CN112885976A - 显示基板、显示装置及掩膜版 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示基板、显示装置及掩膜版，包括：衬底基板，衬底基板包括多个子像素区，子像素区包括开口区和非开口区；多个发光器件，位于衬底基板之上；发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个发光器件的第一电极和发光层对应设置在一个开口区，全部发光器件的第二电极构成一体化的面状电极；第一取光层，位于发光层与第二电极之间；第一取光层设置于至少部分非开口区内；第一取光层的折射率大于第二电极的折射率；第二取光层，位于第二电极背离第一取光层的一侧；第二取光层在衬底基板上的正投影完全覆盖第一取光层在衬底基板上的正投影，且第二取光层的折射率大于第二电极的折射率。

Description

显示基板、显示装置及掩膜版
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置及掩膜版。
背景技术
有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置是基于有机电致发光二极管的显示屏。其具备自发光、对比度高、分辨率高、厚度小、视角广、响应速度快、色彩饱和、低能耗、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被誉为梦幻显示，受到了越来越多的关注，应用前景广阔。
发明内容
一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括多个子像素区，所述子像素区包括开口区和非开口区；
多个发光器件，位于所述衬底基板之上；所述发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个所述发光器件的所述第一电极和所述发光层对应设置在一个所述开口区，全部所述发光器件的所述第二电极构成一体化的面状电极；
第一取光层，位于所述发光层与所述第二电极之间；所述第一取光层设置于至少部分所述非开口区内；所述第一取光层的折射率大于所述第二电极的折射率；
第二取光层，位于所述第二电极背离所述第一取光层的一侧；所述第二取光层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一取光层在所述衬底基板上的正投影，且所述第二取光层的折射率大于所述第二电极的折射率。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第二取光层整面设置在所述第二电极之上。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层的折射率和所述第二取光层的折射率分别为1.8-2.5，所述第二电极的折射率为1.4-1.6。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一取光层的厚度、所述第二取光层的厚度分别大于所述第二电极的厚度。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度相等。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度为12nm-60nm，所述第二电极的厚度为10nm-14nm。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区为正六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于相邻两行的三个所述子像素区中搭接的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区；以及相邻两行所述子像素区中，后一行的相邻两个所述子像素区和前一行的一个所述子像素区；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于前一行相邻两个所述子像素区、及后一行一个所述子像素区；所述第二部分设置于后一行相邻两个所述子像素区、及前一行一个所述子像素区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；
所述第一取光层设置于每两列所述第三子像素区所含所述开口区之间在行方向上的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，且在行方向上，所述第一部分的宽度与所述第一子像素区所含所述开口区的宽度、及所述第二子像素区所含所述开口区的宽度相等；所述第二部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及所述第二子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区和所述第二子像素区分别具有一个开口区，所述第三子像素区具有两个开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别为非正多边形的六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于每相邻两个所述第一子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、每相邻两个所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及每相邻两个所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第二子像素区具有两个所述开口区，所述第一子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别为非正多边形的六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于行方向上每相邻两个所述子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，且所述第一部分在所述列方向上的长度等于所述第一子像素区的长度、及所述第二子像素区的长度；所述第二部分设置于同一行的所述第一子像素区和所述第三子像素区、以及相邻行的所述第二子像素区相互搭接的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为矩形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在奇数行交替排布，所述第三子像素区设置在偶数行；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于每相邻两个所述子像素区所含所述开口区之间在行方向及列方向上的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为矩形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在奇数行交替排布，所述第三子像素区设置在偶数行；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，所述第二部分设置于所述第三子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述非开口区内的所述第一取光层在同一行方向上的中心共线设置，且所述非开口区内的所述第一取光层在同一列方向上的中心共线设置。