JP2014206636A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＴＦＴ部を台座として使用した液晶表示装置において、柱状スペーサの横ずれによる配向膜削れを防止する。
【解決手段】対向基板２００に形成された柱状スペーサ１５０とＴＦＴ基板１００に形成された台座によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔が規定される。台座はＴＦＴを含み、ＴＦＴにおけるドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さを４００ｎｍ〜７００ｎｍというように大きくしている。これによって、台座の高さが高くなり、台座の先端における配向膜１０８の膜厚を５μｍ以下に薄くすることが出来る。対向基板２００に形成された柱状スペーサ１５０の先端にも配向膜１０８は存在しないか極く薄くしか存在しないので、柱状スペーサ１５０の横ずれが生じても台座上の配向膜を削ることは無い。
【選択図】図３

Description

本発明は，液晶表示装置に係り，特に配向膜の削れ屑に起因する輝点を対策した液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置では、対向基板とＴＦＴ基板における液晶層との界面に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理あるいは光配向処理を施すことによって液晶分子を初期配向させている。そして、この初期配向からの液晶分子を電界によって捩るあるいは、回転させることによって、液晶層を透過する光の量を制御している。

一方、液晶層の厚さを制御するために、対向基板とＴＦＴ基板との間にスペーサを形成する必要がある。従来は、スペーサとしてビーズ等を液晶層内に分散していたが、近年、ＴＦＴ基板と対向基板間の、より正確なギャップ（液晶層）の制御のために、対向基板に柱状スペーサを形成し、柱状スペーサによって、ＴＦＴ基板と対向基板のギャップを制御することが行われている。

一方、柱状スペーサを用いることによって新たな問題も生ずる。例えば、「特許文献１」には、対向基板を外部から押した場合に柱状スペーサがずれる場合の摩擦力を低減し、外部からの圧力が無くなった場合に、柱状スペーサがもとの場所に容易に復帰できる構成が記載されている。「特許文献１」には、このために、ＴＦＴ基板に形成する台座として、柱状スペーサの先端の面積よりも小さな面積を有する台座を形成することが開示されている。

一方、液晶表示パネルを薄くするためのガラスを研磨する工程、偏光板貼りの工程、環境温度変化等により柱状スペーサの横ずれが生ずる。柱状スペーサが横ずれした場合に、柱状スペーサが配向膜を擦ることになり、この時、配向膜削れが発生する問題も生じている。このような配向膜削れ、あるいは、柱状スペーサについてのその他の文献として「特許文献２」〜「特許文献９」が挙げられる。

特開２００７−１６４１３４号公報 特開２００７−１７１７１５号公報 特開２００８−１７０６９０号公報 特開２００９−５８６１８号公報 特開２００９−２８２２６２号公報 特開２０１０−８６１６号公報 特開２０１０−１１７３８５号公報 特開２０１１−２２２３２号公報 特開２０１１−１７０１１９号公報

一般には柱状スペーサは対向基板に設けられる。一方、ＴＦＴ基板には、柱状スペーサと対向する部分に台座が設けられる。台座としては、一般には、ＴＦＴ基板側に形成された突起状のものを言うが、画面が高精細になってくるにしたがって、突起状のものを配置するスペースを取りにくくなっている。

走査線と映像信号線で囲まれた画素のコーナー部にＴＦＴが形成される。ＴＦＴは、ゲート電極、半導体層、ドレイン電極、ソース電極等が積層されているので、ＴＦＴが形成された部分は突起状となっている。高精細画面においては、このＴＦＴ部分の突起を台座として使用する場合がある。

図７は、ＴＦＴ部を柱状スペーサの台座として使用した場合の従来例を示す断面図である。図７において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００にゲート電極１０１が形成され、ゲート電極１０１を覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上でゲート電極１０１に対応する部分に半導体層１０３が形成されている。図７に示すようなボトムゲートのＴＦＴでは、半導体層１０３はａ−Ｓｉで形成される場合が多い。半導体層１０３の上部の両側にドレイン電極１０４とソース電極１０５が形成されている。ドレイン電極１０４とソース電極１０５の間がチャンネル部となっている。

ドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さｔ２は２００ｎｍ〜３００ｎｍである。ドレイン電極１０４とソース電極１０５は映像信号線と同層で同時に形成されるので、ドレイン電極１０４とソース電極１０５を厚くすると、表面の凹凸が大きくなり、配向膜１０８のラビングむら等が発生するので、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さは、電気抵抗値から許容出来る膜厚の範囲に抑えられていた。

ドレイン電極１０４とソース電極１０５を含むＴＦＴを覆ってＳｉＮ等による無機パッシベーション膜１０６が形成される。無機パッシベーション膜１０６の上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）による画素電極１０７が形成される。画素電極１０７は、ＴＦＴが形成されていない画素領域に形成されるが、ＴＦＴを台座として使用する場合は、画素電極１０７を構成するＩＴＯと同時に形成したＩＴＯ１０７を台座の一部として使用する。台座の高さを大きくすることが出来るからである。なお、ＩＰＳ（Ｉｎ ｐｌａｅｎ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）では、画素電極１０７だけでなく、ＩＴＯで形成された対向電極もＴＦＴ基板１００側に形成されるので、対向電極と同時に形成されるＩＴＯを台座に使用してもよい。

その後、画素電極１０７を覆って配向膜１０８が塗布される。図７に示す従来例において、台座として使用されるＴＦＴ部の高さの程度では、台座の上側にも配向膜１０８は他の平面部分とあまり変わらない厚さで存在している。

図７に示す台座に対向基板２００の柱状スペーサ１５０が接触してＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定する。図７のように、配向膜１０８が厚く形成されている台座の上に対向基板２００側に形成された柱状スペーサ１５０が接触していると、柱状スペーサ１５０が横ずれした場合に、柱状スペーサ１５０が配向膜を擦ることになり、配向膜削れが発生する。柱状スペーサ１５０が横ずれをする場合としては、液晶表示装置が温度サイクルを受け、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とが異なる割合で伸縮したり、対向基板２００に、外部から主面と平行方向に力が加わったような場合、例えば、対向基板２００を指で擦る摺動によって液晶表示装置を操作するような場合である。

本発明は、ＴＦＴ部を台座として使用した場合に、台座の上に形成された配向膜１０８が柱状スペーサ１５０によって削れて削り屑が発生し、これが、輝点不良を発生させる現象を防止することである。

本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。

（１）ＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置したＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隔が前記対向基板に形成された柱状スペーサによって規定されている液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記ＴＦＴを含む部分が前記柱状スペーサに対する台座として使用され、前記ＴＦＴのドレイン電極およびソース電極の厚さは４００ｎｍ〜７００ｎｍであり、前記台座の上に形成された配向膜の厚さは５ｎｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。

（２）ＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置したＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記対向基板は第１の柱状スペーサと第２の柱状スペーサを有し、前記第１の柱状スペーサの高さは前記第２の柱状スペーサの高さよりも高く、前記第１の柱状スペーサの先端の径は前記第２の柱状スペーサの先端の径よりも小さく、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隔は前記対向基板に形成された第１の柱状スペーサによって規定され、前記ＴＦＴ基板の前記ＴＦＴを含む部分が前記第１の柱状スペーサと前記第２の柱状スペーサに対する台座として使用され、前記ＴＦＴのドレイン電極およびソース電極の厚さは４００ｎｍ〜７００ｎｍであり、前記台座の上に形成された配向膜の厚さは５ｎｍ以下であり、前記第１の柱状スペーサを中心にして前記第２の柱状スペーサが上下、左右、および斜め方向に配置され、前記第２の柱状スペーサの中心は、前記台座に対して、前記第１の柱状スペーサを中心としてみた場合、外側にシフトしていることを特徴とする液晶表示装置。

本発明によれば、ＴＦＴのドレイン電極とソース電極の厚さを大きくすることによって、ＴＦＴを利用した台座の高さを大きくすることが出来、台座上の配向膜を非常に薄くできるか、あるいは、配向膜を無くすることが出来るので、台座部分から発生する配向膜の削り屑の発生を防止でき、これに起因する輝点の発生を防止することが出来る。

