CN112753286B - 等离子体发生装置 - Google Patents
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Abstract
提供能够抑制通过气体流路的放电的产生的等离子体发生装置。等离子体发生装置具备:一对电极,通过放电而产生等离子气体;第一喷嘴部,具有多个第一气体流路,通过多个第一气体流路而使等离子气体流动;第二喷嘴部,具有多个第二气体流路,将从多个第一气体流路流入的等离子气体从多个第二气体流路喷出;及隔断部,设于第二喷嘴部中的相当于一对电极之间的位置,进行隔断以使得多个第一气体流路中的至少两个第一气体流路互不连接。
Description
技术领域
本公开涉及从多个气体流路喷出等离子气体的等离子体发生装置。
背景技术
以往,作为从多个气体流路喷出等离子气体的等离子体发生装置,提出了下述专利文献1的等离子体发生装置。专利文献1的等离子体发生装置从连接于多个第三气体流路的下端的多个第四气体流路喷出等离子气体。多个第三气体流路各自的上端连接于一个凹部。另外,在凹部的上部连接有比第三气体流路少的数量的第二气体流路。等离子气体从多个第二气体流路中的各第二气体流路经由凹部而向多个第三气体流路流入。
现有技术文献
专利文献1:国际公开第WO2018/029845号
发明内容
发明所要解决的课题
在上述等离子体发生装置中,例如,通过对第二气体流路连接第三气体流路而增加气体流路的数量。具体而言,将多个第二气体流路连接于由一个空间构成的凹部。并且,使一度汇集于凹部的第二气体流路再次分支成第三气体流路。在这样的结构中,若缩短电极与气体流路之间的距离或者变更向电极施加的电压,则可能会通过气体流路和凹部而产生电极间的放电。通过这样的非意图的路径的放电,可能会使气体流路和凹部消耗。
本公开鉴于上述内容而作出,其课题在于提供能够抑制通过气体流路的放电的产生的等离子体发生装置。
用于解决课题的手段
本说明书公开一种等离子体发生装置,具备:一对电极,通过放电而产生等离子气体;第一喷嘴部,具有多个第一气体流路,通过上述多个第一气体流路而使上述等离子气体流动;第二喷嘴部,具有多个第二气体流路,将从上述多个第一气体流路流入的上述等离子气体从上述多个第二气体流路喷出;及隔断部,设于上述第二喷嘴部中的相当于上述一对电极之间的位置,进行隔断以使得上述多个第一气体流路中的至少两个第一气体流路互不连接。
发明效果
根据本公开,通过连接第一气体流路和第二气体流路,能够利用隔断部54来抑制通过两个第一气体流路的放电的产生。
附图说明
图1是示出实施方式的等离子体处理机1的整体结构的立体图。
图2是将图1的等离子体处理机1具有的等离子体头14以拆下了罩的状态示出的立体图。
图3是图2的等离子体头14的剖视图。
图4是安装了与图3的喷嘴30不同的喷嘴51的等离子体头14的剖视图。
图5是喷嘴51的俯视图。
图6是安装了不具备隔断部54的喷嘴61的等离子体头14的剖视图。
图7是安装了另一例的喷嘴63的等离子体头14的剖视图。
图8是安装了另一例的喷嘴64的等离子体头14的剖视图。
图9是安装了另一例的喷嘴65的等离子体头14的剖视图。
具体实施方式
以下,参照图来详细说明能够安装作为本公开的等离子体发生装置的一实施方式的等离子体头14的等离子体处理机。需要说明的是,本公开除了下述实施方式以外,还能够以基于本领域技术人员的知识实施了各种变更、改良后的各种方案来实施。
如图1所示,等离子体处理机1具备:载置工件W的载台10、配置于载台10的旁边的串联型机器人(也能够称作多关节型机器人,以下,简记为机器人)12及以保持于机器人12的状态照射等离子气体的等离子体头14(以下,有时简称作头14)。另外,等离子体处理机1具备:具有向头14供给电力的电源部16A及向头14供给气体的气体供给部16B的电源气体供给单元16和总括地控制该等离子体处理机1的控制器18。控制器18以计算机为主体,控制机器人12、头14及电源气体供给单元16的动作。
机器人12、电源气体供给单元16、控制器18通过例如LAN(局域网)等连接,能够互相通信。需要说明的是,连接机器人12、电源气体供给单元16、控制器18的通信不作特别限定。例如,也可以不经由集线器、路由器而通过通信电缆直接连接机器人12、电源气体供给单元16、控制器18。
