CN112625449A - 固化性组合物、其固化物及半导体装置 - Google Patents

固化性组合物、其固化物及半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112625449A
CN112625449A CN202011047732.8A CN202011047732A CN112625449A CN 112625449 A CN112625449 A CN 112625449A CN 202011047732 A CN202011047732 A CN 202011047732A CN 112625449 A CN112625449 A CN 112625449A
Authority
CN
China
Prior art keywords
integer
cured product
curable composition
independently
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011047732.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112625449B (zh
Inventor
平野大辅
安田成纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Publication of CN112625449A publication Critical patent/CN112625449A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112625449B publication Critical patent/CN112625449B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种给予硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异的固化物的固化性组合物。所述固化性组合物含有下述(A)、(B)及(C)：(A)式(1)所表示的有机硅化合物、与式(2)及式(3)所表示的硅氧烷中的至少一种的加成反应产物，其在一分子中具有2个以上SiH基；(B)一分子中具有2个以上烯基的化合物；(C)氢化硅烷化反应催化剂。
Figure DDA0002708518280000011
(H2C＝CH‑R3)c(3)R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基，R2、R4、R6独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基，R5独立地为甲基或苯基，a为1～3的整数，b为0～100的整数，c为1或2，d为2～10的整数，e为0～10的整数。硅氧烷单元的排列可以是任意的。

Description

固化性组合物、其固化物及半导体装置
技术领域
本发明涉及固化性组合物、其固化物、以及使用了所述固化物的半导体装置。
背景技术
一直以来，作为光学器件或光学部件用材料、尤其是作为发光二极管(LED)元件的密封材料，通常使用环氧树脂。此外，还尝试了将硅酮树脂用作LED元件的铸型构件等(专利文献1、2)、且尝试了将硅酮树脂用作滤色片材料(专利文献3)，但实际的使用例较少。
近年来，白色LED受到瞩目，但以往不构成问题的环氧密封材料因紫外线等而引发的黄变、或因伴随小型化的发热量增加而导致的裂纹产生等成为问题，应对这些问题成为当务之急。作为这些问题的应对措施，正在研究使用一种分子中具有大量苯基的硅酮树脂固化物。然而，这样的组合物韧性低、容易产生裂纹。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-228249号公报
专利文献2：日本特开平10-242513号公报
专利文献3：日本特开2000-123981号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种固化性组合物，其给予硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异的固化物。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，本发明提供一种含有下述(A)、(B)及(C)的固化性组合物：
(A)下述式(1)所表示的有机硅化合物、与下述式(2)所表示的直链状硅氧烷及下述式(3)所表示的环状硅氧烷中的至少一种的加成反应产物，其在一分子中具有2个以上SiH基，
Figure BDA0002708518260000021
式中，R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基，
Figure BDA0002708518260000022
式中，R2、R4独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基；a为1～3的整数，b为0～100的整数，
Figure BDA0002708518260000023
式中，R3与所述R3相同，R5独立地为甲基或苯基，R6独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，c为1或2，d为2～10的整数，e为0～10的整数；硅氧烷单元的排列可以是任意的；
(B)一分子中具有2个以上烯基的化合物；
(C)氢化硅烷化反应催化剂。
若为本发明的固化性组合物，则可以提供一种给予硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异的固化物的固化性组合物。
本发明的固化性组合物中，优选：上述R1为亚苯基，R2、R4、R6独立地为甲基或苯基，R3为单键。
本发明的固化性组合物中，进一步优选所述(B)为下述式(4)所表示的化合物。
Figure BDA0002708518260000031
式中，R7独立地为甲基或苯基，R8独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，f为0～50的整数，g为0～100的整数。其中，当f为0时，R7为苯基且g为1～100的整数。带括号的硅氧烷单元的排列可以是任意的。
