CN112838839B - 振动器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种振动器件，能够抑制相位噪声。振动器件具有：基板，其具有第1面以及与第1面相反侧的第2面；振动片，其配置在基板的第1面侧；第1电路块，其配置于第1面；第2电路块，其配置于第1面，包含模拟电路；电源端子，其配置于第2面；电源布线，其配置于第2面，与电源端子连接；第1贯通电极，其贯通基板，将电源布线和第1电路块电连接；以及第2贯通电极，其贯通基板，以与第1贯通电极并列的方式将电源布线和第2电路块电连接，在设第1贯通电极的电阻为R1，设第2贯通电极的电阻为R2，设电源布线的将第1贯通电极和第2贯通电极连接的区间的电阻为R4时，具有R1>R4且R2>R4的关系。

Description

振动器件
技术领域
本发明涉及振动器件。
背景技术
专利文献1中记载的集成电路结构具有：半导体基板、配置在半导体基板的前表面上的晶体管等各种电路元件、贯通半导体基板的多个硅通孔、以及配置在半导体基板的背面上并将多个硅通孔并联地电连接的接地用再分配线。
专利文献1：日本特开2011-014910号
然而，在专利文献1的集成电路结构中，在与某一硅通孔连接的第1电路块中产生的噪声可能通过再分配线被传送到与另一硅通孔连接的第2电路块。特别是，在第2电路块中形成有包含容易受到噪声影响的模拟电路的振荡电路的情况下，有可能因该噪声而使振荡电路的相位噪声增大。
发明内容
本应用例的振动器件具备：基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；振动片，其配置在所述基板的所述第1面侧；配置于所述第1面的第1电路块；第2电路块，其配置于所述第1面，包含模拟电路；配置于所述第2面的电源端子；电源布线，其配置于所述第2面，与所述电源端子连接；第1贯通电极，其贯通所述基板，将所述电源布线和所述第1电路块电连接；以及第2贯通电极，其贯通所述基板，以与所述第1贯通电极并列的方式将所述电源布线和所述第2电路块电连接，在设所述第1贯通电极的电阻为R1，设所述第2贯通电极的电阻为R2，设所述电源布线的连接所述第1贯通电极和所述第2贯通电极的区间的电阻为R4时，存在如下关系：R1>R4，且R2>R4。
在本应用例的振动器件中，优选的是，所述电源布线的构成材料为金属材料，所述第1贯通电极以及所述第2贯通电极的构成材料是导电性的多晶硅。
在本应用例的振动器件中，优选的是，所述第2电路块包含恒压生成电路、振荡电路、控制电压生成电路以及相位同步电路中的至少一个电路作为所述模拟电路。
在本应用例的振动器件中，优选的是，所述第1电路块包含逻辑电路、存储电路以及输出缓冲电路中的至少一个电路。
附图说明
图1是示出第1实施方式的振动器件的剖视图。
图2是基板的俯视图。
图3是表示集成电路的结构的框图。
图4是基板的仰视图。
图5是图4中的A-A线剖视图。
图6是图4中的B-B线剖视图。
图7是连接端子和集成电路的路径的等效电路图。
图8是示出图1的振动器件具有的振动片的平面图。
标号说明
1：振动器件；3：封装；4：振动片；41：振动基板；421、422：激励电极；423、424：端子；425、426：布线；5：基板；5a：上表面；5b：下表面；50：绝缘膜；6：盖；61：凹部；7：集成电路；7A：恒压生成电路；7B：控制电压生成电路；7C：振荡电路；7D：相位同步电路；7E：逻辑电路；7F：存储电路；7G：输出缓冲电路；70：布线层；701：布线；76：端子；761：电源电压端子；762：接地端子；77：布线；771：电源电压布线；772：接地布线；78：贯通电极；78A：贯通孔；78B：导电性材料；781：第1电源电压用贯通电极