CN102110707A

CN102110707A - 发光装置及其制造方法

Info

Publication number: CN102110707A
Application number: CN2010105560976A
Authority: CN
Inventors: 江元铭; 吴文豪
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2010-11-23
Filing date: 2010-11-23
Publication date: 2011-06-29
Anticipated expiration: 2030-11-23
Also published as: CN102110707B

Abstract

本发明公开一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括基板以及多个像素行。像素行排列于基板上，像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，第一子像素行包括多个第一子像素，第二子像素行包括多个第二子像素，以及第三子像素行包括多个第三子像素。在第m像素行中，第一子像素包括第一结构层，第一结构层彼此分离且分别对应于第一子像素，在第(m+n)像素行中，第一子像素包括第一共用结构层，第一共用结构层对应于位于同一行的多个第一子像素，其中第一结构层与第一共用结构层同为有机功能层或电极层，且m、n分别为正整数。

Description

发光装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种发光装置及其制造方法。

背景技术

信息通信产业已成为现今的主流产业，特别是可携带式的各种通信显示产品更是发展的重点。而由于平面显示器是人与信息之间的沟通界面，因此其发展显得特别重要。有机发光显示器即是一种有机发光装置，由于其具有自发光、广视角、省电、程序简易、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等等的优点，使其具有极大的潜力，因此可望成为下一代平面显示器的主流。

有机电致发光显示器是一种利用有机发光材料的自发光特性来达到显示效果的显示器，其由设置在基板上的第一电极层、第二电极层以及夹于两电极层之间的有机发光材料层所组成。当施加直流电压时，空穴从阳极(anode)注入有机发光材料层，而电子从阴极(cathode)注入有机发光材料层，因为外加电场所造成的电位差，使得空穴与电子两种载流子(carrier)在有机发光材料层中移动并产生辐射性复合(Radiative Recombination)。部分由电子空穴再结合所放出的能量会将有机发光材料分子激发形成单一激态分子。当单一激态分子释放能量回到基态时，其中一定比例的能量会以光子的方式放出而发光，此即为有机电致发光显示器的发光原理。

随着有机电致发光显示器的大型化的发展，其所面临的瓶颈为有机电致发光显示器蒸镀程序中所需的掩模大小有所限制。因此，必须使用分割型掩模来进行蒸镀工艺，也就是组合多个掩模并使掩模之间的间隙(gap)对应于子像素与子像素之间或者是直接对应于子像素。然而，在制作分割型掩模时，其边缘处有制作精度控制不易的问题，且在组合分割型掩模时会有组合精度控制不易的问题。如此一来，导致掩模的制作成本较高且蒸镀程序的时间较长。

发明内容

本发明提供一种发光装置，具有优选的良率。

本发明另提供一种发光装置的制造方法，具有简单的工艺与较低的制作成本。

本发明提出一种发光装置，其包括基板以及多个像素行。像素行排列于基板上，像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，第一子像素行包括多个第一子像素，第二子像素行包括多个第二子像素，以及第三子像素行包括多个第三子像素。在第m像素行中，第一子像素包括第一结构层，第一结构层彼此分离且分别对应于第一子像素，在第(m+n)像素行中，第一子像素包括第一共用结构层，第一共用结构层对应于位于同一行的多个第一子像素，其中第一结构层与第一共用结构层同为有机功能层或电极层，且m、n分别为正整数。

本发明提出另一种发光装置的制造方法。首先，提供基板，基板包括多个像素区，像素区包括分别排列成行的多个第一子像素区、多个第二子像素区以及多个第三子像素区。接着，提供掩模于基板上，掩模包括多个次掩模单元以及位于次掩模单元之间的组合间隙，次掩模单元包括具有多个开口的主体，主体遮蔽第二子像素区与第三子像素区，开口排列成多行且开口暴露出与其对应的第一子像素区，以及组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多个第一子像素区，其中组合间隙的宽度至少大于25μm。然后，透过掩模，在对应开口的第一子像素区中形成第一结构层，以及于对应组合间隙的位于同一行的多个第一子像素区中形成第一共用结构层，其中第一结构层与第一共用结构层同为有机功能层或电极层。