此外，本发明提供一种由所述固化性组合物固化而成的固化物。
若为本发明的固化物，则硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异。
对于本发明的固化物，优选厚度为2mm时的波长400nm的透光率(25℃)为80％以上。
若为具有这种透光率的固化物，则除了可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途以外，其作为透镜材料、光学器件或光学部件用密封材料、显示器材料等各种光学部件用材料、电子器件或电子部件用绝缘材料以及涂布材料也是有用的材料。
此外，对于本发明的固化物，优选利用A硬度计(durometer A)测定的ASTM D2240所规定的硬度为30以上。
若为这样的固化物，则不易受到外部应力的影响，又可极力抑制杂质等的附着。
本发明还提供一种使用所述固化物覆盖半导体元件而成的半导体装置。
若为本发明的半导体装置，则所使用的固化物的硬度及韧性高，因此该半导体装置的耐久性优异。进一步，由于短波长区域的透光性优异，因此作为发光二极管元件等要求透光性的半导体装置也是有用的。
发明效果
本发明的固化性组合物可以给予硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异的固化物。因此，可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途。因此，由本发明的固化性组合物得到的固化物，可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途。此外，作为透镜材料、光学器件或光学部件用密封材料、显示器材料等各种光学部件用材料、电子器件或电子部件用绝缘材料、以及涂布材料也是有用的。进一步，使用了这样的固化性组合物的本发明的半导体装置的可靠性优异。
附图说明
图1为示出使用了本发明的固化性组合物的固化物的光半导体装置的一个实例的截面示意图。
图2为合成例1中得到的加成反应产物(A-1)的GPC谱图。
图3为合成例2中得到的加成反应产物(A-2)的GPC谱图。
图4为合成例3中得到的加成反应产物(A-3)的GPC谱图。
附图标记说明
1：半导体装置；2：镀银基板；3：封装；4：半导体芯片；5：接合线(bonding wire)；6：固化性组合物的固化物。
具体实施方式
如上所述，谋求开发一种给予硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异的固化物的固化性组合物。
本申请的发明人对上述问题反复进行了认真研究，结果发现若为含有特定成分的固化性组合物，则可以解决上述技术问题，从而完成了本发明。
即，本发明为一种固化性组合物，其含有下述(A)、(B)及(C)：
(A)下述式(1)所表示的有机硅化合物、与下述式(2)所表示的直链状硅氧烷及下述式(3)所表示的环状硅氧烷中的至少一种的加成反应产物，其在一分子中具有2个以上SiH基，
Figure BDA0002708518260000051
式中，R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基，
Figure BDA0002708518260000052
式中，R2、R4独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基；a为1～3的整数，b为0～100的整数，
Figure BDA0002708518260000053
式中，R3与所述R3相同，R5独立地为甲基或苯基，R6独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，c为1或2，d为2～10的整数，e为0～10的整数；硅氧烷单元的排列可以是任意的；
(B)一分子中具有2个以上烯基的化合物；
(C)氢化硅烷化反应催化剂。
以下，对本发明进行详细说明，但本发明并不限定于此。
[固化性组合物]
[(A)成分]
本发明的固化性组合物中的(A)成分作为与后述的(B)成分进行氢化硅烷化反应的交联剂而发挥作用。
本发明的固化性组合物中的(A)成分为下述式(1)所表示的有机硅化合物、与下述式(2)所表示的直链状硅氧烷及下述式(3)所表示的环状硅氧烷中的至少一种的加成反应产物，其在一分子中具有2个以上SiH基。
Figure BDA0002708518260000061
式中，R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基。
Figure BDA0002708518260000062
式中，R2、R4独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基。a为1～3的整数，b为0～100的整数。
Figure BDA0002708518260000063
式中，R3与所述R3相同，R5独立地为甲基或苯基，R6独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，c为1或2，d为2～10的整数，e为0～10的整数。硅氧烷单元的排列可以是任意的。
在上述式(2)中，b为0～100的整数，优选为0～10，更优选为0。若B超过100，则有时固化物的硬度会不充分。
在上述式(3)中，d为2～10的整数，优选为3～10。若d小于2，则(A)成分作为交联剂的功能不足，若d大于10，则有时固化物会变脆，韧性变差。e为0～10的整数，优选为0～2。若e大于10，则有时固化物的硬度会不充分。
作为R1所表示的碳原子数为1～12的二价烃基，可列举出亚甲基、亚乙基、正亚丙基、正亚丁基、正亚戊基、正亚己基、环亚己基、正亚辛基等亚烷基；亚苯基、亚萘基等亚芳基等；或者这些基团的氢原子的一部分或全部被氟、溴、氯等卤原子等取代的基团，作为R1，特别优选亚苯基。
作为R2、R4及R6所表示的碳原子数为1～12的一价烃基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、辛基等烷基；环己基等环烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、苯丙基等芳烷基等；或者这些基团的氢原子的一部分或全部被氟、溴、氯等卤原子等取代的基团，优选甲基或苯基。
作为R3所表示的非取代的碳原子数为1～4的二价烃基，可列举出亚甲基、亚乙基、正亚丙基、正亚丁基等亚烷基。在R3为单键的情况下，表示乙烯基直接键合于硅原子的有机硅化合物。R3特别优选为单键。
以下示出了上述式(1)所表示的有机硅化合物的优选具体实例，但并不限定于此。此外，上述式(1)所表示的有机硅化合物可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
Figure BDA0002708518260000081
以下示出了上述式(2)所表示的直链状硅氧烷的优选具体实例，但并不限定于此。此外，上述式(2)所表示的化合物可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
Figure BDA0002708518260000082
以下示出了上述式(3)所表示的环状硅氧烷的优选具体实例，但并不限定于此。此外，上述式(3)所表示的化合物可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
Figure BDA0002708518260000083
式中，硅氧烷单元的排列可以是任意的。
作为为上述式(1)所表示的有机硅化合物、与上述式(2)所表示的直链状硅氧烷及上述式(3)所表示的环状硅氧烷中的至少一种的加成反应产物的(A)成分的优选实例，可列举出具有下述式所表示的结构单元比的化合物。
Figure BDA0002708518260000091
式中，n为1～10的整数，虚线表示键(結合手)。
作为具有这样的结构单元比的化合物的具体实例，可列举出下述结构式所表示的化合物等，但并不限定于此。
Figure BDA0002708518260000092
Figure BDA0002708518260000101
Figure BDA0002708518260000111
Figure BDA0002708518260000121
[(A)成分的制备]
本发明的固化性组合物中的(A)成分可通过以下方式得到：相对于1摩尔上述式(2)所表示的直链状硅氧烷和/或上述式(3)所表示的环状硅氧烷中所含的烯基，混合过量、优选混合大于1摩尔且为10摩尔以下、更优选混合大于1.5摩尔且为5摩尔以下的上述式(1)所表示的化合物，在两者的存在下，进行氢化硅烷化反应。
(A)成分中也可以存在来自于上述式(2)所表示的直链状硅氧烷和/或上述式(3)所表示的环状硅氧烷的未反应的烯基，但优选全部的烯基均进行氢化硅烷化反应。
作为所述氢化硅烷化反应中使用的催化剂，可以使用公知的催化剂。例如可列举出担载了铂金属的碳粉、铂黑、四氯化铂、氯铂酸、氯铂酸与一元醇的反应产物、氯铂酸与烯烃类的络合物、双(乙酰乙酸)合铂(platinum bis(acetoacetate))等铂类催化剂；钯类催化剂、铑类催化剂等铂族金属类催化剂。此外，加成反应条件、提纯条件、溶剂的使用等没有特别限定，只要使用公知的方法即可。
本发明的固化性组合物中的(A)成分可以由一种化合物构成，也可以由两种以上的化合物的组合(混合物)构成。
可通过选择适当的测定方法来确认构成(A)成分的化合物在一分子中具有2个以上SiH基。在构成(A)成分的化合物为两种以上时，可通过选择适当的测定方法的组合(例如，1H-NMR与GPC等)来确认每个化合物在一分子中具有2个以上SiH基。
[(B)成分]
本发明的固化性组合物中的(B)成分为在一分子中具有2个以上烯基的化合物。
作为烯基，可列举出乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等直链状烯基；降冰片烯基、环己烯基等环状烯基，优选乙烯基、烯丙基。
作为(B)成分的具体实例，没有特别限定，可列举出分子链两末端由三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷·甲基乙烯基硅氧烷共聚物、分子链两末端由三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷·二苯基硅氧烷·甲基乙烯基硅氧烷共聚物、分子链两末端由二甲基乙烯基硅氧基封端的二甲基硅氧烷·二苯基硅氧烷共聚物等。
此外，作为除硅氧烷以外的(B)成分，可列举出下述式所表示的化合物，但并不限定于此。
Figure BDA0002708518260000141
h为0～10的整数。
(B)成分可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
作为(B)成分，优选下述式(4)所表示的直链状的有机聚硅氧烷。
Figure BDA0002708518260000142
式中，R7独立地为甲基或苯基，R8独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，f为0～50的整数，g为0～100的整数。其中，当f为0时，R7为苯基且g为1～100的整数。带括号的硅氧烷单元的排列可以是任意的。
作为R8所表示的碳原子数为1～12的一价烃基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、辛基等烷基；环己基等环烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、苯丙基等芳烷基等；或者这些基团的氢原子的一部分或全部被氟、溴、氯等卤原子等取代的基团，其中，优选碳原子数为1～6的烷基、苯基、乙烯基，特别优选甲基。
在上述式(4)中，可将f设为0～50的整数，优选为1～10，更优选为1～7，进一步优选为1～4。可将g设为0～100的整数，优选为0～50，更优选为0～10，进一步优选为0～4。
式(4)所表示的有机聚硅氧烷例如可以通过以下方式得到：使二氯二苯基硅烷或二烷氧基二苯基硅烷等二官能度硅烷水解缩合后，用含有脂肪族不饱和基团的硅氧烷单元进行封端；或者使二氯二苯基硅烷或二烷氧基二苯基硅烷等二官能度硅烷水解缩合，同时用含有脂肪族不饱和基团的硅氧烷单元进行封端。
(B)成分的掺合量优选为使组合物中的SiH基相对于脂肪族不饱和基团的摩尔比(SiH基/脂肪族不饱和基团)成为0.5以上、5以下的量，更优选为使组合物中的SiH基相对于脂肪族不饱和基团的摩尔比(SiH基/脂肪族不饱和基团)成为0.8以上、2以下的量。若所述摩尔比(SiH基/脂肪族不饱和基团)为0.5以上、5以下，则可使本发明的组合物充分固化。
[(C)成分]
作为本发明的(C)成分的氢化硅烷化反应催化剂，可以使用与上述(A)成分的制备中所使用的催化剂相同的催化剂。
本发明的固化性组合物中的(C)成分的掺合量只要为作为催化剂的有效量即可，没有特别限制，但相对于组合物整体的质量，以铂族金属原子计，优选掺合1～500ppm，更优选掺合1～100ppm，进一步优选掺合2～12ppm的量。通过设定为所述范围内的掺合量，固化反应所需的时间适宜，能够抑制固化物的着色。
[其他成分]
除了上述(A)～(C)成分之外，在本发明的固化性组合物中，也可以根据需要掺合抗氧化剂、无机填充剂、粘合促进剂等成分。
[抗氧化剂]
在本发明的固化性组合物的固化物中，存在上述(B)成分中的加成反应性碳碳双键未反应而直接残留的情况，其因大气中的氧气而被氧化，由此可能会成为固化物着色的原因。对此，可根据需要在本发明的固化性组合物中掺合抗氧化剂，由此预先防止这种着色。
作为抗氧化剂，可使用公知的抗氧化剂，例如可列举出2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、2,5-二叔戊基氢醌、2,5-二叔丁基氢醌、4,4’-亚丁基双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)、2,2’-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,2’-亚甲基双(4-乙基-6-叔丁基苯酚)等。这些抗氧化剂可单独使用一种，也可组合使用两种以上。
另外，在使用该抗氧化剂时，其掺合量没有特别限制，但相对于上述(A)成分与(B)成分的总质量，通常掺合1～10,000ppm左右，特别优选掺合10～1,000ppm左右。通过设定为所述范围内的掺合量，能够充分地发挥抗氧化能力，可以得到不产生着色、白浊、氧化劣化等且光学特性优异的固化物。
[无机填充剂]
为了调节本发明的固化性组合物的粘度或由本发明的固化性组合物得到的固化物的硬度等、提高强度、优化荧光体的分散，可添加纳米二氧化硅或熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、氧化钛、纳米氧化铝、氧化铝等无机填充剂。
[粘合促进剂]
可在本发明的固化性组合物中掺合粘合促进剂。作为粘合促进剂，可例示出硅烷偶联剂或其低聚物、具有与硅烷偶联剂相同的反应性基团的聚硅氧烷等。
粘合促进剂是为了提高本发明的固化性组合物及其固化物对基材的粘合性而掺合在组合物中的任意成分。其中，基材是指金、银、铜、镍等金属材料；氧化铝、氮化铝、氧化钛等陶瓷材料；硅酮树脂、环氧树脂等高分子材料。粘合促进剂可单独使用一种，也可组合使用两种以上。
相对于上述(A)成分与(B)成分的合计100质量份，使用粘合促进剂时的掺合量优选为1～30质量份，更优选为1～10质量份。若为这样的掺合量，则本发明的热固性硅酮组合物及其固化物对基材的粘合性得到有效地提高，且不易发生着色。
作为粘合促进剂的优选具体实例，可列举出下述式所表示的粘合促进剂，但并不限定于此。
Figure BDA0002708518260000171
[其他]
此外，为了确保贮存期(pot life)，可掺合1-乙炔基环己醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇等加成反应控制剂。
进一步，也可使用光稳定剂，其用于赋予对日光、荧光灯等光能造成的光劣化的抵抗性。作为该光稳定剂，捕捉因光氧化劣化而生成的自由基的受阻胺类稳定剂较为适宜，通过同时使用抗氧化剂，抗氧化效果进一步得以提高。作为光稳定剂的具体实例，可列举出双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、4-苯甲酰基-2,2,6,6-四甲基哌啶等。
此外，将本发明的组合物用作密封材料时，可以掺合用于提高与基材的粘合性的硅烷偶联剂，也可以添加用于防止裂纹的增塑剂。
[固化物]
对本发明的固化性组合物进行固化，制成本发明的固化物。所述固化物的硬度、韧性高，短波长区域的透光性优异。另外，关于本发明的固化性组合物的固化条件，没有特别限制，优选设为60～180℃、5～180分钟的条件。
对于由本发明的固化性组合物得到的固化物，优选厚度为2mm时的波长400nm的透光率(25℃)为80％以上。
若为具有这种光学特性的本发明的固化物，则除了可适宜地使用于发光二极管元件的保护、密封或粘合、波长变更或调节、或者透镜等用途以外，其作为透镜材料、光学器件或光学部件用密封材料、显示器材料等各种光学部件用材料、电子器件或电子部件用绝缘材料以及涂布材料也是有用的材料。
[半导体装置]
本发明还提供一种半导体装置，其中，使用由上述固化性组合物得到的固化物覆盖了半导体元件。
以下，参考图1，对使用了本发明的固化性组合物的固化物的半导体装置(以下，也称为“本发明的半导体装置”)进行说明，但本发明并不限定于此。
图1为示出本发明的半导体装置的一个实例的截面示意图。本发明的半导体装置1在形成有镀银基板2的封装3上固晶(die bond)有半导体芯片4，该半导体芯片4通过接合线5而被引线接合(wire bonding)。并且，使用上述本发明的固化性组合物的固化物6覆盖半导体芯片4。涂布上述本发明的固化性组合物(加成固化型硅酮组合物)，通过加热使固化性组合物固化，由此进行半导体芯片4的覆盖。另外，也可在其他公知的固化条件下通过公知的固化方法使固化性组合物固化。
此时，从不易受到外部应力的影响并极力抑制杂质等的附着的角度出发，优选上述固化性组合物通过固化形成利用A硬度计测定的JIS或ASTM D2240所规定的硬度为30以上的固化物。
由于本发明的固化性组合物形成硬度及韧性高，短波长区域的透光性优异的固化物，因此使用了该固化性组合物的本发明的半导体装置的可靠性优异。
实施例
以下，使用实施例及比较例对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于此。
此外，在实施例中，1H-NMR测定使用了Bruker BioSpin Corporation制造的AVANCE III。GPC(凝胶渗透色谱)测定使用TOSOH CORPORATION制造的HLC-8320GPC，使用四氢呋喃(THF)作为流动相，通过聚苯乙烯换算来进行。
[合成例1](A-1)成分的制备
向具备搅拌装置、冷凝管、滴液漏斗及温度计的1L的四口烧瓶中，加入660g(3.4摩尔)的1,4-双(二甲基硅烷基)苯(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)、0.30g的5％铂炭粉(N.E.CHEMCAT CORPORATION制造)，用油浴加热至85℃。向其中滴加47g(0.2摩尔)的六乙烯基二硅氧烷(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)。滴加结束后，在90～100℃之间搅拌3小时。搅拌结束后恢复至25℃，通过1H-NMR谱图测定，确认到乙烯基的峰消失。加入11g活性炭，搅拌1小时后滤出铂炭粉及活性炭，通过减压浓缩去除剩余的1,4-双(二甲基硅烷基)苯，得到240g的(A-1)成分(无色透明，23℃下的粘度：49Pa·s)。
通过GPC(图2)等对反应产物进行分析，结果所得到的反应产物为具有下述式(a1)～(e1)所表示的结构的化合物的混合物，各化合物的比例为(a1):(b1):(c1):(d1):(e1)＝40:20:14:13:8(mol％)。此外，混合物整体的SiH基的含有比例为0.0038mol/g。
Figure BDA0002708518260000201
Figure BDA0002708518260000211
Figure BDA0002708518260000221
n＝5～10，虚线表示键。
[合成例2](A-2)成分的制备
向具备搅拌装置、冷凝管、滴液漏斗及温度计的1L的四口烧瓶中，加入496g(2.6摩尔)的1,4-双(二甲基硅烷基)苯(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)、0.24g的5％铂炭粉(N.E.CHEMCAT CORPORATION制造)，用油浴加热至85℃。向其中滴加78g(0.3摩尔)的1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙烯基环三硅氧烷(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.,制造)。滴加结束后，在90～100℃之间搅拌5小时。搅拌结束后恢复至25℃，通过1H-NMR谱图测定，确认到乙烯基的峰消失。加入9g活性炭，搅拌1小时后滤出铂炭粉及活性炭，通过浓缩去除剩余的1,4-双(二甲基硅烷基)苯，得到220g的(A-2)成分(无色透明，23℃下的粘度：2.9Pa·s)。
通过GPC(图3)等对反应产物进行分析，结果所得到的反应产物为具有下述式(a2)～(d2)所表示的结构的化合物的混合物，各化合物的比例为(a2):(b2):(c2):(d2)＝57:24:10:7(mol％)。此外，混合物整体的SiH基的含有比例为0.0032摩尔/g。
Figure BDA0002708518260000231
Figure BDA0002708518260000241
n＝4～10，虚线表示键。
[合成例3](A-3)成分的制备
向具备搅拌装置、冷凝管、滴液漏斗及温度计的500mL的四口烧瓶中，加入175g(0.9摩尔)的1,4-双(二甲基硅烷基)苯(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)、0.11g的5％铂炭粉(N.E.CHEMCAT CORPORATION制造)，用油浴加热至85℃。向其中滴加93g(0.3摩尔)的二甲基二苯基二乙烯基二硅氧烷(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)。滴加结束后，在90～100℃之间搅拌5小时。搅拌结束后恢复至25℃，通过1H-NMR谱图测定，确认到乙烯基的峰消失。加入4.0g活性炭，搅拌1小时后滤出铂炭粉及活性炭，通过浓缩去除剩余的1,4-双(二甲基硅烷基)苯，得到182g的(A-3)成分(无色透明，23℃下的粘度：1.5Pa·s)。
通过GPC(图4)等对反应产物进行分析，结果所得到的反应产物为具有下述式(a3)～(d3)所表示的结构的化合物的混合物，各化合物的比例为(a3):(b3):(c3):(d3)＝43:25:15:6(mol％)。此外，混合物整体的SiH基的含有比例为0.0022摩尔/g。
Figure BDA0002708518260000251
n＝4～10，虚线表示键。
[实施例1～6、比较例1、2]
以表1所示的组成比(数值表示质量份)混合下述各个成分，以使组合物中的SiH基相对于烯基的摩尔比([SiH基]/[烯基])为1.1的方式制备固化性组合物。在下述实例中，表示有机聚硅氧烷的结构单元的符号如下所示。
MVi：(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2
MH：H(CH3)2SiO1/2
D2Φ：(C6H5)2SiO2/2
TΦ：(C6H5)SiO3/2
(A)成分
(A-1)上述合成例1中得到的加成反应产物
(A-2)上述合成例2中得到的加成反应产物
(A-3)上述合成例3中得到的加成反应产物
比较成分
(A-4)MH 3TΦ 1所表示的支链状有机聚硅氧烷
(B)成分
(B-1)MVi 2D2Φ 1所表示的直链状有机聚硅氧烷
(B-2)双酚双烯丙基醚(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO.，LTD.制造：产品名称“BPA-AE”)
(C)成分
铂-1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷络合物的聚硅氧烷稀释物(铂含量：1重量％)。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 比较例1 比较例2
A-1 120 131 - - 102 112 - -
A-2 - - 129 139 - - - -
A-3 - - - - 20 22 - -
A-4 - - - - - - 76 88
B-1 80 - 71 - 76 - 124 -
B-2 - 69 - 61 - 66 - 112
C 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06
混合后外观 无色透明 无色透明 无色透明 无色透明 无色透明 无色透明 无色透明 不相容
[性能评价方法]
关于上述实施例及比较例中得到的固化性组合物，按照下述方法，评价其固化物的性能。另外，比较例2中交联剂与主剂((B)成分)不相容，未能得到固化物。
(1)硬度
向由玻璃板组装成的模具中注入固化性组合物，在150℃下进行4小时的固化，得到固化物。以ASTM D2240为基准，将在23℃下测定的各固化物的硬度(Shore D或TypeA)的结果示于表2。另外，使用2mm厚的固化物测定Shore D硬度，并在数值前附加备注D。此外，使用6mm厚的固化物测定TypeA硬度，并在数值前附加备注A。
(2)透光率
针对以与上述硬度测定相同的方式制备的2mm厚的固化物，使用分光光度计测定各固化物的400nm透光率。将测定结果示于表2。
(3)韧性评价
以与上述硬度测定相同的方式，在实施例1、3、5及比较例1中制备2mm厚的固化物，在实施例2、4、6中制备0.3mm厚的固化物。以○(弯曲且未破裂)、×(破裂)评价在23℃下将各个固化物沿直径为1mm的金属棒弯曲成直角时的状态。
(4)伸长率、拉伸强度
针对以与上述硬度测定相同的方式制备的2mm厚的固化物，以JIS-K-6249：2003为基准，在23℃下测定各固化物的伸长率及拉伸强度。将测定结果示于表2。另外，实施例2、4、6的固化物的硬度非常高，无法测定伸长率、拉伸强度。
[表2]
项目 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 比较例1
硬度 D47 D77 A55 D75 A56 D73 A23
透光率(％) 86 85 86 86 85 84 85
韧性评价试验 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
伸长率(％) 80 - 120 - 95 - 15
拉伸强度(MPa) 9.5 - 2.3 - 1.9 - 0.1
如表1及表2所示，本发明的固化性组合物中(A)成分及(B)成分的相容性良好，给予硬度、韧性及透明性优异的固化物。
另一方面，使用MH 3TΦ 1所表示的有机聚硅氧烷代替了本发明的(A)成分的组合物的韧性、伸长率及拉伸强度差(比较例1)，使用不具有硅氧烷的(B)成分时的相容性不充分(比较例2)。
另外，本发明不受上述实施方案限定。上述实施方案为例示，具有与本发明的权利要求书中记载的发明构思实质相同的构成、并发挥相同作用效果的技术方案均包含在本发明的技术范围内。

Claims (12)

1.一种固化性组合物，其含有下述(A)、(B)及(C)：
(A)下述式(1)所表示的有机硅化合物、与下述式(2)所表示的直链状硅氧烷及下述式(3)所表示的环状硅氧烷中的至少一种的加成反应产物，其在一分子中具有2个以上SiH基，
Figure FDA0002708518250000011
式中，R1为取代或非取代的碳原子数为1～12的二价烃基，
Figure FDA0002708518250000012
式中，R2、R4独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，R3独立地为单键或非取代的碳原子数为1～4的二价烃基；a为1～3的整数，b为0～100的整数，
Figure FDA0002708518250000013
式中，R3与所述R3相同，R5独立地为甲基或苯基，R6独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，c为1或2，d为2～10的整数，e为0～10的整数；硅氧烷单元的排列可以是任意的；
(B)一分子中具有2个以上烯基的化合物；
(C)氢化硅烷化反应催化剂。
2.根据权利要求1所述的固化性组合物，其特征在于，R1为亚苯基，R2、R4、R6独立地为甲基或苯基，R3为单键。
3.根据权利要求1所述的固化性组合物，其特征在于，所述(B)为下述式(4)所表示的化合物，
Figure FDA0002708518250000021
式中，R7独立地为甲基或苯基，R8独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，f为0～50的整数，g为0～100的整数；其中，当f为0时，R7为苯基且g为1～100的整数；带括号的硅氧烷单元的排列可以是任意的。
4.根据权利要求2所述的固化性组合物，其特征在于，所述(B)为下述式(4)所表示的化合物，
Figure FDA0002708518250000022
式中，R7独立地为甲基或苯基，R8独立地为取代或非取代的碳原子数为1～12的一价烃基，f为0～50的整数，g为0～100的整数；其中，当f为0时，R7为苯基且g为1～100的整数；带括号的硅氧烷单元的排列可以是任意的。
5.一种固化物，其特征在于，所述固化物由权利要求1～4中任一项所述的固化性组合物固化而成。
6.根据权利要求5所述的固化物，其特征在于，厚度为2mm时的波长400nm的透光率(25℃)为80％以上。
7.根据权利要求5所述的固化物，其特征在于，利用A硬度计测定的ASTM D2240所规定的硬度为30以上。
8.根据权利要求6所述的固化物，其特征在于，利用A硬度计测定的ASTM D2240所规定的硬度为30以上。
9.一种半导体装置，其特征在于，使用权利要求5所述的固化物覆盖半导体元件。
10.一种半导体装置，其特征在于，使用权利要求6所述的固化物覆盖半导体元件。
11.一种半导体装置，其特征在于，使用权利要求7所述的固化物覆盖半导体元件。
12.一种半导体装置，其特征在于，使用权利要求8所述的固化物覆盖半导体元件。
CN202011047732.8A 2019-10-08 2020-09-29 固化性组合物、其固化物及半导体装置 Active CN112625449B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-185527 2019-10-08
JP2019185527A JP7401247B2 (ja) 2019-10-08 2019-10-08 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112625449A true CN112625449A (zh) 2021-04-09
CN112625449B CN112625449B (zh) 2023-09-05

Family

ID=75302730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011047732.8A Active CN112625449B (zh) 2019-10-08 2020-09-29 固化性组合物、其固化物及半导体装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7401247B2 (zh)
KR (1) KR20210042020A (zh)
CN (1) CN112625449B (zh)
TW (1) TW202128845A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7388865B2 (ja) * 2019-10-08 2023-11-29 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、その硬化物、及び半導体装置
JP7436175B2 (ja) * 2019-10-08 2024-02-21 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080024078A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 다환식 탄화수소기 함유 실리콘계 경화성 조성물
US20120126435A1 (en) * 2010-07-27 2012-05-24 Adeka Corporation Curable composition for semiconductor encapsulation
JP2013139547A (ja) * 2011-12-05 2013-07-18 Jsr Corp 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP2013173891A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 白色熱硬化性シリコーン組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用光反射材料
CN104619780A (zh) * 2012-09-14 2015-05-13 横滨橡胶株式会社 固化性树脂组合物
CN105960697A (zh) * 2014-01-29 2016-09-21 信越化学工业株式会社 晶片加工体、晶片加工用暂时粘合材料、及薄型晶片的制造方法
CN109651419A (zh) * 2017-10-12 2019-04-19 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅氢键和苯基的异氰酸酯化合物及其应用
CN109651420A (zh) * 2017-10-12 2019-04-19 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含三个硅氢键的异氰酸酯化合物及其应用
CN109836453A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅氢键的硅氧烷环氧化物与其应用
CN109836445A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅烷基苯基的异氰酸酯化合物及其应用
CN109836580A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含四个硅氢键的硅氧烷环氧化物与其应用
CN109836452A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅烷基苯基的硅氧烷环氧化物及其异构体与应用
CN109890899A (zh) * 2016-09-29 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
CN110093038A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 信越化学工业株式会社 红外线透射性固化型组合物、其固化物和光学半导体装置
JP2019151767A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 信越化学工業株式会社 熱硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物、及び半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3394331B2 (ja) * 1993-08-23 2003-04-07 ナショナル スターチ アンド ケミカル インヴェストメント ホウルディング コーポレイション オルガノシリコーンポリマー用ＳｉＨ末端連鎖伸長剤
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH10228249A (ja) 1996-12-12 1998-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置
JP4286935B2 (ja) 1998-10-14 2009-07-01 株式会社朝日ラバー 調色照明装置
US8003711B2 (en) * 2004-07-14 2011-08-23 3M Innovative Properties Company Dental composition containing Si-H functional carbosilane components
JP5539252B2 (ja) * 2011-03-24 2014-07-02 信越化学工業株式会社 硬化性組成物
JP6981933B2 (ja) * 2018-08-15 2021-12-17 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、該組成物の硬化物、及び該硬化物を用いた半導体装置
JP7436175B2 (ja) * 2019-10-08 2024-02-21 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置
JP7388865B2 (ja) * 2019-10-08 2023-11-29 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、その硬化物、及び半導体装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080024078A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 다환식 탄화수소기 함유 실리콘계 경화성 조성물
US20120126435A1 (en) * 2010-07-27 2012-05-24 Adeka Corporation Curable composition for semiconductor encapsulation
JP2013139547A (ja) * 2011-12-05 2013-07-18 Jsr Corp 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP2013173891A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 白色熱硬化性シリコーン組成物及び該組成物の硬化物からなる白色発光ダイオード用光反射材料
CN104619780A (zh) * 2012-09-14 2015-05-13 横滨橡胶株式会社 固化性树脂组合物
CN105960697A (zh) * 2014-01-29 2016-09-21 信越化学工业株式会社 晶片加工体、晶片加工用暂时粘合材料、及薄型晶片的制造方法
CN109890899A (zh) * 2016-09-29 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
CN109651419A (zh) * 2017-10-12 2019-04-19 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅氢键和苯基的异氰酸酯化合物及其应用
CN109836453A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅氢键的硅氧烷环氧化物与其应用
CN109836445A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅烷基苯基的异氰酸酯化合物及其应用
CN109836580A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含四个硅氢键的硅氧烷环氧化物与其应用
CN109836452A (zh) * 2017-10-12 2019-06-04 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含多个硅烷基苯基的硅氧烷环氧化物及其异构体与应用
CN109651420A (zh) * 2017-10-12 2019-04-19 弗洛里光电材料（苏州）有限公司 含三个硅氢键的异氰酸酯化合物及其应用
CN110093038A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 信越化学工业株式会社 红外线透射性固化型组合物、其固化物和光学半导体装置
JP2019151767A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 信越化学工業株式会社 熱硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物、及び半導体装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘玉田;: "加成型硅橡胶胶粘剂", 世界橡胶工业, no. 02, pages 29 - 34 *
许永现等: "加成型双组分苯基硅树脂在功率型LED中的应用", 《有机硅材料》, no. 1, pages 34 - 38 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210042020A (ko) 2021-04-16
CN112625449B (zh) 2023-09-05
TW202128845A (zh) 2021-08-01
JP2021059682A (ja) 2021-04-15
JP7401247B2 (ja) 2023-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101758384B1 (ko) 저가스투과성 실리콘 수지 조성물 및 광 반도체 장치
KR101749775B1 (ko) 실리콘 수지 조성물 및 해당 조성물을 사용한 광반도체 장치
JP5522111B2 (ja) シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP5305452B2 (ja) 光半導体素子封止用樹脂組成物
CN110835516B (zh) 固化性组合物、该组合物的固化物及使用了该固化物的半导体装置
JP5279197B2 (ja) 硬化性有機ケイ素組成物およびその硬化物
US9644098B2 (en) Curable resin composition and cured product thereof, encapsulant, and semiconductor device
KR20180082451A (ko) 부가경화형 실리콘 수지 조성물, 이 조성물의 제조방법, 및 광학반도체장치
CN112625449B (zh) 固化性组合物、其固化物及半导体装置
CN111484744B (zh) 加成固化型硅酮树脂组合物及光学元件
CN112625444B (zh) 加成固化型有机硅组合物、其固化物及半导体装置
CN112625247A (zh) 固化性组合物、其固化物及半导体装置
JP2014125624A (ja) 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
JP6850271B2 (ja) 熱硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物、及び半導体装置
KR101909914B1 (ko) 경화성 조성물, 반도체 장치, 및 에스테르결합함유 유기규소 화합물
CN111574839B (zh) 管芯键合用硅酮树脂组合物、固化物及光学半导体装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant