CN112831842A - 一种便于籽晶移植的籽晶生长装置 - Google Patents

一种便于籽晶移植的籽晶生长装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112831842A
CN112831842A CN202011567957.6A CN202011567957A CN112831842A CN 112831842 A CN112831842 A CN 112831842A CN 202011567957 A CN202011567957 A CN 202011567957A CN 112831842 A CN112831842 A CN 112831842A
Authority
CN
China
Prior art keywords
seed crystal
crystal growth
cavity
ampoule
growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011567957.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112831842B (zh
Inventor
罗亚南
郭关柱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yunnan Agricultural University
Original Assignee
Yunnan Agricultural University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yunnan Agricultural University filed Critical Yunnan Agricultural University
Priority to CN202011567957.6A priority Critical patent/CN112831842B/zh
Publication of CN112831842A publication Critical patent/CN112831842A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112831842B publication Critical patent/CN112831842B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明属于涉及一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，晶体材料制备技术领域，包括圆筒、下端盖、上端盖、下隔板、上隔板、下腔保温隔热层、下腔热电耦、上腔保温隔热层、上腔热电偶、籽晶生长控温管、底座、顶座、安瓿固定架、籽晶生长安瓿；本发明实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。

Description

一种便于籽晶移植的籽晶生长装置
技术领域
本发明属于晶体材料制备技术领域，具体地说，涉及一种便于籽晶移植的籽晶生长装置。
背景技术
制备碲锌镉等单晶材料时，原材料经过提纯、摇摆混合等生产工艺后，需要将原材料封装在晶体材料生长石英安瓿内，在石英安瓿内腔底部还需固定品质良好的籽晶，籽晶作为晶体材料生长的“种子”，用于促进和引导晶体材料生长，对生长出来的晶体材料品质起到重要作用。
现有技术是将籽晶粘接在石英安瓿内腔底部，在底部上方填入经过提纯、摇摆混合等工艺处理后的碲锌镉等原材料，将石英安瓿抽真空封装后，放入晶体材料生长炉进行生长。在此过程中，由于籽晶与石英为融化温度不同的两种材料，籽晶选用现成晶体材料，事先加工成体积较小的颗粒状物，再移植到石英安瓿内腔底部进行粘接，其粘接固定技术较为困难，且加工过程还容易造成籽晶碎裂或污染，稍有偏差，则会导致籽晶脱落或游离到晶体材料生长溶液中，严重影响晶体材料制备品质，还难于及时发现。
发明内容
为了克服背景技术中存在的问题，本发明一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。
为实现上述目的，本发明是通过如下技术方案实现的：
一种便于籽晶移植的籽晶生长装置包括圆筒1、下端盖2、上端盖3、下隔板4、上隔板5、下腔保温隔热层9、下腔热电耦10、上腔保温隔热层11、上腔热电偶12、籽晶生长控温管13、底座14、顶座15、安瓿固定架16、籽晶生长安瓿17，所述的圆筒1呈两端开口的圆柱形状结构，圆筒1下端与上端分别安装有下端盖2、上端盖3，圆筒1内设置有下隔板4、上隔板5，下隔板4、上隔板5将圆筒1的内腔分隔为下腔6、籽晶生长控温舱7和上腔8；下腔6区域内圆筒1与下端盖2的内壁上设置有下腔保温隔热层9，下腔6内安装有下腔热电耦10；上腔8区域内圆筒1与上端盖3的内壁上设置有上腔保温隔热层11，上腔8内安装有上腔热电偶12；下隔板4上均匀的安装有底座14，上隔板5上开设有与下隔板4上底座14一一对应的通孔，籽晶生长控温管13的下端穿过通孔安装在底座14上，底座14上开设有与下腔6及籽晶生长控温管13内腔连通的温度梯度调节下孔18，籽晶生长控温管13的上端通过顶座15固定在上隔板5上，顶座15的底部安装有一个伸入到籽晶生长控温管13内的安瓿固定架16，籽晶生长安瓿17安装在安瓿固定架16上，顶座15上开始有一个与上腔8及籽晶生长控温管13内腔连通的温度梯度调节上孔19。
进一步，所述的籽晶生长安瓿17为石英管，整体呈U型结构，包括U形石英管20、安瓿细颈21、生长容腔22、粘接嘴23，所述的U形石英管20的左端高度低于右端高度，U形石英管20的左端顶部设置有与其内腔及生长容腔22连通的安瓿细颈21，生长容腔22的顶部为粘接嘴23。
进一步，所述的下腔6和上腔8内分别设置有温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26，所述的温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26分别与PLC控制器27连接，PLC控制器27分别通过继电器与下腔热电耦10、上腔热电偶12连接。
本发明的有益效果：
本发明实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的籽晶生长安瓿的结构示意图；
