CN112612161B - 一种显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置。显示面板包括对向设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的多个主支撑柱和副支撑柱，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述副支撑柱的顶部投影到所述阵列基板上形成重叠区，所述重叠区包括第一重叠区和第二重叠区，所述阵列基板对应所述第一重叠区和第二重叠区的膜层组成不同；所述阵列基板对应所述第一重叠区和对应第二重叠区的表面高度相等。本申请当显示面板受到按压时，即使副支撑柱顶部对顶的阵列基板处的膜层不同，也能保证阵列基板中与副支撑柱相贴的表面设为高度相等，这样副支撑柱在顶到阵列基板上时，与阵列基板各接触面的受力相同，不容易破裂。

Description

一种显示面板及其制作方法和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)由于具有机身薄、省电、无辐射等众多优点而被广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分是背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板和背光模组。通常液晶显示面板由彩膜基板、阵列基板、彩膜基板和阵列基板之间的液晶以及存在于阵列基板和彩膜基板之间的支撑物(Photo Space，PS)组成，支撑物分为两种类型，一种是主支撑柱(Main PS)，其作用是维持薄膜晶体管基板与彩膜基板之间的间隙，即维持液晶盒厚的稳定性；另一种类型是副支撑柱(Sub PS)，作用是在面板受到外界压力时起到缓冲支撑，使得面板不易受损。

随着社会的发展，高分辨率、高穿透率、大视角的显示面板也越来越受到人们的重视，高分辨率其对应的画素尺寸也相应减小，使得画素更加密集，导致部分副支撑柱在受到外力的冲击时对顶到阵列基板中主动开关的部分，使得对顶的地形不一致，导致副支撑柱的破损从而产生显示不均匀的情况。

发明内容

本申请的目的是提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，使得显示面板在受到外力冲击时副支撑柱不易破裂。

本申请公开了一种显示面板，包括对向设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的多个主支撑柱和副支撑柱，所述主支撑柱的底部与所述彩膜基板连接，顶部与所述阵列基板抵接，所述副支撑柱与所述主支撑柱并列设置，且所述副支撑柱的底部与所述彩膜基板连接，所述副支撑柱的顶部投影在所述阵列基板上；在垂直于所述阵列基板的方向上，所述副支撑柱的顶部投影到所述阵列基板上形成重叠区，所述重叠区包括第一重叠区和第二重叠区，所述阵列基板对应所述第一重叠区和第二重叠区的膜层组成不同；所述阵列基板对应所述第一重叠区和对应第二重叠区的表面高度相等。

可选的，所述阵列基板包括衬底、扫描线、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极、漏极延伸部和钝化层，所述扫描线设置在所述衬底上；所述栅极设置在所述衬底上，与所述扫描线通过一道制程形成；所述栅极绝缘层设置在所述扫描线和栅极上方，所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上；所述源极和漏极设置在所述半导体层上，所述漏极的厚度大于所述扫描线的厚度；所述漏极延伸部设置在所述栅极绝缘层上；所述钝化层设置在所述源极、漏极、漏极延伸部和扫描线的上方；所述钝化层上设有过孔，所述过孔贯穿所述钝化层漏出所述漏极延伸部；所述阵列基板对应所述第一重叠区设有依次堆叠的衬底、栅极绝缘层、漏极延伸部和钝化层，所述阵列基板对应所述第二重叠区设有依次堆叠的衬底、扫描线、栅极绝缘层和钝化层；所述钝化层对应所述第一重叠区处的高度，与对应所述第二重叠区处的高度相等。

可选的，所述漏极延伸部对应所述第一重叠区处的厚度，与所述扫描线对应所述第二重叠区处的厚度相等。

可选的，所述扫描线的厚度均匀，所述漏极延伸部的厚度均匀。

可选的，所述漏极延伸部的厚度与所述漏极的厚度相等；所述钝化层对应所述第一重叠区处的厚度，小于所述钝化层与对应所述第二重叠区处的厚度；所述所述漏极延伸部的厚度与所述扫描线的厚度之差，与所述钝化层对应第一重叠区处和第二重叠区处的厚度之差相等。

可选的，所述钝化层对应所述第一重叠区处的厚度，小于所述钝化层与对应所述第二重叠区处的厚度；所述漏极延伸部对应所述第一重叠区处的厚度，小于所述扫描线对应所述第二重叠区的厚度；所述钝化层对应所述第一重叠区的厚度与所述漏极延伸部对应所述第一重叠区的厚度之和，等于所述钝化层对应所述第二重叠区的厚度与所述扫描线对应所述第二重叠区的厚度之和。

可选的，所述阵列基板包括衬底、扫描线、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极、漏极延伸部和钝化层，所述扫描线设置在所述衬底上；所述栅极设置在所述衬底上，与所述扫描线通过一道制程形成；所述栅极绝缘层设置在所述扫描线和栅极上方，所述半导体层设置在所述栅极绝缘层上；所述源极、漏极和漏极延伸部设置在所述半导体层上，所述漏极的厚度大于所述扫描线的厚度；所述钝化层设置在所述源极、漏极、漏极延伸部和扫描线的上方；所述钝化层上设有过孔，所述过孔贯穿所述钝化层漏出所述漏极延伸部；所述阵列基板对应所述第一重叠区设有依次堆叠的衬底、栅极绝缘层、半导体层、漏极延伸部和钝化层，所述阵列基板对应所述第二重叠区设有依次堆叠的衬底、扫描线、栅极绝缘层和钝化层；所述钝化层对应所述第一重叠区处的高度，与对应所述第二重叠区处的高度相等。

可选的，所述漏极延伸部对应所述第一重叠区处的厚度，与所述半导体层对应所述第一重叠区处的厚度之和，等于所述扫描线对应所述第二重叠区处的厚度。

本申请还公开了一种上述显示面板的制作方法，包括步骤：

形成衬底；

在所述衬底上形成栅极与扫描线；

在所述栅极和扫描线上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

利用一道光罩在所述半导体层上形成源极、漏极和漏极延伸部；

在所述源极、漏极和漏极延伸部上形成钝化层；以及

在所述钝化层上蚀刻出过孔，露出所述漏极延伸部；

其中，所述漏极延伸部的厚度小于所述漏极的厚度，且所述漏极延伸部的厚度与所述扫描线的厚度相等。

本申请还公开了一种显示装置，包括如上所述的显示面板以及用于驱动所述显示面板的驱动电路。

相对于其它高分辨率的显示面板来说，本申请将副支撑柱的顶部投影到所述阵列基板上区域高度设为相等，即使副支撑柱的顶部投影到所述阵列基板上形成不同膜层构成的第一重叠区和第二重叠区，也同样保证显示面板受到按压时，副支撑柱接触到阵列基板上的表面高度相等，这样副支撑柱在顶到阵列基板上时，与阵列基板各接触面的受力相同，不容易破裂。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是一种显示面板平面的示意图；

图2是图1一种显示面板受到按压时的剖面图；

图3是本申请的一实施例的一种显示装置的示意图；

图4是本申请的一实施例的一种显示面板平面的示意图；

图5是本申请的一实施例的一种显示面板受到按压时剖面的示意图；

图6是本申请的另一实施例的一种在钝化层中设置下沉槽的示意图；

图7是本申请的另一实施例的一种在钝化层上设置加厚块的示意图；

图8是本申请的另一实施例的一种采用4mask工艺制作显示面板的平面示意图；

图9是本申请的另一实施例的一种采用4mask工艺制作显示面板的剖面示意图；

图10是本申请的另一实施例的一种显示面板制作方法的流程图。

其中，100、显示装置；200、驱动电路；300、显示面板；310、阵列基板；311、衬底；312、栅极；313、扫描线；314、栅极绝缘层；315、半导体层；316、源极；317、漏极；318、漏极延伸部；319、钝化层；320、彩膜基板；321、副支撑柱；322、色阻层；323、像素电极；324、遮光层；325、彩膜衬底；326、主支撑柱；400、重叠区；410、第一重叠区；411、下沉槽；420、第二重叠区；421、加厚块；430、数据线；440、透明电极；450、过孔。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。

如图1是一种液晶面板的平面示意图，数据线430与源极316连接，源极316和漏极317通过半导体层315连接，漏极317在过孔450处与透明电极440连接，副支撑柱321与扫描线313和部分漏极317重叠。如图2所示，是图1中显示面板在受到按压时的剖面图，在高分辨率的显示面板300中，当部分副支撑柱321在受到外力的冲击时抵接到阵列基板上时，位于副支撑柱321的正投影内，在与主动开关重叠的部份在图中用A表示，不与副支撑柱321相贴的部分在图中用B表示，其它部份在图中用C表示。由于扫描线313比源极316和漏极317宽很多，为了减小材料损耗，扫描线313通常比源极316和漏极317薄；这样A区下方的漏极317和C区下方的扫描线313厚度不相同，因此导致副支撑柱321与阵列基板310抵接时，两侧接触到的高度不一致，存在地形差，使得副支撑柱321在于阵列基板310相抵的过程中容易出现破裂，导致液晶面板的显示不均。

如图3至图5所示，作为本申请的一实施例，公开了一种显示装置100，显示装置100包括驱动电路200和如下所示的显示面板300。所述显示面板300包括对向设置的彩膜基板320和阵列基板310，以及设置在所述阵列基板310和彩膜基板320之间的多个主支撑柱326和副支撑柱321，所述主支撑柱326的底部与所述彩膜基板320连接，顶部与所述阵列基板310抵接，所述副支撑柱321与所述主支撑柱326并列设置，且所述副支撑柱321的底部与所述彩膜基板320连接，所述副支撑柱321的顶部投影在所述阵列基板310上；所述阵列基板310包括衬底311、栅极312、扫描线313、栅极绝缘层314、半导体层315、源极316、漏极317、漏极延伸部318和钝化层319，所述栅极312和扫描线313设置在所述衬底311上，所述栅极绝缘层314、半导体层315、源极316、漏极317、漏极延伸部318和钝化层319依次堆叠设置，所述漏极延伸部318为漏极317的一部分，所述钝化层中设有过孔，所述漏极延伸部通过钝化层中的过孔与钝化层上方的透明电极连接。所述彩膜基板320包括依次堆叠设置的彩膜衬底325、遮光层324、色阻层322和像素电极323。

在垂直于所述阵列基板310的方向上，所述副支撑柱321的顶部投影到所述阵列基板310上形成重叠区400，所述重叠区400包括第一重叠区410和第二重叠区420，所述阵列基板310对应所述第一重叠区410和第二重叠区420的膜层组成不同；所述阵列基板310对应所述第一重叠区410和对应第二重叠区420的表面高度相等。

本申请通过将阵列基板310中与副支撑柱321相贴的表面设置为同一高度，使得副支撑柱321受到外部压力与阵列基板310抵接时，副支撑柱321顶部与阵列基板310接触位置的受力相同，这样副支撑柱321就不容易破裂，从而提高显示面板300的稳定性；且而由于设置了高度相等的重叠区400，从而提高了阵列基板310中的平整面积，使阵列基板310和彩膜基板320之间的液晶分布地更加均匀，有利于提高显示面板300的显示效果。

原有副支撑柱321对顶的阵列基板310处地形不一致，是由于副支撑柱321中有一部分还会对顶到主动开关对应的部分区域；图1中A、B和C三个区域分别为副支撑柱321与阵列基板310相贴时重叠的部分，A区域为副支撑柱321与主动开关贴合的部分，含有衬底311、栅极绝缘层314、漏极延伸部318和钝化层319；B区域为副支撑柱321受到挤压时不与阵列基板310相贴的区域，含有衬底311、栅极绝缘层314和钝化层319；其余部分为C区域，含有衬底311、扫描线313、栅极绝缘层314和钝化层319。由于A区域和C区域分别位于副支撑柱321的两侧，对副支撑柱321的影响较大，虽然A区域和C区域含有相同厚度的衬底311、栅极绝缘层314和钝化层319，但是漏极延伸部318比扫描线313厚，导致副支撑柱321与阵列基板310接触时，与A区域和C区域的受力不同，会导致副支撑柱321破裂。因此，本申请在垂直于所述阵列基板的方向上，所述副支撑柱的顶部投影到所述阵列基板上形成重叠区，且将所述重叠区400设为第一重叠区410和第二重叠区420，所述第一重叠区410为所述副支撑柱321的顶部的正投影与所述阵列基板310中主动开关重叠的部分，所述第二重叠区420为所述副支撑柱321与所述阵列基板310中除主动开关以外重叠的部分，所述第一重叠区410的顶部与所述第二重叠区420的顶部处于同一高度；即所述阵列基板310对应所述第一重叠区410设有依次堆叠的衬底311、栅极绝缘层314、漏极延伸部318和钝化层319，所述阵列基板310对应所述第二重叠区420设有依次堆叠的衬底311、扫描线313、栅极绝缘层314和钝化层319；所述钝化层319对应所述第一重叠区410处的高度，与对应所述第二重叠区420处的高度相等。通过将阵列基板310中与副支撑柱321两侧相贴的表面设为同一高度，使得副支撑柱321两侧的受力相等，降低了副支撑柱321从外部破裂的可能性。

具体的，所述漏极延伸部318与所述漏极317连接，且与所述栅极312和扫描线313的正投影不重叠，所述漏极延伸部318与所述源极316、漏极317通过一道制程形成；所述第一重叠区410包括衬底311、栅极绝缘层314、漏极延伸部318和钝化层319，所述第二重叠区420包括衬底311、扫描线313、栅极绝缘层314和钝化层319，所述漏极延伸部318对应所述第一重叠区410处的厚度小于所述漏极317的厚度，所述漏极延伸部318对应所述第一重叠区410处的厚度与所述扫描线313的厚度相等，且第一重叠区410中衬底311、栅极绝缘层314和钝化层319的厚度，分别和第二重叠区420中衬底311、栅极绝缘层314和钝化层319的厚度也都相等。这是通过将一部分漏极317，也就是漏极延伸部318对应所述第一重叠区410处的厚度做薄，使得扫描线313和漏极延伸部318的厚度相等，达到第一重叠区410和第二重叠区420表面等高的目的，优点在于漏极延伸部318、源极316和漏极317可以通过一道光罩形成，且可以通过改变光罩的透光量形成比漏极317和漏极317薄的漏极延伸部318，因此只通过改变第一重叠区410中漏极延伸部318的厚度就能达到目的效果，且不增加额外制程。

当然，本申请还可以直接改变所有漏极延伸部318的厚度，使得整个所述漏极延伸部318的厚度都与所述扫描线313的厚度相等，即所述扫描线313的厚度均匀，所述漏极延伸部318的厚度均匀。漏极延伸部318与所述漏极317连接，且与所述栅极312的正投影不重叠，所述漏极延伸部318与所述源极316、漏极317通过一道制程形成。将整个漏极延伸部318高度都做薄后，可以增加容错空间，若存在将副支撑柱321做粗或进一步提高分辨率的设计，也同样能够适用；而且只将漏极延伸部318做薄，而不将源极316或漏极317做薄，避免了因为降低源极316或漏极317的厚度导致主动开关性能减弱的问题。具体的，漏极延伸部318比漏极317的厚度薄100-2000A。

另外，还可以同时将第一重叠区410对应的漏极延伸部318和钝化层319做薄，来使第一重叠区410与第二重叠区420的顶部高度相等；具体的，所述钝化层319对应所述第一重叠区410处的厚度，小于所述钝化层319与对应所述第二重叠区420处的厚度；所述漏极延伸部318对应所述第一重叠区410处的厚度，小于所述扫描线313对应所述第二重叠区420的厚度；所述钝化层319对应所述第一重叠区410的厚度与所述漏极延伸部318对应所述第一重叠区410的厚度之和，等于所述钝化层319对应所述第二重叠区420的厚度与所述扫描线313对应所述第二重叠区420的厚度之和。这样能够避免单独做薄漏极延伸部318或钝化层319时，导致膜层性能变差。

本申请还可以提供如以下方式使第一重叠区410和第二重叠区420的表面处于同一高度：

如图6所示，可以将钝化层319对应第一重叠区410处做薄。具体的，在第二重叠区420中钝化层319的顶部设有下沉槽411，所述下沉槽411开口朝向所述副支撑柱321，所述阵列基板310中的钝化层319通过一道制程形成。这里在漏极延伸部318的厚度大于扫描线313厚度的前提下，且第一重叠区410和第二重叠区420中衬底311、栅极绝缘层313和钝化层319的厚度都相同，通过将第二重叠区420中钝化层319做薄，使得第一重叠区410和第二重叠区420的表面处于同一高度；当第一重叠区410和第二重叠区420都形成后再来根据第一重叠区410和第二重叠区420的高度将漏极延伸部318上方的钝化层319做薄，使调整效果更加精确；且由于钝化层319设置在阵列基板310的表面，当钝化层319的对应高度不满足要求时可以对钝化层319进行再加工，因此调整钝化层319的话容错率更大；且通过做薄第一重叠区410钝化层319可以减少整体材料的浪费。当然本申请还可以同时将漏极延伸部318与钝化层319都做薄使得第一重叠区410和第二重叠区420表面高度相等。

前面为将第一重叠区410对应的钝化层319做薄从而与第二重叠区420表面等高，下面为将第二重叠区420对应的钝化层319加厚从而与第一重叠区410表面等高的方式。具体的，如图7所示，所述阵列基板310包括加厚块421，所述加厚块421设置在所述第二重叠区420处对应的钝化层319的顶部。这种通过加厚第二重叠区420的方式不影响原来的膜层，且高度容易调整，制作方便。可以将加厚块421设置为钝化层材料，使得加厚块421与钝化层319通过一道制程形成，提高制程效率；还可以将加厚块421设置为透明电极材料，加厚块421与钝化层319上的透明电极440通过一道制程形成，也不会产生额外的制程；当然加厚块421还可以采用其它的材料，在此不做限定。另外，还可以通过增加扫描线313的厚度来使第一重叠区410与第二重叠区420表面等高，将扫描线313加厚使其厚度与漏极延伸部318等高，这样可以同时提高扫描线313的导电效果。

上述阵列基板310采用的是五道光罩(5mask)工艺制作而成，当阵列基板310采用的是四道光罩(4mask)工艺制作时，如图8和图9所示，阵列基板310包括衬底311、扫描线313、栅极绝缘层314、半导体层315、源极316、漏极317、漏极延伸部318和钝化层319，所述扫描线313设置在所述衬底311上，所述栅极312设置在所述衬底311上，与所述扫描线313通过一道制程形成；所述栅极绝缘层314设置在所述扫描线313和栅极312上方，所述半导体层315设置在所述栅极绝缘层314上；所述源极316、漏极317和漏极延伸部318设置在所述半导体层上，所述漏极317的厚度大于所述扫描线313的厚度；所述钝化层319设置在所述源极316、漏极317、漏极延伸部318和扫描线313的上方；所述钝化层319上设有过孔，所述过孔贯穿所述钝化层319漏出所述漏极延伸部318；所述阵列基板310对应所述第一重叠区410设有依次堆叠的衬底311、栅极绝缘层314、半导体层315、漏极延伸部318和钝化层319，所述阵列基板310对应所述第二重叠区420设有依次堆叠的衬底311、扫描线313、栅极绝缘层314和钝化层319；所述钝化层319对应所述第一重叠区410处的高度，与对应所述第二重叠区420处的高度相等。在五道光罩工艺的阵列基板310中，需要将半导体层315和漏极延伸部318的厚度之和设为与扫描线313厚度相等，除了采用上面将漏极延伸部318做薄的方式外，还可以同时将漏极延伸部318和半导体层315同时做薄，也可以按照前面的方式将第二重叠区420加厚，在此不做赘述。

如图10所示，作为本申请的另一实施例，还公开了一种上述显示面板300的制作方法，包括步骤：

S1：形成衬底；

S2：在所述衬底上形成栅极与扫描线；

S3：在所述栅极和扫描线上形成栅极绝缘层；

S4：在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

S5：利用一道光罩在所述半导体层上形成源极、漏极和漏极延伸部；

S6：在所述源极、漏极和漏极延伸部上形成钝化层；

S7：在所述钝化层上蚀刻出过孔，露出所述漏极延伸部；

其中，所述漏极延伸部的厚度小于所述漏极的厚度，且所述漏极延伸部的厚度与所述扫描线的厚度相等。

本申请在不影响显示面板300原有制程步骤的同时，还达到阵列基板310中与副支撑柱321接触面平整的效果，有利于提高副支撑柱321的稳定性，提高显示面板300的抗压性。

需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围。

本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-Plane Switching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。

以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板对向设置；

多个主支撑柱，所述主支撑柱的底部与所述彩膜基板连接，顶部与所述阵列基板抵接；以及

多个副支撑柱，所述副支撑柱与所述主支撑柱并列设置，且所述副支撑柱的底部与所述彩膜基板连接，所述副支撑柱的顶部投影在所述阵列基板上；

在垂直于所述阵列基板的方向上，所述副支撑柱的顶部投影到所述阵列基板上形成重叠区，所述重叠区包括第一重叠区和第二重叠区，所述阵列基板对应所述第一重叠区和第二重叠区的膜层组成不同；

其中，所述阵列基板对应所述第一重叠区设有依次堆叠的衬底、栅极绝缘层、漏极延伸部和钝化层，所述阵列基板对应所述第二重叠区设有依次堆叠的衬底、扫描线、栅极绝缘层和钝化层；

所述漏极的厚度大于所述扫描线的厚度；所述钝化层上设有过孔，所述过孔贯穿所述钝化层漏出所述漏极延伸部；所述漏极延伸部的厚度小于所述漏极的厚度；

所述阵列基板对应所述第一重叠区和对应第二重叠区的表面高度相等。

2.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述漏极延伸部比所述漏极的厚度薄100-2000A。

3.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述漏极延伸部、漏极和源极通过一道光罩形成。

4.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底；

扫描线，设置在所述衬底上；

栅极，设置在所述衬底上，与所述扫描线通过一道制程形成；

栅极绝缘层，设置在所述扫描线和栅极上方；

半导体层，设置在所述栅极绝缘层上；

源极、漏极，设置在所述半导体层上，所述漏极的厚度大于所述扫描线的厚度；

漏极延伸部，设置在所述栅极绝缘层上；以及

钝化层，设置在所述源极、漏极、漏极延伸部和扫描线的上方；

其中，所述钝化层上设有过孔，所述过孔贯穿所述钝化层漏出所述漏极延伸部；

所述阵列基板对应所述第一重叠区设有依次堆叠的衬底、栅极绝缘层、漏极延伸部和钝化层，所述阵列基板对应所述第二重叠区设有依次堆叠的衬底、扫描线、栅极绝缘层和钝化层；

所述钝化层对应所述第一重叠区处的高度，与对应所述第二重叠区处的高度相等。

5.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述漏极延伸部对应所述第一重叠区处的厚度，与所述扫描线对应所述第二重叠区处的厚度相等。

6.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述扫描线的厚度均匀，所述漏极延伸部的厚度均匀。

7.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述漏极延伸部的厚度与所述漏极的厚度相等；所述钝化层对应所述第一重叠区处的厚度，小于所述钝化层与对应所述第二重叠区处的厚度；所述漏极延伸部的厚度与所述扫描线的厚度之差，与所述钝化层对应第一重叠区处和第二重叠区处的厚度之差相等。

8.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述钝化层对应所述第一重叠区处的厚度，小于所述钝化层与对应所述第二重叠区处的厚度；所述漏极延伸部对应所述第一重叠区处的厚度，小于所述扫描线对应所述第二重叠区的厚度；

所述钝化层对应所述第一重叠区的厚度与所述漏极延伸部对应所述第一重叠区的厚度之和，等于所述钝化层对应所述第二重叠区的厚度与所述扫描线对应所述第二重叠区的厚度之和。

9.一种如权利要求1至8任意一项显示面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

形成衬底；

在所述衬底上形成栅极与扫描线；

在所述栅极和扫描线上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

利用一道光罩在所述半导体层上形成源极、漏极和漏极延伸部；

在所述源极、漏极和漏极延伸部上形成钝化层；以及

在所述钝化层上蚀刻出过孔，露出所述漏极延伸部；

其中，所述漏极延伸部的厚度小于所述漏极的厚度。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的显示面板，以及用于驱动所述显示面板的驱动电路。

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