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述第一取光层、所述第二取光层的材料为非半导体金属氧化物、半导体金属氧化物、有机小分子材料之一或组合。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述非半导体金属氧化物包括：三氧化二铝和/或氧化镁；所述半导体金属氧化物包括氧化锌、三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨之一或组合；所述有机小分子材料的折射率大于2。
另一方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
另一方面，本公开实施例提供了一种掩膜版，所述掩膜版用于制作权利要求1所述的第一取光层；
所述掩膜版包括透光区和非透光区；其中，所述透光区的图案与所述第一取光层的图案相同，所述非透光区的图案与所述透光区的图案互补。
附图说明
图1为本公开实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为沿图1中I-II线的剖面结构示意图；
图3为本公开实施例提供的显示装置的透过率曲线图；
图4为本公开实施例提供的第一取光层的一种结构示意图；
图5为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图；
图6为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图；
图7为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图；
图8为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图；
图9为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图；
图10为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图；
图11为本公开实施例提供的第一取光层的又一种结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
透明显示装置由于具有一定的透光性，可以令用户在透明显示装置的正面观察显示画面的同时，透过透明显示装置看到其后方的物体，并在透明显示装置的背面透过透明显示装置看到其前方的物体，增强了信息传达的效率，也增加了许多趣味，给用户带来前所未有的视觉感受和全新的体验，常用于橱窗展厅、建筑窗户、汽车玻璃、人机交互等领域，具有广泛的应用前景。
相关技术中，OLED透明显示装置具有多个子像素区，每个子像素区设置有一个发光器件，每个发光器件包括层叠设置的阳极、发光层和阴极；其中，阳极和阴极产生的电场驱动载流子移动至发光层耦合发光，实现画面显示。并且全部发光器件的阴极是整面设置的，每个发光器件的阳极仅位于子像素区的开口区，环境光透过相邻阳极的间隙处(即子像素区的非开口区)，可展现出实际环境中的物体。但整面设置的阴极在一定程度上降低了产品的透过率，影响了产品的透明显示效果。
针对相关技术中存在的上述技术问题，本公开实施例提供了一种显示基板，如图1和图2所示，包括：
衬底基板101，该衬底基板101包括多个子像素区P，子像素区P包括开口区(图1中无图案填充区域)和非开口区(即图1中阴影区域)；
多个发光器件102，位于衬底基板101之上；发光器件102包括层叠设置的第一电极1021、发光层1022和第二电极1023；其中，每个发光器件102的第一电极1021和发光层1022对应设置在一个开口区，全部发光器件102的第二电极1023构成一体化的面状电极；
第一取光层103，位于发光层1022与第二电极1023之间；第一取光层103设置于至少部分非开口区内；第一取光层103的折射率大于第二电极1023的折射率；
第二取光层104，位于第二电极1023背离第一取光层103的一侧；第二取光层104在衬底基板101上的正投影完全覆盖第一取光层103在衬底基板101上的正投影，且第二取光层104的折射率大于第二电极1023的折射率。
在本公开实施例提供的上述显示基板中，通过在非开口区内第二电极1023两侧增设第一取光层103和第二取光层104，并设置第一取光层103和第二取光层104的折射率分别大于第二电极1023的折射率，使得更多的光线可在第二电极1023与第一取光层103的交界面、以及第二电极1023与第二取光层104的交界面发生折射，致使非开口区处的透过率增大，从而有效提高了显示装置的整体透过率。
在一些实施例中，上述发光器件102的类型可以为顶发射型，也可以为底发射型。在发光器件102为顶发射型时，第一电极1021为阳极，第二电极1023为阴极；在发光器件102为底发射型时，第一电极1021为阴极，第二电极1023为阳极。在本公开中均以发光器件102是顶发射型为例进行说明。
在一些实施例中，如图2所示，发光器件102还可以包括：空穴注入层1024、空穴传输层1025、电子阻挡层1026、空穴阻挡层1027、电子传输层1028和电子注入层1029。发光器件102可以为红色发光器件R、绿色发光器件G或蓝色发光器件B，当然，发光器件102还可以为白色发光器件W，在此不做限定。另外，显示基板还可以包括：晶体管TFT、栅绝缘层105、层间介电层106、平坦层107和像素界定层108等，对于显示基板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