图3为本发明的控制电路示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例和附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1、3所示，一种便于籽晶移植的籽晶生长装置包括圆筒1、下端盖2、上端盖3、下隔板4、上隔板5、下腔保温隔热层9、下腔热电耦10、上腔保温隔热层11、上腔热电偶12、籽晶生长控温管13、底座14、顶座15、安瓿固定架16、籽晶生长安瓿17。
所述的圆筒1呈两端开口的圆柱形状结构，圆筒1下端与上端分别安装有下端盖2、上端盖3，圆筒1内设置有下隔板4、上隔板5，下隔板4、上隔板5将圆筒1的内腔分隔为下腔6、籽晶生长控温舱7和上腔8；下腔6区域内圆筒1与下端盖2的内壁上设置有下腔保温隔热层9，下腔6内安装有下腔热电耦10；上腔8区域内圆筒1与上端盖3的内壁上设置有上腔保温隔热层11，上腔8内安装有上腔热电偶12，上腔热电偶12固定在上端盖3；下隔板4上均匀的安装有底座14，上隔板5上开设有与下隔板4上底座14一一对应的通孔，籽晶生长控温管13的下端穿过通孔安装在底座14上，底座14上开设有与下腔6及籽晶生长控温管13内腔连通的温度梯度调节下孔18，籽晶生长控温管13的上端通过顶座15固定在上隔板5上，顶座15的底部安装有一个伸入到籽晶生长控温管13内的安瓿固定架16，固定架固定在顶座15上，籽晶生长安瓿17安装在安瓿固定架16上，顶座15上开始有一个与上腔8及籽晶生长控温管13内腔连通的温度梯度调节上孔19。生长制备籽晶前，将配置好的碲锌镉原材料放入籽晶生长安瓿17内，对籽晶生长安瓿17内腔抽真空后进行封装。打开上端盖3，并提起上端盖3及固定在其上的上腔热电偶12，打开顶座15，并将顶座15上的安瓿固定架16从籽晶生长控温管13中去除，然后把籽晶生长安瓿17固定在安瓿固定架16上，再通过安瓿固定架16将籽晶生长安瓿17安装到籽晶生长控温管13内。接通下腔6、上腔8内下腔热电耦10、上腔热电偶12的电源，下腔热电耦10和上腔热电偶12加热，通过下腔热电耦10、上腔热电偶12对下腔6、上腔8进行加热。采用倒置法生长时，下腔热电耦10的温度加热至1090～1150℃，上腔8的温度加热至850～950℃，由于下腔6与上腔8之间存在温度差，热量会经温度梯度下孔18和温度梯度上孔19辐射流动，从籽晶生长控温舱7高温区辐射到上腔8低温区，在向外界辐射散热作用下，控制下腔热电耦10和上腔热电偶12加热温度，使温度梯度上孔19和温度梯度下孔18间温度梯度保持为ΔT/ΔL=35℃/cm，也就是温度差与距离比例为35℃/cm，按ΔT/ΔL这个规律改变下腔6与上腔8的加热温度，可使形成的温度梯度按规律移动。从而使籽晶生长控温管13上端和下端温度按照籽晶生长需要的温度梯度变化，保证籽晶生长安瓿17内碲锌镉籽晶的生成。
反之，采用正置法生长时，下腔热电耦10和上腔热电偶12的加热温度替换过来即可，形成的温度梯度方向与倒置法相反。
如图3所示，所述的下腔6和上腔8内分别设置有温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26，所述的温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26分别与PLC控制器27连接，PLC控制器27分别通过继电器与下腔热电耦10、上腔热电偶12连接。通过温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26来实时监控下腔6和上腔8的温度，由PLC控制器27控制下腔热电耦10与上腔热电偶12对下腔6和上腔8加热，保证下腔6和上腔8的温度控制在相应的温度范围内，以实现籽晶生长控温管13上端和下端温度按照籽晶生长需要的温度梯度变化，保证籽晶生长安瓿17内碲锌镉籽晶的生成。
如图2所示，所述的籽晶生长安瓿17为石英管，整体呈U型结构，包括U形石英管20、安瓿细颈21、生长容腔22、粘接嘴23，所述的U形石英管20的左端高度低于右端高度，U形石英管20的左端顶部设置有与其内腔及生长容腔22连通的安瓿细颈21，生长容腔22的顶部为粘接嘴23。将碲锌镉原料装入到籽晶生长安瓿17内，并对籽晶生长安瓿17内进行真空处理后进行封装，然后将整个籽晶生长安瓿17放入安瓿固定架16内，通过下腔6、上腔8内的下腔热电耦10、上腔热电偶12对籽晶生长安瓿17进行加热，使籽晶生长安瓿17内的碲锌镉原料全部熔化成溶液后，碲锌镉溶液体积小于U形石英管20内腔的容积，这样在U形石英管20较高一端顶部形成真空腔24，真空腔24下的液面需高于生长容腔22最高点，使生长容腔22内充满碲锌镉溶液，碲锌镉溶液的体积会因温度变化而变化，这种变化会使得真空腔24增大或减小，真空腔24的存在能够有效防止U形石英管20出现胀裂或缩裂。籽晶生长安瓿17移入生长装置后，在下腔6与上腔8间温度差作用下，籽晶生长控温管13内腔形成移动的温度梯度，热量会经温度梯度下孔18和温度梯度上孔19辐射流动，热量经温度梯度下孔18和温度梯度上孔19辐射流动，籽晶生长控温管13内的温度由1090～1150℃范围某一温度值降低至850～950℃范围某一温度值，碲锌镉籽晶的生长是在这个温度梯度环境下，逐渐在低温（晶体固体）与高温（溶液）区间生长出单晶核，生长过程中，随着温度梯度缓慢移动，由于碲锌镉三种成分间熔点差异，籽晶生长制备中形成的碲析出，析出的碲将会沉积到U形石英管20的底部，促使充满碲锌镉溶液的生长容腔22内随着时间生长出性能较好的碲锌镉籽晶。
碲锌镉晶体生长材料完成后，在制备安瓿细颈21位置将碲锌镉的生长容腔22切下来，把它装入碲锌镉晶体生长石英安瓿内，将碲锌镉粘接嘴23与生长石英安瓿烧接起来即可。
本发明技术可生长出品质较好的籽晶，实现制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备安瓿内，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料。
最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本发明进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本发明权利要求书所限定的范围。