また、本発明によれば、通常ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定するためのメイン柱状スペーサと、メイン柱状スペーサが横ずれを生じた場合にＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定するサブ柱状スペーサを使用しているので、外部から液晶表示パネルに力が加わり、メイン柱状スペーサが落下した場合のギャップむら等を防止することが出来る。

また、サブ柱状スペーサを台座の中心から左右、上下、斜め方向にメイン柱状スペーサの上底径の１／２以下の範囲内で、メイン柱状スペーサを中心として外側にシフトさせるので、メイン柱状スペーサがあらゆる方向に位置ずれした場合にもギャップムラの発生を抑えることが出来る。

本発明における、液晶表示装置の平面図である。 本発明における台座の断面図である。 本発明におけるＴＦＴ基板と対向基板が合わさった状態を示す断面図である。 柱状スペーサの接触面積比率を説明する平面模式図である。 本発明によるメイン柱状スペーサおよびサブ柱状スペーサとＴＦＴ基板の関係を示す断面図である。 本発明によるメイン柱状スペーサとサブ柱状スペーサの配置を示す平面図である。 従来例による台座の断面図である。

以下の実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。

図１は本発明による液晶表示装置の画素部を示す平面図である。図１において、走査線１０が横方向に延在し、第１のピッチで縦方向に配列している。また、映像信号線２０が縦方向に延在し、第２のピッチで横方向に配列している。走査線１０と映像信号線２０とで囲まれた領域が画素領域になっている。画素領域の大部分は画素電極１０７が占めている。

図１において、画素領域の左下にＴＦＴが形成されている。図１は平面図なので、ＴＦＴの一部のみ現れている。すなわち、コーナー部に半導体層１０３が形成され、半導体層１０３の上にドレイン電極１０４とソース電極１０５が形成されている。ドレイン電極１０４は映像信号線２０から分岐したものである。ドレイン電極１０４と対向してソース電極１０５が形成され、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の間がチャンネル部となっている。

ソース電極１０５は画素電極１０７とオーバーラップし、ソース電極接続部１０５１において画素電極１０７と接続している。図１では、画素電極１０７とソース電極１０５とが同じ層に形成されている場合であるが、画素電極１０７とソース電極１０５とが別層の場合は、スルーホールを介して画素電極１０７とソース電極１０５が接続される。

図１において、半導体層１０３の上に点線で示した丸は、対向基板２００に形成された柱状スペーサ１５０がドレイン電極１０４とソース電極１０５の上に接触している状態を示している。図１では、各画素のＴＦＴの上に柱状スペーサ１５０が形成されている。

図２は、図１のＴＦＴ部の断面図である。ＴＦＴの基本的な構造は図７で説明したのと同様である。図２が従来例である図７と大きく異なるところは、半導体層１０３の上に配置しているドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さである。図２において、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さｔ１は、４００ｎｍ〜７００ｎｍ、より好ましくは５００ｎｍ〜７００ｎｍである。ここで、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さが４００ｎｍより薄いと、台座の上部における配向膜１０８を薄くする効果が十分でなくなり、７００ｎｍを超えると、映像信号線２０等が厚くなりすぎることによる、台座以外の部分における配向膜１０８の凹凸の影響が大きくなりすぎるからである。

図２におけるドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さｔ１は、従来例を示す図７におけるドレイン電極１０４とソース電極１０５の厚さｔ２（２００ｎｍ〜３００ｎｍ）に対して大幅に厚くなっている。図２において、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の上に無機パッシベーション膜１０６とＩＴＯ１０７が形成されているが、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の膜厚が大きいために、ＩＴＯ１０７の表面も急峻な凸形状となっている。

このように、ＩＴＯ１０７の表面が急峻な凹凸形状となっているために、当初液体状である配向膜材料を塗布すると、レべリング効果によってドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５の上で凸部が形成されている部分には、配向膜１０８は存在しなくなる。あるいは、存在しても５ｎｍ以下の薄い層となる。
配向膜１０８が５ｎｍ以下の薄い層であれば、配向膜１０８とＩＴＯ１０７の接着強度は強く、接触した柱状スペーサ１５０が横ずれしても配向膜１０８は剥離しにくい。また、配向膜１０８が５ｎｍ以下の薄い層であれば、仮に、柱状スペーサ１５０の横ずれによって配向膜１０８が削れたとしても、輝点を生じさせるような異物にはならない。