控制器18经由例如LAN而控制机器人12的动作,变更头14相对于工件W的位置。另外,控制器18控制例如电源气体供给单元16的电源部16A,控制从电源部16A向机器人12和头14供给的电力。另外,控制器18控制电源气体供给单元16的气体供给部16B,控制从气体供给部16B向头14供给的气体的量等。
电源气体供给单元16具备未图示的CPU、ROM及RAM等。另外,电源气体供给单元16具备触摸面板17。电源气体供给单元16将各种设定画面和动作状态(例如,气体供给状态等)等显示于触摸面板17。电源气体供给单元16通过对于触摸面板17的操作输入来接受各种信息。
另外,电源气体供给单元16的电源部16A经由电源电缆(图示省略)而与头14连接。电源部16A基于控制器18的控制而向头14的电极24(参照图3)施加电压。气体供给部16B经由多个(在本实施方式中是四个)气体管45而与头14连接。气体供给部16B基于控制器18的控制而进行后述的反应气体、载气、屏蔽气体的供给。
如图2及图3所示,头14具备头主体部20和喷嘴30。头主体部20及喷嘴30由例如耐热性高的陶瓷形成。在头主体部20的内部形成有用于产生等离子气体的反应室22。在头主体部20的内部以向反应室22突出的方式保持有一对电极24。一对电极24分别呈例如圆柱形状,在图3中的上下方向上延伸设置。在该情况下,圆柱形状的电极24的轴向(图3的上下方向)是本公开的电极的延伸设置方向的一例。需要说明的是,电极24的形状不限于圆柱形状,也可以是长方体形状等其他形状。
另外,在头主体部20的内部形成有反应气体流路26和一对载气流路28。反应气体流路26设于头主体部20的大致中央部,经由气体管45(参照图1)而与电源气体供给单元16的气体供给部16B连接,使从气体供给部16B供给的反应气体向反应室22流入。另外,一对载气流路28配置于将反应气体流路26夹在中间的位置。一对载气流路28分别经由气体管45(参照图1)而与气体供给部16B连接,使从气体供给部16B供给的载气向反应室22流入。
作为反应气体(种气体),能够采用氧气(O2)。气体供给部16B例如经由反应气体流路26而使氧气和氮气(N2)的混合气体(例如,干燥空气(空气))向反应室22的电极24之间流入。以下,有时将该混合气体为了方便而称作反应气体,将氧气称作种气体。作为载气,能够采用氮气。气体供给部16B从一对载气流路28中的各载气流路28以包围一对电极24中的各电极24的方式使载气流入。
从电源气体供给单元16的电源部16A向一对电极24施加交流的电压。通过施加电压,例如,如图3所示,在反应室22内,在一对电极24的下端之间产生伪电弧A。在反应气体通过该伪电弧A时,反应气体被等离子体化。因此,一对电极24产生伪电弧A的放电,将反应气体等离子体化,产生等离子气体。
喷嘴30安装于头主体部20的下部。喷嘴30以能够相对于头主体部20拆装的方式设置。喷嘴30通过例如螺栓的紧固而固定于头主体部20。使用者能够通过从头主体部20拆下喷嘴30,而更换为种类不同的喷嘴30。
如图3所示,在头主体部20的下部形成有多个第一气体流路29。在以下的说明中,如图3所示,使用图3的剖视图中的上下方向及左右方向来进行说明。另外,将与上下方向及左右方向正交的方向称作前后方向(参照图5)来进行说明。上下方向是例如沿着圆柱形状的电极24的延伸设置方向的方向。另外,左右方向是例如沿着一对电极24相向的方向的方向。
本实施方式的第一气体流路29形成有例如六条。第一气体流路29中分别呈例如沿着上下方向的圆筒形状。多个第一气体流路29在左右方向上以在中间设置预定的间隔的方式排列配置。多个第一气体流路29的上端的开口与反应室22的底部相连。另外,第一气体流路29的下端的开口在头主体部20的下表面20A处开口。
在头主体部20的下表面20A安装有喷嘴30。如图2所示,喷嘴30具备基部31和板状部32。基部31呈在上下方向上具有预定的厚度的板状。板状部32呈在前后方向上具有预定的厚度的板状,从基部31的下表面向下方突出。喷嘴30在从左右方向观察的情况下呈大致T字形状。喷嘴30以使基部31的上表面30A的平面与头主体部20的下表面20A的平面接触的状态即进行面接触的状态安装于头主体部20。
