CN112731717B - 像素结构 - Google Patents

Abstract

一种像素结构包括像素电极以及配向电极。像素电极的轮廓由第一长边、第一短边、第二长边与第二短边围绕而成，且像素电极具有第一开口与第二开口。第一长边与第二长边相对。第一短边与第二短边相对。第一开口实质上沿着第一长边延伸，而第二开口由第一开口朝第二长边延伸，且第一开口的宽度小于第二开口的宽度。配向电极与像素电极实体上分离，且包括邻近第二长边的第一延伸部以及位于第一延伸部两端的两辅助部。两辅助部由第一延伸部朝第一长边延伸并分别沿着第一短边与第二短边延伸。

Description

像素结构

技术领域

本发明是有关于一种电子装置的构件，且特别是有关于一种像素结构。

背景技术

随着显示技术不断的推陈出新，显示装置中的像素结构也持续在改良。以目前被广泛应用的液晶显示装置而言，像素结构如何达到高穿透率一直都是业界关注的议题。举例而言，液晶显示装置中的像素结构可利用多种的配向技术来控制液晶材料的排列与倾斜方向。但，为了实现广视角的显示效果，需在不同区域定义出不同的配向方向，而不同配向区域之间的交界都是无法正常显示的牺牲区，使得像素结构的穿透率因此而受限。

发明内容

本发明提供一种像素结构，可具有高穿透率，而提升显示效果。

本发明的像素结构包括像素电极以及配向电极。像素电极的轮廓由第一长边、第一短边、第二长边与第二短边围绕而成，且像素电极具有第一开口与第二开口。第一长边与第二长边相对。第一短边与第二短边相对。第一开口实质上沿着第一长边延伸，而第二开口由第一开口朝第二长边延伸，且第一开口的宽度小于第二开口的宽度。配向电极与像素电极实体上分离，且包括邻近第二长边的第一延伸部以及位于第一延伸部两端的两辅助部。两辅助部由第一延伸部朝第一长边延伸并分别沿着第一短边与第二短边延伸。

基于上述，本发明实施例的像素结构使像素电极的开口搭配配向电极的图案，使得像素结构应在定义液晶配向的过程中可将液晶倾倒的节点控制于像素电极周边。如此一来，像素电极整体面积大致都可以提供显示作用而达到较高的显示穿透率，而提升显示效果。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明一实施例的像素结构的上视示意图。

