CN112962059A - 一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层,包括依次沉积于基体上的Cr打底层、CrN过渡层、CrAlTiSiN过渡层及CrAlTiSiCN膜层,本发明提供的CrAlTiSiCN纳米复合涂层通过Cr‑CrN‑CrAlTiSiN‑CrAlTiSiCN阶梯状的方式将CrAlTiSiCN膜层牢牢地结合在刀具基体的表面,各层之间的结合强度大大增加,有效防止CrAlTiSiCN膜层从刀具基体表面脱落,涂层厚度和成分也更加均匀,且纳米复合涂层的硬度高,其纳米硬度可达39~45GPa,高温稳定性强,延长涂层工件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于刀具表面改性技术领域,尤其涉及一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层及其制备方法。
背景技术
20世纪以来,涂层防护技术在优化表面性能中应用越来越广泛,沉积涂层技术也得到了快速的发展,并一时间成为冶金、航空、生化、汽车配件等领域的研究热点。但涂层技术大发展,对刀具产业的升级是史无前例的,随着加工要求、质量的不断提高,切削技术以及切削刀具表面涂层技术在不断的向前发展,涂层材料也朝向更优异的性能更迭,从1980年最初的TiN二元涂层问世,新的涂层工艺和涂层种类就不断涌向。从二元涂层、三元涂层到多元涂层,再到如今的复合涂层、梯度涂层、超晶格涂层等,涂层的化学成分、组织与结构、性能均发生了明显的变化,微观特性、韧性及稳定性都大幅提高。
CrN是一种成熟的二元涂层,其良好的膜基结合力、抗氧化性能和耐磨性得到广泛的应用,为提高其综合性能,已研究了将其它化学元素添加到CrN中。比如在CrN中添加入Si元素能较大幅度的提高涂层的硬度和耐磨性;Al元素的添入提高了涂层的抗高温氧化性,且Al元素可大量溶于CrN,细化晶粒,提高涂层的硬度;Ti元素的添入可提高涂层的硬度和膜基结合力。近年来,基于Cr、Al、Ti、Si、N五种主要元素形成的CrAlTiSiN涂层由于具有纳米复合结构,使其具有了较高的硬度和良好的耐磨性能。但经过试验表明,CrAlTiSiN涂层仍存在高速切削下被加工表面质量较差的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层及其制备方法,具有优异的高温稳定性、高于40GPa的超高硬度,可以在1000℃下进行高速切削。
为解决上述问题,本发明的技术方案为:
一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层,包括依次沉积于基体上的Cr打底层、CrN过渡层、CrAlTiSiN过渡层及CrAlTiSiCN膜层,所述纳米复合涂层的附着力为46~54N,所述纳米复合涂层的纳米硬度为39~45GPa。
优选地,所述纳米复合涂层的厚度为1.7~4.5μm。
优选地,所述Cr打底层的厚度为0.2~1.0μm,所述CrN过渡层的厚度为0.5~1.0μm,所述CrAlTiSiN过渡层的厚度为0.5~1.5μm,所述CrAlTiSiCN膜层的厚度为0.5~1.0μm。
优选地,所述基体为金属刀具、硬质合金刀具或陶瓷刀具。
基于相同的发明构思,本发明还提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,包括如下步骤:
S1:基体清洗:先将基体用砂纸进行打磨抛光处理,然后将基体放入丙酮溶液中进行超声波清洗,再将清洗完成的基体用酒精擦拭,并烘干,最后将基体进行离子清洗,得到洁净基体;
S2:制备Cr打底层:将经过步骤S1处理过的基体送入沉积室中,通过调整偏压控制Cr靶,于基体上沉积Cr打底层,Cr靶电流为80~100A,基体负偏压为180~220V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积时间为15~25min,Cr打底层的厚度为0.2~1.0μm;
S3:制备CrN过渡层:向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,于经过步骤S2处理过的基体上沉积CrN过渡层,Cr靶电流为80~100A,基体负偏压为180~220V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积时间为45~70min,CrN过渡层的厚度为0.5~1.0μm;
S4:制备CrAlTiSiN过渡层:继续向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,通过阴极电弧沉积技术控制Cr靶、AlTi靶及TiSi靶,于经过步骤S3处理过的基体上沉积CrAlTiSiN过渡层,Cr靶、AlTi靶及TiSi靶的靶电流均为80~100A,基体负偏压为130~160V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积温度为400~450℃,沉积时间为45~70min,CrAlTiSiN过渡层的厚度为0.5~1.5μm;
S5:制备CrAlTiSiCN膜层:向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,通入流量为65~80sccm的乙炔气体,通过阴极电弧沉积技术控制Cr靶、AlTi靶及TiSi靶,于经过步骤S4处理过的基体上沉积CrAlTiSiCN膜层,Cr靶、AlTi靶及TiSi靶的靶电流均为80~100A,基体负偏压为130~160V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积温度为400~450℃,沉积时间为45~70min,CrAlTiSiCN膜层的厚度为0.5~1.0μm。
优选地,所述步骤S4及所述步骤S5中的AlTi靶中Al:Ti的原子数含量比为7:3,所述步骤S4及所述步骤S5中的TiSi靶中Ti:Si的原子数含量比为1:1。
优选地,所述步骤S1中的将基体进行离子清洗具体包括:将基体放入真空炉腔内,真空炉腔内的真空度小于2×10-2Pa,将真空炉加热至400~450℃时,向真空炉内通入氩气,在氩气气氛下,将基体负偏压调整为450~500V进行等离子刻蚀清洗,清洗时间为25~35min。
本发明由于采用以上技术方案,使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果:
1)本发明提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层,包括依次沉积于基体上的Cr打底层、CrN过渡层、CrAlTiSiN过渡层及CrAlTiSiCN膜层,本发明提供的CrAlTiSiCN纳米复合涂层通过Cr-CrN-CrAlTiSiN-CrAlTiSiCN阶梯状的方式将CrAlTiSiCN膜层牢牢地结合在刀具基体的表面,各层之间的结合强度大大增加,有效防止CrAlTiSiCN膜层从刀具基体表面脱落,涂层厚度和成分也更加均匀,且纳米复合涂层的硬度高,其纳米硬度可达39~45GPa,高温稳定性强,延长涂层工件的使用寿命。
2)本发明提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,其包括如下步骤:首先对基体的表面进行抛光和超声波清洗,然后于基体表面沉积Cr涂层作为打底层,再以氮气作为反应气体,于基体表面沉积CrN过渡层,再通过控制纯Cr靶、AlTi靶和TiSi靶,在氮气的条件下,于基体表面沉积CrAlTiSiN过渡层,最后通过控制纯Cr靶、AlTi靶和TiSi靶,在通入氮气和乙炔气体的条件下,在基体表面沉积CrAlTiSiCN膜层,通过该方法制备的CrAlTiSiCN纳米复合涂层综合性能好,硬度高,高温稳定性强,能有效防止涂层易脱落的问题,延长涂层工件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的示意图;
图2为本发明实施例提供的一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法的流程图;
图3a~图3b为CrAlTiSiCN涂层及CrAlTiSiN涂层的高温氧化表面形貌;
图4为未涂层刀具、CrAlTiSiN涂层刀具及CrAlTiSiCN涂层刀具的磨损对比图。
附图标记说明:
1:基体;2:纳米复合涂层;21:Cr打底层;22:CrN过渡层;23:CrAlTiSiN过渡层;24:CrAlTiSiCN膜层;S1~S5:步骤。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。
实施例一
参看图1所示,本实施例提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层,包括依次沉积于基体1上的Cr打底层21、CrN过渡层22、CrAlTiSiN过渡层23及CrAlTiSiCN膜层24,纳米复合涂层2的附着力为46~54N,纳米复合涂层2的纳米硬度为39~45GPa。
作为本实施例的一个优选例,纳米复合涂层2的厚度为1.7~4.5μm,优选地,其中,Cr打底层21的厚度为0.2~1.0μm,CrN过渡层22的厚度为0.5~1.0μm,CrAlTiSiN过渡层23的厚度为0.5~1.5μm,CrAlTiSiCN膜层24的厚度为0.5~1.0μm。
优选地,基体1可以为金属刀具、硬质合金刀具或陶瓷刀具。
本实施例提供的一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层,包括依次沉积于基体1上的Cr打底层21、CrN过渡层22、CrAlTiSiN过渡层23及CrAlTiSiCN膜层24,本实施例提供的CrAlTiSiCN纳米复合涂层通过Cr-CrN-CrAlTiSiN-CrAlTiSiCN阶梯状的方式将CrAlTiSiCN膜层牢牢地结合在刀具基体的表面,各层之间的结合强度大大增加,有效防止CrAlTiSiCN膜层从刀具基体表面脱落,涂层厚度和成分也更加均匀,且纳米复合涂层的硬度高,其纳米硬度可达39~45GPa,高温稳定性强,延长涂层工件的使用寿命。
实施例二
基于相同的发明构思,本实施例还提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,包括如下步骤:
S1:基体清洗:先将基体用砂纸进行打磨抛光处理,然后将基体放入丙酮溶液中进行超声波清洗,再将清洗完成的基体用酒精擦拭,并烘干,最后将基体进行离子清洗,得到洁净基体;
在本实施例中,将基体进行离子清洗的具体方法为:将基体放入真空炉腔内,真空炉腔内的真空度小于2×10-2Pa,将真空炉加热至400~450℃时,向真空炉内通入氩气,氩气的纯度为99.999%,在氩气气氛下,将基体负偏压调整为450~500V进行等离子刻蚀清洗,清洗时间为25~35min。
S2:制备Cr打底层:将经过步骤S1处理过的基体送入沉积室中,开启两个Cr单质靶,其余靶材关闭,通过调整偏压控制Cr靶,于基体上沉积Cr打底层,Cr靶电流为80~100A,基体负偏压为180~220V,并通入惰性气体氩气,沉积室内的气体压强控制在1~2Pa,腔内温度控制在400~500℃,沉积时间为15~25min,Cr打底层的厚度为0.2~1.0μm;
S3:制备CrN过渡层:向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,依旧只开启两个Cr靶,于经过步骤S2处理过的基体上沉积CrN过渡层,Cr靶电流为80~100A,基体负偏压为180~220V,沉积室内的气体压强控制在1~2Pa,沉积时间为45~70min,CrN过渡层的厚度为0.5~1.0μm;
S4:制备CrAlTiSiN过渡层:继续向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,两个Cr单质靶保持开启,同时再开启AlTi合金靶和TiSi合金靶,通过阴极电弧沉积技术控制Cr靶、AlTi靶及TiSi靶,于经过步骤S3处理过的基体上沉积CrAlTiSiN过渡层,Cr靶、AlTi靶及TiSi靶的靶电流均为80~100A,基体负偏压为130~160V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积温度为400~450℃,沉积时间为45~70min,CrAlTiSiN过渡层的厚度为0.5~1.5μm;
S5:制备CrAlTiSiCN膜层:四个靶全部保持开启,向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,通入流量为65~80sccm的乙炔气体,通过阴极电弧沉积技术控制Cr靶、AlTi靶及TiSi靶,于经过步骤S4处理过的基体上沉积CrAlTiSiCN膜层,Cr靶、AlTi靶及TiSi靶的靶电流均为80~100A,基体负偏压为130~160V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积温度为400~450℃,沉积时间为45~70min,CrAlTiSiCN膜层的厚度为0.5~1.0μm。
作为本实施例的一个优选例,Cr靶的纯度为99.999%,步骤S4及步骤S5中的AlTi靶中Al:Ti的原子数含量比为7:3,步骤S4及步骤S5中的TiSi靶中Ti:Si的原子数含量比为1:1。
本实施例提供的一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,其包括如下步骤:首先对基体的表面进行抛光和超声波清洗,然后于基体表面沉积Cr涂层作为打底层,再以氮气作为反应气体,于基体表面沉积CrN过渡层,再通过控制纯Cr靶、AlTi靶和TiSi靶,在氮气的条件下,于基体表面沉积CrAlTiSiN过渡层,最后通过控制纯Cr靶、AlTi靶和TiSi靶,在通入氮气和乙炔气体的条件下,在基体表面沉积CrAlTiSiCN膜层,通过该方法制备的CrAlTiSiCN纳米复合涂层综合性能好,硬度高,高温稳定性强,能有效防止涂层易脱落的问题,延长涂层工件的使用寿命。
实施例三
本实施例提供了一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,本实施例是实施例二的一个具体应用,包括如下步骤:
(1)基体清洗:将经过抛光、打磨处理过的基体在丙酮中利用超声波清洗30min,烘干后进行离子清洗,将炉腔压力抽至2×10-2Pa以下后通入氩气,维持真空度在0.4Pa,对基体进行30min的离子轰击,在本实施例中,基体为硬质合金立铣刀(YT15),加工材料为淬硬钢,洛氏硬度为HRC55;
(2)制备Cr打底层:待离子清洗后,向炉腔内通入氩气,Cr靶电流为80A,基体负偏压为200V,工作压强为2Pa,环境温度为450℃,沉积时间为25min,Cr过渡层厚度为1μm;
(3)制备CrN过渡层:然后向炉腔内通入氮气,氮气流量为200sccm,靶电流为80A,基体负偏压为200V,工作压强为2Pa,环境温度为450℃,沉积时间为70min,CrN过渡层厚度为1μm;
(4)制备CrAlTiSiN过渡层:继续向腔体内通入氮气,并使AlTi靶和TiSi靶通电,其中AlTi靶中的Al、Ti原子百分比为7:3,TiSi靶中的Ti、Si原子比为1:1,靶电流均为100A,负偏压控制在160V,压强控制为2Pa,温度控制在450℃,沉积时间为70min,得到沉积厚度为1.5μm的CrAlTiSiN过渡层;
(5)制备CrAlTiSiCN膜层:最后向腔体内通入氮气和乙炔气体,氮气流量为200sccm,乙炔气体流量为70sccm,靶电流控制100A,负偏压控制在160V,压强控制在2Pa,沉积温度控制在450℃,沉积时间为55min,得到沉积厚度为1.0μm的CrAlTiSiCN涂层。涂层硬度为44.3GPa,涂层厚度为4.5μm。
将本实施例沉积得到的CrAlTiSiCN纳米复合涂层进行高温氧化实验,并与CrAlTiSiN涂层进行比较,氧化温度为1000℃,氧化时间为30min。高温氧化后的涂层表面形貌如图3a、3b所示,其中,图3a为CrAlTiSiCN纳米复合涂层高温氧化后的涂层表面形貌,放大倍数为200倍,图3b为CrAlTiSiN涂层高温氧化后的涂层表面形貌,放大倍数为200倍,和图3b相比,图3a表面有数量较少且尺寸分散度小的微孔,整体表面依然是趋于平整,图3b在高温下表面部分区域凹凸起伏不平,氧化破坏现象严重,故与CrAlTiSiN涂层相比,CrAlTiSiCN纳米复合涂层表现出更为优异的高温稳定性。
另外,再将本实施例沉积得到的CrAlTiSiCN纳米复合涂层刀具进行硬切削室验,并与CrAlTiSiN涂层进行比较,铣削速度为v=130m/min,进给量为f=200mm/min,背吃刀量ap=4mm,相同切削参数条件下,未涂层刀具、CrAlTiSiN涂层和CrAlTiSiCN涂层刀具达到失效标准时的铣削距离如图4所示,未涂层刀具达到失效标准时,其切削距离最短,而CrAlTiSiCN涂层刀具达到失效标准时,其切削距离最长,也说明CrAlTiSiCN涂层刀具的使用寿命最长。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明,但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明作出各种变化,倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则仍落入在本发明的保护范围之中。
Claims (7)
1.一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层,其特征在于,包括依次沉积于基体上的Cr打底层、CrN过渡层、CrAlTiSiN过渡层及CrAlTiSiCN膜层,所述纳米复合涂层的附着力为46~54N,所述纳米复合涂层的纳米硬度为39~45GPa。
2.根据权利要求1所述的CrAlTiSiCN纳米复合涂层,其特征在于,所述纳米复合涂层的厚度为1.7~4.5μm。
3.根据权利要求2所述的CrAlTiSiCN纳米复合涂层,其特征在于,所述Cr打底层的厚度为0.2~1.0μm,所述CrN过渡层的厚度为0.5~1.0μm,所述CrAlTiSiN过渡层的厚度为0.5~1.5μm,所述CrAlTiSiCN膜层的厚度为0.5~1.0μm。
4.根据权利要求1所述的CrAlTiSiCN纳米复合涂层,其特征在于,所述基体为金属刀具、硬质合金刀具或陶瓷刀具。
5.一种CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:基体清洗:先将基体用砂纸进行打磨抛光处理,然后将基体放入丙酮溶液中进行超声波清洗,再将清洗完成的基体用酒精擦拭,并烘干,最后将基体进行离子清洗,得到洁净基体;
S2:制备Cr打底层:将经过步骤S1处理过的基体送入沉积室中,通过调整偏压控制Cr靶,于基体上沉积Cr打底层,Cr靶电流为80~100A,基体负偏压为180~220V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积时间为15~25min,Cr打底层的厚度为0.2~1.0μm;
S3:制备CrN过渡层:向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,于经过步骤S2处理过的基体上沉积CrN过渡层,Cr靶电流为80~100A,基体负偏压为180~220V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积时间为45~70min,CrN过渡层的厚度为0.5~1.0μm;
S4:制备CrAlTiSiN过渡层:继续向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,通过阴极电弧沉积技术控制Cr靶、AlTi靶及TiSi靶,于经过步骤S3处理过的基体上沉积CrAlTiSiN过渡层,Cr靶、AlTi靶及TiSi靶的靶电流均为80~100A,基体负偏压为130~160V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积温度为400~450℃,沉积时间为45~70min,CrAlTiSiN过渡层的厚度为0.5~1.5μm;
S5:制备CrAlTiSiCN膜层:向沉积室内通入流量为200~250sccm的氮气,通入流量为65~80sccm的乙炔气体,通过阴极电弧沉积技术控制Cr靶、AlTi靶及TiSi靶,于经过步骤S4处理过的基体上沉积CrAlTiSiCN膜层,Cr靶、AlTi靶及TiSi靶的靶电流均为80~100A,基体负偏压为130~160V,沉积室内的气体压强为1~2Pa,沉积温度为400~450℃,沉积时间为45~70min,CrAlTiSiCN膜层的厚度为0.5~1.0μm。
6.根据权利要求5所述的CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,其特征在于,步骤S4及步骤S5中的AlTi靶中Al:Ti的原子数含量比为7:3,步骤S4及步骤S5中的TiSi靶中Ti:Si的原子数含量比为1:1。
7.根据权利要求5所述的CrAlTiSiCN纳米复合涂层的制备方法,其特征在于,步骤S1中的将基体进行离子清洗具体包括:将基体放入真空炉腔内,真空炉腔内的真空度小于2×10-2Pa,将真空炉加热至400~450℃时,向真空炉内通入氩气,在氩气气氛下,将基体负偏压调整为450~500V进行等离子刻蚀清洗,清洗时间为25~35min。
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