；782：第2电源电压用贯通电极；783：第3电源电压用贯通电极；784：第1接地用贯通电极；785：第2接地用贯通电极；786：第3接地用贯通电极；791、792：端子；8：接合部件；AC：模拟电路；B1、B2：接合部件；CB1：第1电路块；CB2：第2电路块；CB3：第3电路块；DC：数字电路；E1、E2、E3、E4：区间；O1D、O1G、O2D、O2G、O3D、O3G：中心；R1D、R1G、R2D、R2G、R3D、R3G、R4D、R4G、R5D、R5G：电阻；S1：收纳空间。
具体实施方式
以下，基于附图所示的实施方式详细说明本应用例的振动器件。
＜第1实施方式＞
图1为表示第1实施方式所涉及的振动器件的剖视图。图2是基板的俯视图。图3是表示集成电路的结构的框图。图4是基板的仰视图。图5是图4中的A-A线剖视图。图6是图3中的B-B线的剖视图。图7是连接端子和集成电路的路径的等效电路图。图8是示出图1的振动器件所具有的振动片的俯视图。
另外，为了便于说明，在图1、图2、图4、图5、图6以及图8中，将相互正交的3个轴图示为X轴、Y轴以及Z轴。另外，也将Z轴方向的箭头所朝向的一侧称为“上”，将其相反侧称为“下”。另外，将沿Z轴观察的俯视图简称为“俯视图”。
图1所示的振动器件1是振荡器，特别是VCXO(电压控制晶体振荡器)。但是，作为振动器件1，没有特别限定，例如可以是OCXO(恒温槽型晶体振荡器)、TCXO(温度补偿型晶体振荡器)等VCXO以外的振荡器，也可以是振荡器以外的器件。这种振动器件1具有封装3和收纳在封装3中的振动片4。
封装3具有作为半导体基板的基板5和盖6。基板5是硅基板。但是，作为基板5，没有特别限定，也可以使用硅以外的半导体基板，例如Ge、GaP、GaAs、InP等半导体基板。
另外，基板5呈板状，具有处于表里关系的作为第1面的上表面5a及作为第2面的下表面5b。上表面5a及下表面5b的表面由绝缘膜50覆盖。此外，在基板5的上表面5a侧配置有振动片4。此外，在上表面5a形成有与振动片4电连接的集成电路7。集成电路7由通过掺杂磷(P)、硼(B)等杂质而形成在基板5的上表面侧的晶体管等未图示的多个有源元件以及配置在基板5的上表面5a且具备将有源元件彼此电连接的布线701的布线层70形成。另外，在本说明书中，在提到“配置在面侧”、“位于面侧”等的情况下，所配置的物体可以直接与面接触，也可以在物体与面之间配置有其他物体。
另外，如图1及图2所示，集成电路7具有包含数字电路DC的第1电路块CB1、包含模拟电路AC的第2电路块CB2以及包含数字电路DC的第3电路块CB3。另外，这些第1电路块CB1、第2电路块CB2、第3电路块CB3以在从沿着Z轴的方向的俯视下相互不重叠的方式分离配置。特别是，在本实施方式中，第1电路块CB1、第2电路块CB2、第3电路块CB3沿X轴排列配置。即，第2电路块CB2配置成夹在第1电路块CB1与第3电路块CB3之间。另外，作为集成电路7，只要具有第1电路块CB1和第2电路块CB2即可，没有特别限定，例如，可以省略第3电路块CB3，也可以还具有1个以上的电路块。另外，作为第1电路块CB1、第2电路块CB2、第3电路块CB3的配置，只要能够进行后述的电源布线的配置，就没有特别限定。
另外，如图3所示，振动器件1具有恒电生成电路7A、控制电压生成电路7B、振荡电路7C以及作为PLL电路的相位同步电路7D，来作为模拟电路AC，这些电路7A、7B、7C、7D中的至少一个配置于第2电路块CB2。即，在第2电路块CB2中，可以配置有电路7A、7B、7C、7D的全部，也可以配置一部分。另外，振动器件1具有作为控制电路的逻辑电路7E、存储电路7F以及输出缓冲电路7G，来作为数字电路DC，这些电路7E、7F、7G中的至少一个配置于第1电路块CB1，至少一个配置于第3电路块CB3。此外，也可以将电路7E、7F、7G全部配置于第1电路块CB1。
