般通过连续喷胶方式来制作转移模块，将微型发光二极管从待转移基板转移至显示基板。上述微型发光二极管芯片转移方法工艺较为复杂，转移效率低，同时也无法进行选择性转移。
因此，如何实现微型发光二极管便捷、高效的转移是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种巨量转移方法及巨量转移装置，旨在解决微型发光二极管的选择性转移问题，以提高微型发光二极管芯片的转移效率。
一种巨量转移方法，包括：
提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬底的表面；
提供临时胶层；
通过所述临时胶层，将临时基板粘接所述微型发光二极管；
去除所述衬底，以暴露所述微型发光二极管；
通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧；以及
通过转移基板，将所述微型发光二极管转移至显示基板，其中所述转移基板设有多个凸台。
上述巨量转移方法通过将胶体点涂于待转移的微型发光二极管背离其电极的一侧实现对微型发光二极管进行选择性转移，提高了微型发光二极管芯片的转移效率。
可选地，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：对部分所述临时胶层进行刻蚀，以去除相邻所述微型发光二极管之间的所述临时胶层。
可选地，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：去除所述微型发光二极管正投影区域内的部分所述临时胶层。减少了微型发光二极管和临时胶层的粘接面积，进一步减弱了微型发光二极管和临时胶层之间的粘结力。
可选地，所述临时胶层刻蚀至所述临时基板，以暴露所述临时基板。去除了不必要的临时胶层。
可选地，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离所述电极的一侧，包括：将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧，并通过喷涂时间来控制点涂所述胶体的厚度，且所述胶体的厚度范围为5μm～20μm。
可选地，所述喷涂装置包括喷嘴，且所述喷嘴的孔径范围为5μm～80μm。
可选地，所述凸台在所述临时基板的投影面积大于所述微型发光二极管在所述临时基板的投影面积。提高了抓取待转移的微型发光二极管的准确率。
可选地，去除所述衬底后，所述转移基板与所述微型发光二极管之间的粘结力高于所述微型发光二极管与所述临时胶层之间的粘结力。
可选地，所述胶体在所述微型发光二极管表面形成凸起部，在转移过程中，所述凸台连接所述凸起部。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种巨量转移装置，包括：
激光器，用于发射激光束，且所述激光束用于去除衬底；
喷涂装置，用于点涂胶体于待转移的微型发光二极管；以及
转移基板，多个凸台设置于所述转移基板一侧。
上述巨量转移装置，通过在微型发光二极管表面点涂胶体，利用凸台结构将微型发光二极管转移至显示基板上。解决了转移基板上的凸台沟道之间由于胶材填充量过多而干扰转移过程的问题。实现了对微型发光二极管芯片的选择性拾取，提高了巨量转移的准确性和转移效率。
附图说明
图1为本申请在一实施例中的巨量转移方法的流程示意图；
图2为本申请在一实施例中的巨量转移方法的衬底示意图；
图3为本申请在一实施例中的巨量转移方法的临时基板粘接芯片示意图；
图4为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底过程示意图；
图5为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底后的芯片示意图；
图6为本申请在一实施例中的巨量转移方法的临时胶层弱化结构示意图；
图7为本申请在一实施例中的巨量转移方法的胶体示意图；
图8为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板示意图；
图9为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板工作示意图；
图10为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板结构示意图；
图11为本申请在一实施例中的巨量转移方法的胶体状态示意图；
图12为本申请在一实施例中的巨量转移方法的点涂胶体后的芯片示意图；
图13为本申请在一实施例中的巨量转移装置的激光器示意图；
图14为本申请在一实施例中的巨量转移装置的转移接头结构示意图；
图15为本申请在一实施例中的巨量转移装置的喷涂装置结构示意图。
附图标记说明：
10 衬底；
20 微型发光二极管；
30 临时胶层；
40 临时基板；
50 胶体；
60 转移基板；
601 凸台；
70 激光器；
80 转移接头；
90 喷涂装置；
901 主体；
902 喷嘴。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
在微型发光二极管的转移过程中，一般通过连续喷胶方式来制作转移模块，将微型发光二极管从待转移基板转移至显示基板。上述微型发光二极管芯片转移方法工艺较为复杂，转移效率低，同时也无法进行选择性转移。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参阅图1，图1为本申请在一实施例中的巨量转移方法的流程示意图。本实施例提出一种巨量转移方法，通过在微型发光二极管表面点涂胶体，利用凸台结构将微型发光二极管转移至显示基板上。实现了对微型发光二极管芯片的高效选择性拾取，提高了巨量转移的准确性和转移效率。在本实施例中，微型发光二极管的巨量转移方法可以包括以下步骤：
S10、提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬底的表面；
S20、提供临时胶层；
S30、通过所述临时胶层，将临时基板粘接所述微型发光二极管；
S40、去除所述衬底，以暴露所述微型发光二极管；
S50、通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧；以及
S60、通过转移基板，将所述微型发光二极管转移至显示基板；
其中，所述转移基板设有多个凸台。
请参阅图2，图2为本申请在一实施例中的巨量转移方法的衬底示意图。在本申请的一实施方式中，多个微型发光二极管20可以生长于衬底10的表面。在步骤S10过程中，多个微型发光二极管20可以形成微型发光二极管20阵列，衬底10与微型发光二极管20阵列背离电极的一面接触。微型发光二极管20例如可以包括红色微型发光二极管、绿色微型发光二极管以及蓝色微型发光二极管。多个微型发光二极管20可以呈例如矩阵状排列。
在本申请的一些实施方式中，衬底10可以是刚性的衬底，也可以是柔性的衬底。衬底10的材质可例如为玻璃、蓝宝石、涤纶树脂、聚酰亚胺树脂或其他材料。在本实施例中，衬底10可以为蓝宝石。蓝宝石衬底的透明度较好，能够运用在高温生长过程中，且易于处理和清洗。衬底10的形状可以为平板状，多个微型发光二极管20可以铺设于衬底10的一面。
请参阅图3-图4，图3为本申请在一实施例中的巨量转移方法的临时基板粘接芯片示意图。图4为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底过程示意图。在本申请的一实施方式中，提供临时基板40，临时基板40一侧可以涂布有临时胶层30。在步骤S20过程中，在临时基板40朝向微型发光二极管20电极的一侧可设置临时胶层30，使微型发光二极管20通过临时胶层30与临时基板40粘接。临时基板40可以与衬底10平行，以便在微型发光二极管20巨量转移的过程中保持转移的一致性，避免微型发光二极管20脱落。
请参阅图3-图4，在本申请的一实施方式中，可以通过临时胶层30将临时基板40粘接微型发光二极管20。在步骤S30过程中，临时胶层30可以为键合胶。键合胶可以涂布在微型发光二极管20的电极与临时基板40之间，将临时基板40粘贴在微型发光二极管20的电极上，以保护微型发光二极管20。在本申请的一些实施方式中，临时胶层30可以包括例如有机硅类键合胶层、丙烯酸改性有机硅类键合胶层、丙烯酸类键合胶层、聚氨酯类键合胶层或其他材料层。微型发光二极管20可以包括电极，微型发光二极管20电极的一侧可与临时胶层30贴合。在去除衬底10后，旋转临时基板40，使得微型发光二极管20通过电极支撑于临时基板40。点涂胶体于微型发光二极管20背离电极的表面，通过转移基板60对微型发光二极管20进行转移。
请参阅图3-图4，在本申请的一些实施例中，临时胶层30还可以采用聚二甲基硅氧烷制备。在液态的聚二甲基硅氧烷中加入二甲苯混合形成预聚物，可以对聚二甲基硅氧烷形成稀释，并提高聚二甲基硅氧烷的流动性，防止预聚物中出现大量气泡。在本申请的一实施例中，可以在流动性较好的预聚物中渗入葡萄糖、蔗糖或氯化钠颗粒并搅拌混合。将混合有上述颗粒的预聚物通过旋涂等方式制备于临时基板40上，进行固化反应。通过水浴将渗入的葡萄糖、蔗糖或氯化钠颗粒去除，并同步去除多余的二甲苯。根据上述制备流程可以得到聚二甲基硅氧烷的多孔胶材，并获取临时胶层30。
请参阅图4-图5，图4为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底过程示意图，图5为本申请在一实施例中的巨量转移方法的去除衬底后的芯片示意图。在本申请的一实施方式中，可以通过去除衬底10，来暴露微型发光二极管20。在步骤S40过程中，微型发光二极管20可包括至少一电极，去除衬底10后，将胶体50点涂在微型发光二极管20背离电极的一侧。在所述微型发光二极管20转移到显示基板之前，为了便于转移基板60对微型发光二极管20的抓取，将衬底10剥离微型发光二极管20。在本申请的一实施例中，可以通过激光法将衬底10剥离微型发光二极管20。首先将激光聚焦于衬底10和微型发光二极管20的贴合处，由于激光聚焦产生热量，衬底10和微型发光二极管20的贴合处产生松动，衬底10与微型发光二极管20剥离。在本申请的另一实施例中，还可以使用例如加热法进行衬底10与微型发光二极管20的剥离。对衬底10和微型发光二极管20的贴合处进行加热，随着热量增大，衬底10和微型发光二极管20的贴合处松动，衬底10与微型发光二极管20剥离。
请参阅图6，图6为本申请在一实施例中的巨量转移方法的临时胶层弱化结构示意图。在本申请的一实施方式中，可以使用例如干法刻蚀的方法来弱化临时胶层30。在临时胶层30表面涂布光刻胶，在临时胶层30上方设置掩膜体。通过掩膜体对临时胶层30进行刻蚀，以去除临时胶层30上未被光刻胶掩蔽的部分。将临时胶层刻蚀至临时基板，以暴露临时基板的表面。对微型发光二极管20正投影区域内的部分临时胶层30继续进行刻蚀去除，通过消除相邻微型发光二极管20之间的部分临时胶层30，弱化了微型发光二极管20和临时基板40之间的粘结力。
请参阅图7，在本申请的一实施方式中，可以点涂胶体50于待转移的微型发光二极管。在步骤S50过程中，可以在待转移的芯片上表面点对点喷涂胶体50，胶体50可以为热解胶，热解胶的粘性随温度的增加而减小。胶体50还可以为例如光解胶、聚二甲基硅氧烷或其他材料。胶体50可以点涂在微型发光二极管20背离其电极的一侧，以增加胶体50的喷涂面积，有利于增加转移基板60与待转移的微型发光二极管20之间的黏着力。由于胶体50喷涂在待转移的微型发光二极管20表面，所以转移基板60可以重复使用，实现了以较低成本与较高工艺精度对微型发光二极管20的选择性转移。在点涂胶体50于待转移的微型发光二极管20之前，对部分临时胶层30进行刻蚀，以去除相邻微型发光二极管20之间的临时胶层30。临时胶层30刻蚀至临时基板40，以暴露临时基板40。对微型发光二极管20正投影区域内的部分临时胶层30继续进行刻蚀去除，通过去除部分临时胶层30，减弱了微型发光二极管20与临时胶层30之间的粘结力。在使用转移基板60进行微型发光二极管20的转移时，转移基板40与微型发光二极管20之间的粘结力高于微型发光二极管20与临时胶层30之间的粘结力。
请参阅图8，图8为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板示意图。在本申请的一实施方式中，可以通过转移基板60将微型发光二极管20转移至显示基板。在步骤S60过程中，转移基板60可设有多个凸台601，并利用凸台601拾取微型发光二极管20，且凸台601之间的距离可以大于相邻微型发光二极管20之间的距离。凸台601之间的距离也可以等于相邻微型发光二极管20之间的距离，以实现对不同位置微型发光二极管20的拾取。
请参阅图8，转移基板60的材料可以例如采用硅基基板、玻璃基板、蓝宝石基板、石英基板或其他材料。在本申请的一实施例中，可以例如采用硅基基板作为转移基板60，转移基板60的凸台601可以采用深硅刻蚀的方法制备。首先清洗硅基板，然后将硅板涂上光刻胶进行曝光显影。接着在硅基板表面进行深硅刻蚀以形成凸台601。在本申请的一些实施方式中，在转移基板60上形成的凸台601可以为例如长方体，棱锥体、半球形、圆棱锥形或其他形状。对经过深硅刻蚀的硅基基板进行清洗和干燥，以便于使用带有凸台601的转移基板60对微型发光二极管20进行转移。根据待转移的微型发光二极管20的位置不同可以设置多个不同的凸台601，不同凸台601之间的距离可以根据微型发光二极管20的位置进行调整。凸台601与待转移的微型发光二极管10的中心轴线可以重合，以实现准确定位。胶体50可以点对点地涂布在待转移地微型发光二极管20背离电极一侧。转移基板60通过点涂在微型发光二极管20表面地胶体50将微型发光二极管20剥离临时基板40。
请参阅图9，图9为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板工作示意图。在本申请的一些实施方式中，转移基板60的材料可以例如采用硅基基板、玻璃基板、蓝宝石基板、石英基板或其他材料。，在本实施例中，使用例如硅基基板刻蚀的凸台601进行转移。由于硅材质导热率高,容易将温度传导至微型发光二极管20表面的胶体50，使胶体50粘接微型发光二极管20与硅基基板从而实现微型发光二极管20的转移。凸台601表面具有硅晶圆的高平整度,而且硅材质导热率高。胶体50可以为热解胶，热解胶的粘性随温度的增加而减小。胶体50还可以为例如光解胶、聚二甲基硅氧烷或其他材料。在本申请的一个实施例中，硅材质基板可以将温度传导至芯片上方的热解胶,使热解胶粘附芯片与凸台601,从而实现芯片的转移。在转移的初始阶段，微型发光二极管20与转移基板60之间的粘结力可大于微型发光二极管20和临时胶层30之间的粘结力。
请参阅图10，图10为本申请在一实施例中的巨量转移方法的转移基板结构示意图。在本申请的一实施例中，转移基板60凸台601在临时基板40的投影面积可以大于微型发光二极管20在临时基板40的投影面积，以提高凸台601与微型发光二极管20的粘接准确度。当凸台601与待转移的微型发光二极管10的中心轴线不重合时，由于凸台601的投影面积大于微型发光二极管20上表面的投影面积，可以使转移基板60的凸台601与微型发光二极管20上的胶体50充分接触，以提高粘结力。
请参阅图11-图12，图11为本申请在一实施例中的巨量转移方法的胶体状态示意图。图12为本申请在一实施例中的巨量转移方法的点涂胶体后的芯片示意图。在本申请的一些实施方式中，涂布在微型发光二极管20表面的胶体50由于芯片上表面的限定作用,在芯片表面形成凸起部，如图11所示。在相邻微型发光二极管20之间的走道上则不会涂布上多余的胶体。每个待转移的微型发光二极管20表面形成胶体50的凸起部，在转移过程中，转移基板60的凸台601连接凸起部，以便于转移基板60对微型发光二极管20的选择性拾取，如图12所示。
请参阅图11-图12，微型发光二极管20表面的胶体50的材料可以为例如热解胶、光解胶、聚二甲基硅氧烷或其他材料的胶体。在本申请的一实施例中，可以采用例如喷墨打印技术喷涂胶体50。首先将所要转移的微型发光二极管20的排布方式设置成预制程序，然后根据预制程序在不同微型发光二极管20表面喷涂胶体50。在本申请的一实施例中，当凸台601与待转移的微型发光二极管20的位置排布相同时，喷嘴902在与待转移的微型发光二极管20对应的凸台601上喷涂胶体50。此时，部分喷嘴902进行喷胶作业，部分喷嘴902处于非工作状态。在本申请的另一实施例中，当对微型发光二极管20进行整体移动时，凸台601与微型发光二极管20阵列的位置排布相同，喷嘴902对凸台601阵列进行喷胶作业。此时，喷嘴902处于工作状态。喷嘴902可以部分处于喷胶工作状态。在喷涂胶体50之前进行加热，使胶体50熔融成为液态。当液态的胶体50点涂在微型发光二极管20表面时，胶体50可以呈例如半球状。此时，胶体50的粘度及表面张力保持相对的稳定，以便于和转移基板60的凸台601粘接。使用喷墨打印技术喷涂胶体，可以缩短转移过程中胶体50的喷涂时间。在喷涂胶体时，可以通过喷涂时间来控制喷涂的胶体50的厚度。喷涂装置90可以包括主体901和喷嘴902，且喷嘴902的孔径范围可以例如为5μm～80μm。喷涂时间的长短和喷嘴902孔径的大小影响喷涂时间以及喷涂范围。当喷嘴902的孔径范围为例如5μm～80μm时，可以避免短时间大量胶体的喷涂。喷涂完成后，胶体50在微型发光二极管20表面形成凸起部。将胶体50的凸起部顶点到微型发光二极管20表面的距离定义为胶体50的厚度，胶体50的厚度范围可以例如为5μm～20μm。
请参阅图13-图15，图13为本申请在一实施例中的巨量转移装置的激光器示意图。图14为本申请在一实施例中的巨量转移装置的转移接头结构示意图。基于同样的发明构思，本申请还提出一种巨量转移装置，该巨量转移装置可以包括激光器70、喷涂装置90以及转移基板60。激光器70用于发射激光束，且激光束用于去除衬底10。多个凸台601设置于转移基板60一侧，且凸台601之间的距离可大于相邻微型发光二极管20之间的距离。该巨量转移装置还可以包括转移接头80，转移接头80可以连接转移基板60，且转移接头80用于移动转移基板60。在本申请的一实施例中，激光器70用于发射激光束，激光器70所发射的激光束用于去除衬底10。激光器70发射的激光照射衬底10，使得衬底10与微型发光二极管20连接的表层发生反应，进而使得微型发光二极管20与衬底10之间的连接松动，但仍保持连接关系。激光器70可以为发出产生高能热量的激光源。衬底10被激光器70发射的激光照射过，微型发光二极管20和衬底10之间的连接松动，只需较小的剥离力量即可将衬底10剥离。在剥离衬底10时，剥离力大于衬底10对微型发光二极管20的拉力，衬底10与微型发光二极管20实现剥离。
请参阅图13-图15，在本申请的一实施例中，喷涂装置90用于涂布胶体于待转移的微型发光二极管的表面。喷涂装置90可以包括主体901和喷嘴902，且喷嘴902的孔径范围可以例如为5μm～80μm。多个凸台601可以设置于转移基板60一侧，且凸台601之间的距离可以大于相邻微型发光二极管20之间的距离。在本申请在一实施例中，转移基板60可以采用硅基基板。通过深硅刻蚀的方法制备硅基基板上的凸台601。在本申请的一些实施方式中，在转移基板60上形成的凸台601可以为例如长方体，棱锥体、半球形、圆棱锥形或其他形状。根据待转移的微型发光二极管20的位置不同可以设置多个不同的凸台601，不同凸台601之间的距离可以根据微型发光二极管20的位置进行调整。转移接头80可连接所述转移基板60，转移接头80用于移动所述转移基板60。在转移基板60选择性拾取临时基板40上的微型发光二极管20后，通过转移接头80将带转移的微型发光二极管20移动至显示背板。本实施例提出的量转移装置可以实现对微型发光二极管芯片的高效选择性拾取，并提高巨量转移的准确性和转移效率。
综上所述，本申请提出巨量转移方法及转移装置，通过在待转移的微型发光二极管表面点对点点涂胶体，利用在转移基板上刻蚀出的凸台601，将待转移的微型发光二极管转移至显示基板上。解决了转移基板上凸台601沟道间胶材填充量过多，无法对微型发光二极管进行选择性转移的问题。实现了对微型发光二极管芯片的选择性拾取，提高了巨量转移的准确性和转移效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：
提供衬底，多个微型发光二极管生长于所述衬底的表面；
提供临时胶层；
通过所述临时胶层，将临时基板粘接所述微型发光二极管；
去除所述衬底，以暴露所述微型发光二极管；
通过喷涂装置，将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧；以及
通过转移基板，将所述微型发光二极管转移至显示基板，其中所述转移基板设有多个凸台。
2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：
对部分所述临时胶层进行刻蚀，以去除相邻所述微型发光二极管之间的所述临时胶层。
3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，在点涂胶体于待转移的所述微型发光二极管之前，所述方法还包括：
去除所述微型发光二极管正投影区域内的部分所述临时胶层。
4.如权利要求3所述的巨量转移方法，其特征在于，所述临时胶层刻蚀至所述临时基板，以暴露所述临时基板。
5.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧，包括：
将胶体点涂于待转移的所述微型发光二极管背离其电极的一侧，并通过喷涂时间来控制点涂所述胶体的厚度，且所述胶体的厚度范围为5μm～20μm。
6.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述喷涂装置包括喷嘴，且所述喷嘴的孔径范围为5μm～80μm。
7.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述凸台在所述临时基板的投影面积大于所述微型发光二极管在所述临时基板的投影面积。
8.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，去除所述衬底后，所述转移基板与所述微型发光二极管之间的粘结力高于所述微型发光二极管与所述临时胶层之间的粘结力。
9.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述胶体在所述微型发光二极管表面形成凸起部，在转移过程中，所述凸台连接所述凸起部。
10.一种巨量转移装置，其特征在于，包括：
激光器，用于发射激光束，且所述激光束用于去除衬底；
喷涂装置，用于点涂胶体于待转移的微型发光二极管；以及
转移基板，多个凸台设置于所述转移基板一侧。
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|---|---|---|---|
| CN202111019505.9A CN115763294A (zh) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 一种巨量转移方法及巨量转移装置 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN117317079A (zh) * | 2023-11-29 | 2023-12-29 | 昆山麦沄显示技术有限公司 | 一种芯片巨量转移排列的制备工艺 |
-
2021
- 2021-09-03 CN CN202111019505.9A patent/CN115763294A/zh active Pending
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