基于上述，在本发明的发光装置中，结构层与共同结构层构成有机功能层或电极层，其中结构层对应于子像素，以及共用结构层对应于同一行的多个子像素。在本发明的发光装置的制造方法中，使用包括多个次掩模单元的掩模，且令次掩模单元之间的组合间隙对应于整行的子像素区。次掩模单元包括多个开口以定义结构层，以及次掩模单元之间的组合间隙定义出共用结构层。如此一来，使得次掩模单元的制作较容易，以及次掩模单元之间的组合精度较易控制。因此，可大幅缩减发光装置的工艺时间以及降低掩模的制作成本，且所制作的发光装置具有优选的良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明的实施例的一种发光装置的俯视示意图。

图1B为沿图1A的I-I’线、II-II’线、III-III’线以及IV-IV’线的剖面示意图。

图2A至图2F为本发明的实施例的一种发光装置的制造方法的俯视示意图。

图3A至图3F分别为沿图2A至图2F的I-I’线、II-II’线、III-III’线以及IV-IV’线的剖面示意图。

附图标记说明

10：发光装置

100：基板

102：像素区

110_m、110_(m+n-1)、110_(m+n)、110_(m+n+1)：像素行

112、114、116：子像素行

120：电极层

130：绝缘层

132：开口

140：有机功能层

142、144、146、162、164、166：结构层

152、154、156、172、174、176：共用结构层

160：电极层

200：掩模

210：次掩模单元

211：边缘部分

212：主体

214：开口

220：组合间隙

w1、w2、w3、w4、w5、w6：宽度

P₁、P₂、P₃：子像素

PA₁、PA₂、PA₃：子像素区

具体实施方式

图1A为本发明的实施例的一种发光装置的俯视示意图，以及图1B为沿图1A的I-I’线、II-II’线、III-III’线以及IV-IV’线的剖面示意图，其中为了详细说明，图1A省略绘示子像素P₁、P₂、P₃的结构层142、144、146与共用结构层152、154、156，完整的子像素P₁、P₂、P₃的剖面是绘示于图1B中。请同时参照图1A与图1B，在本实施例中，发光装置10包括基板100以及多个像素行110_m、110_(m+n-1)、110_(m+n)、110_(m+n+1)。像素行110_m、110_(m+n-1)、110_(m+n)、110_(m+n+1)排列于基板100上，像素行110_m、110_(m+n-1)、110_(m+n)、110_(m+n+1)包括第一子像素行112、第二子像素行114以及第三子像素行116，第一子像素行112包括多个第一子像素P₁，第二子像素行114包括多个第二子像素P₂，以及第三子像素行116包括多个第三子像素P₃。在本实施例中，多个第一子像素P₁、多个第二子像素P₂以及多个第三子像素P₃例如是分别为多个红色子像素、多个绿色子像素以及多个蓝色子像素。

首先，必须说明的是，在本发明中，第一结构层与第一共用结构层可以一同作为有机功能层，或者是第一结构层与第一共用结构层可以一同作为电极层，其中电极层例如是阴极层或阳极层。换言之，在发光装置中，第一结构层与第一共用结构层可以一同作为阳极层、有机功能层、阴极层中的至少之一。在本实施例中，以发光装置10包括作为有机功能层的第一结构层142与第一共用层152，以及包括作为电极层的另一第一结构层162与另一第一共用结构层172为例。换言之，在本实施例中，第一结构层142与第一共用结构层152是被定义为有机功能层，以及另一第一结构层162与另一第一共用结构层172是被定义为电极层。

在第m像素行110_m中，第一子像素P₁包括第一结构层142，第一结构层142彼此分离且分别对应于第一子像素P₁，在第(m+n)像素行110_(m+n)中，多个第一子像素P₁包括第一共用结构层152，第一共用结构层152对应于位于同一行的多个第一子像素P₁，其中第一结构层142与第一共用结构层152同为有机功能层，且m、n分别为正整数。在本实施例中，第一结构层142与第一共用结构层152例如是作为有机功能层，其例如是包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。

相似地，在第m像素行110_m中，第一子像素P₁包括第一结构层162，第一结构层162彼此分离且分别对应于第一子像素P₁，在第(m+n)像素行110_(m+n)中，多个第一子像素P₁包括第一共用结构层172，第一共用结构层172对应于位于同一行的多个第一子像素P₁，其中第一结构层162与第一共用结构层172同为电极层，且m、n分别为正整数。在本实施例中，第一结构层162与第一共用结构层172例如是作为电极层。电极层可以是阴极层或阳极层。电极层的材料例如是不透明金属或透明金属，其中不透明金属包括铜、铝、银、金、钛、钼、钨、铬以及其合金或叠层，透明金属包括金属氧化物层，其例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的金属氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。

特别注意的是，在本实施例中，第一子像素P₁同时包括作为有机功能层的第一结构层142与第一共用结构层152以及作为电极层的另一第一结构层162与另一第一共用结构层172。然而，在其他实施例中，第一子像素P₁可以仅包括作为有机功能层的第一结构层142与第一共用结构层152或者是作为电极层的第一结构层162与第一共用结构层172，举例来说，在实施例中，第一子像素P₁包括作为有机功能层的第一结构层142与第一共用结构层152以及具有其他构型的电极层，或者是第一子像素P₁包括作为电极层的第一结构层162与第一共用结构层172以及具有其他构型的有机功能层。

在本实施例中，是以第一结构层162与第一共用结构层172作为阴极层为例。因此，第一子像素P₁还包括作为阳极层的另一电极层120。详言之，在第m像素行110_m中，第一子像素P₁包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第一结构层142以及作为阴极层的第一结构层162，其中第一结构层142位于电极层120与第一结构层162之间。也就是说，第一结构层142、162与第一子像素P₁具有一对一的对应关系。第一结构层142、162例如是在行方向上呈岛状排列。

另一方面，在第(m+n)像素行110_(m+n)中，第一子像素P₁包括依序堆叠于基板100上的电极层120、第一共用结构层152以及第一共用结构层172。其中，位于同一行的多个第一子像素P₁共同包括作为有机功能层的第一共用结构层152以及作为阴极层的第一共用结构层172。换言之，在第(m+n)像素行110_(m+n)中，第一共用结构层152、172是对应于第一子像素行112，且第一共用结构层152、172与第一子像素P₁具有一对多的对应关系。第一共用结构层152、172例如是呈条状且在行方向上延伸。第一共用结构层152、172的宽度w1例如是对应于第一子像素行112的宽度。在本实施例中，第一共用结构层152、172的宽度w1例如是实质上为120μm至125μm。

在本实施例中，第一共用结构层152、172的配置例如是以n个像素行为周期，也就是第一共用结构层152、172彼此例如是间隔n个像素行的距离。详言之，第(m-1)像素行、第(m+n)像素行、第(m+2n+1)像素行、第(m+3n+2)像素行...等像素行中配置有对应整行的第一子像素P₁的第一共用结构层152、172。另一方面，第m像素行至第(m+n-1)像素行中的第一子像素P₁、第(m+n+1)像素行至第(m+2n)像素行、第(m+2n+2)像素行至第(m+3n+1)像素行...等像素行中配置有分别对应于第一子像素P₁的第一结构层142、162。在本实施例中，各第一共用结构层152、172之间的距离(未绘示)例如是实质上为50mm至580mm。

在本实施例中，第二子像素P₂与第三子像素P₃的配置方式例如是与第一子像素P₁的配置方式相似。详言之，在第m像素行110_m中，第二子像素P₂包括第二结构层144、164，第二结构层144、164彼此分离且分别对应于第二子像素P₂，在第(m+n)像素行110_(m+n)中，多个第二子像素P₂包括第二共用结构层154、174，第二共用结构层154、174对应于位于同一行的多个第二子像素P₂，其中第二结构层144、164与第二共用结构层154、174同为有机功能层或电极层，电极层例如是阴极层或阳极层。在本实施例中，第二结构层144与第二共用结构层154例如是作为有机功能层，第二结构层164与第二共用结构层174例如是作为阴极层。因此，第二子像素P₂还包括作为阳极层的另一电极层120。详言之，在第m像素行110_m中，第二子像素P₂包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第二结构层144以及作为阴极层的第二结构层164。在第(m+n)像素行110_(m+n)中，第二子像素P₂包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第二共用结构层154以及作为阴极层的第二共用结构层174。第二共用结构层154、174的宽度w2例如是实质上为120μm至125μm。各第二共用结构层154、174彼此例如是间隔n个像素行的距离，以及各第二共用结构层154、174之间的距离(未绘示)例如是实质上为50mm至580mm。

在本实施例中，在第m像素行110_m中，第三子像素P₃包括第三结构层146、166，第三结构层146、166彼此分离且分别对应于第三子像素P₃，在第(m+n)像素行110_(m+n)中，多个第三子像素P₃包括第三共用结构层156、176，第三共用结构层156、176对应于位于同一行的多个第三子像素P₃，其中第三结构层146、166与第三共用结构层156、176同为有机功能层或电极层，电极层例如是阴极层或阳极层。在本实施例中，第三结构层146与第三共用结构层156例如是作为有机功能层，第三结构层166与第三共用结构层176例如是作为阴极层。因此，第三子像素P₃还包括作为阳极层的电极层120。详言之，在第m像素行110_m中，第三子像素P₃包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第三结构层146以及作为阴极层的第三结构层166。在第(m+n)像素行110_(m+n)中，第三子像素P₃包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第三共用结构层156以及作为阴极层的第三共用结构层176。第三共用结构层156、176的宽度w3例如是实质上为120μm至125μm。各第三共用结构层156、176彼此例如是间隔n个像素行的距离，以及各第三共用结构层156、176之间的距离(未绘示)是实质上为50mm至580mm。

在本实施例中，第一共用结构层152、172、第二共用结构层154、174、第三共用结构层156、176例如是位于同一像素行110_(m+n)中且彼此相连而具有实质上为360μm至375μm的总宽度。在本实施例中，结构层142、144、146与共用结构层152、154、156例如是构成有机功能层140，以及结构层162、164、166与共用结构层172、174、176例如是构成电极层160。

在本实施例中，发光装置10例如是还包括绝缘层130。绝缘层130具有会暴露出每一子像素P₁、P₂、P₃中的电极层120的多个开口132，以及结构层142、144、146与共用结构层152、154、156例如是配置于开口132中。特别注意的是，虽然在图1B的附图中是以结构层142、144、146以及共用结构层152、154、156皆形成于绝缘层130的开口132中为例，然而结构层142、144、146以及共用结构层152、154、156在实务上可能会配置于绝缘层130的开口132中且覆盖部分绝缘层130。另一方面，本发明的发光装置10不限制必须具有绝缘层130。换言之，在其他实施例中，也可以省略绝缘层130的配置。此外，虽然在本实施例中是以结构层162、164、166与共用结构层172、174、176一同作为阴极层以及结构层142、144、146与共用结构层152、154、156一同作为有机功能层为例，但在本发明中，结构层与共用结构层可以一同作为阳极层、有机功能层、阴极层中的至少一个、至少两个以及三个。举例来说，在另一实施例中，结构层与共用结构层亦可以一同作为阳极层，而阴极层与有机功能层具有所属领域普通技术人员所周知的一般结构。换言之，除了由结构层与共用结构层所形成的膜层以外，其他膜层可以是具有所属领域普通技术人员所周知的一般结构。

在本实施例中，发光装置包括由结构层与共同结构层所构成的有机功能层或电极层，其中结构层对应于子像素，以及共用结构层对应于同一行的多个子像素，且共用结构层例如是周期性配置。举例来说，在本实施例中，共用结构层配置于第(m-1)像素行、第(m+n)像素行、第(m+2n+1)像素行、第(m+3n+2)像素行...等像素行中且对应于整行的子像素，结构层则配置于这些像素行以外的各个子像素中。

接下来将介绍图1A与图1B所示的发光装置10的制造方法。图2A至图2F为本发明的实施例的一种发光装置的制造方法的俯视示意图，以及图3A至图3F分别为沿图2A至图2F的I-I’线、II-II’线、III-III’线以及IV-IV’线的剖面示意图。请同时参照图2A与图3A，首先，提供基板100，基板100包括多个像素区102，像素区102包括分别排列成行的多个第一子像素区PA₁、多个第二子像素区PA₂以及多个第三子像素区PA₃。在本实施例中，多个第一子像素区PA₁、多个第二子像素区PA₂以及多个第三子像素区PA₃例如是预定形成多个红色子像素、多个绿色子像素以及多个蓝色子像素的区域。基板100的材料可为玻璃、石英、有机聚合物、塑胶、可挠性塑胶或是不透光/反射材料等等。

在本实施例中，基板100上已形成有多个电极层120，且每一电极层120对应于一个子像素区PA₁、PA₂、PA₃。电极层120可以是阴极层或阳极层，电极层120例如是透明电极层，其例如是金属氧化物层，其例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的金属氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层；或者是具有高透光度的薄金属层或薄金属叠层。在实施例中，电极层120也可以是不透光的电极层。此外，在本实施例中，电极层120上例如是已形成绝缘层130。绝缘层130具有会暴露出每一子像素区PA₁、PA₂、PA₃中的电极层120的多个开口132。然而，特别注意的是，本发明不限制必须形成绝缘层130。换言之，在其他实施例中，也可以省略绝缘层130的制作。

请同时参照图2B与图3B，接着，提供掩模200于基板100上，掩模200包括多个次掩模单元210以及位于次掩模单元210之间的组合间隙220。次掩模单元210包括具有多个开口214的主体212，开口214排列成多行且每一开口214暴露出与其对应的第一子像素区PA₁，主体212遮蔽第二子像素区PA₂与第三子像素区PA₃。组合间隙220暴露出与其对应且位于同一行的多个第一子像素区PA₁，其中组合间隙220的宽度w4至少大于25μm。在本实施例中，每一次掩模单元210例如是位于n个像素区102上，次掩模单元210的开口214暴露出该n个像素区102中的每一第一子像素区PA₁，次掩模单元210之间的组合间隙220例如是暴露出位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+1)个像素区102...等像素区102中的多个第一子像素区PA₁。换言之，每一组合间隙220暴露出一行的多个第一子像素区PA₁。在本实施例中，次掩模单元210例如是位于n个像素区102上且次掩模单元210的宽度w5例如是实质上为50mm至580mm，以及开口212的宽度w6实质上为120μm至125μm。特别注意的是，组合间隙220的宽度w4至少为进行蒸镀法、溅镀法等工艺时足以形成线宽的最小宽度，因此其至少大于25μm。在本实施例中，组合间隙220的宽度w4例如是实质上为120μm至125μm。

请同时参照图2C与图3C，然后，透过掩模200，在对应开口214的第一子像素区PA₁中形成第一结构层142，以及于对应组合间隙220的位于同一行的多个第一子像素区PA₁中形成第一共用结构层152，其中第一结构层142与第一共用结构层152同为有机功能层或电极层。其中，有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。在本实施例中，以每一次掩模单元210位于n个像素区102上为例，第一结构层142形成于该n个像素区102中的每一第一子像素区PA₁中，第一结构层142与第一子像素区PA₁为一对一的对应关系。第一共用结构层152则形成于由组合间隙220所暴露的一行第一子像素区PA₁中，该行第一子像素区PA₁例如是位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+1)个像素区102、、、等像素区102中，以及第一共用结构层152与多个第一子像素区PA₁为一对多的配置方式。在本实施例中，第一结构层142例如是在行方向上呈岛状排列以分别位于一个第一子像素区PA₁中，以及第一共用结构层152例如是呈条状且在行方向上延伸以位于多个第一子像素区PA₁中。第一共用结构层152的宽度w1例如是对应于组合间隙220的宽度w4且例如是实质上为120μm至125μm。在本实施例中，第一结构层142与第一共用结构层152例如是有机功能层，以及第一结构层142与第一共用结构层152的形成方法例如是蒸镀法或溅镀法。举例来说，在本实施例中，例如是使用第一颜色蒸镀材料(诸如红色蒸镀材料)来蒸镀第一结构层142与第一共用结构层152，以形成红色发光层。

请同时参照图2D与图3D，在本实施例中，在形成第一结构层142与第一共用结构层152后，移动掩模200，使掩模200的主体212遮蔽第一子像素区PA₁与第三子像素区PA₃，开口214暴露出与其对应的第二子像素区PA₂，以及组合间隙220暴露出与其对应且位于同一行的多个第二子像素区PA₂。而后，透过掩模200，在对应开口214的第二子像素区PA₂中形成第二结构层144，以及于对应组合间隙220的位于同一行的多个第二子像素区PA₂中形成第二共用结构层154，其中第二结构层144与第二共用结构层154同为有机功能层或电极层。其中，有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。电极层包括阴极层或阳极层。

在本实施例中，以每一次掩模单元210位于n个像素区102上为例，第二结构层144形成于该n个像素区102中的每一第二子像素区PA₂中，第二结构层144与第二子像素区PA₂为一对一的对应关系。第二共用结构层154则形成于由组合间隙220所暴露的一行第二子像素区PA₂中，该行第二子像素区PA₂例如是位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+1)个像素区102、、、等像素区102中，以及第二共用结构层154与多个第二子像素区PA₂为一对多的配置方式。在本实施例中，第二结构层144例如是在行方向上呈岛状排列以分别位于一个第二子像素区PA₂中，以及第二共用结构层154例如是呈条状且在行方向上延伸以位于多个第二子像素区PA₂中。第二共用结构层154的宽度w2例如是对应于组合间隙220的宽度w4且例如是实质上为120μm至125μm。在本实施例中，第二结构层144与第二共用结构层154例如是同为有机功能层，以及第二结构层144与第二共用结构层154的形成方法例如是蒸镀法或溅镀法。在本实施例中，例如是使用第二颜色蒸镀材料(诸如绿色蒸镀材料)来蒸镀第二结构层144与第二共用结构层154，以形成绿色发光层。

请同时参照图2E与图3E，在本实施例中，在形成第二结构层144与第二共用结构层154后，移动掩模200，使掩模200的主体212遮蔽第一子像素区PA₁与第二子像素区PA₂，开口214暴露出与其对应的第三子像素区PA₃，以及组合间隙220暴露出与其对应且位于同一行的多个第三子像素区PA₃。而后，透过掩模200，在对应开口214的第三子像素区PA₃中形成第三结构层146，以及于对应组合间隙220的位于同一行的多个第三子像素区PA₃中形成第三共用结构层156，其中第三结构层146与第三共用结构层156同为有机功能层或电极层。其中，有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。

在本实施例中，以每一次掩模单元210位于n个像素区102上为例，第三结构层146形成于该n个像素区102中的每一第三子像素区PA₃中，第三结构层146与第三子像素区PA₃为一对一的对应关系。第三共用结构层156则形成于由组合间隙220所暴露的一行第三子像素区PA₃中，该行第三子像素区PA₃例如是位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+1)个像素区102、、、等像素区102中，以及第三共用结构层156与多个第三子像素区PA₃为一对多的配置方式。在本实施例中，第三结构层146例如是在行方向上呈岛状排列以分别位于一个第三子像素区PA₃中，以及第三共用结构层156例如是呈条状且在行方向上延伸以位于多个第三子像素区PA₃中。第三共用结构层156的宽度w3例如是对应于组合间隙220的宽度w4且例如是实质上为120μm至125μm。在本实施例中，第三结构层146与第三共用结构层156例如是同为有机功能层，以及第三结构层146与第三共用结构层156的形成方法例如是蒸镀法或溅镀法。在本实施例中，例如是使用第三颜色蒸镀材料(诸如蓝色蒸镀材料)来蒸镀第三结构层146与第三共用结构层156，以形成蓝色发光层。

请同时参照图2F与图3F，在本实施例中，结构层142、144、146与共用结构层152、154、156例如是构成有机功能层140。其中，第一共用结构层152、第二共用结构层154、第三共用结构层156例如是彼此相连而具有实质上为360μm至375μm的总宽度。特别一提的是，在本实施例中，是以有机功能层140为有机发光层为例，然而在其他实施例中，有机功能层140可以是包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层等膜层的多层结构。换言之，掩模200可以用来形成发光装置的多种膜层。

而后，在结构层142、144、146与共用结构层152、154、156上形成电极层160。在本实施例中，例如是使用掩模200来形成电极层160，其形成方法可以参照结构层142、144、146与共用结构层152、154、156的形成方法，在此不赘述。在本实施例中，电极层160例如是包括分别形成于结构层142、144、146与共用结构层152、154、156上的结构层162、164、166与共用结构层172、174、176。换言之，结构层162、164、166例如是在行方向上呈岛状排列以分别位于一个子像素区PA₁、PA₂、PA₃中，以及共用结构层172、174、176例如是呈条状且在行方向上延伸以位于多个子像素区PA₁、PA₂、PA₃中。共用结构层172、174、176的宽度例如是实质上为120μm至125μm，以及共用结构层172、174、176例如具有实质上为360μm至375μm的总宽度。

特别一提的是，在发光装置10中，电极层120为阳极层与阴极层中之一，以及电极层160为阳极层与阴极层中另一个。在本实施例中，电极层120例如是阳极层，以及电极层160例如是阴极层。再者，在本实施例中是以掩模200来形成发光装置10的有机功能层140与电极层160为例，但在其他实施例中，掩模200可以用来形成电极层120、有机功能层140以及电极层160中的至少一个、至少两个或三个。换言之，掩模200可以用来形成发光装置中的阳极层、有机功能层以及阴极层中的至少一个、至少两个或三个。

施例中，以图2B为例，由于次掩模单元210之间的组合间隙220是对应于一个子像素区PA₁的宽度，因此次掩模单元210的组合精度例如是控制在一个子像素区PA₁的宽度+/-0.04mm的范围内即可。换言之，掩模单元210的组合精度较易控制。再者，本实施例中，由于掩模200的边缘部分211至少遮蔽两个子像素区域PA₂、PA₃，因此次掩模单元210的边缘部分211的宽度(即次掩模单元210的边缘与最靠近边缘的开口214之间的距离)实质上至少大于两个子像素区域PA₂、PA₃的宽度，诸如至少大于或等于0.1mm。举例来说，以一个子像素区域的宽度约为120μm至125μm为例，次掩模单元210的边缘部分211的宽度至少大于240μm至250μm，但不加以限定，端视设计者需求。因此，在次掩模单元210的网板制作中，边缘部分211的制作精度例如是控制成小于或等于两个子像素区域PA₂、PA₃的宽度+/-0.006～0.01mm的范围内即可。换言之，次掩模单元210的边缘部分211的制作精度较易控制。此外，由于次掩模单元210的边缘部分211不会过细，因此掩模200的张网稳定性优选，而不会发生变形或断裂等问题。再者，由于次掩模单元210之间的组合间隙220只要能对应于一行的多个子像素区PA₁即可，因此可在掩模200中选择适当的位置来分割成多个次掩模单元210以制作出对称的次掩模单元210，如此一来可以大幅降低掩模200的制作成本。因此，本发明的发光装置的制造方法能大幅缩减发光装置的工艺时间以及降低掩模的制作成本，且所制作的发光装置具有优选的良率。

综上所述，在本发明的发光装置中，结构层与共同结构层构成有机功能层或电极层，其中结构层对应于子像素，以及共用结构层对应于同一行的多个子像素，且共用结构层例如是周期性配置。在本发明的发光装置的制造方法中，使用包括多个次掩模单元的掩模，且令次掩模单元之间的组合间隙对应于整行的子像素区。次掩模单元包括多个开口以定义结构层，以及次掩模单元之间的组合间隙定义出共用结构层。如此一来，使得次掩模单元的制作较容易，以及次掩模单元之间的组合精度较易控制。因此，可大幅缩减发光装置的工艺时间以及降低掩模的制作成本，且所制作的发光装置具有优选的良率。

虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。

Claims

1.一种发光装置，包括：

基板；以及

多个像素行，排列于该基板上，各像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，各第一子像素行包括多个第一子像素，各第二子像素行包括多个第二子像素，以及各第三子像素行包括多个第三子像素，

在第m像素行中，各第一子像素包括第一结构层，该多个第一结构层彼此分离且分别对应于第一子像素，在第(m+n)像素行中，该多个第一子像素包括第一共用结构层，该第一共用结构层对应于位于同一行的多个第一子像素，其中该第一结构层与该第一共用结构层同为有机功能层或电极层，且m、n分别为正整数。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一共用结构层的宽度为120μm至125μm。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中第m像素行的该第一子像素行与第(m+n)像素行的该第一子像素行之间的距离为50mm至580mm。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个第一结构层在行方向上呈岛状排列。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一共用结构层呈条状且在行方向上延伸。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中该电极层包括阴极层。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中该电极层包括阳极层。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中该有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个第一子像素、该多个第二子像素以及该多个第三子像素包括多个红色子像素、多个绿色子像素以及多个蓝色子像素。

10.如权利要求1所述的发光装置，在第m像素行中，各第二子像素包括第二结构层，该多个第二结构层彼此分离且分别对应于第二子像素，在第(m+n)像素行中，该多个第二子像素包括第二共用结构层，该第二共用结构层对应于位于同一行的多个第二子像素，其中该第二结构层与该第二共用结构层同为有机功能层或电极层。

11.如权利要求10所述的发光装置，其中该第二共用结构层的宽度为120μm至125μm。

12.如权利要求1所述的发光装置，在第m像素行中，各第三子像素包括第三结构层，该多个第三结构层彼此分离且分别对应于第三子像素，在第(m+n)像素行中，该多个第三子像素包括第三共用结构层，该第三共用结构层对应于位于同一行的多个第三子像素，其中该第三结构层与该第三共用结构层同为有机功能层或电极层。

13.如权利要求12所述的发光装置，其中该第三共用结构层的宽度为120μm至125μm。

14.一种发光装置的制造方法，包括：

提供基板，该基板包括多个像素区，各像素区包括分别排列成行的多个第一子像素区、多个第二子像素区以及多个第三子像素区；

提供掩模于该基板上，该掩模包括多个次掩模单元以及位于该多个次掩模单元之间的组合间隙，各次掩模单元包括具有多个开口的主体，该主体遮蔽该多个第二子像素区与该多个第三子像素区，该多个开口排列成多行且各开口暴露出与其对应的第一子像素区，以及各组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多个第一子像素区，其中各组合间隙的宽度至少大于25μm；以及

透过该掩模，在对应各开口的第一子像素区中形成第一结构层，以及于对应各组合间隙的位于同一行的多个第一子像素区中形成第一共用结构层，其中该第一结构层与该第一共用结构层同为有机功能层或电极层。

15.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中各次掩模单元的宽度为50mm至580mm。

16.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中各组合间隙的宽度为120μm至125μm。

17.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中各开口的宽度为120μm至125μm。

18.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该第一结构层与该第一共用结构层的形成方法包括蒸镀法与溅镀法。

19.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。

20.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该电极层包括阴极层。

21.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该电极层包括阳极层。

22.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，在形成该第一结构层与该第一共用结构层后，还包括：

移动该掩模，使该掩模的该主体遮蔽该多个第一子像素区与该多个第三子像素区，各开口暴露出与其对应的第二子像素区，以及各组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多个第二子像素区；以及

透过该掩模，在对应各开口的第二子像素区中形成第二结构层，以及于对应各组合间隙的位于同一行的多个第二子像素区中形成第二共用结构层，其中该第二结构层与该第二共用结构层同为有机功能层或电极层。

23.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，在形成该第一结构层与该第一共用结构层后，还包括：

移动该掩模，使该掩模的该主体遮蔽该多个第一子像素区与该多个第二子像素区，各开口暴露出与其对应的第三子像素区，以及各组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多个第三子像素区；以及

透过该掩模，在对应各开口的第三子像素区中形成第三结构层，以及于对应各组合间隙的位于同一行的多个第三子像素区中形成第三共用结构层，其中该第三结构层与该第三共用结构层同为有机功能层或电极层。