这里，简单说明各电路7A～7G的功能。恒压生成电路7A是生成在集成电路7中使用的基准电压的电路。振荡电路7C是使振动片4振荡而输出基准频率信号的电路。控制电压生成电路7B是用于生成外部控制电压并通过该外部控制电压使从振荡电路7C输出的基准频率变化的电路。相位同步电路7D是如下的电路：检测与从振荡电路7C输出的基准频率信号的相位误差，以使该相位误差消失的方式构成闭合电路，由此使输出信号的频率恒定。输出缓冲电路7G是用于将从相位同步电路7D输出的频率信号输出到外部的电路。逻辑电路7E是控制电路，是进行振动器件1整体的控制的电路。存储电路7F是用于存储各种数据的电路。
另外，如图4所示，在基板5的下表面5b配置有4个端子76。这4个端子76分别作为用于实现与集成电路7的电连接的连接端子发挥作用。4个端子76中的一个是作为电源端子的电源电压端子761，经由电源电压端子761向集成电路7提供电源电压VDD。另外，4个端子76中的一个是作为电源端子的接地端子762，集成电路7经由接地端子762与地GND连接。另外，在基板5的下表面5b配置有两条布线77。这两条布线77中的一条是作为电源布线的电源电压布线771，与电源电压端子761电连接。另外，两条布线77中的另一条是作为电源布线的接地布线772，与接地端子762电连接。但是，作为端子76、布线77的数量，没有特别限定，可以根据集成电路7的结构适当设定。
各端子76及各布线77的构成材料是金属材料。通过用金属材料构成各端子76及各布线77，各端子76及各布线77的形成变得容易。另外，作为金属材料，没有特别限定，例如可以举出镍(Ni)、钴(Co)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、钨(W)等各种金属，或者含有它们中的至少一种的合金或金属间化合物等。但是，各端子76及各布线77的构成材料并不特别限定，也可以使用金属材料以外的导电性材料，例如导电性硅。
另外，如图5及图6所示，在基板5配置有在厚度方向即沿着Z轴的方向上贯通基板5的6个贯通电极78。各贯通电极78例如由在厚度方向上贯通基板5的贯通孔78A、配置在贯通孔78A的内壁的绝缘膜50以及填充在贯通孔78A内的导电性材料78B构成。导电性材料78B的构成材料是硅，特别是在本实施方式中是导电性的多晶硅。导电性的多晶硅是指例如掺杂磷(P)、硼(B)、砷(As)等杂质而赋予了导电性的多晶硅。
这样，通过使导电性材料78B为多晶硅，例如与使用金属材料作为导电性材料78B的情况相比，能够提高贯通电极78的电阻。并且，成为对于在振动器件1的制造工序中施加的热具有充分的耐性的贯通电极78。因此，难以产生以贯通电78为原因的电方面的不良状况。此外，还能够减小与基板5的线膨胀系数差。因此，成为难以产生热应力、具有优异的振荡特性的振动器件1。但是，作为导电性材料78B，没有特别限定，例如也可以使用钨(W)等耐热性优良的金属材料。
另外，六个贯通电极78中的一个是作为第1贯通电极的第1电源电压用贯通电极781。第1电源电压用贯通电极781被配置成在沿着Z轴的方向的俯视下与第1电路块CB1重叠，并将电源电压布线771和第1电路块CB1电连接。因此，施加到电源电压端子761的电源电压经由电源电压布线771以及第1电源电压用贯通电极781供给到第1电路块CB1。
另外，6个贯通电极78中的1个是作为第2贯通电极的第2电源电压用贯通电极782。第2电源电压用贯通电极782配置成在沿着Z轴的方向的俯视下与第2电路块CB2重叠，将电源电压布线771和第2电路块CB2电连接。因此，施加到电源电压端子761的电源电压经由电源电压布线771以及第2电源电压用贯通电极782提供给第2电路块CB2。
另外，6个贯通电极78中的1个是作为第3贯通电极的第3电源电压用贯通电极783。第3电源电压用贯通电极783配置成在沿着Z轴的方向的俯视下与第3电路块CB3重叠，将电源电压布线771和第3电路块CB3电连接。因此，施加到电源电压端子761的电源电压经由电源电压布线771以及第3电源电压用贯通电极783供给到第3电路块CB3。
另外，6个贯通电极78中的1个是作为第1贯通电极的第1接地用贯通电极784。第1接地用贯通电极784配置成在沿着Z轴的方向的俯视下与第1电路块CB1重叠，将接地布线772和第1电路块CB1电连接。因此，第1电路块CB1经由第1接地用贯通电极784、接地布线772和接地端子762而接地。
另外，6个贯通电极78中的1个是作为第2贯通电极的第2接地用贯通电极785。第2接地用贯通电极785配置成在沿着Z轴的方向的俯视下与第2电路块CB2重叠，将接地布线772和第2电路块CB2电连接。因此，第2电路块CB2经由第2接地用贯通电极785、接地布线772和接地端子762而接地。
另外，6个贯通电极78中的1个是作为第3贯通电极的第3接地用贯通电极786。第3接地用贯通电极786配置成在沿着Z轴的方向的俯视下与第3电路块CB3重叠，将接地布线772和第3电路块CB3电连接。因此，第3电路块CB3通过第3接地用贯通电极786、接地布线772和接地端子762而接地。
这6个贯通电极78中的第1电源电压用贯通电极781、第2电源电压用贯通电极782及第3电源电压用贯通电极783沿X轴排列配置，在从沿Z轴的方向的俯视下，长度方向分别沿着X轴。另外，第1接地用贯通电极784、第2接地用贯通电极785以及第3接地用贯通电极786沿着X轴排列配置，在从沿着Z轴的方向的俯视下，分别呈沿着X轴延伸的长条形状。这样，通过各贯通电极78的俯视形状具有长度方向，能够抑制急剧的电流变化。因此，能够抑制电流变化引起的电压变化，能够更稳定地驱动集成电路7。但是，作为各贯通电极78的配置、形状，并不特别限定。
在此，如图7所示，在设第1电源电压用贯通电极781的电阻(Ω)为R1D(R1)，设第2电源电压用贯通电极782的电阻(Ω)为R2D(R2)，设电源电压布线771的将第1电源电压用贯通电极781和第2电源电压用贯通电极782连接的区间E1的电阻(Ω)为R4D(R4)时，振动器件1满足R1D>R4D且R2D>R4D的关系。此外，R1D是第1电源电压用贯通电极781的上端和下端之间的电阻，R2D是第2电源电压用贯通电极782的上端和下端之间的电阻。此外，R4D是电源电压布线771和第1电源电压用贯通电极781的连接部分的中心O1D与电源电压布线771和第2电源电压用贯通电极782的连接部分的中心O2D之间的电阻。
这样，通过使第1电源电压用贯通电极781的电阻R1D及第2电源电压用贯通电极782的电阻R2D比区间E1的电阻R4D大，使得在第1电路块CB1产生的噪声例如电压的波动难以经由第1电源电压用贯通电极781、区间E1以及第2电源电压用贯通电极782传递到第2电路块CB2。因此，配置在第2电路块CB2中的模拟电路AC难以受到在第1电路块CB1中产生的噪声的影响。因此，能够将振荡电路7C的相位噪声抑制得足够小。其结果，成为具有优异的频率精度的振动器件1。
如上所述，第1电源电压用贯通电极781、第2电源电压用贯通电极782由导电性的多晶硅构成，电源电压布线771由金属材料构成。因此，能够容易地满足R1D>R4D且R2D>R4D的关系。
另外，只要R1D>R4D即可，没有特别限定，例如优选10≤R1D/R4D≤100，更优选30≤R1D/R4D≤100，进一步优选50≤R1D/R4D≤100。同样，只要R2D>R4D就没有特别限定，例如优选10≤R2D/R4D≤100，更优选30≤R2D/R4D≤100，进一步优选50≤R2D/R4D≤100。由此，能够抑制R1D、R2D变得过大，并且能够使R1D、R2D相对于R4D充分大。因此，所述效果更加显著。另外，R1D、R2D可以彼此相等，也可以不同。
另外，如图7所示，在设第3电源电压用贯通电极783的电阻(Ω)为R3D(R3)，设电源电压布线771的将第2电源电压用贯通电极782与第3电源电压用贯通电极783连接的区间E2的电阻(Ω)为R5D(R5)时，振动器件1满足R2D>R5D且R3D>R5D的关系。另外，R3D是第3电源电压用贯通电极783的上端和下端之间的电阻。此外，R5D是电源电压布线771和第2电源电压用贯通电极782的连接部分的中心O2D与电源电压布线771和第3电源电压用贯通电极783的连接部分的中心O3D之间的电阻。
这样，通过使第2电源电压用贯通电极782的电阻R2D及第3电源电压用贯通电极783的电阻R3D比区间E2的电阻R5D大，与上述同样，在第3电路块CB3中产生的噪声难以经由第3电源电压用贯通电极783、区间E2以及第2电源电压用贯通电极782传递到第2电路块CB2。因此，配置在第2电路块CB2中的模拟电路AC难以受到在第3电路块CB3中产生的噪声的影响。因此，能够将振荡电路7C的相位噪声抑制得足够小。另外，能够提高振荡电路7C的频率分辨率。其结果，成为具有优异的频率精度的振动器件1。
如上所述，第2电源电压用贯通电极782、第3电源电压用贯通电极783由导电性的多晶硅构成，电源电压布线771由金属材料构成。因此，能够容易地满足R2D>R5D且R3D>R5D的关系。
另外，只要R2D>R5D就没有特别限定，例如优选10≤R2D/R5D≤100，更优选30≤R2D/R5D≤100，进一步优选50≤R2D/R5D≤100。同样，只要R3D>R5D，则没有特别限定，例如优选10≤R3D/R5D≤100，更优选30≤R3D/R5D≤100，进一步优选50≤R3D/R5D≤100。由此，能够抑制R2D、R3D变得过大，同时能够使R2D、R3D相对于R5D足够大。因此，所述效果更加显著。另外，R2D、R3D可以彼此相等，也可以不同。
另外，如图7所示，在设第1接地用贯通电极784的电阻(Ω)为R1G(R1)，设第2接地用贯通电极785的电阻(Ω)为R2G(R2)，设接地布线772的将第1接地用贯通电极784和第2接地用贯通电极785连接的区间E3的电阻(Ω)为R4G(R4)时，振动器件1满足R1G>R4G且R2G>R4G的关系。另外，R1G是第1接地用贯通电极784的上端与下端之间的电阻，R2G是第2接地用贯通电极785的上端与下端之间的电阻。另外，R4G是接地布线772和第1接地用贯通电极784的连接部分的中心O1G与接地布线772和第2接地用贯通电极785的连接部分的中心O2G之间的电阻。
这样，通过使第1接地用贯通电极784的电阻R1G及第2接地用贯通电极785的电阻R2G大于区间E3的电阻R4G，使得在第1电路块CB1中产生的噪声难以经由第1接地用贯通电极784、区间E3及第2接地用贯通电极785传递到第2电路块CB2。因此，配置在第2电路块CB2中的模拟电路AC难以受到在第1电路块CB1中产生的噪声的影响。因此，能够将振荡电路7C的相位噪声抑制得足够小。另外，能够提高振荡电路7C的频率分辨率。其结果，成为具有优异的频率精度的振动器件1。
如上所述，第1接地用贯通电极784、第2接地用贯通电极785由导电性的多晶硅构成，接地布线772由金属材料构成。因此，能够容易地满足R1G>R4G且R2G>R4G的关系。
另外，只要R1G>R4G，则没有特别限定，例如优选10≤R1G/R4G≤100，更优选30≤R1G/R4G≤100，进一步优选50≤R1G/R4G≤100。同样，只要R2G>R4G，则没有特别限定，例如优选10≤R2G/R4G≤100，更优选30≤R2G/R4G≤100，进一步优选50≤R2G/R4G≤100。由此，能够抑制R1G、R2G变得过大，并且使R1G、R2G相对于R4G足够大。因此，所述效果更加显著。另外，R1G、R2G可以彼此相等，也可以不同。
另外，如图7所示，在设第3接地用贯通电极786的电阻(Ω)为R3G(R3)，设接地布线772的将第2接地用贯通电极785与第3接地用贯通电极786连接的区间E4的电阻(Ω)为R5G(R5)时，振动器件1满足R2G>R5G且R3G>R5G的关系。另外，R3G是第3接地用贯通电极786的上端与下端之间的电阻。另外，R5G是接地布线772和第2接地用贯通电极785的连接部分的中心O2G与接地布线772和第3接地用贯通电极786的连接部分的中心O3G之间的电阻。
这样，通过使第2接地用贯通电极785的电阻R2G和第3接地用贯通电极786的电阻R3G大于区间E4中的电阻R5G，与上述相同，可使第3电路块CB3中产生的噪声难以经由第3接地用贯通电极786、区间E4以及第2接地用贯通电极785传递到第2电路块CB2。因此，配置在第2电路块CB2中的模拟电路AC难以受到在第3电路块CB3中产生的噪声的影响。因此，能够将振荡电路7C的相位噪声抑制得足够小。另外，能够提高振荡电路7C的频率分辨率。其结果，成为具有优异的频率精度的振动器件1。
如上所述，第2接地用贯通电极785、第3接地用贯通电极786由导电性的多晶硅构成，接地布线772由金属材料构成。因此，能够容易地满足R2G>R5G且R3G>R5G的关系。
另外，只要R2G>R5G，就没有特别限定，例如优选10≤R2G/R5G≤100，更优选30≤R2G/R5G≤100，进一步优选50≤R2G/R5G≤100。同样，只要R3G>R5G，就没有特别限定，例如优选10≤R3G/R5G≤100，更优选30≤R3G/R5G≤100，进一步优选50≤R3G/R5G≤100。由此，能够抑制R2G、R3G变得过大，并且能够使R2G、R3G相对于R5G足够大。因此，所述效果更加显著。此外，R2G、R3G可以彼此相同，也可以不同。
如图1所示，盖6与基板5同样是硅基板。由此，基板5与盖6的线膨胀系数变得相等，抑制了起因于热膨胀的热应力的产生，从而成为具有优异的振动特性的振动器件1。另外，由于能够通过半导体工艺形成封装3，因此能够高精度地制造振动器件1，并且能够实现其小型化。但是，作为盖6，没有特别限定，也可以使用硅以外的半导体基板，例如Ge、GaP、GaAs、InP等半导体基板。
盖6具有在其下表面开口且在内部收纳振动片4的有底的凹部61。而且，盖6在其下表面经由接合部件8与基板5的上表面5a接合。由此，在盖6与基板5之间形成收纳振动片4的收纳空间S1。内部空间S1是气密的，处于减压状态，优选处于更接近真空的状态。由此，隔热性提高，并且粘性阻力减小，振动片4的振荡特性提高。但是，收纳空间S1的气氛没有特别限定，例如，可以是封入氮或Ar等惰性气体的气氛，也可以不是减压状态而是大气压状态或加压状态。
如图8所示，振动片4具有振动基板41和配置在振动基板41的表面的电极。振动基板41具有厚度剪切振动模式，在本实施方式中由AT切石英基板形成。AT切石英基板具有三次频率温度特性，因此成为具有优异温度特性的振动片4。并且，电极具有配置在振动基板41的上表面的激励电极421和在下表面与激励电极421对置配置的激励电极422。并且，电极具有：一对端子423、424，其配置在振动基板41的下表面；布线425，其将端子423和激励电极421电连接；以及布线426，其将端子424和激励电极422电连接。
另外，振动片4的结构不限于所述结构。例如，振动片4可以是被激励电极421、422夹着的振动区域从其周围突出的台面型，相反，也可以是振动区域从其周围凹陷的反向台面型。另外，也可以实施对振动基板41的周围进行磨削的斜面加工，或将上表面及下表面形成为凸曲面的凸面加工。
并且，作为振动片4，不限于以厚度剪切振动模式进行振动，例如，也可以是多个振动臂在面内方向上进行弯曲振动的振动片。即，振动基板41不限于由AT切石英基板形成，也可以由AT切石英基板以外的石英基板，例如X切石英基板、Y切石英基板、Z切石英基板、BT切石英基板、SC切石英基板、ST切石英基板等形成。并且，在本实施方式中，振动基板41由石英构成，然而不限于此，例如可以由铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、硅酸镓镧、铌酸钾、磷酸镓等压电单晶体构成，也可以由这些以外的压电单晶体构成。此外，振动片4不限于压电驱动型的振动片，也可以是使用静电力的静电驱动型的振动片。
这种结构的振动片4通过导电性的接合部件B1、B2支承在基板5的上表面5a侧。具体而言，振动片4经由接合部件B1、B2被悬臂支承在集成电路7的布线层70的上表面侧。另外，在布线层70的上表面，配置有经由布线701与集成电路7电连接的端子791、792，端子423和端子791通过接合部件B1电连接，端子424和端子792通过接合部件B2电连接。由此，振动片4与集成电路7电连接。
另外，作为接合部件B1、B2，只要兼备导电性和接合性即可，没有特别限定，例如可以使用金凸块、银凸块、铜凸块、焊料凸块等各种金属凸块、在聚酰亚胺类、环氧类、硅酮类、丙烯酸类的各种粘接剂中分散有银填料等导电性填料的导电性粘接剂等。如果使用前者的金属凸块作为接合部件B1、B2，则能够抑制从接合部件B1、B2产生气体，能够抑制收纳空间S1的环境变化，特别是压力的上升。另一方面，当使用后者的导电性粘接剂作为接合部件B1、B2时，接合部件B1、B2比金属凸块更柔软，应力难以传递到振动片4。
以上，对振动器件1进行了说明。如上所述，这种振动器件1具有：基板5，其具有作为第1面的上表面5a和作为与上表面5a相反侧的第2面的下表面5b；振动片4，其配置于基板5的上表面5a侧；第1电路块CB1，其配置于上表面5a；第2电路块CB2，其配置于上表面5a，包含模拟电路AC；作为电源端子的电源电压端子761，其配置在下表面5b；作为电源布线的电源电压布线771，其配置在下表面5b，与电源电压端子761连接；作为第1贯通电极的第1电源电压用贯通电极781，其贯通基板5并将电源电压布线771和第1电路块CB1电连接；以及作为第2贯通电极的第2电源电压用贯通电极782，其贯通基板5，以与第1电源电压用贯通电极781并列的方式将电源电压布线771和第2电路块CB2电连接。而且，在设第1电源电压用贯通电极781的电阻为R1D，设第2电源电压用贯通电极782的电阻为R2D，设电源电压布线771的将第1电源电压用贯通电极781和第2电源电压用贯通电极782连接的区间E1的电阻为R4D时，存在R1D>R4D且R2D>R4D的关系。
由此，在第1电路块CB1产生的噪声例如电压的波动难以通过第1电源电压用贯通电极781、区间E1及第2电源电压用贯通电极782传递到第2电路块CB2。因此，配置在第2电路块CB2中的模拟电路AC难以受到在第1电路块CB1中产生的噪声的影响。因此，能够将振荡电路7C的相位噪声抑制得足够小。另外，能够提高振荡电路7C的频率分辨率。其结果，成为具有优异的频率精度的振动器件1。
另外，如上所述，振动器件1具有：作为电源端子的接地端子762，其配置于下表面5b；作为电源布线的接地布线772，其配置于下表面5b，并与接地端子762连接；作为第1贯通电极的第1接地用贯通电极784，其贯通基板5，将接地布线772和第1电路块CB1电连接；以及作为第2贯通电极的第2接地用贯通电极785，其贯通基板5，以与第1接地用贯通电极784并列的方式将接地布线772和第2电路块CB2电连接。并且，在设第1接地用贯通电极784的电阻为R1G，设第2接地用贯通电极785的电阻为R2G，设接地布线772的将第1接地用贯通电极784和第2接地用贯通电极785连接的区间E3的电阻为R4G时，存在R1G>R4G且R2G>R4G的关系。
由此，在第1电路块CB1中产生的噪声例如电压波动难以经由第1接地用贯通电极784、区间E3和第2接地用贯通电极785传递到第2电路块CB2。因此，配置在第2电路块CB2中的模拟电路AC难以受到在第1电路块CB1中产生的噪声的影响。因此，能够将振荡电路7C的相位噪声抑制得足够小。另外，能够提高振荡电路7C的频率分辨率。其结果，成为具有优异的频率精度的振动器件1。
另外，也可以仅满足R1D>R4D且R2D>R4D的关系以及R1G>R4G且R2G>R4G的关系中的一方。但是，如本实施方式那样，通过满足双方，能够进一步降低噪声的影响。
此外，如上所述，电源电压布线771的构成材料是金属材料，第1电源电压用贯通电极781及第2电源电压用贯通电极782的构成材料是导电性的多晶硅。由此，能够容易地实现R1D>R4D且R2D>R4D的关系。同样，接地布线772的构成材料是金属材料，第1接地用贯通电极784及第2接地用贯通电极785的构成材料是导电性的多晶硅。由此，能够容易地实现R1G>R4G且R2G>R4G的关系。
如上所述，第2电路块CB2包括恒压产生电路7A、振荡电路7C、控制电压产生电路7B和相位同步电路7D中的至少一个作为模拟电路AC。由此，这些电路7A～7D的至少一个电路难以受到噪声的影响。
另外，如上所述，第1电路块CB1包含作为逻辑电路的逻辑电路7E、存储电路7F以及输出缓冲电路7G中的至少一个。由此，在这些电路7E～7G的至少1个电路中产生的噪声难以传递到第2电路块CB2。
以上，根据图示的实施方式对本应用例的振动器件进行了说明，但本应用例并不限定于此，各部的结构能够置换为具有相同功能的任意结构。并且，也可以在本应用例中附加其他任意的构成物。另外，本发明也可以是将所述各实施方式中的任意2个以上的结构进行组合而成的。

Claims (4)

1.一种振动器件，其具备：
基板，其具有第1面以及与所述第1面相反侧的第2面；
振动片，其配置在所述基板的所述第1面侧；
第1电路块，其配置于所述第1面；
第2电路块，其配置于所述第1面，包含模拟电路；
电源端子，其配置于所述第2面；
电源布线，其配置于所述第2面，与所述电源端子连接；
第1贯通电极，其贯通所述基板，将所述电源布线和所述第1电路块电连接；以及
第2贯通电极，其贯通所述基板，以与所述第1贯通电极并列的方式将所述电源布线和所述第2电路块电连接，
在设所述第1贯通电极的电阻为R1，所述第2贯通电极的电阻为R2，所述电源布线的将所述第1贯通电极和所述第2贯通电极连接的区间的电阻为R4时，
具有R1>R4且R2>R4的关系。
2.根据权利要求1所述的振动器件，其中，
所述电源布线的构成材料是金属材料，
所述第1贯通电极和所述第2贯通电极的构成材料是导电性的多晶硅。
3.根据权利要求1或2所述的振动器件，其中，
所述第2电路块包含恒压生成电路、振荡电路、控制电压生成电路以及相位同步电路中的至少一个电路作为所述模拟电路。
4.根据权利要求1所述的振动器件，其中，
所述第1电路块包含逻辑电路、存储电路以及输出缓冲电路中的至少一个电路。
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