图2示出了像素电极140与配向电极150的示意图。

图3为采用图1的像素结构对液晶层进行配向程序时的液晶效果的模拟图。

图4为本发明另一实施例的像素结构的上视示意图。

图5为像素结构200中像素电极与配向电极的示意图。

图6为本发明又一实施例的像素结构的上视示意图。

图7为像素结构300中像素电极与配向电极的示意图。

图8为采用图6的像素结构对液晶层进行配向程序时的液晶效果的模拟图。

图9为本发明再一实施例的像素结构的上视示意图。

图10为像素结构400中像素电极与配向电极的示意图。

图11为本发明又一实施例的像素结构的上视示意图。

图12为像素结构500中像素电极540与配向电极550的示意图。

其中，附图标记：

10、20、30、40、50:基板

100、200、300、400、500:像素结构

110、210、310、410、510:扫描线

120、120’、220、220’、320、320’、420、520:数据线

130、230、330、430、530:主动元件

132:栅极

134:源极

136:漏极

138:半导体层

140、240、340、440、540:像素电极

140V、240V、340V、440V、540V:第一开口

140H、240H、340H、440H、540H:第二开口

142、242、342、442、542:第一长边

144、244、344、444、544:第一短边

146、246、346、446、546:第二长边

148、248、348、448、548:第二短边

150、250、350、450、550:配向电极

152、252、352、452:第一延伸部

152S、156S、352S、356S:延伸部开口

154A、154B、254A、254B、354A、354B、454A、454B、554A、554B:辅助部

156、256、356、456:第二延伸部

158、258、358、458:连接部

160、260、360、460:共用电极

552:延伸部

BL:暗纹

D1、D2、D3、D4、S1:间隔距离

E152、E156、E252、E452:内侧边

EL:延伸线

HD:横向方向

ND:节点

VD:纵向方向

W1、W140、W152S、W154A、W2:宽度

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

图1为本发明一实施例的像素结构的上视示意图。在图1中，像素结构100例如配置于基板10上，且像素结构100可包括扫描线110、数据线120、主动元件130、像素电极140、配向电极150以及共用电极160。像素结构100应用于液晶显示装置时，基板10可与另一基板上下组立以将液晶层夹于这两基板间，而像素结构100可以用于形成驱动电场来驱动夹在两基板之间的液晶层而显示画面。另外，在实机应用中，基板10上可设置有多个像素结构100，且这些像素结构100以阵列排列的方式布局，因此，图1中的数据线120’是其他像素结构的走线，而未直接连接于图1的像素结构100的任何构件。

扫描线110与数据线120的延伸方向彼此相交，且扫描线110与数据线120各自例如是由金属、合金、多层金属、多层合金、金属与合金的堆叠层等导电材料构成的导电走线。在此，为了方面说明，扫描线110的延伸方向可以视为横向方向HD，而数据线120的延伸方向可以视为纵向方向VD，且横向方向HD与纵向方向VD可以彼此垂直或是相交一角度。像素结构100例如是在纵向方向VD的尺寸大于在横向方向HD的尺寸的结构，因此纵向方向VD可以为长轴方向，但不以此为限。

主动元件130例如是晶体管元件，其包括栅极132、源极134、漏极136以及半导体层138。栅极132可以连接于扫描线110，且栅极132的材料包括导电材料。在一些实施例中，栅极132实质上由扫描线110的一部分构成或是由扫描线110直接延伸出来的结构所构成，因此栅极132的材料可相同于扫描线110的材料。源极134连接于数据线120，而漏极136与源极134彼此间隔开来，且源极134与漏极136都可以由导电材料构成。在一些实施例中，源极134可以由数据线120直接延伸出来的结构所构成。数据线120、源极134与漏极136可以由同一层导电材料图案化而成。半导体层138与栅极132在厚度方向上重叠，且源极134与漏极136各自有一部分设置在半导体层138上。如此一来，半导体层138夹于栅极132与源极134之间也夹于栅极132与漏极136之间。

像素电极140可以连接至主动元件130的漏极136。当主动元件130受到扫描线110的信号控制而开启时，主动元件130可允许源极134与漏极136之间的信号传输，因此数据线120上的信号可以通过源极134与漏极136输入至像素电极140，从而让像素电极140产生需要的电场。像素电极140大致为矩形图案，但不以此为限。

配向电极150以大致上围绕像素电极140且与像素电极140实体上分离的方式设置。当像素结构100应用于液晶显示装置时，配向电极150搭配像素电极140以用于定义液晶材料的配向。举例来说，配向电极150与像素电极140可以分别被输入对应的电压，而在配向电极150与像素电极140之间产生电场使得液晶材料呈现特定的排列及/或倾倒。此时，可以进行合适的固化步骤，以在液晶层的周边形成配向层。如此一来，液晶层后续被驱动以进行显示时可以在配向层的配向作用之下倾倒与排列，从而达到需要的显示效果。

共用电极160可在厚度方向上重叠漏极136，也可重叠像素电极140，以构成需要的存储电容。共用电极160与像素电极140之间以及共用电极160与漏极136之间的存储电容可用于稳定像素结构100的显示效果。在一些实施例中，共用电极160可与扫描线110由相同的导电材料层图案化而成。共用电极160的一部分可以位于像素电极140与数据线120之间，这有助于减轻像素电极140与数据线120之间的干扰，但不以此为限。

图2示出了像素电极140与配向电极150的示意图，以便说明。像素电极140的轮廓由第一长边142、第一短边144、第二长边146与第二短边148围绕而成。在此，第一长边142、第一短边144、第二长边146与第二短边148例如以逆时针方向依序排列。第一长边142与第二长边146各自例如沿着纵向方向VD延伸，且彼此平行。第一短边144与第二短边148各自例如沿着横向方向HD延伸，且彼此平行。因此，像素电极140具有大致矩形的形状，但不以此为限。