Claims (3)

1.一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，其特征在于：所述的便于籽晶移植的籽晶生长装置包括圆筒（1）、下端盖（2）、上端盖（3）、下隔板（4）、上隔板（5）、下腔保温隔热层（9）、下腔热电耦（10）、上腔保温隔热层（11）、上腔热电偶（12）、籽晶生长控温管（13）、底座（14）、顶座（15）、安瓿固定架（16）、籽晶生长安瓿（17），所述的圆筒（1）呈两端开口的圆柱形状结构，圆筒（1）下端与上端分别安装有下端盖（2）、上端盖（3），圆筒（1）内设置有下隔板（4）、上隔板（5），下隔板（4）、上隔板（5）将圆筒（1）的内腔分隔为下腔（6）、籽晶生长控温舱（7）和上腔（8）；下腔（6）区域内圆筒（1）与下端盖（2）的内壁上设置有下腔保温隔热层（9），下腔（6）内安装有下腔热电耦（10）；上腔（8）区域内圆筒（1）与上端盖（3）的内壁上设置有上腔保温隔热层（11），上腔（8）内安装有上腔热电偶（12）；下隔板（4）上均匀的安装有底座（14），上隔板（5）上开设有与下隔板（4）上底座（14）一一对应的通孔，籽晶生长控温管（13）的下端穿过通孔安装在底座（14）上，底座（14）上开设有与下腔（6）及籽晶生长控温管（13）内腔连通的温度梯度调节下孔（18），籽晶生长控温管（13）的上端通过顶座（15）固定在上隔板（5）上，顶座（15）的底部安装有一个伸入到籽晶生长控温管（13）内的安瓿固定架（16），籽晶生长安瓿（17）安装在安瓿固定架（16）上，顶座（15）上开始有一个与上腔（8）及籽晶生长控温管（13）内腔连通的温度梯度调节上孔（19）。
2.根据权利要求1所述的一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，其特征在于：所述的籽晶生长安瓿（17）为石英管，整体呈U型结构，包括U形石英管（20）、安瓿细颈（21）、生长容腔（22）、粘接嘴（23），所述的U形石英管（20）的左端高度低于右端高度，U形石英管（20）的左端顶部设置有与其内腔及生长容腔（22）连通的安瓿细颈（21），生长容腔（22）的顶部为粘接嘴（23）。
3.根据权利要求1或2所述的一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，其特征在于：所述的下腔（6）和上腔（8）内分别设置有温度传感器Ⅰ（25）和温度传感器Ⅱ（26），所述的温度传感器Ⅰ（25）和温度传感器Ⅱ（26）分别与PLC控制器（27）连接，PLC控制器（27）分别通过继电器与下腔热电耦（10）、上腔热电偶（12）连接。
CN202011567957.6A 2020-12-26 2020-12-26 一种便于籽晶移植的籽晶生长装置 Active CN112831842B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011567957.6A CN112831842B (zh) 2020-12-26 2020-12-26 一种便于籽晶移植的籽晶生长装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011567957.6A CN112831842B (zh) 2020-12-26 2020-12-26 一种便于籽晶移植的籽晶生长装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112831842A true CN112831842A (zh) 2021-05-25
CN112831842B CN112831842B (zh) 2021-11-19