在喷嘴30中形成有多个第二气体流路34。第二气体流路34以在上下方向上贯通喷嘴30的基部31及板状部32的方式形成。在图3所示的喷嘴30中形成有六条第二气体流路34。换言之,在图3所示的头14安装有形成有与头主体部20的第一气体流路29相同条数的第二气体流路34的喷嘴30。第二气体流路34分别呈例如沿着上下方向的圆筒形状。需要说明的是,上述第一气体流路29及第二气体流路34的条数、形状、形成的位置是一例。
多个第二气体流路34中的各第二气体流路34对应于第一气体流路29的位置而在左右方向上以在中间设置预定的间隔的方式排列配置。多个第二气体流路34中的各第二气体流路34在上端处连接于第一气体流路29的下端。另外,第二气体流路34的下端的开口34A在喷嘴30的下表面30B处开口。如图3所示,在将喷嘴30安装于头主体部20的状态下,第一气体流路29及第二气体流路34在左右方向上排列配置,形成了沿着上下方向的圆筒形状的气体流路。在反应室22中产生的等离子气体与载气一起通过第一气体流路29及第二气体流路34而从开口34A喷出。
等离子体处理机1通过上述结构来执行对于工件W的等离子体处理。例如,机器人12基于控制器18的控制而使头14的位置与工件W的位置一致。电源气体供给单元16基于控制器18的控制而向头14的电极24施加电压并进行气体的供给。由此,从头14的喷嘴30的前端即开口34A向载置于载台10的工件W喷出等离子气体。
等离子气体通过从较大空间的反应室22向较细的圆筒形状的第一气体流路29及第二气体流路34流入,而能够提高流速。换言之,通过将等离子气体通向第一气体流路29及第二气体流路34,能够加快流速,使等离子气体喷出地更远。在本实施方式中,第一气体流路29的孔径R1例如与第二气体流路34的孔径R2相同。需要说明的是,孔径R1和孔径R2也可以是不同的长度。另外,关于详情将在后文叙述,在图4所示的使第二气体流路34的条数增大的喷嘴51中,孔径R2比孔径R1短。
另外,如图3所示,在喷嘴30中,在左右方向上的多个第二气体流路34的外侧形成有外侧空间部36。外侧空间部36具有环状空间部37和筒状空间部38。环状空间部37形成于喷嘴30的上部的基部31,以包围多个第二气体流路34的外周的方式形成为环状。另外,筒状空间部38呈例如从环状空间部37的下表面向下方突出的圆筒形状。筒状空间部38沿着与第二气体流路34平行的方向(上下方向)而形成。筒状空间部38以在左右方向上将多个第二气体流路34的全部夹在中间的方式形成于左右方向的两侧。筒状空间部38的下端在喷嘴30的下表面30B处开口。
另外,如图2所示,在头主体部20的外周面安装有供给管40。供给管40经由气体管45(参照图1)而连接于电源气体供给单元16的气体供给部16B。从气体供给部16B向供给管40供给气体(例如,空气)。在供给管40的中途安装有加热器42。加热器42将在供给管40中流动的气体加热而生成热气。外侧空间部36的环状空间部37连接于供给管40,经由供给管40而被供给热气。该热气作为保护等离子气体的屏蔽气体发挥功能。热气在筒状空间部38内流动,从筒状空间部38的下端沿着等离子气体的喷出方向喷出,从而以包围从开口34A喷出的等离子气体的周围的方式喷出。通过将加热后的热气向等离子气体的周围喷出,能够提高等离子气体的效能(湿润性等)。
接着,对安装了作为本公开的第二喷嘴部的一例的喷嘴51的头14进行说明。图4示出了取代图3所示的喷嘴30而安装了喷嘴51的头14。需要说明的是,在以下的说明中,关于与图3所示的结构相同的结构,标注同一附图标记,并适当省略其说明。
在图4所示的喷嘴51中形成有八条第二气体流路34。喷嘴51的第二气体流路34的孔径R2比第一气体流路29的孔径R1短。例如,若假设使孔径R1和孔径R2相同且与第一气体流路29的数量相比使第二气体流路34的数量增大,则第二气体流路34的截面积的合计值比第一气体流路29的截面积(流路的面积)的合计值大。其结果是,流入到第二气体流路34的等离子气体的流速下降,能够喷出等离子气体的范围可能会变小(飞行的距离可能会变短)。
于是,在本实施方式中,在与第一气体流路29的条数相比使第二气体流路34的条数增大的喷嘴51中,使孔径R2比孔径R1短,缩窄气体流路。由此,能够维持或提高在第二气体流路34中流动的等离子气体的流速,使等离子气体喷出至期望的范围。需要说明的是,喷嘴51的第二气体流路34的孔径R2可以与第一气体流路29的孔径R1相同,也可以比孔径R1短。另外,在图3所示的使第一气体流路29和第二气体流路34成为相同条数的喷嘴30中,也可以使孔径R2比孔径R1短。
在喷嘴51的上部形成有空间部53。图5示出了喷嘴51的俯视图。空间部53例如在喷嘴51的上表面51A的俯视时形成于中央部分。空间部53以使喷嘴51的基部31从上方向下方凹陷设置的方式形成。空间部53呈在左右方向上较长的大致长方体形状。在空间部53的左右方向上的中央部形成有隔断部54。隔断部54设于喷嘴51中的相当于一对电极24之间的位置。本实施方式的隔断部54设于一对电极24间的中间位置。
具体而言,本实施方式的电极24分别形成为在上下方向上较长的圆柱形状。如图4所示,将沿着左侧的电极24的轴向(延伸设置方向的一例)的直线设为第一直线LN1,将沿着右侧的电极24的轴向(延伸设置方向的一例)的直线设为第二直线LN2。在该情况下,隔断部54设于作为相当于一对电极24之间的位置的、喷嘴51中的由第一直线LN1和第二直线LN2夹着的范围。另外,本实施方式的隔断部54设于与第一直线LN1和第二直线LN2成为相等的距离的中间位置。
另外,如图5所示,隔断部54在左右方向上以预定的宽度WD形成。另外,图4所示的隔断部54的上下方向上的长度L1例如比第二气体流路34的孔径R2长。隔断部54作为将空间部53的内部划分成多个(在本实施方式中是两个)空间的壁发挥功能。
头主体部20的第一气体流路29在将喷嘴51安装于头主体部20的状态下与空间部53的上部的开口连接。从反应室22向第一气体流路29流入的等离子气体通过第一气体流路29而向空间部53内流入。
另外,多个第二气体流路34的上端的开口34B(参照图5)连接于空间部53的底部。因此,在反应室22中产生的等离子气体经由第一气体流路29及空间部53而向多个第二气体流路34中的各第二气体流路34流入。并且,等离子气体从第二气体流路34各自的开口34A喷出。喷嘴51的左右方向上的喷嘴宽度NW2(参照图4)比图3所示的喷嘴30的喷嘴宽度NW1长。因此,喷嘴51通过增加第二气体流路34的条数并使喷嘴宽度NW2增大,能够与喷嘴30相比使等离子气体的喷出范围增大。这样,在本实施方式的头14中,能够通过变更喷嘴30、51的种类,来变更等离子气体的喷出范围。
另外,能够通过使隔断部54的上下方向的长度L1比第二气体流路34的孔径R2长,而抑制空间部53内的等离子气体的滞留的产生或减速的产生,能够使等离子气体顺畅地流动。需要说明的是,长度L1也可以是与孔径R2相同的长度,还可以是比孔径R2短的长度。
另外,如图5所示,本实施方式的隔断部54形成于左右方向上的空间部53的中央。八条第二气体流路34中的四条配置于隔断部54的左侧,剩余的四条配置于隔断部54的右侧。八条第二气体流路34中的左右方向上的中央的两个第二气体流路34以将隔断部54夹在中间的方式配置。该中央的两个第二气体流路34以使左右方向上的最靠内侧的内壁的位置与隔断部54的侧壁54A的位置一致的方式形成。换言之,隔断部54成为将宽度WD确保至与中央的两个第二气体流路34接触的位置的厚度。
在此,对不具有隔断部54的喷嘴进行说明。图6示出了在空间部53不具备隔断部54的喷嘴61。喷嘴61与图5的喷嘴51相同地,通过将六条第一气体流路29经由空间部53而连接于八条第二气体流路34,能够使气体流路的数量、喷出范围增大。另一方面,将六条第一气体流路29全部连接于由一个空间形成的空间部53。在这样的结构中,例如,若缩短电极24的下端与第一气体流路29的上端之间的距离或者变更向电极24施加的电压(电压值、频率),则如图6所示,电极24间的伪电弧A可能会通过第一气体流路29和空间部53而产生。即使如图4所示那样是企图仅在反应室22内产生伪电弧A的设计,若将喷嘴30更换为喷嘴61,则也可能会产生如图6所示的非意图的路径的伪电弧A。其结果是,可能会因伪电弧A而使第一气体流路29和空间部53的内部消耗。
于是,如图4所示,在本实施方式喷嘴51中,能够通过在空间部53设置隔断部54,来抑制通过空间部53的伪电弧A的产生。由此,能够在不因伪电弧A而使第一气体流路29或空间部53消耗的情况下,增加气体流路并增大喷嘴宽度NW2,即适当地增大等离子气体的喷出范围。
另外,如图5所示,喷嘴51将隔断部54的宽度WD扩展至与中央的两个第二气体流路34接触的位置。另一方面,中央的两个第二气体流路34之间的距离为了更均等地喷出等离子气体而需要与其他第二气体流路34间的距离一致。另外,隔断部54的宽度WD在抑制空间部53内的伪电弧A的产生的观点下需要尽量长。因此,使中央的两个第二气体流路34之间的距离与其他第二气体流路34间的距离一致,且将隔断部54的宽度WD扩展至与中央的两个第二气体流路34接触的位置。由此,能够使等离子气体更均等地喷出,并抑制空间部53内的伪电弧A的产生。
另外,如上所述,本实施方式的多个第二气体流路34以比多个第一气体流路29多的数量形成。在此,在将第一气体流路29与数量更多的第二气体流路34连接的情况下即、使气体流路的数量增大的情况下,根据设置空间部53等设计上的制约,两个第一气体流路29在气体流路的中途连接的可能性变高。因此,在喷嘴51这样的使气体流路的数量增大的结构中,设置隔断部54来抑制空间部53内的伪电弧A的产生极为有效。
另外,本实施方式的喷嘴51具有从多个第一气体流路29使等离子气体流入的空间部53。多个第二气体流路34连接于空间部53,从多个第一气体流路29经由空间部53而使等离子气体流入。并且,隔断部54作为将空间部53的内部划分成多个空间的壁发挥功能。由此,通过将第一气体流路29暂且向空间部53汇集并向连接于空间部53的第二气体流路34分支,能够使气体流路的数量增大或减少。另一方面,由于将多个第一气体流路29利用空间部53连接,所以产生通过第一气体流路29及空间部53的伪电弧A的可能性变高。因此,能够通过在空间部53设置隔断部54,来抑制空间部53内的伪电弧A的产生。
另外,本实施方式的隔断部54设于喷嘴51中的一对电极24间的中间位置(距第一直线LN1和第二直线LN2相等的距离)。由此,通过在成为一对电极24间的中间的位置设置隔断部54,能够利用隔断部54高效地隔断通过第一气体流路29的电极24间的放电。
另外,本实施方式的等离子体处理机1具有:气体供给部16B,供给反应气体;及反应室22,配置有一对电极24,将从气体供给部16B供给的反应气体通过一对电极24的放电而等离子体化从而产生等离子气体。并且,多个第一气体流路29连接于反应室22。由此,在使用反应气体作为介质的等离子体处理机1中,能够抑制产生通过气体流路的伪电弧A。
需要说明的是,喷嘴51的结构不限于上述结构。例如,也可以不将隔断部54设于左右方向上的空间部53的中央。图7示出了另一例的喷嘴63。例如,如图7所示,也可以将隔断部54设置于从右侧起的第二条第一气体流路29与第三条第一气体流路29之间,比中间位置靠右侧配置。即使是这样的结构,通过将隔断部54配置于相当于一对电极24之间的位置,也能够抑制在空间部53中产生伪电弧A。
另外,喷嘴51也可以不具备空间部53。图8示出了另一例的喷嘴64。如图8所示,八条第二气体流路34通过使一个第一气体流路29分支成两条第二气体流路34而构成。在该情况下,构成喷嘴64的部件(陶瓷等)中的不使分支前的第二气体流路34(第二气体流路34的基端部)彼此连接的部分、不使分支后的第二气体流路34彼此连接的部分作为隔断部54发挥功能。因此,隔断部54进行隔断以使得多个第二气体流路34互不连接,由此进行隔断以使得多个第一气体流路29互不连接。由此,能够通过使第一气体流路29、第二气体流路34独立地分支而使气体流路的数量增大,并抑制产生通过第一气体流路29的伪电弧A。
顺便一提,头14、等离子体处理机1是等离子体发生装置的一例。头主体部20是第一喷嘴部的一例。喷嘴51、63、64是第二喷嘴部的一例。
如以上详细说明那样,本实施方式的头14的喷嘴51在空间部53具有隔断部54。隔断部54设于喷嘴51中的相当于一对电极24之间的位置,进行隔断以使得头主体部20的多个第一气体流路29互不连接。等离子气体通过多个第一气体流路29和与第一气体流路29不同的数量的第二气体流路34而流动,并从第二气体流路34喷出。因此,通过将第一气体流路29和第二气体流路34连接,能够增减气体流路的数量。另外,通过隔断部54,能够抑制空间部53内的伪电弧A的产生。由此,能够变更气体流路的数量,并利用隔断部54来抑制通过两个第一气体流路29的伪电弧A的产生。
需要说明的是,本公开不限定于上述实施方式,能够在不脱离其主旨的范围内进行各种各样的变更。
例如,在上述实施方式中,作为本公开的第二喷嘴部,对具有比第一气体流路29的数量多的第二气体流路34的喷嘴51、63、64进行了说明,但不限于此。例如,如图9所示,本公开的第二喷嘴部也可以是具有比第一气体流路29的数量少的第二气体流路34的喷嘴65。喷嘴65的左右方向上的喷嘴宽度NW3比图3所示的喷嘴30的喷嘴宽度NW1短。因此,喷嘴65通过减少第二气体流路34的条数并使喷嘴宽度NW3减小,能够与喷嘴30相比缩窄等离子气体的喷出范围。即使是这样的减少气体流路的数量的结构,也能够通过设置隔断部54,来抑制通过两个第一气体流路29的伪电弧A的产生。
另外,上述实施方式的喷嘴51、63、64在其一部分具备使热气流动的外侧空间部36,但也可以是不具备外侧空间部36的结构。在该情况下,头14也可以不具备供给管40、加热器42。
另外,也可以在与喷嘴51、63、64相独立的部件形成外侧空间部36。另外,例如,也可以利用罩覆盖喷嘴51、63、64的外侧,利用喷嘴51、63、64的外周面和外侧的罩的内周面来形成外侧空间部36。
另外,在上述实施方式中,作为本公开的等离子体发生装置,采用了使用反应气体来产生等离子体的头14,但也能够采用以不使用反应气体的方式产生等离子体的大气压等离子体发生装置。
另外,头主体部20的第一气体流路29的数量和喷嘴51的第二气体流路34的数量也可以是相同数量。另外,第一气体流路29的数量和喷嘴64的分支后的第二气体流路34的数量也可以是相同数量。即,即使是具备隔断部54的喷嘴51、61、64,也可以具备与头主体部20的第一气体流路29相同数量的第二气体流路34。在该情况下,能够维持气体流路的数量,并利用隔断部54来抑制通过了两个第一气体流路29的伪电弧A的产生。
附图标记说明
1等离子体处理机(等离子体发生装置),14等离子体头(等离子体发生装置),20头主体部(第一喷嘴部),24电极,29第一气体流路,34第二气体流路,51、63、64、65喷嘴(第二喷嘴部),54隔断部,LN1第一直线,LN2第二直线。
Claims (14)
1.一种等离子体发生装置,具备:
一对电极,通过放电而产生等离子气体;
第一喷嘴部,具有多个第一气体流路,通过所述多个第一气体流路而使所述等离子气体流动;
第二喷嘴部,具有多个第二气体流路,将从所述多个第一气体流路流入的所述等离子气体从所述多个第二气体流路喷出;及
隔断部,设于所述第二喷嘴部中的相当于所述一对电极之间的位置,进行隔断以使得所述多个第一气体流路中的至少两个第一气体流路互不连接,
所述第二喷嘴部具有空间部,所述等离子气体从所述多个第一气体流路向该空间部流入,
所述多个第二气体流路连接于所述空间部,从所述多个第一气体流路经由所述空间部而使所述等离子气体流入,
所述隔断部是将所述空间部的内部分成多个空间的壁。
2.根据权利要求1所述的等离子体发生装置,其中,
所述多个第二气体流路以与所述多个第一气体流路不同的数量形成。
3.根据权利要求2所述的等离子体发生装置,其中,
所述多个第二气体流路以比所述多个第一气体流路多的数量形成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的等离子体发生装置,其中,
所述隔断部设于所述第二喷嘴部中的所述一对电极间的中间位置。
5.根据权利要求4所述的等离子体发生装置,其中,
所述一对电极分别形成为在一个方向上较长的棒状,
所述隔断部设于使距沿着所述一对电极中的一个电极的延伸设置方向的第一直线和沿着另一个电极的延伸设置方向的第二直线成为相等的距离的所述中间位置。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的等离子体发生装置,其中,
所述一对电极分别形成为在一个方向上较长的棒状,
在将沿着所述一对电极中的一个电极的延伸设置方向的直线设为第一直线,将沿着另一个电极的延伸设置方向的直线设为第二直线的情况下,所述隔断部设于作为相当于所述一对电极之间的位置的、所述第二喷嘴部中的由所述第一直线和所述第二直线夹着的范围。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的等离子体发生装置,其中,
所述等离子体发生装置具有:
气体供给部,供给反应气体;及
反应室,配置有所述一对电极,通过所述一对电极的放电而将从所述气体供给部供给的所述反应气体等离子体化从而产生所述等离子气体,
所述多个第一气体流路连接于所述反应室。
8.一种等离子体发生装置,具备:
一对电极,通过放电而产生等离子气体;
第一喷嘴部,具有多个第一气体流路,通过所述多个第一气体流路而使所述等离子气体流动;
第二喷嘴部,具有多个第二气体流路,将从所述多个第一气体流路流入的所述等离子气体从所述多个第二气体流路喷出;及
隔断部,设于所述第二喷嘴部中的相当于所述一对电极之间的位置,进行隔断以使得所述多个第一气体流路中的至少两个第一气体流路互不连接,
所述多个第二气体流路通过使一个第一气体流路分支成多个第二气体流路而构成,
所述隔断部进行隔断以使得所述多个第二气体流路互不连接,由此进行隔断以使得所述多个第一气体流路互不连接。
9.根据权利要求8所述的等离子体发生装置,其中,
所述多个第二气体流路以与所述多个第一气体流路不同的数量形成。
10.根据权利要求9所述的等离子体发生装置,其中,
所述多个第二气体流路以比所述多个第一气体流路多的数量形成。
11.根据权利要求8~10中任一项所述的等离子体发生装置,其中,
所述隔断部设于所述第二喷嘴部中的所述一对电极间的中间位置。
12.根据权利要求11所述的等离子体发生装置,其中,
所述一对电极分别形成为在一个方向上较长的棒状,
所述隔断部设于使距沿着所述一对电极中的一个电极的延伸设置方向的第一直线和沿着另一个电极的延伸设置方向的第二直线成为相等的距离的所述中间位置。
13.根据权利要求8~10中任一项所述的等离子体发生装置,其中,
所述一对电极分别形成为在一个方向上较长的棒状,
在将沿着所述一对电极中的一个电极的延伸设置方向的直线设为第一直线,将沿着另一个电极的延伸设置方向的直线设为第二直线的情况下,所述隔断部设于作为相当于所述一对电极之间的位置的、所述第二喷嘴部中的由所述第一直线和所述第二直线夹着的范围。
14.根据权利要求8~10中任一项所述的等离子体发生装置,其中,
所述等离子体发生装置具有:
气体供给部,供给反应气体;及
反应室,配置有所述一对电极,通过所述一对电极的放电而将从所述气体供给部供给的所述反应气体等离子体化从而产生所述等离子气体,
所述多个第一气体流路连接于所述反应室。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10273777A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Nikon Corp | 誘導結合型プラズマcvd装置及びその装置を用いた均一成膜方法 |
CN1353441A (zh) * | 2000-11-08 | 2002-06-12 | 富士通日立等离子显示器股份有限公司 | 减轻显示不良的等离子显示装置 |
CN1897206A (zh) * | 2005-07-12 | 2007-01-17 | 晶赞光电股份有限公司 | 高压气体放电灯及其制造方法 |
CN101042992A (zh) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理用的立式等离子体处理装置 |
JP2007250838A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
JP2013172153A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | Mocvd反応器用シャワーヘッド、mocvd反応器、mocvd装置及び洗浄方法 |