需要说明的是，在本公开实施例提供的上述显示基板中，第一取光层103和第二取光层104的沉积工艺可根据材料的成膜形式进行选择性选择，可以为真空蒸镀，也可为原子层沉积(ALD)，在此不做限定。并且，形成第一取光层103的图案的过程中，不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模版掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程，还可以包括其他工艺过程，具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准，在此不做限定。例如，在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2所示，第二取光层104可以整面设置在第二电极1023之上，以简化制作工艺。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，第一取光层103的折射率和第二取光层104的折射率可以分别为1.8-2.5，第二电极1023的折射率为1.4-1.6，以更好地提高透过率。
在一些实施例中，第一取光层103、第二取光层104的材料可以选用非半导体金属氧化物、半导体金属氧化物、有机小分子材料之一或任意组合。可选地，非半导体金属氧化物可以包括：三氧化二铝(Al2O3)和/或氧化镁(MgO)；半导体金属氧化物可以包括氧化锌(ZnO)、三氧化钼(MoO3)、五氧化二钒(V2O5)、三氧化钨(WO3)之一或组合；有机小分子材料的折射率大于2。第二电极1023的材料可以选用镁银合金(Mg:Ag)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)等。
示例性地，第一取光层103和第二取光层104均选用氧化锌(ZnO)材料，第二电极1023选用银(Ag)，构成ZnO/Ag/ZnO的叠层，以提升非开口区的透过率。并且由于第二电极1023使用纯金属薄层，因此ZnO/Ag/ZnO的叠层可以有效降低第二电极1023的面电阻和电压降(IR Drop)。在一些实施例中，第一取光层103和第二取光层104均选用三氧化二铝(Al2O3)材料，第二电极1023选用质量比1:9的镁银合金(Mg:Ag)，构成Al2O3/Mg:Ag/Al2O3的叠层，以提升非开口区的透过率。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2所示，为了进一步提高透过率，可以设置在垂直于衬底基板101的方向上，非开口区的第一取光层103的厚度H1、第二取光层104的厚度H2分别大于第二电极1023的厚度H3。
在一些实施例中，第一取光层103的厚度H1可以与第二取光层104的厚度相等。需要说明的是，在实际工艺中，由于工艺条件的限制或其他因素，上述“相等”可能会完全等同，也可能会有一些偏差，因此上述特征之间“相等”的关系只要满足误差允许均属于本公开的保护范围。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，第一取光层103的厚度H1与第二取光层104的厚度H2可以为12nm-60nm，第二电极1023的厚度H3可以为10nm-14nm。
示例性地，图3给出了第一取光层103和第二取光层104的材料为氧化锌(ZnO)、第二电极1023材料为银(Ag)的情况下，显示装置的透过率曲线图。其中，在图3中，第二电极1023的厚度H3为10nm，a曲线对应第一取光层103的厚度H1和第二取光层104的厚度H2均为17nm，b曲线对应第一取光层103的厚度H1和第二取光层104的厚度H2均为12nm，c曲线对应第一取光层103的厚度H1和第二取光层104的厚度H2均为7.5nm。由图3可见，当第一取光层103的厚度H1和第二取光层104的厚度H2达到17nm时，RGB波段的透过率可以达到80％以上；并且第一取光层103的厚度H1和第二取光层104的厚度H2越大，透过率越高。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，第一取光层103的图案(pattern)可以随子像素区P的不同而变化。并且，在具体实施时，可以采用一张规则开口或异形开口的精细金属掩膜版(FMM)来形成第一取光层103的图案，也可为采用两张或两张以上规则开口、异形开口的FMM协作形成第一取光层103的图案。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图4和图5所示，多个子像素区P包括第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3；其中，第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3分别具有一个开口区；第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3为正六边形；第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3构成重复单元，在行方向X上循环排列；奇数行的各子像素区P在列方向Y上对齐排列，偶数行的各子像素区P在列方向Y上对齐排列，且奇数行的各子像素区P与偶数行的各子像素区P沿行方向X错开半个子像素区P的距离；第一取光层103可以设置于相邻两行的三个子像素区P中搭接的非开口区。即多个子像素区P呈“△”(delta)排列方式。
在一些实施例中，如图4所示，三个子像素区P包括：相邻两行子像素区P中，前一行的相邻两个子像素区P(例如第一子像素区P1和第二子像区P2)和后一行的一个子像素区P(例如第三子像素区P3)。此时可以采用一张掩膜版形成第一取光层103的图案。
在另一些实施例中，如图5所示，三个子像素区P可以包括：相邻两行子像素区P中，前一行的相邻两个子像素区P(例如第一子像素区P1和第二子像区P2)和后一行的一个子像素区P(例如第三子像素区P3)；以及相邻两行子像素区P中，后一行的相邻两个子像素区P(例如第一子像素区P1和第三子像区P3)和前一行的一个子像素区P(例如第二子像素区P3)；第一取光层103可以包括第一部分1031和第二部分1032；其中，第一部分1031设置于前一行相邻两个子像素区P、及后一行一个子像素区P；第二部分设置于后一行相邻两个子像素区P、及前一行一个子像素区P。此时可以采用一张掩膜版形成第一部分1031的图案，并采用另一张掩膜版形成第二部分1032的图案，即采用两张掩膜版协同形成第一取光层103的图案。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图6和图7所示，多个子像素区P包括第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3；其中，第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3分别具有一个开口区；第一子像素区P1和第二子像素区P2分别为正方形，第三子像素区P3为长方形；第一子像素区P1和第二子像素区P2在列方向Y上交替设置，第三子像素区P3所在列与第一子像素区P1、第二子像素区P2所在列在行方向X上交替设置，且一个第三子像素区P3与一列中的两个第一子像素区P1、及两个第二子像素区P2接触设置；即多个子像素区P为sRGB排列方式。
具体地，在图6中，第一取光层103设置于每两列第三子像素区P3所含开口区之间在行方向上的非开口区。此时可以采用一张掩膜版形成第一取光层103的图案。在图7中，第一取光层103包括第一部分1031和第二部分1032；其中，第一部分1031设置于第一子像素区P1所含开口区与第二子像素区P2所含开口区之间的非开口区，且在行方向X上，第一部分1031的宽度与第一子像素区P1所含开口区的宽度、及第二子像素区P2所含开口区的宽度相等；第二部分1032设置于第一子像素区P1所含开口区与第三子像素区P3所含开口区之间的非开口区、以及第二子像素区P2所含开口区与第三子像素区P3所含开口区之间的非开口区。此时可以采用一张掩膜版形成第一部分1031的图案，并采用另一张掩膜版形成第二部分1032的图案，即采用两张掩膜版协同形成第一取光层103的图案。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图8和图9所示，多个子像素区P包括第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3；其中，第一子像素区P1和第二子像素区P2分别具有一个开口区，第三子像素区P3具有两个开口区；第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3分别为非正多边形的六边形；第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3构成重复单元，在行方向X上循环排列；奇数行的各子像素区P在列方向Y上对齐排列，偶数行的各子像素区P在列方向Y上对齐排列，且奇数行的各子像素区P与偶数行的各子像素区P沿行方向错开半个子像素区的距离；使得多个子像素区P构成GGRB像素排列。
具体的，在图8中，第一取光层103设置于每相邻两个第一子像素区P1所含开口区之间的非开口区、每相邻两个第二子像素区P2所含开口区之间的非开口区、以及每相邻两个第三子像素区P3所含开口区之间的非开口区。此时可以采用一张掩膜版形成第一取光层103的图案。
在图9中，第一取光层103包括第一部分1031和第二部分1032；其中，第一部分1031设置于行方向上每相邻两个子像素区P所含开口区之间的非开口区，且第一部分1031在列方向Y上的长度等于第一子像素区P1的长度、及第二子像素区P2的长度；第二部分1032设置于同一行的第一子像素区P1和第三子像素区P3、以及相邻行的第二子像素区P2相互搭接的非开口区。此时可以采用一张掩膜版形成第一部分1031的图案，并采用另一张掩膜版形成第二部分1032的图案，即采用两张掩膜版协同形成第一取光层103的图案。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图10和图11所示，多个子像素区P包括第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3；其中，第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3分别具有一个开口区；第一子像素区P1和第二子像素区P2分别为正方形，第三子像素区P3为矩形；第一子像素区P1和第二子像素区P2在奇数行交替排布，第三子像素区P3设置在偶数行；奇数行的各子像素区P在列方向Y上对齐排列，偶数行的各子像素区P在列方向Y上对齐排列，且奇数行的各子像素区P与偶数行的各子像素区P沿行方向X错开半个子像素区P的距离；使得多个子像素区P呈钻石(Diamond)排列。
具体的，在图10中，第一取光层103设置于每相邻两个子像素区P所含开口区之间在行方向X及列方向Y上的非开口区。此时可以采用一张掩膜版形成第一取光层103的图案。在图11中，第一取光层103包括第一部分1031和第二部分1032；其中，第一部分1031设置于第一子像素区P1所含开口区与第二子像素区P2所含开口区之间的非开口区，第二部分1032设置于第三子像素区P3所含开口区与第二子像素区P2所含开口区之间的非开口区。此时可以采用一张掩膜版形成第一部分1031的图案，并采用另一张掩膜版形成第二部分1032的图案，即采用两张掩膜版协同形成第一取光层103的图案。
应当理解的是，为节省掩膜版成本，较佳地，可采用一张掩膜版来完成第一取光层103的制作。另外，在本公开中第一子像素区P1可以设置蓝色发光器件B、第二子像素区P1可以设置红色发光器件R、第三子像素区P3可以设置绿色发光器件G。
可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，为使得第一取光层103的图案在各子像素区P的面积大致相同，从而使得透光率较均一，可以将非开口区内的第一取光层103在同一行方向X上的中心共线设置，且非开口区内的第一取光层103在同一列方向Y上的中心共线设置。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示基板，由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
在一些实施例中，上述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
基于同一发明构思，本公开实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版用于制作第一取光层；
掩膜版包括透光区和非透光区；其中，透光区的图案与第一取光层的图案相同，非透光区的图案与透光区的图案互补。
应当理解的是，若非透光区的图案是相互独立的，则该掩膜板可以包括透明衬底、以及在该透明衬底上制作的金属层，该金属层在透光区具有开口，在非透光区保留金属材料。若非透光区的图案是连续的，则该掩膜板可以仅由金属层构成，该金属层在透光区具有开口，在非透光区保留金属材料。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (20)

1.一种显示基板，其中，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括多个子像素区，所述子像素区包括开口区和非开口区；
多个发光器件，位于所述衬底基板之上；所述发光器件包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；其中，每个所述发光器件的所述第一电极和所述发光层对应设置在一个所述开口区，全部所述发光器件的所述第二电极构成一体化的面状电极；
第一取光层，位于所述发光层与所述第二电极之间；所述第一取光层设置于至少部分所述非开口区内；所述第一取光层的折射率大于所述第二电极的折射率；
第二取光层，位于所述第二电极背离所述第一取光层的一侧；所述第二取光层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一取光层在所述衬底基板上的正投影，且所述第二取光层的折射率大于所述第二电极的折射率。
2.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二取光层整面设置在所述第二电极之上。
3.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一取光层的折射率和所述第二取光层的折射率分别为1.8-2.5，所述第二电极的折射率为1.4-1.6。
4.如权利要求1所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一取光层的厚度、所述第二取光层的厚度分别大于所述第二电极的厚度。
5.如权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度相等。
6.如权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一取光层的厚度与所述第二取光层的厚度为12nm-60nm，所述第二电极的厚度为10nm-14nm。
7.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区为正六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于相邻两行的三个所述子像素区中搭接的所述非开口区。
8.如权利要求7所述的显示基板，其中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区。
9.如权利要求7所述的显示基板，其中，三个所述子像素区包括：相邻两行所述子像素区中，前一行的相邻两个所述子像素区和后一行的一个所述子像素区；以及相邻两行所述子像素区中，后一行的相邻两个所述子像素区和前一行的一个所述子像素区；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于前一行相邻两个所述子像素区、及后一行一个所述子像素区；所述第二部分设置于后一行相邻两个所述子像素区、及前一行一个所述子像素区。
10.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；
所述第一取光层设置于每两列所述第三子像素区所含所述开口区之间在行方向上的所述非开口区。
11.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为长方形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在列方向上交替设置，所述第三子像素区所在列与所述第一子像素区、所述第二子像素区所在列在行方向上交替设置，且一个所述第三子像素区与一列中的两个所述第一子像素区、及两个所述第二子像素区接触设置；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，且在行方向上，所述第一部分的宽度与所述第一子像素区所含所述开口区的宽度、及所述第二子像素区所含所述开口区的宽度相等；所述第二部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及所述第二子像素区所含所述开口区与所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。
12.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区和所述第二子像素区分别具有一个开口区，所述第三子像素区具有两个开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别为非正多边形的六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于每相邻两个所述第一子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、每相邻两个所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区、以及每相邻两个所述第三子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。
13.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第二子像素区具有两个所述开口区，所述第一子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别为非正多边形的六边形；
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区构成重复单元，在行方向上循环排列；
奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于行方向上每相邻两个所述子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，且所述第一部分在所述列方向上的长度等于所述第一子像素区的长度、及所述第二子像素区的长度；所述第二部分设置于同一行的所述第一子像素区和所述第三子像素区、以及相邻行的所述第二子像素区相互搭接的所述非开口区。
14.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为矩形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在奇数行交替排布，所述第三子像素区设置在偶数行；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层设置于每相邻两个所述子像素区所含所述开口区之间在行方向及列方向上的所述非开口区。
15.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；其中，
所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区分别具有一个所述开口区；所述第一子像素区和所述第二子像素区分别为正方形，所述第三子像素区为矩形；
所述第一子像素区和所述第二子像素区在奇数行交替排布，所述第三子像素区设置在偶数行；奇数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，偶数行的各所述子像素区在列方向上对齐排列，且奇数行的各所述子像素区与偶数行的各所述子像素区沿行方向错开半个所述子像素区的距离；
所述第一取光层包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分设置于所述第一子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区，所述第二部分设置于所述第三子像素区所含所述开口区与所述第二子像素区所含所述开口区之间的所述非开口区。
16.如权利要求1-15任一项所述的显示基板，其中，所述非开口区内的所述第一取光层在同一行方向上的中心共线设置，且所述非开口区内的所述第一取光层在同一列方向上的中心共线设置。
17.如权利要求1-15任一项所述的显示基板，其中，所述第一取光层、所述第二取光层的材料为非半导体金属氧化物、半导体金属氧化物、有机小分子材料之一或组合。
18.如权利要求17所述的显示基板，其中，所述非半导体金属氧化物包括：三氧化二铝和/或氧化镁；所述半导体金属氧化物包括氧化锌、三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨之一或组合；所述有机小分子材料的折射率大于2。
19.一种显示装置，其中，包括如权利要求1-18任一项所述的显示基板。
20.一种掩膜版，其中，所述掩膜版用于制作权利要求1所述的第一取光层；
所述掩膜版包括透光区和非透光区；其中，所述透光区的图案与所述第一取光层的图案相同，所述非透光区的图案与所述透光区的图案互补。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113629214A (zh) * 2021-08-06 2021-11-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
WO2022156286A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及掩膜版
US11700747B2 (en) 2019-06-26 2023-07-11 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160093834A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and deposition mask for the apparatus
US20160148981A1 (en) * 2014-11-26 2016-05-26 Nlt Technologies, Ltd. Display device, electro-optical device, electric equipment, metal mask, and pixel array
CN109920816A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4104339B2 (ja) * 2002-02-06 2008-06-18 松下電器産業株式会社 発光素子及びその製造方法、並びに表示装置
JP2012238544A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Sony Corp 表示素子および表示装置ならびに電子機器
CN108123055B (zh) * 2016-11-30 2020-07-21 财团法人工业技术研究院 发光装置
JP6915874B2 (ja) * 2018-04-09 2021-08-04 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器
CN111341820B (zh) * 2020-03-12 2022-10-14 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN112885976B (zh) * 2021-01-19 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及掩膜版

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160093834A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and deposition mask for the apparatus
US20160148981A1 (en) * 2014-11-26 2016-05-26 Nlt Technologies, Ltd. Display device, electro-optical device, electric equipment, metal mask, and pixel array
CN109920816A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11700747B2 (en) 2019-06-26 2023-07-11 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US12004383B2 (en) 2019-06-26 2024-06-04 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
WO2022156286A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及掩膜版
CN113629214A (zh) * 2021-08-06 2021-11-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113629214B (zh) * 2021-08-06 2023-12-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

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