另外，像素电极140具有第一开口140V与第二开口140H。第一开口140V实质上沿着第一长边142延伸。第一开口140V是狭长状的开口，且第一开口140V较接近第一长边142而较远离第二长边146。在一些实施例中，第一开口140V与第一长边142的间隔距离S1可以小于像素电极140整体的宽度W140的1/4。在一些实施例中，间隔距离S1例如为2.5微米至3微米。第二开口140H由第一开口140V朝第二长边146延伸。在一些实施例中，第二开口140H可将像素电极140均分，也就是说第二开口140H可以沿着像素电极140的中线延伸。具体而言，第二开口140H可以由第一开口140V的中点或中点附近朝远离第一长边142且接近第二长边146的方向延伸。如此，第一开口140V的延伸方向大致上为纵向方向VD而第二开口140H的延伸方向大致为横向方向HD，且第一开口140V与第二开口140H可构成大致呈现T型的开口结构，但不以此为限。举例而言，在其他的实施例中，第二开口140H可朝第一长边142延伸而将第一长边142分隔成两段。另外，第一开口140V的宽度W1可小于第二开口140H的宽度W2，其中开口的宽度例如是以垂直于各开口的延伸方向的方向测量而得的尺寸。在一些实施例中，第一开口140V的宽度W1与第二开口140H的宽度W2可以是固定的，但不以此为限。另外，第一开口140V的宽度W1可以小于第一开口140V与第一长边142的间隔距离S1。

配向电极150与像素电极140实体上分离，也就是说配向电极150的图案与像素电极140的图案彼此不连接。配向电极150可包括第一延伸部152、两辅助部154A与154B、第二延伸部156以及连接部158。像素电极140例如位于第一延伸部152与第二延伸部156之间，也位于辅助部154A与辅助部154B之间。第一延伸部152邻近像素电极140的第二长边146而第二延伸部156邻近像素电极140的第一长边142。辅助部154A邻近像素电极140的第一短边144而辅助部154B邻近像素电极140的第二短边148。辅助部154A与辅助部154B都连接至第一延伸部152，但各自的末端都与第二延伸部156间隔开。连接部158则连接第一延伸部152与第二延伸部156，且连接部158可连接至相邻的像素结构中的配向电极。

辅助部154A与辅助部154B都由第一延伸部152朝向像素电极140的第一长边142延伸。如此一来，第一延伸部152、辅助部154A与辅助部154B构成倾倒的U字型结构，且U字型结构的开口朝向像素电极140的第一开口140V而像素电极140的第二开口140H则由第一开口140V朝向U字型结构的底部延伸。换言之，像素电极140的第二开口140H大致上延伸于像素电极140的第一开口140V与配向电极150的第一延伸部152之间。

配向电极150的第一延伸部152具有内侧边E152，且内侧边E152可以大致平行于像素电极140的第二长边146。配向电极150的第二延伸部156具有内侧边E156，且内侧边E156可以大致平行于像素电极140的第一长边142。配向电极150的第一延伸部152与像素电极140的第二长边146相隔第一间隔距离D1，配向电极150的第二延伸部156与像素电极140的第一长边142相隔第二间隔距离D2，且第一间隔距离D1小于第二间隔距离D2，其中第二间隔距离D2例如为7微米至8微米，但不以此为限。在一些实施例中，第二间隔距离D2例如为第一间隔距离D1的2倍至2.5倍。

另外，由第一延伸部152延伸出来的辅助部154A与像素电极140的第一短边144相隔第三间隔距离D3，而由第一延伸部152延伸出来的辅助部154B与像素电极140的第二短边148相隔第四间隔距离D4，且第三间隔距离D3与第四间隔距离D4例如都等于第一间隔距离D1。换言之，第一延伸部152与像素电极140的间隔距离等于两辅助部154A与154B各自与像素电极140的间隔距离。如此一来，第一延伸部152、辅助部154A与辅助部154B构成的U字型结构可与像素电极140相隔着固定的间隔距离，而第二延伸部156则与像素电极140将隔着较大的间隔距离。辅助部154A与辅助部154B可以具有越远离第一延伸部152越窄的宽度设计。举例而言，辅助部154A的宽度W154A可以由第一延伸部152向外逐渐缩小，且特别是向第二延伸部156逐渐缩小，而辅助部154B可以具有类似的宽度设计。

由图2可知，配向电极150的第一延伸部152具有位于内部的延伸部开口152S。延伸部开口152S大致顺应着第一延伸部152的延伸方向延伸，而延伸部开口152S的宽度W152S越往中间越宽，且像素电极140的第二开口140H的延伸线EL横越延伸部开口152S的较宽处。延伸部开口152S延伸于辅助部154A与辅助部154B之间，且延伸部开口152S的延伸长度大致上与像素电极140在纵向方向VD的尺寸接近。

另外，第二延伸部156也具有位于内部的延伸部开口156S。延伸部开口156S大致顺应着第二延伸部156的延伸方向延伸，而延伸部开口156S也是具有中间宽端部窄的形状，且像素电极140的第二开口140H的延伸线EL可以横越延伸部开口156S的较宽处。延伸部开口156S的延伸长度大致上与像素电极140在纵向方向VD的尺寸接近。

图3为采用图1的像素结构对液晶层进行配向程序时的液晶效果的模拟图。请参照图1与图3，在像素电极140与配向电极150分别被施加配向用的电压下，液晶分子会随着电场作用而排列及/或倾倒。在液晶排列及/或倾倒不均匀处及/或交界处即会产生节点ND与暗纹BL，而这些节点ND与暗纹BL所在处都无法正常提供显示作用。由图3可知，因应像素电极140与配向电极150的图案设计，节点ND大致都位于像素电极140的面积之外。另外，像素电极140的面积中仅呈现出一条的暗纹BL，其中暗纹BL的位置对应于图2的像素电极140的第二开口140H。换言之，像素电极140的面积中，除了对应于第二开口140H的暗纹BL处，其他面积都可提供有效的显示作用，因此这样的设计有助于提高显示穿透率，达到理想的显示效果。

图4为本发明另一实施例的像素结构的上视示意图。像素结构200例如配置于基板20上，且像素结构200可包括扫描线210、数据线220、主动元件230、像素电极240、配向电极250以及共用电极260。扫描线210与数据线220相交，主动元件230连接于扫描线210与数据线220，而像素电极240连接于主动元件230。像素结构200的操作方式例如是由扫描线210传递的扫描信号开启主动元件230以允许数据线220上的数据信号通过主动元件230传递给像素电极240。在图4中，数据线220'是连接于另一个像素结构(未示出)的信号线，但数据线220'可延伸通过图4所示的像素结构200。像素电极240与共用电极260所构成的存储电容可将数据信号存储于存储电容，而维持像素电极240的信号。像素结构200应用于显示装置时，像素电极240的信号可用于驱动显示介质，例如液晶材料，而进行显示。另外，配向电极250则是用于定义显示介质，例如液晶材料的配向状态。举例而言，像素结构200应用于液晶显示装置时，液晶材料与配向材料会被包封在基板20与另一基板之间。进行配向程序时，配向电极250与像素电极240可被施加对应的电压以驱动液晶材料，使液晶材料呈现特定的排列及/或倾倒。在液晶材料呈现特定排列及/或倾倒的状态下，可进行采用固化程序，例如光固化及/或热固化，将配向材料固化于液晶层周边。

图5为像素结构200中像素电极与配向电极的示意图。同时参照图4与图5可知，像素电极240的图案例如在纵向方向VD上的尺寸大于在横向方向HD的尺寸，且像素电极240的轮廓大致上由第一长边242、第一短边244、第二长边246与第二短边248沿逆时针方向依序围绕而成。并且，像素电极240具有沿第一长边242延伸的第一开口240V与由第一开口240V朝向第二长边246延伸的第二开口240H。像素电极240的图案设计大致相似于像素电极140的图案设计，不过，像素电极240的第二长边246为折曲线状，而第一长边242为直线状。在图4与图5中，像素电极240中第一长边242与第二长边246的距离例如沿所述第一长边242的延伸方向，也就是纵向方向VD，呈现先增加再减少的变化趋势。换言之，像素电极240具有中间较宽两端较窄的图案设计。

配向电极250与像素电极240实体上分离，且可包括第一延伸部252、辅助部254A、辅助部254B、第二延伸部256以及连接部258。第一延伸部252与第二延伸部256位于像素电极240的相对两侧，其中第一延伸部252邻近像素电极240的第二长边246而第二延伸部256邻近像素电极240的第一长边242。辅助部254A与辅助部254B都连接于第一延伸部252并且由第一延伸部252朝第二延伸部256延伸，但是辅助部254A的末端与辅助部254B的末端都未连接第二延伸部256。在本实施例中，第一延伸部252与第二延伸部256都具有实心的图案，其中第一延伸部252的宽度并非恒定。第一延伸部252的宽度沿着像素电极240的第二长边246而呈现先减少再增加的变化趋势，且第二开口240H的延伸线EL可以横越第一延伸部252的较窄处。在本实施例中，第一延伸部252的邻近第二长边246的内侧边E252与第二长边246皆为折曲线状，且内侧边E252与第二长边246之间的距离为恒定的。配向电极250的第一延伸部252与像素电极240的第二长边246相隔第一间隔距离D1，配向电极250的第二延伸部256与像素电极240的第一长边242相隔第二间隔距离D2，且第一间隔距离D1小于第二间隔距离D2。此外，辅助部254A与辅助部254B也都与像素电极240之间的距离也大致等于第一间隔距离D1，这与像素结构100的设计相似。

图6为本发明又一实施例的像素结构的上视示意图。像素结构300例如配置于基板30上，且像素结构300可包括扫描线310、数据线320、主动元件330、像素电极340、配向电极350以及共用电极360。扫描线310与数据线320相交，主动元件330连接于扫描线310与数据线320，而像素电极340连接于主动元件330。在图6中，数据线320'是连接于另一个像素结构(未示出)的信号线，但数据线320'可延伸通过图6所示的像素结构300。像素结构300的操作方式大致相似于前述实施例的像素结构100与200。配向电极350则是用于定义显示介质，例如液晶材料的配向状态。配向电极350与像素电极340进行配向程序时的操作方式也可参照前述实施例。在上视图中，像素电极340可局部重叠数据线320以及另一条数据线320’，而配向电极350则有一部分位于数据线320与数据线320’的外侧。

图7为像素结构300中像素电极与配向电极的示意图。请同时参照图6与图7，像素电极340的图案例如在纵向方向VD上的尺寸大于在横向方向HD的尺寸，且像素电极340的轮廓大致上由第一长边342、第一短边344、第二长边346与第二短边348沿顺时针方向依序围绕而成。并且，像素电极340具有沿第一长边342延伸的第一开口340V与由第一开口340V朝向第二长边346延伸的第二开口340H。第一开口340V与第二开口340H都是位于像素电极340内部，但不以此为限。在其他的实施例中，第二开口340H可进一步朝向第一长边342而将第一长边342分成两段。第一开口340V较接近第一长边342而较远离第二长边346，所以第一开口340V与第一长边342的间隔距离可以大于第一开口340V与第二长边346的间隔距离。在一些实施例中，第一开口340V与第一长边342的间隔距离可以小于第一长边342与第二长边346的间隔距离的1/4。

配向电极350与像素电极340实体上分离，且可包括第一延伸部352、辅助部354A、辅助部354B、第二延伸部356以及连接部358。第一延伸部352与第二延伸部356位于像素电极340的相对两侧，其中第一延伸部352邻近像素电极340的第二长边346而第二延伸部356邻近像素电极340的第一长边342。辅助部354A与辅助部354B都连接于第一延伸部352并且由第一延伸部352朝第二延伸部356延伸，但是辅助部354A的末端与辅助部354B的末端都未连接第二延伸部356。配向电极350的第一延伸部352与像素电极340的第二长边346相隔第一间隔距离D1，配向电极350的第二延伸部356与像素电极340的第一长边342相隔第二间隔距离D2，且第一间隔距离D1小于第二间隔距离D2，其中第二间隔距离D2例如为7微米至8微米，但不以此为限。在一些实施例中，第二间隔距离D2例如为第一间隔距离D1的2倍至2.5倍。整体而言，像素结构300的像素电极340与配向电极350的图案设计大致上可与像素结构100的像素电极140与配向电极150的图案设计成对称关系，但不以此为限。在本实施例中，第一延伸部352与第二延伸部356可分别具有延伸部开口352S与356S，且延伸部开口352S与356S的设计大致相同于延伸部开口152S与156S。

由图6可知，数据线320可以位于配向电极350的第二延伸部356与像素电极340之间，而数据线320’可以位于配向电极350的第一延伸部352与像素电极340之间。此外，数据线320可局部重叠第一开口340V。由于数据线320与数据线320’都是由导电金属材料制作，上述的配置方式有助于遮蔽像素电极340周边的显示效果相对不佳的位置，而有助于提升像素结构300所提供的显示效果。

图8为采用图6的像素结构对液晶层进行配向程序时的液晶效果的模拟图。请参照图8与图6，在像素电极340与配向电极350分别被施加配向用的电压下，液晶分子会随着电场作用而排列及/或倾倒。在液晶排列及/或倾倒不均匀处及/或交界处即会产生节点ND与暗纹BL，而这些节点ND与暗纹BL所在处都无法正常提供显示作用。由图6可知，因应像素电极340与配向电极350的图案设计，节点ND大致都位于像素电极340的面积之外。另外，像素电极340的面积中仅呈现出一条的暗纹BL，其中暗纹BL的位置对应于图6的像素电极340的第二开口340H。换言之，像素电极340的面积中，除了对应于第二开口340H的暗纹BL处，其他面积都可提供有效的显示作用，因此这样的设计有助于提高显示穿透率，达到理想的显示效果。

图9为本发明再一实施例的像素结构的上视示意图。像素结构400例如配置于基板40上，且像素结构400可包括扫描线410、数据线420、主动元件430、像素电极440、配向电极450以及共用电极460。扫描线410与数据线420相交，主动元件430连接于扫描线410与数据线420，而像素电极440连接于主动元件430。像素结构400的操作方式大致相似于前述实施例的像素结构100、200与300，因此不再重述。另外，配向电极450则是用于定义显示介质，例如液晶材料，的配向状态。配向电极450与像素电极440进行配向程序时的操作方式也可参照前述实施例。

图10为像素结构400中像素电极与配向电极的示意图。同时参照图9与图10可知，像素电极440的图案例如在纵向方向VD上的尺寸大于在横向方向HD的尺寸，且像素电极440的轮廓大致上由第一长边442、第一短边444、第二长边446与第二短边448沿顺时针方向依序围绕而成。并且，像素电极440具有第一开口440V与第二开口440H，且第一开口440V与第二开口440H连接成T型。像素电极440的图案设计大致相似于像素电极340的图案设计，不过，像素电极440的第二长边446为折曲线状，而第一长边442为直线状。在图9与图10中，像素电极440中第一长边442与第二长边446的距离例如沿所述第一长边442的延伸方向，也就是纵向方向VD，呈现先增加再减少的变化趋势。换言之，像素电极440具有中间较宽两端较窄的图案设计。

配向电极450与像素电极440实体上分离，且可包括第一延伸部452、辅助部454A、辅助部454B、第二延伸部456以及连接第一延伸部452与第二延伸部456的连接部458。第一延伸部452与第二延伸部456位于像素电极440的相对两侧，其中第一延伸部452邻近像素电极440的第二长边446而第二延伸部456邻近像素电极440的第一长边442。辅助部454A与辅助部454B都连接于第一延伸部452并且由第一延伸部452朝第二延伸部456延伸，但是辅助部454A的末端与辅助部454B的末端都未连接第二延伸部456。第一延伸部452与第二延伸部456都具有实心的图案，其中第一延伸部452的宽度并非恒定。第一延伸部452的宽度沿着像素电极440的第二长边446而呈现先减少再增加的变化趋势，且第二开口440H的延伸线EL可以横越第一延伸部452的较窄处。在本实施例中，第一延伸部452的邻近第二长边446的内侧边E452与第二长边446皆为折曲线状，且内侧边E452与第二长边446之间的距离为恒定的。如此一来，第一延伸部452与像素电极440之间可保持固定距离。此外，辅助部454A与辅助部454B也都与像素电极440之间保持固定距离，这与像素结构100的设计相似。

图11为本发明又一实施例的像素结构的上视示意图。像素结构500例如配置于基板50上，且像素结构500可包括扫描线510、数据线520、主动元件530、像素电极540以及配向电极550。扫描线510与数据线520相交，主动元件530连接于扫描线510与数据线520，而像素电极540连接于主动元件530。像素结构500的操作方式大致相似于前述实施例的像素结构100、200、300与400，不过，像素结构500的配向电极550除了用于定义显示介质的配向状态之外也可作为前述实施例的共用电极。换言之，配向电极550与像素电极540可构成存储电容，而用于稳定像素电极540的电压。

图12为像素结构500中像素电极540与配向电极550的示意图。像素电极540大致相似于前述实施例中的像素电极140，其在纵向方向VD上的尺寸大于在横向方向HD的尺寸，且像素电极540的轮廓大致上由第一长边542、第一短边544、第二长边546与第二短边548沿顺时针方向依序围绕而成。像素电极540具有沿第一长边542延伸的第一开口540V与由第一开口540V朝向第二长边546延伸的第二开口540H。第一开口540V与第二开口540H的设计可参照像素结构100中第一开口140V与第二开口140H的设计。

配向电极550与像素电极540可由不同膜层构成而实体上彼此分离，且配向电极550主要由延伸部552、辅助部554A与辅助部554B构成。延伸部552邻近像素电极540的第二长边546而设置，且辅助部554A与辅助部554B分别沿着像素电极540的第一短边544与第二短边548延伸。在本实施例中，像素电极540的第一开口540V与第二开口540H构成T型图案，而配向电极550的延伸部552、辅助部554A与辅助部554B构成U型图案。U型图案的底部，也就是延伸部552，与T型图案的顶部，也就是第一开口540V彼此相对。第二开口540H则延伸于第一开口540V与延伸部552之间。另外，由图11与图12可知，在厚度方向上(上视图的观看方向)，延伸部552至少部分重叠像素电极540，且辅助部554A与辅助部554B也都至少部分重叠像素电极540。

综上所述，本发明的像素结构在像素电极内设置T型的开口搭配配向电极的U型图案。借由这样的电极图案进行配向程序时，显示介质，例如液晶材料，排列及/或倾倒不均匀的节点会分布于像素电极的面积之外，这有助于让像素电极的有效显示面积提升而提升显示穿透率。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

像素电极，所述像素电极的轮廓由第一长边、第一短边、第二长边与第二短边围绕而成，且所述像素电极具有第一开口与第二开口，其中所述第一长边与所述第二长边相对，所述第一短边与所述第二短边相对，所述第一开口实质上沿着所述第一长边延伸，而所述第二开口由所述第一开口朝所述第二长边延伸，且所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度；以及

配向电极，与所述像素电极实体上分离，且包括邻近所述第二长边的第一延伸部以及位于所述第一延伸部两端的两辅助部，且所述两辅助部由所述第一延伸部朝所述第一长边延伸并分别沿着所述第一短边与所述第二短边延伸；

其中，所述配向电极更包括邻近所述第一长边的第二延伸部，所述第一延伸部与所述第二长边相隔第一间隔距离，所述第二延伸部与所述第一长边相隔第二间隔距离，且所述第一间隔距离小于所述第二间隔距离。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述配向电极与所述像素电极不重叠。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述两辅助部各自的末端与所述第二延伸部间隔开。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一延伸部与所述像素电极的间隔距离等于所述两辅助部各自与所述像素电极的间隔距离。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一开口与所述第二开口连接成T型。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一开口的宽度小于所述第一开口至所述第一长边的间隔距离。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述两辅助部各自的宽度由所述第一延伸部向外逐渐缩小。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一延伸部具有位于内部的延伸部开口，所述延伸部开口的宽度越往中间越宽，且所述第二开口的延伸线横越所述延伸部开口的较宽处。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一长边与所述第二长边之间的距离沿所述第一长边的延伸方向呈现先增加再减少的变化趋势。

10.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述第一延伸部的宽度沿着所述第二长边而呈现先减少再增加的变化趋势，且所述第二开口的延伸线横越所述第一延伸部的较窄处。

11.如权利要求10所述的像素结构，其特征在于，所述第一延伸部的邻近所述第二长边的内侧边与所述第二长边皆为折曲线状。

12.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二开口将所述像素电极均分。

13.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一延伸部在厚度方向上至少部分重叠所述像素电极。

Images