CN112877670A - 一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺 - Google Patents
一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112877670A CN112877670A CN202110165012.XA CN202110165012A CN112877670A CN 112877670 A CN112877670 A CN 112877670A CN 202110165012 A CN202110165012 A CN 202110165012A CN 112877670 A CN112877670 A CN 112877670A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- evaporation
- crucible
- vacuum
- film
- crucibles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 73
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 6
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 5
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 5
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 18
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000009504 vacuum film coating Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及植珠膜真空蒸镀技术领域，具体涉及一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺；包括真空仓真空仓中设置有放卷辊、收卷辊、若干导向辊，放卷辊上设置有植珠膜，真空仓的内腔下端设置有蒸镀室，主鼓的下端鼓面伸入蒸镀室中，位于主鼓正下方的蒸镀室中有坩埚蒸发装置，坩埚蒸发装置包括容置槽，容置槽中设置有若干排坩埚，每排坩埚呈平行设置且每排坩埚与植株膜的牵引方向相垂直，每排坩埚与相邻一排的坩埚之间交错设置，坩埚的外围套设有螺旋式感应加热线圈；本发明能够保证镀在植株膜面上的镀层厚度更加均匀，有效解决了现有真空蒸镀设备无法适用于植株膜高质量镀膜的不足，同时有效降低了植珠膜镀膜过程中的原料浪费。
Description
技术领域
本发明涉及植珠膜真空蒸镀技术领域，具体涉及一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺。
背景技术
在真空环境下将靶材加热升华并镀到基材表面的过程称为真空镀膜。植珠膜真空镀膜顾名思义是在真空环境下将靶材（如硫化锌）加热升华镀到植珠膜的植株面，然后通过真空镀层使得植珠膜达到增亮或者具有幻彩膜面的效果。
传统的真空蒸镀设备是利用钼舟对靶材（如硫化锌）进行加热，但是使用钼舟对靶材进行加热蒸发时存在以下弊端：其一，由于靶材的形状一般均是呈长方体形，在使用过程将其有规则的摆放在钼舟中，而钼舟在通电过程中其内表面会存在较大的温度差，从而导致靶材受热不均匀，靶材在受热不均匀的情况下会导致蒸镀在膜面上的镀层厚度不均匀，更加无法对镀层厚度进行有效控制，而植珠膜表面镀层的厚度不均匀严重影响了其产品的效果，其传统的钼舟加热方式无法适用于植珠膜的真空蒸镀；其二，由于使用钼舟对靶材进行加热蒸发时其靶材的下表面与钼舟的底壁相接触，从而导致靶材与钼舟的接触面先升华，当靶材的下表面先升华一段时间后导致其下表面不再水平，容易使得发生倾斜，而在真空蒸镀过程中一个钼舟中规则摆放有多个靶材，当其中一个靶材发生倾斜时需要更换整个钼舟中所有的靶材，从而造成了原料的极大浪费。因此，针对现有使用钼舟对靶材进行加热蒸发的真空蒸镀设备的上述不足，设计一种能够解决现有真空蒸镀设备无法有效控制镀层均匀，使其无法适用于植珠膜的真空蒸镀过程、且容易造成靶材原料浪费的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备是一项有待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有真空蒸镀设备无法有效控制镀层均匀，使其无法适用于植珠膜的真空蒸镀过程、且容易造成靶材原料浪费的问题，设计一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，包括真空仓，所述真空仓中设置有放卷辊、收卷辊、若干导向辊，所述放卷辊上设置有植珠膜，所述收卷辊的一端部设置有收卷电机，所述真空仓的外部设置有抽真空系统，所述抽真空系统与真空仓相连通，所述真空仓中设置有主鼓，所述主鼓的一端部设置有控制电机，所述主鼓的中空内腔连接有冷却系统，所述植珠膜依次经导向辊、主鼓、导向辊收卷到收卷辊上，所述真空仓的内腔下端设置有蒸镀室，所述主鼓的下端鼓面伸入蒸镀室中，位于所述主鼓正下方的蒸镀室底壁上设置有坩埚蒸发装置；
其中，所述坩埚蒸发装置包括容置槽，所述容置槽中设置有若干排坩埚，每排所述坩埚呈平行设置且每排坩埚与植株膜的牵引方向相垂直，每排所述坩埚与相邻一排的坩埚之间交错设置，每个所述坩埚中均放置有蒸镀靶材，在每个所述坩埚的外围套设有螺旋式感应加热线圈，所述螺旋式感应加热线圈的两端连接有电源线。
作为上述方案的进一步设置，每个所述坩埚的上端设置有导流罩，所述导流罩的下端呈与圆柱形且与坩埚的上端相配合，所述导流罩的上端的两侧向中间靠拢设置，且在导流罩的上端面开设有条形口，所述条形口的方向与植株膜的牵引方向相垂直。
作为上述方案的进一步设置，所述容置槽中设置的坩埚为2排，且每排坩埚的数量设置有2~4个，其中一排所述导流罩上开设的条形口两端部与另一排导流罩上开设的条形口端部处于沿植株膜牵引方向上的同一直线上。
作为上述方案的进一步设置，所述容置槽中还填充有耐高温玻璃纤维布；其耐高温玻璃纤维布不仅具有耐高温的作用，而且由于其填充装置能够防止容置槽中的坩埚发生位置偏移或者倾倒。
作为上述方案的进一步设置，所述坩埚和导流罩由均石墨或氮化硼材料制成。
作为上述方案的进一步设置，所述蒸镀靶材为块状、颗粒状或粉末状其中的一种。
作为上述方案的进一步设置，所述抽真空系统包括设置在真空仓外部的机械泵和扩散泵，所述机械泵和扩散泵上均连接有真空管，所述真空管上设置有阀门，所述真空管的端部与真空仓相连接通；整个抽真空系统能够保证在真空蒸镀过程中，真空仓内的压强保持接近真空状态。
作为上述方案的进一步设置，所述冷却系统为氟利昂强制制冷系统，所述氟利昂强制制冷系统通过管路与主鼓的中空内腔相连接。
一种使用上述以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备进行的镀膜工艺，包括如下步骤：
S1：打开真空仓将植珠膜装在放卷辊上，并将植珠膜依次经导向辊、主鼓、导向辊收卷到收卷辊上，同时启动冷却系统对主鼓进行降温冷却；
S2：合上真空仓保证真空仓处于密封状态，再启动抽真空系统将真空仓内部抽至负压值为1.3×100至1.3×10-4Pa的状态；
S3：将坩埚蒸发装置中的每个螺旋式感应加热线圈通电，从而对坩埚进行加热，坩埚温度升高后对内部的蒸镀靶材进行加热使其蒸发；
S4：待坩埚内部的温度加热均匀后，启动收卷电机，使得植珠膜在收卷辊的牵引下通过蒸镀室，并且植珠膜绕在主鼓的鼓面上，同时坩埚中产生汽化的蒸镀靶材向上运动进行镀膜，直至完成整个植珠膜的牵引镀膜过程；
S5：待整个植珠膜的牵引镀膜完成后，关闭收卷电机、控制电机和主动辊，再关闭蒸发源和加热装置，最后关闭抽真空系统，待真空仓内的温度恢复至室温时打开真空仓取料即可。
优选地，所述蒸镀靶材为硫化锌、氟化镁、氧化锡、二氧化硅、五氧化二钽、纯铝、纯银、纯金、黄铜或紫铜其中的一种；其蒸镀靶材还不仅限于上述材料，其根据蒸镀膜面的效果可选用具体的材料作为蒸镀靶材。
与现有的以钼舟作为蒸发源的真空蒸镀设备相比，其有益效果：
1、本发明公开的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺，其将传统的钼舟作为蒸发源改成一个容置槽中规则布置若干坩埚作为蒸发源，每个坩埚中直接投有蒸镀靶材，在真空蒸镀过程中由于坩埚受到其外围的螺旋式感应加热线圈加热后，使得整个坩埚的内部温度处处均匀，然后坩埚内部均匀的高温再将蒸镀靶材进行加热升华，使得从坩埚上端口上升的蒸发靶材更加均匀，从而能够保证镀在植株膜面上的镀层厚度更加均匀，其有效解决了现有以钼舟为蒸发源无法对植株膜进行高质量真空镀膜的不足。
2、本发明公开的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备在植珠膜进行真空镀膜时，其所使用的靶材的摆放以及靶材的形状不像钼舟蒸镀一样受到限制，只需要将待靶材有规则或无规则的放在坩埚中即可，其有效解决了传统钼舟蒸镀时对靶材形状要求苛刻、且靶材摆放时要规则布置的繁琐，更重要的是其有效解决了钼舟蒸镀过程中当其中一个靶材发生倾斜时需要更换整个钼舟中所有的靶材而造成了原料的极大浪费，给企业降低了成本浪费。
3、本发明还在每个坩埚的上端设置一个特殊形状设计的导流罩，其导流罩上开设有条形口，并且容置槽中所有坩埚上导流罩开设有条形口，其每个导流罩上的条形口如果处于同一排时其条形口能够形成一个连续的直线，并且该直线垂直于植株膜的牵引方向，当坩埚内的靶材蒸发时其蒸发的靶材会沿着条形口均匀上升，从而能够进一步保证在植株膜镀层的均匀性，其导流罩的设置巧妙，控制植株膜镀层均匀性的效果更佳。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中中真空仓的内部平面结构图；
图2为本发明中坩埚蒸发装置的立体结构示意图；
图3为本发明中坩埚、螺旋式感应加热线圈的立体结构示意图；
图4为本发明实施例2中坩埚蒸发装置的立体结构示意图；
图5为本发明实施例2中坩埚、螺旋式感应加热线圈、导流罩的立体结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本申请中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”、“套接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图1-5对本发明中的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备进行详细说明。
实施例1
本实施例1公开了一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其主体包括真空仓1，在真空仓1中设置有放卷辊2、收卷辊3、若干个导向辊4，放卷辊2上设置有植珠膜100，在收卷辊3的一端部设置有收卷电机（图中未画出），用于驱动收卷辊3转动从而对植株膜5起到牵引作用。在真空仓1的外部设置有抽真空系统（其抽真空系统为现有技术，此处未做相关图示），抽真空系统与真空仓相连通。具体地，其抽真空系统包括设置在真空仓外部的机械泵和扩散泵，机械泵和扩散泵上均连接有真空管，真空管上设置有阀门，真空管的端部与真空仓相连接通；整个抽真空系统能够保证在真空蒸镀过程中，真空仓内的压强保持接近真空状态。
在真空仓1中设置有主鼓5，主鼓5的一端部设置有控制电机（图中未画出），主鼓5的中空内腔连接有冷却系统（其冷却系统为现有技术，此处未做相关图示）。具体地，冷却系统为氟利昂强制制冷系统，氟利昂强制制冷系统通过管路与主鼓的中空内腔相连接。
植珠膜100依次经导向辊4、主鼓5、导向辊4收卷到收卷辊3上。在真空仓1的内腔下端设置有蒸镀室6，其主鼓5的下端鼓面伸入蒸镀室6中，位于主鼓6正下方的蒸镀室6底壁上设置有坩埚蒸发装置7。
其中，该坩埚蒸发装置7包括容置槽701，在容置槽701中设置有若干排坩埚702，每排坩埚702呈平行设置，并且每排坩埚702与植株膜100的牵引方向相垂直设置，每排坩埚702与相邻一排的坩埚702之间交错设置（可参考附图2），再具体设置过程中其容置槽701中设置的坩埚702为2排，并且每排坩埚702的数量设置有2~4个。在每个坩埚702中均放置有蒸镀靶材（图中未画出），并且该蒸镀靶材可以块状、颗粒状或粉末状。在每个坩埚702的外围套设有螺旋式感应加热线圈703，螺旋式感应加热线圈703的两端连接有电源线704，其电源线704与外界电源的正负极相连接。
另外，本发明还在容置槽中还填充有耐高温玻璃纤维布（图中未画出），其耐高温玻璃纤维布不仅具有耐高温的作用，而且由于其填充装置能够防止容置槽中的坩埚702发生位置偏移或者倾倒。同时需要说明的是本发明中的坩埚由石墨或氮化硼材料制成。
实施例2
实施例2公开了一种基于实施例1基础上改进后的植珠膜真空蒸镀设备，其与实施例1相同之处不做再次说明，其不同之处可参考附图4和附图5。
本实施例2还在每个坩埚702的上端设置有导流罩8，其导流罩8的材质与坩埚相同，其导流罩的下端呈与圆柱形，并且与坩埚702的上端相配合，将导流罩8的上端的两侧向中间靠拢设置，并且在导流罩8的上端面开设有条形口801，条形口801的方向与植株膜100的牵引方向相垂直。
另外，在具体设置时，其中一排导流罩8上开设的条形口801两端部与另一排导流罩8上开设的条形口801端部处于沿植株膜牵引方向上的同一直线上，也就是说当两排坩埚702处于同一排时，其所有坩埚702上导流罩8的条形口801能够形成一个连续的直线形，从而保证蒸镀时其经过坩埚702上方的植株膜表面镀膜更加均匀。
一种使用实施例1公开的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备进行的镀膜工艺，包括如下步骤：
步骤1：打开真空仓将植珠膜装在放卷辊上，并将植珠膜依次经导向辊、主鼓、导向辊收卷到收卷辊上，同时启动冷却系统对主鼓进行降温冷却。
步骤2：合上真空仓保证真空仓处于密封状态，再启动抽真空系统将真空仓内部抽至负压值为1.3×100至1.3×10-4Pa的状态。
步骤3：将坩埚蒸发装置中的每个螺旋式感应加热线圈通电，从而对坩埚进行加热，坩埚温度升高后对内部的蒸镀靶材进行加热使其蒸发。
步骤4：待坩埚内部的温度加热均匀后，启动收卷电机，使得植珠膜在收卷辊的牵引下通过蒸镀室，并且植珠膜绕在主鼓的鼓面上，同时坩埚中产生汽化的蒸镀靶材向上运动进行镀膜，直至完成整个植珠膜的牵引镀膜过程。
步骤5：待整个植珠膜的牵引镀膜完成后，关闭收卷电机、控制电机和主动辊，再关闭蒸发源和加热装置，最后关闭抽真空系统，待真空仓内的温度恢复至室温时打开真空仓取料即可。
另外，需要说明的是本镀膜工艺中的蒸镀靶材为硫化锌、氟化镁、氧化锡、二氧化硅、五氧化二钽、纯铝、纯银、纯金、黄铜或紫铜其中的一种，但是其蒸镀靶材还不仅限于上述材料，其具体根据蒸镀膜面的效果可选用具体的材料作为蒸镀靶材。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，包括真空仓，所述真空仓中设置有放卷辊、收卷辊、若干导向辊，所述放卷辊上设置有植珠膜，所述收卷辊的一端部设置有收卷电机，所述真空仓的外部设置有抽真空系统，所述抽真空系统与真空仓相连通，所述真空仓中设置有主鼓，所述主鼓的一端部设置有控制电机，所述主鼓的中空内腔连接有冷却系统，所述植珠膜依次经导向辊、主鼓、导向辊收卷到收卷辊上，其特征在于，所述真空仓的内腔下端设置有蒸镀室，所述主鼓的下端鼓面伸入蒸镀室中，位于所述主鼓正下方的蒸镀室底壁上设置有坩埚蒸发装置；
其中，所述坩埚蒸发装置包括容置槽，所述容置槽中设置有若干排坩埚，每排所述坩埚呈平行设置且每排坩埚与植株膜的牵引方向相垂直，每排所述坩埚与相邻一排的坩埚之间交错设置，每个所述坩埚中均放置有蒸镀靶材，在每个所述坩埚的外围套设有螺旋式感应加热线圈，所述螺旋式感应加热线圈的两端连接有电源线。
2.根据权利要求1所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，每个所述坩埚的上端设置有导流罩，所述导流罩的下端呈与圆柱形且与坩埚的上端相配合，所述导流罩的上端的两侧向中间靠拢设置，且在导流罩的上端面开设有条形口，所述条形口的方向与植株膜的牵引方向相垂直。
3.根据权利要求1或2所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，所述容置槽中设置的坩埚为2排，且每排坩埚的数量设置有2~4个，其中一排所述导流罩上开设的条形口两端部与另一排导流罩上开设的条形口端部处于沿植株膜牵引方向上的同一直线上。
4.根据权利要求3所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，所述容置槽中还填充有耐高温玻璃纤维布。
5.根据权利要求3所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，所述坩埚和导流罩由均石墨或氮化硼材料制成。
6.根据权利要求3所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀靶材为块状、颗粒状或粉末状其中的一种。
7.根据权利要求3所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，所述抽真空系统包括设置在真空仓外部的机械泵和扩散泵，所述机械泵和扩散泵上均连接有真空管，所述真空管上设置有阀门，所述真空管的端部与真空仓相连接通。
8.根据权利要求3所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备，其特征在于，所述冷却系统为氟利昂强制制冷系统，所述氟利昂强制制冷系统通过管路与主鼓的中空内腔相连接。
9.一种使用权利要求1~8任一所述的以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备进行的镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1：打开真空仓将植珠膜装在放卷辊上，并将植珠膜依次经导向辊、主鼓、导向辊收卷到收卷辊上，同时启动冷却系统对主鼓进行降温冷却；
S2：合上真空仓保证真空仓处于密封状态，再启动抽真空系统将真空仓内部抽至负压值为1.3×100至1.3×10-4Pa的状态；
S3：将坩埚蒸发装置中的每个螺旋式感应加热线圈通电，从而对坩埚进行加热，坩埚温度升高后对内部的蒸镀靶材进行加热使其蒸发；
S4：待坩埚内部的温度加热均匀后，启动收卷电机，使得植珠膜在收卷辊的牵引下通过蒸镀室，并且植珠膜绕在主鼓的鼓面上，同时坩埚中产生汽化的蒸镀靶材向上运动进行镀膜，直至完成整个植珠膜的牵引镀膜过程；
S5：待整个植珠膜的牵引镀膜完成后，关闭收卷电机、控制电机和主动辊，再关闭蒸发源和加热装置，最后关闭抽真空系统，待真空仓内的温度恢复至室温时打开真空仓取料即可。
10.根据权利要求9所述的镀膜工艺，其特征在于，所述蒸镀靶材为硫化锌、氟化镁、氧化锡、二氧化硅、五氧化二钽、纯铝、纯银、纯金、黄铜或紫铜其中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110165012.XA CN112877670A (zh) | 2021-02-06 | 2021-02-06 | 一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110165012.XA CN112877670A (zh) | 2021-02-06 | 2021-02-06 | 一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112877670A true CN112877670A (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=76055876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110165012.XA Pending CN112877670A (zh) | 2021-02-06 | 2021-02-06 | 一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112877670A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114672784A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-28 | 尚越光电科技股份有限公司 | 一种柔性卷对卷铜铟镓硒蒸发羽流控制结构 |
| CN115558900A (zh) * | 2022-05-30 | 2023-01-03 | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192808A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Ulvac Japan Ltd | 透明ＡｌＯｘバリア膜の形成方法及び製造装置 |
| CN2848871Y (zh) * | 2005-05-03 | 2006-12-20 | 杨林 | 生产彩虹膜或纸的高真空电镀设备 |
| CN102808167A (zh) * | 2011-06-02 | 2012-12-05 | 丽佳达普株式会社 | 坩埚装置、坩埚装置控制方法、膜厚测量装置及包含它的薄膜沉积设备 |
| JP2014198863A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 蒸発源及び真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN107177820A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-19 | 哈尔滨光宇电源股份有限公司 | 高速连续卷绕式真空蒸镀锂设备及利用其实现基材蒸镀锂的方法 |
| JP2017186603A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | 蒸発源、真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
| CN211689204U (zh) * | 2020-02-25 | 2020-10-16 | 苏州泓沵达仪器科技有限公司 | 一种高节能高效率纳米真空镀膜仪 |
| CN212247190U (zh) * | 2020-05-26 | 2020-12-29 | 重庆金美新材料科技有限公司 | 一种坩埚蒸发装置 |
-
2021
- 2021-02-06 CN CN202110165012.XA patent/CN112877670A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192808A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Ulvac Japan Ltd | 透明ＡｌＯｘバリア膜の形成方法及び製造装置 |
| CN2848871Y (zh) * | 2005-05-03 | 2006-12-20 | 杨林 | 生产彩虹膜或纸的高真空电镀设备 |
| CN102808167A (zh) * | 2011-06-02 | 2012-12-05 | 丽佳达普株式会社 | 坩埚装置、坩埚装置控制方法、膜厚测量装置及包含它的薄膜沉积设备 |
| JP2014198863A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 蒸発源及び真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2017186603A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | 蒸発源、真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
| CN107177820A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-19 | 哈尔滨光宇电源股份有限公司 | 高速连续卷绕式真空蒸镀锂设备及利用其实现基材蒸镀锂的方法 |
| CN211689204U (zh) * | 2020-02-25 | 2020-10-16 | 苏州泓沵达仪器科技有限公司 | 一种高节能高效率纳米真空镀膜仪 |
| CN212247190U (zh) * | 2020-05-26 | 2020-12-29 | 重庆金美新材料科技有限公司 | 一种坩埚蒸发装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114672784A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-28 | 尚越光电科技股份有限公司 | 一种柔性卷对卷铜铟镓硒蒸发羽流控制结构 |
| CN115558900A (zh) * | 2022-05-30 | 2023-01-03 | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112877670A (zh) | 一种以坩埚为蒸发源的植珠膜真空蒸镀设备及镀膜工艺 | |
| JP4402016B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
| US4204942A (en) | Apparatus for multilayer thin film deposition | |
| KR100926437B1 (ko) | 증착 물질 공급 장치 및 이를 구비한 기판 처리 장치 | |
| EP0962260A1 (en) | Evaporation apparatus, organic material evaporation source, and method of manufacturing thin organic film | |
| CN103080366A (zh) | 加热装置、真空加热方法和薄膜制造方法 | |
| JP6647202B2 (ja) | 堆積アレンジメント、堆積装置、及びこれらの操作方法 | |
| CN106756804A (zh) | 蒸镀坩埚及其蒸镀方法 | |
| KR101323249B1 (ko) | 초전도 선재 제조장치 및 제조방법 | |
| JP4545797B2 (ja) | 有機発光ダイオード蒸着工程用のマルチノズルるつぼ装置 | |
| CN103392025A (zh) | 薄膜的制造方法和制造装置 | |
| TW201842224A (zh) | 鍍膜裝置以及用於在真空下於基板上進行反應性氣相沉積的方法 | |
| CN109468591B (zh) | 一种真空蒸镀工艺制备幻彩反光膜的方法 | |
| JP2012226838A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| KR20090032606A (ko) | 박막선재 제조장치 | |
| US20120090546A1 (en) | Source supplying unit, method for supplying source, and thin film depositing apparatus | |
| CN111501009A (zh) | 一种多样纹路真空蒸镀彩虹膜生产装置及其镀膜工艺 | |
| KR20060013735A (ko) | 유기 el소자의 연속 증착용 연속 도가니 교환 장치 | |
| CN111501008B (zh) | 一种横向真空蒸镀彩虹膜生产装置及其镀膜工艺 | |
| KR101925111B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법 | |
| KR20140049296A (ko) | 하이브리드 증착법을 이용한 eddc 자속고정점 형성 장치 | |
| JP2002167662A (ja) | 蒸着源材料供給設備 | |
| CN212247188U (zh) | 一种蒸发源自动加料装置 | |
| RU2765222C1 (ru) | Способ формирования пленки LiCoO2 и устройство для его реализации | |
| KR101997750B1 (ko) | 인너 플레이트 및 이를 구비하는 증발원 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210601 |