CN112614954A - 一种有机电致发光器件以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件以及显示装置,所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层;所述有机层包括发光层,所述发光层包括主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料,所述荧光染料选自式(1)所示的化合物。本发明通过选择特定结构的荧光染料,能够进一步提高热活化敏化荧光器件的效率,降低驱动电压。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件以及显示装置。
背景技术
热活化敏化荧光(TASF)指的是当热活化延迟荧光(TADF)材料作为敏化剂使用时,主体材料能量传递给TADF材料,然后其三线态能量通过反向系间窜越(RISC)过程回到单线态,进而将能量传递给掺杂荧光染料发光,这样可以实现主体向染料分子完全的能量传递,使传统荧光掺杂染料也可以突破25%的内量子效率限制。
但是在TASF发光器件中,往往存在染料载流子捕获严重的问题,器件的驱动电压较高,效率较低。
因此本领域亟待开发一种新型的TASF器件,降低驱动电压,提高器件效率。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件具有较低的驱动电压,较高的器件效率。
为达此目的,本发明采用如下技术方案:
本发明提供一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层;
所述有机层包括发光层,所述发光层中包括主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料,所述荧光染料选自式(1)所示的化合物;
式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自取代或未取代的C5-C60芳环或者取代或未取代的C3-C60杂芳环;
式(1)中,所述Ar1和相邻的环X和环Z之间成环或不成环,Ar2和相邻的环Y和环Z之间成环或不成环;
式(1)中,所述Ar1和Ar2独立地选自取代或未取代的C5-C60芳基或者取代或未取代的C3-C60杂芳基中的一种,且至少有一项选自式(G)所示的基团;
式(G)中,*代表基团的连接键;
式(G)中,所述Ra和Rb独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团,所述Ra和Rb中至少有一项选自C1-C20链状烷基或者C3-C20环烷基中的一种;
且所述Ra和Rb独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
式(G)中,所述Y1、Y2和Y3独立地选自CR1或N,且至少有一项为CR1;
所述R1独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基或者C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团;
所述R1独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ra、Rb和R1中至少有一项选自C6-C60芳基或者C3-C60杂芳基中的一种;
所述Ar1、Ar2、环X、环Y和环Z上的取代基独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团。
优选地,所述荧光染料具有式(1-1)所示的结构;
所述Z1、Z2、Z3、Z4、Z1'、Z2'、Z3'、Z4'、Z1”、Z2”、Z3”独立地选自CR3或N,所述R3独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或至少两种连接而成的基团,所述R3独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ar1和Ar2具有与式(1)中相同的选择范围。
优选地,式(1-1)中,所述Z1、Z1'、Z4、Z4'独立地选自CH或N;
和/或,式(1-1)中,所述Z1”和Z3”独立地选自CH或N。
优选地,所述Ar1和Ar2独立地选自式(G-1)或式(G-2)所示的基团;
其中,*代表基团的连接键;
所述X1-X5独立地选自CR6或N,R6独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或至少两种连接而成的基团,所述R6独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ra和Rb具有与式(G)中相同的选择范围。
优选地,所述X1-X5中至多有一项为N。
优选地,所述X1-X5均为CR6。
优选地,环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基或C6-C60芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,优选环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C20链状烷基或C3-C20环烷基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,进一步优选环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C10链状烷基或C3-C10环烷基中的任意一种或至少两种连接而成的基团。
优选地,所述荧光染料选自化合物M-1至M-166中的任意一种或至少两种组合。
优选地,所述主体材料选自化合物TDH-1至TDH-30中的任意一种或至少两种组合。
优选地,所述热活化延迟荧光敏化剂选自化合物TDE1至TDE37中的任意一种或至少两种组合。
优选地,所述荧光染料的质量占所述发光层总质量的0.1%-10%,优选1%。
优选地,所述有机层还包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层或电子注入层中的任意一种或至少两种组合。
本发明的目的之二在于提供一种显示装置,所述显示装置包含目的之一所述的有机电致发光器件。
相较于现有技术,本发明具有如下有益效果:
本发明提供了一种新型的TASF器件,采用特定结构的荧光染料,该荧光染料,以B-N共振结构为母核,在母核的N上取代特定结构的取代基(式(G)),该取代基的连接键的邻位取代有链状烷基或者环烷基,且另外至少取代一个芳基或杂芳基,这种特定取代基搭配可以有效的提升B-N材料的传输能力,有效避免分子在高电流密度下的效率降低,同时也可以改善分子的偶极排布,有利于光取出,进一步提升器件效率。此外,本发明所采用的荧光染料可以通过在可自由旋转的苯胺片段上面进行修饰,邻位有位阻基团,调节光色。
本发明通过选用这类特定结构的荧光染料与发光层中的主体材料、敏化剂搭配,可以有效提升器件效率、降低驱动电压。
附图说明
图1是本发明实施例和对比例提供的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为便于理解本发明,本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
目前热活化延迟荧光电致发光器件中,往往存在染料载流子捕获严重的问题,器件的驱动电压较高,发明人发现一个主要的原因是器件发光层中,由于主体材料和敏化剂材料的能隙要大于荧光染料的能隙,另外染料自身的迁移传输能力往往较差,导致荧光染料自身存在一定的载流子捕获和淬灭问题,进而导致器件的驱动电压升高,效率降低。
为此,本发明提供一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层;
所述有机层包括发光层,所述发光层包括主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料,所述荧光染料选自式(1)所示的化合物;
式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自取代或未取代的C5-C60芳环或者取代或未取代的C3-C60杂芳环;
式(1)中,所述Ar1和相邻的环X和环Z之间成环或不成环,Ar2和相邻的环Y和环Z之间成环或不成环;
式(1)中,所述Ar1和Ar2独立地选自取代或未取代的C5-C60芳基或者取代或未取代的C3-C60杂芳基中的一种,且至少有一项选自式(G)所示的基团;
式(G)中,*代表基团的连接键;
式(G)中,所述Ra和Rb独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团,所述Ra和Rb中至少有一项选自C1-C20链状烷基或者C3-C20环烷基中的一种;
且所述Ra和Rb独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
式(G)中,所述Y1、Y2和Y3独立地选自CR1或N,且至少有一项为CR1;
所述R1独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基或者C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团;
所述R1独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ra、Rb和R1中至少有一项选自C6-C60芳基或者C3-C60杂芳基中的一种;
所述Ar1、Ar2、环X、环Y和环Z上的取代基独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团。
本发明中,所述“至少两种连接而成的基团”指的是前述基团通过单键连接形成的基团,示例性地,甲基和苯基相互连接,可以形成苄基(以甲基接入)或甲苯基(以苯基接入)。
本发明中,所述的“取代或未取代”的基团,可以取代有一个取代基,也可以取代有多个取代基,当取代基为多个时,可以选自不同的取代基,本发明中涉及到相同的表达方式时,均具有同样的意义,且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。
在本说明书中,Ca~Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a~b,除非特殊说明,一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
在本说明书中,“—”划过的环结构的表达方式,表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。
在本说明书中,“独立地”表示其主语具有多个时,彼此之间可以相同也可以不同。
本发明中,对于化学元素的表述,若无特别说明,通常包含其同位素的概念,例如“氢(H)”的表述,则包括其同位素1H(氕或者H)、2H(氘或者D)的概念;碳(C)则包括12C、13C等,不再赘述。
本发明中杂芳基或杂芳环中的杂原子,通常指选自N、O、S、P、Si和Se中的原子或原子团,优选选自N、O、S。
在本说明书中,作为卤素的例子可举出:氟、氯、溴、碘等。
在本发明中,若无特别说明,芳基和杂芳基均包括单环和稠环的情况。
所述单环芳基是指分子中含有一个或至少两个苯基,当分子中含有至少两个苯基时,苯基之间相互独立,通过单键进行连接,示例性地如苯基、二联苯基、三联苯基等;稠环芳基是指分子中含有至少两个苯环,但苯环之间并不相互独立,而是共用环边彼此稠合起来,示例性地如萘基、蒽基等;单环杂芳基是指分子中含有至少一个杂芳基,当分子中含有一个杂芳基和其他基团(如芳基、杂芳基、烷基等)时,杂芳基和其他基团之间相互独立,通过单键进行连接,示例性地如吡啶、呋喃、噻吩等;稠环杂芳基是指由至少一个苯基和至少一个杂芳基稠合而成,或,由至少两种杂芳环稠合而成,示例性地如喹啉、异喹啉、苯并呋喃,二苯并呋喃,苯并噻吩,二苯并噻吩等。
在本发明中,若无特别说明,则取代基与其所在的基团不发生稠合。
本发明中,所述取代或未取代的C6-C60芳基包括单环芳基和稠环芳基,优选C6-C30芳基,进一步优选C6-C20芳基。优选所述芳基为由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基和并四苯基所组成的组中的基团。所述联苯基选自2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基;所述三联苯基包括对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基和间-三联苯基-2-基;所述萘基包括1-萘基或2-萘基;所述蒽基选自由1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基所组成的组中;所述芴基选自由1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基所组成的组中;所述芴基衍生物选自由9,9’-二甲基芴、9,9-二乙基芴基、9,9-二丙基芴基、9,9-二丁基芴基、9,9-二戊基芴基、9,9-二己基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-二萘基芴基、9,9’-螺二芴和苯并芴所组成的组中;所述芘基选自由1-芘基、2-芘基和4-芘基所组成的组中;所述并四苯基选自由1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基所组成的组中。
本发明中,所述取代或未取代的C3-C60杂芳基,优选C3-C30的杂芳基,进一步优选C4-C20杂芳基,优选所述杂芳基为呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吖啶基、异苯并呋喃基、异苯并噻吩基、氮杂咔唑基、吩噻嗪基、吩嗪基、咔唑基及其衍生物,其中,所述咔唑基衍生物优选为9-苯基咔唑基、9-萘基咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、或吲哚并咔唑基。
本发明中亚芳基的具体例,可以举出上述芳基的例子中去掉一个氢原子而得到的二价基团。本发明中亚杂芳基的具体例,可以举出上述杂芳基的例子中去掉一个氢原子而得到的二价基团。
本发明中的芳氧基,可以举出上述芳基与杂芳基与氧组成的一价基团。
本发明中提到的C6~C60芳基氨基可举出例如:苯基氨基、甲基苯基氨基、萘基氨基、蒽基氨基、菲基氨基、联苯基氨基等。
本发明中提到的C3~C60杂芳基氨基可举出例如:吡啶基氨基、嘧啶基氨基、二苯并呋喃基氨基等。
本发明中,所述C1-C20链状烷基优选C1-C10链状烷基,更优选C1-C6链状烷基,例如可举出:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正己基、正辛基、正戊基、正庚基、正壬基、正癸基等。
本发明中,所述C3-C20环烷基优选环丙基、环丁基、环戊基、环己基。
上述取代基中,所述C1~C20链状烷基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等;所述C3~C20环烷基的碳数可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等;所述C1~C20烷氧基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等。
在本说明书中,C3~C20环烷基包括单环烷基和多环烷基,优选C3-C10的环烷基。
本发明提供了一种新型的TASF器件,采用特定结构的荧光染料,该荧光染料,以B-N共振结构为母核,在母核的N上取代特定结构的取代基(式(G)),该取代基的连接键的邻位取代有链状烷基或者环烷基,且另外至少取代一个芳基或杂芳基,这种特定取代基搭配可以有效的提升B-N材料的传输能力,有效避免分子在高电流密度下的效率降低,同时也可以改善分子的偶极排布,有利于光取出,进一步提升器件效率。此外,本发明所采用的荧光染料可以通过在可自由旋转的苯胺片段上面进行修饰,邻位有位阻基团,调节光色。
本发明通过选用这类特定结构的荧光染料与发光层中的主体材料、敏化剂搭配,可以有效提升器件效率、降低驱动电压。
在一种可选地实施方式中,式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自取代或未取代的C5-C30芳环或者取代或未取代的C3-C30杂芳环。
在一种可选地实施方式中,式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自取代或未取代的C5-C14芳环或者取代或未取代的C3-C14杂芳环。
在一种可选地实施方式中,式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自取代或未取代的C5-C8芳环或者取代或未取代的C5-C8杂芳环。
在一种可选地实施方式中,式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自式(b)所示的环结构;
所述环Z通过共享化学键c和化学键d与式(1)的其他部分连接;
所述环X和环Y独立地通过共享化学键c或化学键d与式(1)的其他部分连接;
式(b)中,所述Z1、Z2、Z3和Z4独立地选自CR3或N,所述R3独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团,所述R3独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环。
在一种可选地实施方式中,所述荧光染料具有式(1-1)所示的结构;
所述Z1、Z2、Z3、Z4、Z1'、Z2'、Z3'、Z4'、Z1”、Z2”、Z3”独立地选自CR3或N,所述R3独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或至少两种连接而成的基团,所述R3独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ar1和Ar2具有与式(1)中相同的选择范围。
在一种可选地实施方式中,式(1-1)中,所述Z1、Z1'、Z4、Z4'独立地选自CH或N;
和/或,式(1-1)中,所述Z1”和Z3”独立地选自CH或N。
进一步地,本发明优选荧光染料的结构中,与B和N连接的位点的邻位没有取代基,这样保证整个B-N配位单元的刚性不至于过强,分子稳定性高,同时更有利于提高TASF器件性能。
在一种可选地实施方式中,所述Ar1和Ar2独立地选自式(G)所示的基团。
在一种可选地实施方式中,所述Ar1和Ar2独立地选自式(G-1)或式(G-2)所示的基团;
其中,*代表基团的连接键;
所述X1-X5独立地选自CR6或N,R6独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或至少两种连接而成的基团,所述R6独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ra和Rb具有与式(G)中相同的选择范围。
在一种可选地实施方式中,所述Ar1和Ar2选自相同的基团。
在一种可选地实施方式中,所述X1-X5中至多有一项为N。
进一步地,本发明优选荧光染料结构中的Ar1和Ar2为联苯或苯联吡啶结构,该结构更有利于提升荧光染料的传输能力,进而利于避免分子在高电流密度下的效率降低,同时进一步改善分子的偶极排布,有利于光取出,进一步提升TASF器件效率,其中,Ar1和Ar2为联苯结构时效果更佳。
在一种可选地实施方式中,所述X1-X5均为CR6。
在一种可选地实施方式中,所述Ar1和Ar2独立地选自式(G-3)或式(G-3)所示的基团;
其中,*代表基团的连接键。
在一种可选地实施方式中,所述Ra和Rb独立地选自氢、卤素、C1~C20链状烷基、C3~C20环烷基、C1~C20烷氧基、C1~C20硅烷基中的一种,所述Ra和Rb中至少有一项选自C1-C20链状烷基或者C3-C20环烷基,且所述Ra和Rb独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环。
进一步地,本发明优选荧光染料结构中的Ra和Rb为烷基,这类基团具有邻位卡位功效,使得与其相邻芳香环的连接有一定的扭曲,有利于荧光染料自身发射光谱的窄化,使荧光染料与主体材料、敏化剂搭配使用,能够进一步提高器件性能,其中,甲基大小适中,反应收率较高。
在一种可选地实施方式中,所述Ra和Rb中至少有一项选自甲基、乙基、叔丁基、异丙基、环己基或氟中的一种。
在一种可选地实施方式中,所述Ra和Rb中至少有一项为甲基。
在一种可选地实施方式中,所述Ra和Rb中有一项为氢。
在一种可选地实施方式中,所述Ar1和Ar2独立地选自如下基团中的任意一种:
其中,*代表基团的连接键。
在一种可选地实施方式中,环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基或C6-C60芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,优选环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C20链状烷基或C3-C20环烷基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,进一步优选环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C10链状烷基或C3-C10环烷基中的任意一种或至少两种连接而成的基团。
更进一步地,本发明优选荧光染料结构中,环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C10链状烷基或C3-C10环烷基,相较于其他类型的基团,烷基具有更加合适的位阻效应,使得荧光染料与主体材料、敏化剂搭配,能够进一步提高TASF器件的效率、降低驱动电压,同时具有易于合成、合适的分子量、易于蒸镀等优势。
在一种可选地实施方式中,环Z上B的对位取代有C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C6-C60芳基或C3-C60杂芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,进一步优选环Z上B的对位取代有C1-C10链状烷基、C3-C10环烷基、C6-C30芳基或C3-C30杂芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团。
在一种可选地实施方式中,所述荧光染料具有式(2-1)或式(2-2)所示的结构;
所述R3、R3'和R3”独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或至少两种连接而成的基团,所述R3、R3'和R3”独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环;
所述Ar1和Ar2具有与式(1)中相同的选择范围。
在一种可选地实施方式中,所述R3和R3'各自独立地选自C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C6-C60芳基或C3-C60杂芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,优选C1-C20链状烷基或C3-C20环烷基,进一步优选C1-C10链状烷基或C3-C10环烷基,更进一步优选如下基团中的任意一种:
更进一步优选:
其中,*代表基团的连接键;
和/或,所述R3”选自C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C6-C60芳基或C3-C60杂芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,优选C1-C10链状烷基、C3-C10环烷基、C6-C30芳基或C3-C30杂芳基中的任意一种,更进一步优选如下基团中的任意一种:
更进一步优选:
其中,*代表基团的连接键。
在本发明的优选技术方案中,荧光染料结构中,环X、环Y和环Z上具有上述特定结构基团,相较于其他基团,这类基团具有合适的位阻效应,使荧光染料与主体材料和敏化剂搭配,能够进一步提高TASF器件的效率、降低驱动电压,同时易于合成、分子量适当、易于蒸镀。
在一种可选地实施方式中,所述荧光染料选自如下化合物M-1至M-166中的任意一种或至少两种组合(例如M-1和M-10的组合、M-6和M-100的组合或者M-3、M-38和M-78的组合):
本发明中,所述荧光染料可以通过常规方法制备得到,仅示例性的提供如下代表合成路径:
上述符号均具有与前文相同的意义。
需要说明的是,获取本发明的化合物并不限于本发明中所用到的合成方法和原料,本领域技术人员也可以选取其它方法或路线得到本发明所提出的化合物。
在一种可选地实施方式中,所述主体材料选自如下化合物TDH-1至TDH-30中的任意一种或至少两种组合(例如TDH-2和TDH-10的组合,TDH-23和TDH-8的组合,或者TDH-16、TDH-22和TDH-30的组合):
本发明进一步优选上述特定结构的主体材料与式(1)的荧光染料进行搭配使用,有利于TASF器件性能的进一步提升。
在一种可选地实施方式中,所述热活化延迟荧光敏化剂选自如下化合物TDE1至TDE37中的任意一种或至少两种组合(例如TDE3和TDE8的组合,TDE25和TDE9的组合,或者TDE18、TDE21和TDE35的组合):
本发明进一步优选上述特定结构的敏化剂与式(1)的荧光染料进行搭配使用,有利于TASF器件性能的进一步提升。
在一种可选地实施方式中,所述荧光染料的质量占所述发光层总质量的0.1%-10%(可简称为掺杂浓度),具体优选为0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.8%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%、3.5%、4%、4.5%、5%、5.5%、6%、6.5%、7%、7.5%、8%、8.5%、9%、9.5%等,进一步优选1%。
针对本发明所选用的特定结构的荧光染料,进一步优选其在发光层中的掺杂浓度,在上述浓度范围内,TASF器件的性能进一步得到提升,掺杂量过低,会导致参与发光的染料分子较少,器件效率较低,掺杂量过高,会导致器件中染料淬灭加剧,从而导致器件效率及工作电压变差。
在一种可选地实施方式中,所述敏化剂的质量占所述发光层总质量的1%-99%,具体优选为2%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%等,进一步优选10%-50%。
在一种可选地实施方式中,所述有机层还包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴阻挡层(HBL)、电子阻挡层(EBL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)中的任意一种或至少两种组合
本发明实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括如上述提供的有机电致发光器件。该显示装置具体可以为OLED显示面板,以及包括该显示面板的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同,在此不再赘述。
可以理解地,本发明中第一电极和第二电极分别代表阳极和阴极。
以下,对本发明的空穴传输区、电子传输区、阳极以及阴极进行介绍。空穴传输区位于阳极和发光层之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层,包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也可以为包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少两层的多层结构。
空穴传输区的材料(包括HIL和HTL)可以选自但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物。
其中,芳香胺衍生物可以如下面HT-1至HT-34所示的化合物。若空穴传输区的材料为芳香胺衍生物,可以为HT-1至HT-34所示的化合物的一种或至少两种组合(例如HT-5和HT-8的组合或者HT-11、HT-12和HT-15的组合等)。
空穴注入层位于阳极和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料,也可以是多种化合物的组合。例如,空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或至少两种化合物,或者采用下述HI-1-HI-3中的一种或至少两种组合;也可以采用HT-1至HT-34的一种或至少两种组合掺杂下述HI-1-HI-3中的一种或至少两种组合(例如HI-1和HI-2的组合等)。
电子传输区可以为单层结构的电子传输层,包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区也可以为包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少两层的多层结构。
进一步地,本发明实施例中,电子传输层材料可以选自、但不限于以下所列出的ET-1至ET-65中的一种或至少两种的组合(例如ET-2和ET-9的组合或者ET-12、ET-17和ET-33的组合等)。
在一种可选地实施方式中,空穴阻挡层中的空穴阻挡材料选自如下HB-1至HB-6所示的化合物中的任意一种或至少两种组合(例如HB-1和HB-2的组合,HB-5、HB-6和HB-4的组合,HB-1、HB-3、HB-4和HB-6的组合等):
在一种可选地实施方式中,电子阻挡层的电子阻挡材料选自如下EB-1至EB-21所示的化合物、化合物TDH-1至TDH-30中的任意一种或至少两种组合:
在一种可选地实施方式中,电子注入层中的电子注入材料包括如下化合物中的任意一种或至少两种组合:
Liq、LiF、NaCl、CsF、Li2O、Cs2CO3、BaO、Na、Li、Ca、Mg、Ag、Yb。
在一种可选地实施方式中,在第一电极下方或者第二电极上方可以使用基板。基板均为具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料。此外,作为显示器用的基板上也可以带有薄膜晶体管(TFT)。
在一种可选地实施方式中,第一电极可以通过在基板上溅射或者沉积用作第一电极的材料的方式来形成。当第一电极作为阳极时,可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合。第一电极作为阴极时,可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
器件在阴极上方可以蒸镀光取出层(CPL层),以起到提升器件效率,调节光学微腔等作用。
上述各层的厚度可以采用本领域中的这些层的常规厚度。
本发明还提供该有机电致发光器件的制备方法,包括在基板上依次沉积阳极、空穴传输区、发光层、电子传输区、阴极,然后封装。其中,在制备发光层时,利用多源共蒸的方法。而阳极、空穴传输区、电子传输区、阴极的沉积方式与本领域现有的方式相同。
以下合成例示例性地给出所述荧光染料的具体合成方法,其中化合物的分析检测使用ABSCIEX质谱仪(4000QTRAP)。
合成实施例1
化合物M-1的合成:
中间体M1-1的制备:
将2-甲基-4-溴苯胺(46.5g,250mmol),苯硼酸(30.3g,250mmol),四(三苯基膦)钯(8.66g,7.5mmol),碳酸钾(69g,500mmol)加入2L单口烧瓶中,加入1000mL的1,4二氧六环,250mL水,在氮气保护下加热110℃反应20h。
体系降温后,向反应体系中加入1000mL的乙酸乙酯,过滤,有机相使用400mL浓盐酸洗涤,分液,水相使用氢氧化钠调节PH到碱性,使用二氯甲烷200mL×3萃取,合并有机相,减压浓缩,后进行柱层析提纯。可得中间体M1-1 38.8g。
中间体M1-2的合成:
将中间体M1-1(28.9g,158mmol)加入2L的三口烧瓶中,加入4-叔丁基溴苯(40.4g,190mmol),[1,1\'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(2.3g,3.1mmol),叔丁醇钠(22.8g,237mmol),800mL甲苯氮气保护下110摄氏度反应过夜,停止反应,进行柱层析提纯。提纯后,得中间体M1-2 37.6g。
中间体M1-3的合成:
将中间体M1-2(25.2g,80mmol),2,6-二溴-4-甲基氯苯(10.4g,37mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.72g,1.88mmol),2-二环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(2.32g,5.64mmol),叔丁醇钠(10.85g,113mmol),1L甲苯加入2000mL的三口瓶中,氮气保护下110摄氏度反应过夜,停止反应,进行柱层析提纯。提纯后,得中间体M1-3 17.8g。
化合物M-1的合成:
将M1-3(7.53g,10mmol)加入至500mL三口瓶中,加入对叔丁基苯(150mL),搅拌20分钟后将反应体系降温至-20℃,之后加入15mmol叔丁基锂,维持低温继续搅拌30分钟。之后逐步升温至90℃,持续加热3h。最后将反应体系温度再次降至0℃,氮气保护下加入三溴化硼(5.1g,20mmol),搅拌30分钟后加入二异丙基乙基胺(13g,80mmol)。最后将反应体系加热60℃,反应12h。反应降至室温后,将有机相减压旋干。乙酸乙酯(200mL)萃取三次,合并有机相,无水硫酸钠干燥。有机相拌硅胶浓缩,柱层析得3.4g粗品,甲苯/正己烷重结晶得2.1g黄色固体,即为化合物M-1,纯度99.45%。质谱分析确定的分子离子质量:726.42(理论值:726.41)。
合成实施例2
化合物M-3的合成:
中间体M3-1的制备:
将5-溴-2-甲基苯胺(46.5g,250mmol),苯硼酸(30.3g,250mmol),四(三苯基膦)钯(8.66g,7.5mmol),碳酸钾(69g,500mmol)加入2L单口烧瓶中,加入1000mL 1,4二氧六环,250mL水,在氮气保护下加热110℃反应20h。
体系降温后,向反应体系中加入1000mL的乙酸乙酯,过滤,有机相使用400mL浓盐酸洗涤,分液,水相使用氢氧化钠调节PH到碱性,使用二氯甲烷200mL×3萃取,合并有机相,减压浓缩,后进行柱层析提纯。可得中间体M3-1 35.9g。
中间体M3-2的制备:合成方案同M1-2的合成,柱层析后得到34.6g白色固体。
中间体M3-3的制备:合成方案同M1-3的合成,柱层析后得到16.7g白色固体。
化合物M-3的合成:合成方案同M-1的合成,区别仅在于将M1-3替换为M3-3(10mmol),得1.98g黄色固体,即为化合物M-3,纯度99.57%。质谱分析确定的分子离子质量:726.58(理论值:726.41)。
合成实施例3
化合物M-11的合成:
M11-1的合成步骤与M1-1相同;M11-2的合成步骤与M1-2相同;
中间体M11-3的制备:
合成方案同M1-3的合成,区别仅在于将2,6-二溴-4-甲基氯苯替换为等摩尔量的1,3-二溴-2氯-5(2-苯基丙-2-基)苯,柱层析后得到37.6g白色固体。
化合物M-11的合成:
合成方案同M-1的合成,将M1-3替换为M11-3(10mmol),得2.15g黄色固体即为化合物M-11,纯度99.65%。质谱分析确定的分子离子质量:830.62(理论值:830.47)。
合成实施例4
化合物M-57的合成:
中间体M57-1的制备:
将2-甲基-4-溴苯胺(46.5g,250mmol),吡啶-4-硼酸(30.7g,250mmol),四(三苯基膦)钯(8.66g,7.5mmol),碳酸钾(69g,500mmol)加入2L单口烧瓶中,加入1000mL 1,4二氧六环,250mL水,在氮气保护下加热110℃反应18h。
体系降温后,向反应体系中加入1000mL的乙酸乙酯,过滤,有机相使用400mL浓盐酸洗涤,分液,水相使用氢氧化钠调节PH到碱性,使用二氯甲烷200mL×3萃取,合并有机相,减压浓缩,后进行柱层析提纯。可得中间体M57-1 33.9g。
中间体M57-2的合成:合成方案同M1-2的合成,柱层析后得到32.9g白色固体。
中间体M57-3的合成:
将中间体M57-2(25.2g,80mmol),1,3-二溴-2-氯苯(10g,37mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.72g,1.88mmol),2-二环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(2.32g,5.64mmol),叔丁醇钠(10.85g,113mmol),1L甲苯加入2000mL的三口瓶中,氮气保护下110摄氏度反应过夜,停止反应,进行柱层析提纯。提纯后,得中间体M57-3 19.6g。
中间体M-57的合成:
将M57-3(7.4g,10mmol)加入至500mL三口瓶中,加入对叔丁基苯(150mL),搅拌20分钟后将反应体系降温至-20℃,之后加入15mmol叔丁基锂,维持低温继续搅拌30分钟。之后逐步升温至90℃,持续加热3h。最后将反应体系温度再次降至0℃,氮气保护下加入三溴化硼(5.1g,20mmol),搅拌30分钟后加入二异丙基乙基胺(13g,80mmol)。最后将反应体系加热60℃,反应12h。反应降至室温后,将有机相减压旋干。乙酸乙酯(200mL)萃取三次,合并有机相,无水硫酸钠干燥。有机相拌硅胶浓缩,柱层析得3.7g粗品,甲苯/正己烷重结晶得1.9g黄色固体即为化合物M-57,纯度99.27%。质谱分析确定的分子离子质量:714.45(理论值:714.38)。
合成实施例5
化合物M-65的合成
中间体M65-1的制备:
将4-溴-2,6-二甲基苯胺(50g,250mmol),苯硼酸(30.3g,250mmol),四(三苯基膦)钯(8.66g,7.5mmol),碳酸钾(69g,500mmol)加入2L单口烧瓶中,加入1000mL 1,4二氧六环,250mL水,在氮气保护下加热110℃反应20h。
体系降温后,向反应体系中加入1000mL的乙酸乙酯,过滤,有机相使用400mL浓盐酸洗涤,分液,水相使用氢氧化钠调节PH到碱性,使用二氯甲烷200mL×3萃取,合并有机相,减压浓缩,后进行柱层析提纯。可得中间体M65-1 40.5g。
中间体M65-2的合成:合成方案同M1-2的合成,柱层析后得到34.2g白色固体。
中间体M65-3的合成:合成方案同M1-3的合成,柱层析后得到18.9g白色固体。
化合物M-65的合成:合成方案同M-1的合成,将M1-3替换为M65-3(10mmol),得2.45g黄色固体,即为化合物M-65,纯度99.77%。质谱分析确定的分子离子质量:754.64(理论值:754.44)。
其他化合物合成方法类似,根据相关合成通式进行合成,并进行了质谱测试确认,结果如下:
化合物编号 | 质谱理论值 | 质谱测试数据 |
M-9 | 830.48 | 830.60 |
M-23 | 712.40 | 712.55 |
M-41 | 832.47 | 832.61 |
M-43 | 832.47 | 832.69 |
M-77 | 905.49 | 905.76 |
M-81 | 762.40 | 762.71 |
M-109 | 718.35 | 718.63 |
M-121 | 746.38 | 746.48 |
M-131 | 754.45 | 754.69 |
M-133 | 766.35 | 766.54 |
M-153 | 836.43 | 836.56 |
M-155 | 898.45 | 898.67 |
M-165 | 944.41 | 944.68 |
M-166 | 878.48 | 878.70 |
以下通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行进一步的介绍。
实施例1-23,对比例1-4
上述实施例和对比例分别提供一种有机电致发光器件的,结构如图1所示,由下至上依次包括阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极,其中,发光层包括中含有主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料的组合,具体材料选择详见表1。
上述有机电致发光器件的具体制备方法如下:
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮:乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束轰击表面;
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内,抽真空至小于1×10-5Pa,在上述阳极层膜上真空蒸镀HI-3作为空穴注入层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为2nm;
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀空穴传输层HT-28,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为30nm;
(4)在空穴传输层之上真空蒸镀电子阻挡层EB-12,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为5nm;
(5)在电子阻挡层之上真空蒸镀发光层,发光层包括主体材料、敏化剂和荧光染料,利用多源共蒸的方法,主体蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为30nm。
(6)在发光层之上真空蒸镀HB-5作为空穴阻挡层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为5nm;
(7)在空穴阻挡层之上真空蒸镀ET-60和ET-57作为电子传输层,比例为1:1,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为25nm;
(8)在电子传输层上真空蒸镀厚度为1nm的Liq作为电子注入层,厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
其中,对比例1-4使用的荧光染料的结构如下:
器件性能测试:
在同样亮度下,使用数字源表及PR650测定器件实施例和对比例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和外量子效率。具体而言,以每秒0.1V的速率提升电压,测定当有机电致发光器件的亮度达到1000cd/m2时的电压即为对应亮度下的驱动电压,同时在PR650上可以直接测试得到器件的外量子效率(EQE,%);
上述测试结果如表1所示。
表1
由表1可知,本发明在TASF器件的发光层中引入特定结构的荧光染料,相较于现有技术的染料,能够有效的提高器件性能,具体为驱动电压降低,外量子效率提升。
对比例1-4与本发明采用的荧光染料结构不同,数据显示对比例1-4的器件效率明显不及本发明。其中,对比例3所使用的化合物ref-3与本发明的M-1区别仅在于联苯基团上没有取代甲基,在器件中其他条件均相同的情况下,其效率和驱动电压均明显较差。
通过对比实施例1-5可知,本发明的荧光染料掺杂比例控制在0.1%-10%范围内时(实施例2-4),能够进一步提高TASF器件性能,其中掺杂量为1%时(实施例3)效果最佳。
通过对比实施例3和9可知,本发明所使用的荧光染料中环X和环Y上B的对位取代烷基时(实施例3),相较于取代苯基(实施例9),能够进一步提高TASF器件性能。
通过对比实施例6-8可知,本发明所使用的荧光染料结构中Ar1和Ar2为联苯或苯联吡啶结构时(实施例6和7),相较于其他结构(实施例8),能够进一步提高TASF器件性能,其中,Ar1和Ar2为联苯结构时(实施例6)效果最佳。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法,但本发明并不局限于上述详细方法,即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层;
所述有机层包括发光层,所述发光层中包括主体材料、热活化延迟荧光敏化剂和荧光染料,所述荧光染料选自式(1)所示的化合物;
式(1)中,所述环X、环Y和环Z独立地选自取代或未取代的C5-C60芳环或者取代或未取代的C3-C60杂芳环;
式(1)中,所述Ar1和相邻的环X和环Z之间成环或不成环,Ar2和相邻的环Y和环Z之间成环或不成环;
式(1)中,所述Ar1和Ar2独立地选自取代或未取代的C5-C60芳基或者取代或未取代的C3-C60杂芳基中的一种,且至少有一项选自式(G)所示的基团;
式(G)中,*代表基团的连接键;
式(G)中,所述Ra和Rb独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团,所述Ra和Rb中至少有一项选自C1-C20链状烷基或者C3-C20环烷基中的一种;
且所述Ra和Rb独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
式(G)中,所述Y1、Y2和Y3独立地选自CR1或N,且至少有一项为CR1;
所述R1独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C3-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基或者C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团;
所述R1独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
所述Ra、Rb和R1中至少有一项选自C6-C60芳基或者C3-C60杂芳基中的一种;
所述Ar1、Ar2、环X、环Y和环Z上的取代基独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或者至少两种连接而成的基团。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述荧光染料具有式(1-1)所示的结构;
所述Z1、Z2、Z3、Z4、Z1'、Z2'、Z3'、Z4'、Z1”、Z2”、Z3”独立地选自CR3或N,所述R3独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20硅烷基、C6-C60芳基氨基、C6-C60杂芳基氨基、C6-C60芳基、C3-C60杂芳基中的一种或至少两种连接而成的基团,所述R3独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环;
优选地,式(1-1)中,所述Z1、Z1'、Z4、Z4'独立地选自CH或N;
和/或,式(1-1)中,所述Z1”和Z3”独立地选自CH或N。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C20链状烷基、C3-C20环烷基或C6-C60芳基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,优选环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C20链状烷基或C3-C20环烷基中的任意一种或至少两种连接而成的基团,进一步优选环X和环Y上B或N的对位取代有C1-C10链状烷基或C3-C10环烷基中的任意一种或至少两种连接而成的基团。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述荧光染料的质量占所述发光层总质量的0.1%-10%。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机层还包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层或电子注入层中的任意一种或至少两种组合。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包含权利要求1-9中任一项所述的有机电致发光器件。
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