CN112877213B - 一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片 - Google Patents
一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,包括传感芯片单元和微流控细胞培养单元,传感芯片单元包括二氧化硅基底和金膜层,金膜层上刻蚀有纳米孔周期阵列结构,纳米孔周期阵列结构由周期性阵列排布的多组双纳米孔构成,利用金膜层与微米级微流通道结合,形成控制神经元生长的区域,并利用特殊微流通道结构的微机械力,阻止或促进神经元在某些方向的生长。并利用外加太赫兹电磁信号和生物引导因子,进一步调控神经元生长速度。本发明实现了神经元轴突在传感芯片的微纳精度内的定向、定向生长、传感元件的纳米孔部位与待测神经元蛋白分子在纳米精度定位,并实现神经细胞培养太赫兹信号、声波信号和电信号激励、探测一体化。
Description
技术领域
本发明涉及生物太赫兹探测技术领域,特别涉及一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片。
背景技术
大脑由众多的神经细胞和胶质细胞构成,神经细胞之间通过轴突、树突形成突触(包括化学突触和电突触),实现彼此的信息传递,众多的神经细胞构成了庞大的神经网络,因而突触上的信号探测对于脑内的信号处理至关重要。目前,针对人体大脑的研究多是基于脑电机理,其所测得电信号尽在kHz范围,不能满足当前人机交互等对高速高带宽信号的要求。理论证明,人脑神经细胞具有大量的太赫兹信息,但由于太赫兹电磁波的强水吸收特性,很难在细胞溶液实现探测。因此,需要在溶液环境实现神经细胞的太赫兹激励、增强,为神经太赫兹信号溶液环境探测提供条件。
虽然目前存在许多通过微流控芯片体外培养神经元构建突触的研究,以及神经元和胶质细胞共培养的实验,但都是神经细胞培养室与神经信号探测装置分离,不能实现细胞培养和信号探测一体化;且实验无法完成神经元轴突在微纳精度的定向生长,以及神经元轴突的髓鞘化,不能定点定位在溶液中激励神经太赫兹信号产生,无法实现溶液中探测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种神经元定向、定位生长和神经元太赫兹信号激励集成芯片,基于微流控设计神经元定向、定位培养芯片,同时利用等离激元金纳米孔阵列结构和微流控结构相集成的方式,实现对神经元特定部位的神经蛋白和神经递质分子等的太赫兹信号激励,并实现信号增强。
为达成上述目的,本发明的解决方案为:一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,包括:传感芯片单元和微流控细胞培养单元,所述传感芯片单元包括二氧化硅基底和金膜层,金膜层形成在二氧化硅基底上,金膜层上刻蚀有纳米孔周期阵列结构,纳米孔周期阵列结构由周期性阵列排布的多组双纳米孔构成,每组双纳米孔包括两个相交的纳米孔,相邻两组双纳米孔之间隔设纳米级间隙;所述微流控细胞培养单元形成于金膜层上,所述微流控细胞培养单元由两个相互连通的细胞池、两个相互连通的存储池及引导神经元从细胞池到储存池方向的生长的微流通道组成,每组双纳米孔上方均对应有微流通道。
优选地,所述微流通道内由生物生长因子修饰,调控神经元生长速度。
优选地,所述微流通道沿轴向形成若干个带有锯齿形、三角形或心形的微纳型腔。
优选地,所述微流通道的宽度为10μm。
优选地,每个所述的纳米孔的直径为200nm。
优选地,所述金膜层厚度为100nm。
优选地,所述微流控细胞培养单元的制作材料可采用PDMS、SU8或Flexdym。
优选地,所述每组双纳米孔与相邻双纳米孔之间的中心间距为650nm。
优选地,所述双纳米孔相交形成距离为40nm的两尖端。
采用上述方案后,本发明的有益效果在于:
本发明包括等离激元金纳米孔周期阵列结构和微流控通道结构。本发明的特点在于将带有微纳阵列孔的金膜传感元件与微流控通道结合,实现由微纳通道引导的神经元轴突在传感芯片单元上的微纳精度内的定向、定位生长,传感元件的纳米孔部位作为太赫兹信号激励“点源”与待测神经元在纳米精度定位,光能与神经元有效耦合,实现神经细胞培养和神经太赫兹信号、声波信号和电信号激励、探测一体化。其优点在于,微纳结构限制水层的厚度在微米量级,减少太赫兹信号水吸收损耗;调控神经细胞生长方位,与激励源高效率耦合;在细胞溶液环境激励太赫兹信号,易于实现神经信号溶液中探测。本发明利用金纳米孔周期阵列结构局部表面等离子体增强的特性,实现激光能在纳米尺度限制,极大地增强了外加光与神经元被测蛋白的相互作用,阻止或促进神经元在某些方向的生长;采用微流控结构设计,根据需求通过在两个腔室中存放生物引导因子或雪旺细胞或少突胶质细胞实现神经细胞的定向、定位生长以及神经元轴突的髓鞘化;可采用导光微纳结构,将光轴向导入神经元轴突,实现研究太赫兹在神经元中的传输特性。总之,在本专利的设计结构和集成芯片上,(1)通过外加太赫兹激励源,可实现神经元被测纳米位置与传感芯片上激励“点源”的准确配位,高效率激励太赫兹信号并极大增强信号,设计水层厚度控制其介电常数,减少水层吸收损耗并增大信号传输距离,为太赫兹信号探测提供条件;(2)在此结构上,附加设计导光结构,可将太赫兹信号耦合进入神经元轴突,方便研究太赫兹信号在神经元中的传输特性。
附图说明
图1为本发明集成芯片的结构立体示意图;
图2为本发明集成芯片的横截面示意图;
图3为本发明金纳米孔周期阵列结构示意图;
图4为本发明所述微流控细胞培养单元的结构示意图;
图5为图4中A处的放大示意图;
图6为本发明微流通道锯齿形或心形微纳型腔的结构示意图;
图7为本发明单神经元信号探测的示意图;
图8为本发明两神经元信号探测的示意图。
标号说明:
传感芯片单元1、微流控细胞培养单元2、二氧化硅基底3、金膜层4、纳米孔周期阵列结构5、纳米孔6、细胞池7、存储池8、微流通道9、锯齿形微纳型腔10a、心形微纳型腔10b。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
本发明的权利要求书、说明书及附图中,如使用术语“包括”、“具有”以及它们的变形,意图在于“包含但不限于”本实施例所披露的尺寸、数量等。
如图1所示,一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,包括:传感芯片单元1和微流控细胞培养单元2,所述传感芯片单元1包括二氧化硅基底3和100nm厚度的金膜层4(金属膜层),金膜层4形成在二氧化硅基底3上,金膜层4刻蚀有纳米孔周期阵列结构5,纳米孔周期阵列结构5由周期性阵列排布的多组双纳米孔构成,每组双纳米孔包括两个相交的纳米孔6,相邻两组双纳米孔之间隔设纳米级间隙;所述微流控细胞培养单元2形成于金膜层4上,所述微流控细胞培养单元2由两个相互连通的细胞池7、两个相互连通的存储池8及引导神经元从细胞池7到储存池方向生长的多条微流通道9组成,每组双纳米孔上方均对应有微流通道9;所述微流通道9沿轴向形成若干个带有锯齿形、三角形或心形引导神经元特定生长的微纳型腔,图7示意的分别是锯齿形微纳型腔10a和心形微纳型腔10b。
如图1、2、3所示,所述传感芯片单元1包括:二氧化硅基底3和金膜层4,金膜层4刻蚀有纳米孔周期阵列结构5,在本优选实施例,每个纳米孔6的直径R为200nm,双纳米孔6相交形成距离为40nm的两尖端,每组双纳米孔与相邻双纳米孔之间的中心间距d为650nm。所述纳米孔周期阵列结构5在激光照射下会产生局部等离子体光学效应,可以将光汇聚在15nm内,极大地增强了外加激光与神经元被测蛋白的相互作用,从而有利于激励神经元太赫兹信号。
所述纳米孔6包括但不限于圆形的孔,还可以是狭缝、三角形孔等形状,本实施例双孔以双圆孔为例。本案所述纳米孔周期阵列结构5的制备工艺可采取聚焦离子束(FIB)或胶体刻蚀工艺,下面分别就两种制备工艺进行详细描述。
通过聚焦离子束(FIB)制备纳米孔周期阵列结构5的金膜层4。首先是通过使用聚焦离子束(FIB)在干净的硅晶片上雕刻双纳米孔图案来制备硅母盘,然后通过直接蒸发的方法在硅母盘上沉积厚度约100nm的金膜层4,在玻璃上涂上一层薄薄的UV环氧树脂,接着将其轻轻压在金膜层4上,用紫外光固化结构,再接着从硅母盘上剥离金膜层4与玻璃,此时剥离开的硅母盘上粘连金膜双圆,而玻璃上得到有双孔的金膜层4,最后蚀刻去除任何残留的残留物,留下可重复使用的硅模板母版。
通过胶体刻蚀制备纳米孔周期阵列结构5的金膜层4。首先将显微镜载玻片在高功率下等离子清洗15分钟,然后放在乙醇溶液中超声清洗8分钟,将粒径为200nm的聚苯乙烯球与乙醇混合,形成30μL浓度为0.01%w/v的溶液,并将其均匀滴涂在上述清洗过的显微镜载玻片上,当溶液通过蒸发干燥时,使聚苯乙烯球附着在载玻片上,备后续使用。通过溅射将5nm的钛(作为粘合剂层)溅射在附着聚苯乙烯球的载玻片表面(MANTIS溅射系统),接着溅射100nm的金膜层4,选择溅射层的厚度,以确保以后可以去除聚苯乙烯珠,使用超声处理去除球体,从而制备纳米双孔周期阵列结构的金膜层4。
如图1、2、4所示,所述微流控细胞培养单元2可采用PDMS(聚二甲基硅烷)、SU8或Flexdym制作,所述微流控细胞培养单元2的细胞池7和存储池8均设有生物分子溶液入口,可根据要求存放生物引导因子或血旺细胞或少突胶质细胞;所存放生物引导因子可进一步引导神经元从细胞池7到储存池方向的生长;所存放血旺细胞或少突胶质细胞可形成神经元的髓鞘结构。
如图4至图7所示,所述微流控细胞培养单元2中的微流通道9宽度为10μm,相邻微流通道之间的距离为30μm,并带有锯齿形10a或心形10b引导神经元特定生长的微纳型腔。神经轴突生长的方向可以通过所述锯齿形10a或心形10b结构来形成一个狭窄的通道,用来引导神经元轴突定向生长。锯齿形10a方向和心形10b尖端方向为引导神经元轴突的生长方向。所述微流通道内由生物生长因子修饰,调控神经元生长速度。
以PDMS材料为例,本案可通过紫外光刻蚀制作微流控通道。首先对硅晶片预处理以保持表面清洁干燥,以5000rpm的速度将SU-8-2050光刻胶旋涂60s到厚度为40μm的晶片上,通过掩模将紫外光投射到光刻胶上,将未曝光的光致抗蚀剂部分溶解在显影剂中,留下所需特征的母版,同时用酒精洗掉显影剂,并用去离子水进行最终清洗。然后将PDMS预聚物和其固化剂(10∶1)的混合物倒在母盘上,在90℃下固化1h后,将PDMS模板剥离并在等离子清洁器中进行表面处理后,将其粘结到光滑的表面(第二片PDMS或载玻片)上,将入口和出口连接最终形成微流体装置。
神经元生长的条件以及生长过程如下:首先,对于微流芯片消毒:利用无水乙醇进行清洗,并浸泡处理,然后取出并用蒸馏水反复清洗,最后用氮气吹干。而后先将多聚赖氨酸涂抹于细胞池7和存储池8中,然后在细胞池7通过注射的方法使多聚赖氨酸沿着微流通道9流动,静止几小时后,然后吸取多余的多聚赖氨酸溶液,再静置半小时。静置是为了让多聚赖氨酸更好的和金膜层4结合。之后在存储池8中加入神经培养基,在细胞池7中接种神经细胞,神经细胞的密度为500/mm2,并加入少量的胶质细胞,为了神经细胞更好地在金膜层4上存活,再在细胞池7中加入含有丙酮酸的血清,然后放入细胞培养箱进行培养4小时左右,为使神经细胞在金膜层4上贴附,取出后把之前加入的培养液全部吸出,然后将含有b27和谷氨酰胺的神经培养液加入细胞池7中并将其放置在37℃,气体环境为5%的二氧化碳和95%的空气中进行培养。培养8小时后取出并用pbs缓冲液进行清洗,将新的神经培养液加入细胞池7后还需额外加入双抗,培养一天后,再次进行换液,这次加入培养液的同时还需额外加入阿糖胞苷,是为了抑制非神经细胞的生长,8小时后去除阿糖胞苷,之后每两天用pbs缓冲液清洗一次,并加入新的含有双抗的神经培养液进行培养,需不定时在显微镜下进行观察细胞的生长情况,待轴突部分长出时,在存储池8加入血旺细胞并加入培养液进行培养,并在存储池8额外加入阿糖胞苷,培养环境也是37℃,气体环境为5%的二氧化碳和95%的空气。
微流控引导生长的原理如下:神经轴突生长的方向通过一个特定锯齿形10a或心形10b的设计来控制。锯齿形10a或心形10b形状形成了一个狭窄的瓶颈,该瓶颈提供了轴突的定向生长的条件。根据轴突生长的预定义方向,将微流控细胞培养单元2分为细胞池7、存储池8以及微流通道9。神经元细胞保留在细胞池7中,通过不同结构设计的微流通道9向存储池8中定向生长。微流通道9形状设计由于边界的不同设计而促进了轴突沿着边界向存储池8的定向生长。
所述微流控细胞培养单元2培养神经元,采用外加激光的光热效应调控神经元周围的微纳尺度温度,激光调控微纳尺度温度原理如下:金属表面等离子体共振是金属中自由电子的集体共振,基于金属表面或金属纳米结构中的电磁辐射与载流电子之间的相互作用,金属表面等离子体共振(SPR)对亚波长尺度范围的光场有巨大的增强作用。同时,外加激光的光热效应也会随着光场的增强发生变化,通过改变外部激光的波长和入射方向,在微纳尺度进行温度调控。
基于上述微流控的神经元定向、定位培养芯片的激励及探测方法包括但不限于对单神经元信号的探测和两神经元信号的探测,本实施例将分别对单神经元信号探测和两神经元信号探测的过程进行描述,具体如下:
单神经元探测:如图7所示,通过外加太赫兹电磁场,左侧为探测光,右侧为入射光,传感元件的纳米孔部位作为太赫兹信号激励“点源”,电磁场照射至集成芯片的传感芯片单元的“点源”形成处,由于太赫兹电磁场的波长远大于纳米孔6直径,因此,在传感芯片表面发生等离子体增强,实现了电磁场在纳米尺度的限制,同时激发神经元发生本征共振。通过导光超构结构产生异常反射,通过微流通道9引导神经元定向、定位生长,将光轴导入神经元轴突,同时限制神经元的生长速度,在探测处用探测光探测神经元谐振产生的变化光场,从而实现对单神经元太赫兹信号的探测。
两神经元信号探测:如图8所示,与单神经元探测不同的是,激励光在第一个神经元突触前膜,探测光在第二个接收信号的神经元突触后膜,在通过上述传感芯片上的导光超构结构产生异常反射时,通过微流通道9引导神经元定向、定位生长,将光轴导入神经元轴突传递到突触,突触前细胞借助化学信号或电信号,将信息转送到突触后细胞并传递到下一个轴突上,在下一个神经元突触后端探测处用探测光探测神经元谐振产生的变化光场,从而实现对两神经元之间太赫兹信号传输的探测。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并非对本案设计的限制,凡依本案的设计关键所做的等同变化,均落入本案的保护范围。
Claims (5)
1.一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,其特征在于,包括:传感芯片单元和微流控细胞培养单元,所述传感芯片单元包括二氧化硅基底和金膜层,金膜层形成在二氧化硅基底上,金膜层上刻蚀有纳米孔周期阵列结构,纳米孔周期阵列结构由周期性阵列排布的多组双纳米孔构成,每组双纳米孔包括两个相交的纳米孔,相邻两组双纳米孔之间隔设纳米级间隙;所述微流控细胞培养单元形成于金膜层上,所述微流控细胞培养单元由两个相互连通的细胞池、两个相互连通的存储池及引导神经元从细胞池到存储池方向的生长的微流通道组成,每组双纳米孔上方均对应有微流通道;所述微流通道内由生物生长因子修饰,调控神经元生长速度;所述微流通道沿轴向形成若干个带有锯齿形、三角形或心形的微纳型腔;每个所述的纳米孔的直径为200nm;所述双纳米孔相交形成距离为40nm的两尖端。
2.如权利要求1所述一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,其特征在于:所述微流通道的宽度为10μm。
3.如权利要求1所述一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,其特征在于:所述金膜层厚度为100nm。
4.如权利要求1所述一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,其特征在于:所述微流控细胞培养单元的制作材料可采用PDMS、SU8或Flexdym。
5.如权利要求1所述一种神经元定向生长和神经太赫兹信号激励集成芯片,其特征在于:所述每组双纳米孔与相邻双纳米孔之间的中心间距为650nm。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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