ちなみに、液体状の配向膜材料は、図２における、ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５の外側あるいは、ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５の谷間に、図２の矢印で示すように流れ落ちることになる。したがって、ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５の外側あるいは、ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５の谷間を台座の根元とすると、台座の根元の部分は平坦な部分の配向膜の厚さよりも若干厚くなる。例えば、平坦な部分の配向膜１０８の厚さを１００ｎｍとすると、台座の根元の部分の配向膜１０８の厚さは１５０ｎｍ程度となる。

図２において、ドレイン電極１０４とソース電極１０５は半導体層１０３の上に形成されている。半導体層１０３は、ａ−Ｓｉと、ａ−Ｓｉとドレイン電極１０４およびソース電極１０５の間に形成された、オーミックコンタクトを取るとるためのｎ＋層の合計をいう。一般には、ａ−Ｓｉ層は１５０ｎｍ程度、ｎ＋層は５０ｎｍ程度である。したがって、図２に示すドレイン電極１０４およびソース電極１０５の厚さｔ１は、ｎ＋層の上からドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５の上までの距離である。図７におけるドレイン電極１０４およびソース電極１０５の厚さｔ２も同様である。

図３は、このようにしてＴＦＴ基板１００側に形成されたＴＦＴ部による台座に、対向基板２００側に形成された柱状スペーサ１５０を当接させた状態を示す断面図である。図３において、ＴＦＴ基板１００側のＴＦＴによる台座の構成は図２で説明したとおりである。図３において、対向基板２００側に形成された柱状スペーサ１５０がＴＦＴ基板１００側の台座に接触してＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定している。

対向基板２００には、ブラックマトリクス２０１が形成され、その上にオーバーコート膜２０２が形成され、オーバーコート膜２０２の上に柱状スペーサ１５０が形成されている。図３において対向基板２００には、ＴＦＴ基板１００のＴＦＴ部分に対応しているのでブラックマトリクス２０１が形成されているが、ＴＦＴ基板１００の画素電極１０７に対応する部分にはカラーフィルタが形成されている。

対向基板２００側にも配向膜１０８が形成されるが、柱状スペーサ１５０は約３μｍ程度と、高さが高いので、塗布された液体状の配向膜１０８は、レべリング効果によって柱状スペーサ１５０の先端（円錐台の上底部）には存在しないか、存在しても、極めて薄くしか存在しない。したがって、柱状スペーサ１５０とＴＦＴ部による台座の接触部には、配向膜１０８は存在しないか、存在しても極わずかな膜厚なので、柱状スペーサ１５０に横ずれが生じたとしても、配向膜１０８の削り屑が発生することは無い。

以上説明したように、ＴＦＴ部を台座として用い、ドレイン電極１０４およびソース電極１０５の厚さを大きくすることによって、配向膜削れを防止することができる。しかし、ＴＦＴ部の段差拡大の影響として、段差が大きい分、環境温度変化による反りなどが原因で起こるＴＦＴ基板１００と対向基板２００のズレにより、台座から柱状スペーサが落下する恐れが生ずる。この場合、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間のギャップムラが発生する
柱状スペーサ１５０が落下することによるギャップムラに対しては、メイン柱状スペーサ１６０の周辺にメイン柱状スペーサ１６０よりも高さが低いサブ柱状スペーサ１７０を配置することによって対策することが出来る。図５はメイン柱状スペーサ１６０とサブ柱状スペーサ１７０を並置して比較した図である。図５（ａ）はメイン柱状スペーサ１６０に対応する部分の断面図であり、図５（ｂ）はサブ柱状スペーサ１７０に対応する部分の断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）において、ＴＦＴ基板１００側に形成された台座は図２で説明したのと同様である。また、対向基板２００側のブラックマトリクス、オーバーコート膜、配向膜等は省略されている。

図５（ａ）のメイン柱状スペーサ１６０と図５（ｂ）のサブ柱状スペーサ１７０を比較すると、メイン柱状スペーサ１６０の高さｈ１はサブ柱状スペーサ１７０の高さｈ２よりも大きく、メイン柱状スペーサ１６０の径φ１はサブ柱状スペーサ１７０の径φ２よりも小さい。したがって、メイン柱状スペーサ１６０はサブ柱状スペーサ１７０に比べて柔らかく、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を貼り合わせた際、ギャップ出しが容易な構成となっている。

ここで、メイン柱状スペーサ１６０の径φ１は、メイン柱状スペーサ１６０の断面を台形とした場合の上底径であり、サブ柱状スペーサ１７０の径φ２は、サブ柱状スペーサ１７０の断面を台形とした場合の上底径である。メイン柱状スペーサ１６０の高さは、例えば３μｍであり、メイン柱状スペーサ１６０の高さとサブ柱状スペーサ１７０の高さの差は、例えば、０．４〜０．６μｍである。メイン柱状スペーサ１６０の上底径φ１は例えば、７μｍ、サブ柱状スペーサ１７０の上底径φ２は例えば、１０μｍである。

一方、通常はＴＦＴ基板１００側と接触していないサブ柱状スペーサ１７０は、高さが低く、径が大きいので、つぶれにくく、メイン柱状スペーサ１６０が台座から落下した場合に、サブ柱状スペーサ１７０によって確実にＴＦＴ基板１００と対向基板２００のギャップを保持することが出来る。したがって、ギャップムラの発生を防止することが出来る。

ところで、対向基板２００等に外力が加わった場合など、メイン柱状スペーサ１６０がどの方向に落下するかは予想することが出来ない。したがって、どの方向にメイン柱状スペーサ１６０が落下しても、ギャップムラを生じないような構成とする必要がある。図６は、対向基板２００等にどの方向から力が加わってもサブ柱状スペーサ１７０によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００のギャップを維持することが出来る構成を示す平面図である。

図６において、（１，１）〜（３，３）までの９個の画素が配置している。図６の画素（２，２）にはメイン柱状スペーサ１６０が配置している。他の８個の画素には全てサブ柱状スペーサ１７０が配置している。各画素の左下に台座となるＴＦＴ部が存在している。ＴＦＴにはドレイン電極１０４とソース電極１０５が記載されている。

図６において、メイン柱状スペーサ１６０が配置されている画素（２，２）を中心とすると、周囲におけるサブ柱状スペーサ１７０は、全て台座に対して外側に配置している。図６に示す矢印はメイン柱状スペーサ１６０を中心とした場合、サブ柱状スペーサ１７０が対応する台座の中心からずれている方向を示している。

例えば、画素（１，１）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して左上側にシフトしており、画素（１，３）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して右上側にシフトしており、画素（３，１）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して左下側にシフトしており、画素（３，３）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して右下側にシフトしている。

また、画素（１，２）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して上側にシフトしており、画素（２，１）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して左側にシフトしており、画素（２，３）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して右側にシフトしており、画素（３，２）においては、サブ柱状スペーサ１７０は台座に対して下側にシフトしている。

各サブ柱状スペーサ１７０の台座の中心に対するシフト量は、メインスペーサ１６０の先端の径をφ１とした場合、φ１／２以下である、シフト量が大きすぎるとサブ柱状スペーサ１７０が台座から落下する可能性が生ずるからである。

サブ柱状スペーサ１７０を台座に対して図６のように配置することによって、対向基板２００とＴＦＴ基板１００との間で、主面方向にどのようなずれ生じても、いずれかのサブ柱状スペーサ１７０がＴＦＴ基板１００と対向基板２００とのギャップを維持することが出来る。したがって、メイン柱状スペーサ１６０の落下によるギャップムラを確実に防止することが出来る。

また、柱状スペーサ１５０の接触面積率が高い場合には台座との摩擦によるムラが特に起こりやすい。したがって、高さの低いサブ柱状スペーサ１７０が平常時に接触しないことにより接触面積率は低くなり摩擦によるムラは低減する効果もある。接触面積率とは、図４に示すように、表示領域の面積Ａに対する、個々の柱状スペーサがＴＦＴ基板の台座に接触する面積の合計の比である。すなわち、図４における表示領域３０の面積をＡとし、個々の柱状スペーサの接触部４０の面積をＳとし、ＴＦＴ基板１００と接触している柱状スペーサ１５０の数をｎとした場合、接触面積率は、ｎＳ／Ａで表すことが出来る。

本発明は、いわゆる有機パッシベーション膜が存在しない液晶表示装置について特に効果がある。すなわち、有機パッシベーション膜は膜厚が大きいので、有機パッシベーション膜を有する品種では、有機パッシベーション膜を加工することによって、柱状スペーサに対する、比較的高さの大きい台座を形成することが出来る。これに対し、有機パッシベーション膜の存在しない品種では、台座表面の配向膜をレべリング効果によって除去する、あるいは薄くするような高い台座を形成することは難しいからである。

本発明では、ドレイン電極１０４とソース電極１０５の膜厚を大きくしているので、同時に形成される映像信号線２０の膜厚も大きくなっている。したがって、最上層の配向膜１０８の凹凸も従来に比べて大きくなる。この場合、配向膜１０８をラビングによって配向処理すると、配向膜１０８の凹凸の影響によってラビングムラ等が生ずる場合がある。

配向膜１０８の配向処理として、いわゆる光配向処理がある。光配向処理を用いれば、配向膜１０８の配向処理は、配向膜１０８の凹凸の影響をラビング処理の場合ほど受けない。したがって、本発明は、光配向処理を用いた液晶表示装置において特に効果がある。

１０…走査線、 ２０…映像信号線、 ３０…表示領域、 ４０…柱状スペーサ接触部、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０２…ゲート絶縁膜、 １０３…半導体層、 １０４…ドレイン電極、 １０５…ソース電極、 １０６…無機パッシベーション膜、 １０７…画素電極、 １０８…配向膜、 １５０…柱状スペーサ、 １６０…メイン柱状スペーサ、 １７０…サブ柱状スペーサ、 ２００…対向基板、 ２０１…ブラックマトリクス、 ２０２…オーバーコート膜、 １０５１…ソース電極接続部

Claims (5)

1. ＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置したＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隔が前記対向基板に形成された柱状スペーサによって規定されている液晶表示装置であって、
   前記ＴＦＴ基板の前記ＴＦＴを含む部分が前記柱状スペーサに対する台座として使用され、
   前記ＴＦＴのドレイン電極およびソース電極の厚さは４００ｎｍ〜７００ｎｍであり、
   前記台座の上に形成された配向膜の厚さは５ｎｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記ＴＦＴのドレイン電極およびソース電極の厚さは５００ｎｍ〜７００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. ＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置したＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
   前記対向基板は第１の柱状スペーサと第２の柱状スペーサを有し、前記第１の柱状スペーサの高さは前記第２の柱状スペーサの高さよりも高く、
   前記第１の柱状スペーサの先端の径は前記第２の柱状スペーサの先端の径よりも小さく、
   前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間隔は前記対向基板に形成された第１の柱状スペーサによって規定され、
   前記ＴＦＴ基板の前記ＴＦＴを含む部分が前記第１の柱状スペーサと前記第２の柱状スペーサに対する台座として使用され、
   前記ＴＦＴのドレイン電極およびソース電極の厚さは４００ｎｍ〜７００ｎｍであり、
   前記台座の上に形成された配向膜の厚さは５ｎｍ以下であり、
   前記第１の柱状スペーサを中心にして前記第２の柱状スペーサが上下、左右、および斜め方向に配置され、
   前記第２の柱状スペーサの中心は、前記台座に対して、前記第１の柱状スペーサを中心としてみた場合、外側にシフトしていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 前記第２の柱状スペーサの中心は、前記台座に対して、前記第１の柱状スペーサを中心としてみた場合、前記第１の柱状スペーサの先端の径の１／２以下の量外側にシフトしていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記ＴＦＴのドレイン電極およびソース電極の厚さは５００ｎｍ〜７００ｎｍであることを特徴とする請求項３または４に記載の液晶表示装置。

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