JP2016038940A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ発生装置 |
WO2018029845A1 (ja) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ発生装置、およびプラズマ照射方法 |
WO2018185838A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 株式会社Fuji | プラズマ発生装置 |
Family Cites Families (4)
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---|---|---|---|---|
JP2005294762A (ja) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US9275840B2 (en) * | 2014-01-25 | 2016-03-01 | Yuri Glukhoy | Method for providing uniform distribution of plasma density in a plasma treatment apparatus |
US9484190B2 (en) * | 2014-01-25 | 2016-11-01 | Yuri Glukhoy | Showerhead-cooler system of a semiconductor-processing chamber for semiconductor wafers of large area |
EP3307030B1 (en) * | 2015-06-02 | 2020-04-29 | FUJI Corporation | Plasma generating device |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10273777A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Nikon Corp | 誘導結合型プラズマcvd装置及びその装置を用いた均一成膜方法 |
CN1353441A (zh) * | 2000-11-08 | 2002-06-12 | 富士通日立等离子显示器股份有限公司 | 减轻显示不良的等离子显示装置 |
CN1897206A (zh) * | 2005-07-12 | 2007-01-17 | 晶赞光电股份有限公司 | 高压气体放电灯及其制造方法 |
JP2007250838A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びそれに用いられる電極 |
CN101042992A (zh) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理用的立式等离子体处理装置 |
JP2013172153A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | Mocvd反応器用シャワーヘッド、mocvd反応器、mocvd装置及び洗浄方法 |
JP2016038940A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ発生装置 |
WO2018029845A1 (ja) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ発生装置、およびプラズマ照射方法 |
WO2018185838A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 株式会社Fuji | プラズマ発生装置 |
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