Family

ID=75924655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011567957.6A Active CN112831842B (zh) 2020-12-26 2020-12-26 一种便于籽晶移植的籽晶生长装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112831842B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1834311A (zh) * 2006-03-02 2006-09-20 西华大学 用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备
CN201680724U (zh) * 2010-04-08 2010-12-22 上海嘉翎仪表材料科技研究所 高温梯度炉
CN104313680A (zh) * 2014-09-28 2015-01-28 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法
CN204678904U (zh) * 2015-05-15 2015-09-30 梁胜 电阻炉
KR20170034812A (ko) * 2017-03-16 2017-03-29 주식회사 사파이어테크놀로지 탄화규소 단결정 잉곳의 멀티 성장장치
CN110592659A (zh) * 2019-10-21 2019-12-20 哈尔滨元雅新材料科技有限公司 一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1834311A (zh) * 2006-03-02 2006-09-20 西华大学 用碘化铅熔体生长单晶体的方法及设备
CN100408731C (zh) * 2006-03-02 2008-08-06 西华大学 用碘化铅熔体生长单晶体的方法
CN201680724U (zh) * 2010-04-08 2010-12-22 上海嘉翎仪表材料科技研究所 高温梯度炉
CN104313680A (zh) * 2014-09-28 2015-01-28 中国工程物理研究院化工材料研究所 一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法
CN204678904U (zh) * 2015-05-15 2015-09-30 梁胜 电阻炉
KR20170034812A (ko) * 2017-03-16 2017-03-29 주식회사 사파이어테크놀로지 탄화규소 단결정 잉곳의 멀티 성장장치
CN110592659A (zh) * 2019-10-21 2019-12-20 哈尔滨元雅新材料科技有限公司 一种多坩埚梯度冷凝晶体生长装置及其用于生长大尺寸溴化镧单晶的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112831842B (zh) 2021-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100513652C (zh) 降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置
CN100357498C (zh) 水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法
CN103938270A (zh) 镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法
CN102409395A (zh) 一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置及其掺杂方法
CN113699584B (zh) 一种直拉单晶硅微波快速补料连续生产系统及其生产方法
CN202989351U (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构
CN111809229A (zh) 一种锑化铟单晶的制备方法及其装置
CN111809242A (zh) 一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法
CN204803443U (zh) 一种用于晶体生长的加热装置
CN208791811U (zh) 晶体生长装置
CN112831842B (zh) 一种便于籽晶移植的籽晶生长装置
CN103361727A (zh) 蓝宝石单晶及其制备方法
CN204779912U (zh) 一种带浮渣过滤结构的lec单晶生长装置
CN103774210A (zh) 立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法
CN103147119A (zh) 一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备
CN202099408U (zh) 用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置
CN102168302B (zh) 一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法
TW200419015A (en) Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus
CN210856408U (zh) 一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉
CN101275273B (zh) 一种压电水晶的制造方法
CN103397380B (zh) 一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺
CN110952133A (zh) 基于vgf法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺
CN102912418B (zh) 生长碘化铅单晶体的方法及系统
CN105803518B (zh) 类提拉法单晶生长装置及方法
CN113774489B (zh) 一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant