CN112582446A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括:数据线;第一电压线,与数据线平行地延伸;扫描线,在与数据线垂直的方向上延伸;第二电压线,与扫描线平行地延伸;以及线,与数据线或扫描线平行地延伸,并且包括在与线的延伸方向垂直的方向上突出的段。线的与扫描线平行的一部分与第二电压线重叠。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年9月27日提交至韩国知识产权局的第10-2019-0119611号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着用于视觉地表述各种信息的显示器的领域的快速发展,已经引入了具有诸如纤薄、重量轻和功耗低的优异特性的各种显示器。近年来,在显示器中,减少了死区,并且增加了由显示区域占据的面积。
应理解,本背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而,本背景技术部分还可以包括在本文中公开的主题的对应有效提交日期之前,不是相关领域的技术人员所已知或领会的一部分的构思、概念或认识。
发明内容
一个或多个实施例包括一种显示装置,在该显示装置中,死区或死空间可以被减少,并且显示区域中的图案识别可以被防止。
附加的方面将在下面的描述中部分地被阐述,并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过实践本公开的实施例而习得。
根据一个或多个实施例,一种显示装置可以包括:基板,包括显示区域以及在显示区域的外部的外围区域,在该显示区域中设置有显示元件;数据线,被设置在基板的显示区域中;第一电压线,与数据线平行地延伸;扫描线,在与数据线垂直的方向上延伸;第二电压线,与扫描线平行地延伸;以及线,被设置在基板的显示区域中,并且与数据线或扫描线平行地延伸,其中,第二电压线被设置在扫描线和线之间的层上,并且线的与扫描线平行的一部分与第二电压线重叠。
线可以包括在与线的延伸方向垂直的方向上突出的段,并且线的段可以是分支。
第二电压线的宽度可以大于线的宽度。
第二电压线可以与扫描线隔开。
第一电压线可以被设置在扫描线与线之间的层上,并且包括在扫描线的延伸方向上突出且与扫描线重叠的突起。
第一电压线和第二电压线可以被设置在不同的层上。
显示装置可以进一步包括:第一晶体管,包括第一半导体层和第一栅电极;第二晶体管,包括第二半导体层和第二栅电极,第二半导体层的一端电连接到第一晶体管的第一栅电极;节点电极,电连接到第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二半导体层的一端;以及电极图案,电连接到第一电压线并且与节点电极重叠,电极图案和线被设置在同一层上。
显示装置可以进一步包括:被设置在线上方的感测电极,其中感测电极可以包括网格线,并且网格线可以与线的段的端部分重叠。
根据一个或多个实施例,一种显示装置可以包括:基板,包括显示区域以及在显示区域的外部的外围区域,在该显示区域中设置有显示元件;第一数据线,被设置在基板的显示区域中;第一电压线,与第一数据线平行地延伸;扫描线,在与第一数据线垂直的方向上延伸;第二电压线,与扫描线平行地延伸;以及线,被设置在基板的显示区域中,与第一数据线平行地延伸,并且包括在与第一数据线垂直的方向上突出且与第二电压线重叠的段,其中第二电压线被设置在扫描线与线之间的层上。
线的段可以是分支。
第二电压线的宽度可以大于线的宽度。
第二电压线可以与扫描线隔开。
第一电压线可以被设置在扫描线与线之间的层上,并且包括在扫描线的延伸方向上突出且与扫描线重叠的突起。
第一电压线和第二电压线可以被设置在不同的层上。
显示装置可以进一步包括:被设置在线上方的感测电极,其中感测电极可以包括网格线,并且网格线可以与线的段的端部分重叠。
显示装置可以进一步包括:与第一数据线隔开的第二数据线,其中线可以电连接到第一数据线或第二数据线。
根据一个或多个实施例,一种显示装置可以包括:基板,包括显示区域以及在显示区域的外部的外围区域,在该显示区域中设置有显示元件;数据线,被设置在基板的显示区域中;第一电压线,与数据线平行地延伸;扫描线,在与数据线垂直的方向上延伸;第二电压线,与扫描线平行地延伸;以及线,被设置在基板的显示区域中,与扫描线平行地延伸,与第二电压线重叠,并且包括在与数据线平行的方向上突出的段,其中第二电压线被设置在扫描线与线之间的层上。
线的段可以是分支。
第二电压线的宽度可以大于线的宽度。
第二电压线可以与扫描线隔开。
第一电压线可以被设置在扫描线与线之间的层上,并且包括在扫描线的延伸方向上突出且与扫描线重叠的突起。
第一电压线和第二电压线可以被设置在不同的层上。
显示装置可以进一步包括:被设置在线上方的感测电极,其中感测电极可以包括网格线,并且网格线可以与线的段的端部分重叠。
附图说明
根据下面结合附图的描述,本公开的实施例的以上和其他方面、特征和优点将更显而易见,在附图中:
图1是示意性地图示根据实施例的显示面板的示例的平面图;
图2是示意性地图示图1的部分A的概念图;
图3是图2的部分A’的局部放大的平面图;
图4是图示根据实施例的布置或设置在显示面板中的像素的等效电路图;
图5至图7是示意性地图示根据实施例的第一线的示例的平面图;
图8是示意性地图示根据实施例的电极和线的布局图;
图9是沿着图8的线I-I’截取的显示面板的示意性截面图;
图10A至图10E是示意性地图示基于层的图8的元件的布局图;
图11是示意性地图示像素电极和屏蔽构件的平面图;
图12是根据实施例的显示装置的示意性截面图;
图13和图14分别是示意性地图示根据实施例的显示面板上的输入感测层的示意性截面图和平面图;
图15A至图15D是基于层的输入感测层的平面图;
图15E是图示屏蔽构件和输入感测层的布局的平面图;以及
图16至图19是图示根据实施例的第一线、第二线和感测电极的布局的平面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例,实施例的示例在附图中被图示,在附图中,相同的附图标记始终指相同的元件。应理解,实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此,以下仅通过参考附图来描述实施例,以解释说明书的方面。如本文中使用的,术语“和/或”包括相关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。在整个公开中,表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
将理解,尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以被使用以描述各种元件。然而,这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。
如本文中使用的,除非上下文明确另外指示,否则单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式。
将进一步理解,本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或元件的存在,但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
将理解,当层、区或元件被称为“形成在”另一层、区或元件“上”时,该层、区或元件可以直接或间接地形成在另一层、区或元件上。也就是说,例如,可以存在中间层、区或元件。
为了便于说明,附图中的元件的尺寸可以被夸大。换句话说,由于为了便于说明而任意地图示了附图中的元件的尺寸和厚度,因此下面的实施例不限于此。
在本说明书中,表述“A和/或B”指示仅A、仅B或A和B两者。在整个公开中,表述“A和B中的至少一个”指示仅A,仅B或A和B两者。
在下面的实施例中,如本文中使用的表述“线在“第一方向”或“第二方向”上延伸”不仅可以包括线以基本上线性的形状延伸的情况,而且可以包括线沿着第一方向或第二方向以基本上之字形或基本上弧形的形状延伸的情况。
在下面的实施例中,如本文中使用的表述“当在平面图中观看时”可以指示从上方观看物体的情况,并且如本文中使用的表述“当在示意性截面图中观看时”可以指示从侧面观看通过垂直切割物体而获得的截面部分的情况。在下面的实施例中,术语“重叠”可以包括“当在平面图中观看时”和“当在示意性截面图中观看时”的重叠。
另外,术语“重叠”或“重叠的”是指第一物体可以在第二物体的上方或下方或一侧,反之亦然。另外,术语“重叠”可以包括层、堆叠、面向或面对、在...之上延伸、覆盖或部分覆盖或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。术语“面向”和“面对”是指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下,第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对,尽管仍然彼此面对。当元件被描述为与另一元件“不重叠”时,这可以包括元件彼此隔开、彼此偏移、或彼此分开或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
为了便于描述,在本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”或“上”等来描述如附图中图示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解,除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语旨在还涵盖设备在使用或操作中的不同方位。例如,在附图中图示的设备被翻转的情况下,被安置在另一设备“下方”或“下面”的设备可以被放置在另一设备“上方”。因此,说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。设备也可以在其他方向上被定位,并且因此空间相对术语可以根据方位被不同的解释。
在整个说明书中,当元件被称为“连接”到另一元件时,该元件可以“直接连接”到另一元件,或者“间接连接”到另一元件而在该元件和另一元件之间置入一个或多个中间元件。将进一步理解,当术语“包括”和/或“包含”在本说明书中被使用时,它们或它可以指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但是不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其任何组合的存在或添加。
除非另外限定,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常所理解的含义相同含义。将进一步理解,诸如那些在常用词典中限定的术语应被解释为具有与它们在相关技术的背景中的含义一致的含义,并且将不以理想地或过于正式的意义被解释,除非在本说明书中明确限定。
在下文中,将参考附图详细描述本公开的实施例。当参考附图描述本公开的实施例时,相同的附图标记被分配给相同或相对应的部件。
图1是示意性地图示根据实施例的显示面板10的示例的平面图。图2是示意性地图示图1的部分A的概念图,并且图3是图2的部分A’的局部放大的平面图。
参考图1,根据实施例的显示装置可以包括包含基板100的显示面板10。显示面板10可以具有显示区域DA和外围区域PA,该外围区域PA可以排布、布置或设置在显示区域DA的外部。基板100可以具有分别与显示面板10的显示区域DA和外围区域PA相对应的显示区域DA和外围区域PA。
显示区域DA的边缘在整体上可以具有基本上类似于矩形或正方形的形状。如图1和图2中图示的,在显示区域DA的边缘处的第一拐角CN1可以具有基本上圆形的形状。例如,显示区域DA可以包括彼此面对的第一边缘E1和第二边缘E2以及排布、布置或设置在第一边缘E1与第二边缘E2之间并且彼此面对的第三边缘E3和第四边缘E4。焊盘区域PADA可以与第一边缘E1至第四边缘E4当中的第四边缘E4邻近。例如,具有基本上圆形的形状的第一拐角CN1可以将第一边缘E1连接到第四边缘E4。除了第一拐角CN1之外,在显示区域DA的边缘处的第二拐角CN2可以具有基本上圆形的形状。第二拐角CN2可以将第二边缘E2连接到第四边缘E4。显示区域DA还可以在边缘的除了拐角之外的部分中具有基本上圆形的形状。
外围区域PA可以围绕显示区域DA。外围区域PA可以是没有像素PX排布、布置或设置在其中的区域。外围区域PA可以包括焊盘区域PADA,各种电子元件或印刷电路板等可以电附接到该焊盘区域PADA。供给用于驱动显示元件的电力的电压线等可以排布或布置或设置在外围区域PA中。焊盘区域PADA可以包括焊盘。焊盘可以电连接到数据驱动器。在实施例中,可以供给数据信号的数据驱动器可以以膜上芯片(COF)的方式排布、布置或设置在膜上,该膜可以电连接到焊盘区域PADA的焊盘。在一个或多个实施例中,数据驱动器可以以玻璃上芯片(COG)或塑料上芯片(COP)的方式直接排布、布置或设置在基板100上。
图1是图示在制造显示装置的过程期间基板100的示例的平面图。在最终显示装置或包括显示装置的诸如智能电话的电子设备中,基板100的一部分可以被弯曲以最小化被用户识别的外围区域PA的面积。
如图2中图示的,外围区域PA可以包括弯曲区域BA。弯曲区域BA可以排布、布置或设置在焊盘区域PADA与显示区域DA之间。基板100可以在弯曲区域BA中被弯曲,使得焊盘区域PADA的至少一部分可以排布、布置或设置成与显示区域DA重叠。弯曲方向可以被设定,使得焊盘区域PADA可以不覆盖显示区域DA,并且焊盘区域PADA可以排布、布置或设置在显示区域DA的后面。因此,用户可以识别出显示区域DA占据显示装置的大部分。
图3图示第一拐角CN1的一部分。当用户在一般使用环境中观察时,根据实施例的显示装置或包括该显示装置的电子设备可以被识别为具有基本上圆形的形状,例如,基本上弧形的形状。然而,如图3中图示的,在通过放大第一拐角CN1观察到具有几微米或几十微米的宽度的线的环境中,看起来第一拐角CN1具有在第一方向D1和第二方向D2上弯曲多次的基本上线性的形状。如图3中图示的,即使当第一拐角CN1可以被放大并且看起来第一拐角CN1具有弯曲多次的基本上线性的形状时,在一般使用环境中第一拐角CN1也可以被识别为具有基本上圆形的形状,例如基本上弧形的形状。因此,当第一拐角CN1和第二拐角CN2具有基本上圆形的形状时,不仅可以包括在其中第一拐角CN1和第二拐角CN2具有基本上圆形的形状的情况,而且可以包括在其中第一拐角CN1和第二拐角CN2具有弯曲多次的基本上线性的形状的情况。
像素PX和可以将电信号施加到像素PX的信号线可以排布、布置或设置在显示区域DA中。
像素PX中的每个像素PX可以包括显示元件和驱动该显示元件的像素电路。例如,显示元件可以是有机发光二极管,并且像素电路可以包括晶体管和电容器。像素PX可以包括可以发射第一颜色的光的第一像素、可以发射第二颜色的光的第二像素和可以发射第三颜色的光的第三像素。例如,第一像素可以是红色像素(R),第二像素可以是绿色像素(G),并且第三像素可以是蓝色像素(B)。然而,本公开不限于此。
能够将电信号施加到像素PX的信号线可以包括扫描线SL和数据线DL等。数据线DL中的每条数据线DL可以在第一方向D1上延伸,并且扫描线SL中的每条扫描线SL可以在第二方向D2上延伸。例如,扫描线SL可以排布、布置或设置成行,并且可以将扫描信号传送到像素PX。例如,数据线DL可以排布、布置或设置成列,并且可以将数据信号传送到像素PX。像素PX中的每个像素PX可以电连接到扫描线SL当中的至少一个相对应的扫描线SL和数据线DL当中的相对应的数据线DL。然而,本公开不限于此。如图3中图示的,数据线DL可以包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。第一数据线DL1可以是电连接到要在以下描述的第一线200的数据线。第二数据线DL2可以是除了第一数据线DL1之外的数据线。
第一线200可以将从焊盘区域PADA供给的电信号传送到电连接到像素PX的信号线,并且可以排布、布置或设置在显示区域DA中。例如,第一线200可以电连接到第一数据线DL1,并且可以将从焊盘区域PADA的焊盘供给的数据信号传送到第一数据线DL1。第一线200中的每条第一线200可以排布、布置或设置在与像素PX的扫描线SL和数据线DL的层不同的层。
排布、布置或设置在虚拟中心线VCL的左侧的第一线200和排布、布置或设置在虚拟中心线VCL的右侧的第一线200可以相对于虚拟中心线VCL基本上左右对称,该虚拟中心线VCL穿过显示面板10在第二方向D2上的基本上的中心。
第一线200中的每条第一线200可以包括在第一方向D1上延伸的第一部分200a和第三部分200c以及在第二方向D2上延伸的第二部分200b。第二部分200b可以将第一部分200a连接到第三部分200c。第一部分200a、第二部分200b和第三部分200c可以一体地形成。第一部分200a可以排布、布置或设置在虚拟中心线VCL周围,并且第三部分200c可以排布、布置或设置在第一拐角CN1和第二拐角CN2处。第一部分200a可以从面对焊盘区域PADA的第四边缘E4远离焊盘区域PADA,并且在第一方向D1上延伸。第二部分200b可以在第一部分200a处弯曲以面对第一边缘E1或第二边缘E2,并且在第二方向D2上延伸。第三部分200c可以在第二部分200b处弯曲以面对第四边缘E4,并且在第一方向D1上延伸。然而,本公开不限于此。
根据第一线200的布置的存在或缺失,显示区域DA可以被划分为区域。例如,显示区域DA可以包括第一线200可以排布、布置或设置在其中的第一区域S1以及除第一区域S1之外的第二区域S2。第二区域S2可以是第一线200可以不排布、布置或设置在其中的区域。
第一区域S1可以沿着第一线200的延伸方向被划分成子区域。例如,第一区域S1可以包括第一线200的第一部分200a可以排布、布置或设置在其中的第一子区域SS1、第一线200的第二部分200b可以排布、布置或设置在其中的第二子区域SS2以及第一线200的第三部分200c可以排布、布置或设置在其中的第三子区域SS3。可以排布、布置或设置在虚拟中心线VCL的右侧的第一子区域SS1、第二子区域SS2和第三子区域SS3与可以排布、布置或设置在虚拟中心线VCL的左侧的第一子区域SS1、第二子区域SS2和第三子区域SS3可以基本上对称。
参考图3,第一线200中的每条第一线200的第一部分200a可以与第二数据线DL2平行,并且可以排布、布置或设置成与第二数据线DL2部分地重叠或者可以排布、布置或设置成与第二数据线DL2邻近。第一线200中的每条第一线200的第一部分200a可以与排布、布置或设置在列中的一个列处的第二数据线DL2平行地延伸。第一线200中的每条第一线200的第二部分200b可以与扫描线SL平行,并且可以排布、布置或设置成与扫描线SL部分地重叠或者可以排布、布置或设置成与扫描线SL邻近。第一线200中的每条第一线200的第二部分200b可以与排布、布置或设置在行中的一个行处的扫描线SL平行地延伸。第一线200中的每条第一线200的第三部分200c可以与第一数据线DL1平行,并且可以排布、布置或设置成与第一数据线DL1部分地重叠,或者可以排布、布置或设置成第一数据线DL1邻近。第一线200中的每条第一线200的第三部分200c可以与排布、布置或设置在列中的一个列处的第一数据线DL1平行地延伸。应理解,如本领域普通技术人员将领会的,第一部分200a、第二部分200b和第三部分200c的布置可以是相对于数据线和扫描线的任何布置。
第一线200中的每条第一线200的第一部分200a可以排布、布置或设置在其中的列可以与第一线200中的每条第一线200的第三部分200c可以排布、布置或设置在其中的列隔开至少一个列间隔。彼此邻近的一对第一线200的第一部分200a可以彼此隔开至少一个列间隔。彼此邻近的一对第一线200的第三部分200c可以彼此隔开至少一个列间隔。彼此邻近的一对第一线200的第二部分200b可以彼此隔开至少一个行间隔。
如图3中图示的,第一连接线203和第二连接线205可以排布、布置或设置在外围区域PA中。
第一线200中的每条第一线200可以具有电连接到第一数据线DL1的一端和电连接到第一连接线203的另一端。第一连接线203可以具有电连接到第一线200的另一端的一端和电连接到焊盘区域PADA的焊盘的另一端。在实施例中,第一连接线203可以是在其中第一线200的第一部分200a朝向外围区域PA延伸的部分。在一个或多个实施例中,第一连接线203可以是排布、布置或设置在与第一线200的层不同的层上的单独的线,并且可以在外围区域PA中电连接到第一线200的第一部分200a。第一线200的第三部分200c可以在外围区域PA的接触部分CNT中电连接到第一数据线DL1。应理解,在本公开的精神和范围内一个或多个实施例是可组合的。
第二连接线205可以具有电连接到第二数据线DL2的一端和电连接到焊盘区域PADA的焊盘的另一端。在实施例中,第二连接线205可以是在其中第二数据线DL2朝向外围区域PA延伸的部分。在一个或多个实施例中,第二连接线205可以是排布、布置或设置在与第二数据线DL2的层不同的层上的单独的线,并且可以在外围区域PA中电连接到二数据线DL2。
图4是图示根据实施例的排布、布置或设置在显示面板10中的像素PX的等效电路图。
图4中图示了在其中为每个像素PX提供信号线SL1、SL2、SL3、ECL和DL、初始化电压线VIL和电源电压线PL的情况。在一个或多个实施例中,信号线SL1、SL2、SL3、ECL和DL、初始化电压线VIL和/或电源电压线PL中的至少一个可以由邻近的像素共享。
信号线可以包括:可以传送第一扫描信号GW的第一扫描线SL1、可以传送第二扫描信号GI的第二扫描线SL2、可以传送第三扫描信号GB的第三扫描线SL3、可以传送发射控制信号EM的发射控制线ECL以及可以传送数据信号DATA的数据线DL。第三扫描线SL3可以是下一行的第二扫描线SL2,并且第三扫描信号GB可以是下一行的第二扫描信号GI。然而,本公开不限于此。
电源电压线PL可以将第一电源电压ELVDD传送到第一晶体管T1,并且初始化电压线VIL可以传送用于初始化第一晶体管T1和有机发光二极管OLED的初始化电压VINT。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、发射控制线ECL和初始化电压线VIL可以在第二方向D2上延伸,并且可以在每行处彼此隔开。数据线DL和电源电压线PL可以在第一方向D1上延伸,并且可以在每列处彼此隔开。
像素PX的像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7和电容器Cst。第一晶体管T1至第七晶体管T7可以各自由薄膜晶体管实现。
第一晶体管T1可以经由第五晶体管T5电连接到电源电压线PL,并且可以经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管T1可以用作驱动晶体管,并且可以根据第二晶体管T2的开关操作来接收数据信号DATA,并且可以将驱动电流Ioled供给到有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2可以电连接到第一扫描线SL1和数据线DL,并且可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW而导通,以执行将通过数据线DL接收的数据信号DATA传送到节点N的开关操作。
第三晶体管T3可以经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第三晶体管T3可以响应于通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW而导通,以将第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4可以响应于通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号GI而导通,以将从初始化电压线VIL接收的初始化电压VINT传送到第一晶体管T1的栅电极,从而初始化第一晶体管T1的栅电压。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以响应于通过发射控制线ECL接收的发射控制信号EM而同时导通,以形成电流路径,使得驱动电流Ioled在从电源电压线PL到有机发光二极管OLED的方向上流动。
第七晶体管T7可以响应于通过第三扫描线SL3接收的第三扫描信号GB而导通,以将通过初始化电压线VIL接收的初始化电压VINT传送到有机发光二极管OLED,从而初始化有机发光二极管OLED。第七晶体管T7可以被省略。
图4图示了在其中第四晶体管T4可以电连接到第二扫描线SL2并且第七晶体管T7可以电连接到单独的第三扫描线SL3的示例。在一个或多个实施例中,第七晶体管T7可以与第四晶体管T4一起电连接到第二扫描线SL2。
电容器Cst可以电连接到电源电压线PL和第一晶体管T1的栅电极,以存储并维持与电容器Cst的两端的电压之间的差相对应的电压。因此,施加到第一晶体管T1的栅电极的电压可以被维持。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极和对电极,并且对电极可以接收第二电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以从第一晶体管T1接收驱动电流Ioled并且发射光以显示一个或多个图像。
图5至图7是示意性地图示根据实施例的第一线200的示例的平面图。图5是图1的部分B的局部放大的平面图,图6是图1的部分C的局部放大的平面图,并且图7是图1的部分D的局部放大的平面图。
图5和图6图示了排布、布置或设置在虚拟中心线VCL的右侧的第一线200的部分的示例。然而,实施例不限于此,并且这可以等同地应用于第一线200的排布、布置或设置在虚拟中心线VCL的左侧的部分。在图5至图7中,像素可以排布、布置或设置在其中的像素区域CA可以被虚线划分。图5至图7图示了排布、布置或设置在可以彼此邻近的第一列至第四列PXCj、PXCj+1、PXCj+2和PXCj+3以及可以彼此邻近的第一行PXRi和第二行PXRi+1的像素区域CA中的第一线200和第二线250。
图5图示了第一线200的排布、布置或设置在第一子区域SS1中的第一部分200a。然而,实施例不限于此,并且这可以等同地应用于第一线200的排布、布置或设置在第三子区域SS3中的第三部分200c。
参考图5,在第一子区域SS1中,第一线200的第一部分200a可以在与第一方向D1平行的方向上延伸,并且第一部分200a可以包括在第二方向D2上突出的第一分支或段211。
第一分支211可以以第一线200的第一部分200a为中心从第一部分200a突出。例如,第一分支211可以从在第一方向D1上延伸的第一线200的第一部分200a朝向沿着第二方向D2的两侧中的至少一侧突出。在第一子区域SS1中从彼此平行地排布、布置或设置的第一部分200a当中的两个邻近的第一部分200a朝向彼此突出的一对第一分支211可以排布、布置或设置在同一条线上。为了防止第一线200之间的短路,第一分支211的从两个邻近的第一部分200a朝向彼此延伸的端部分可以彼此隔开以形成间隙。在第一子区域SS1中,第一部分200a和第一分支211可以以预定的图案排布、布置或设置在像素区域CA中。
第一线200的在第三子区域SS3中的第三部分200c也可以在与第一方向D1平行的方向上延伸,并且第三部分200c可以包括在第二方向D2上突出的第一分支211。
第一部分200a可以与第二数据线DL2平行地延伸,并且第三部分200c可以与第一数据线DL1平行地延伸。第一分支211可以与扫描线SL平行地延伸。第一分支211可以与初始化电压线VIL重叠。初始化电压线VIL的宽度可以大于第一分支211的宽度。初始化电压线VIL可以具有覆盖或完全覆盖第一分支211的宽度的宽度。初始化电压线VIL可以排布、布置或设置在与扫描线SL和第一分支211的层不同的层上。例如,初始化电压线VIL可以排布、布置或设置于在扫描线SL与第一分支211之间的层上。
参考图6,在第二子区域SS2中,第一线200的第二部分200b可以在与第二方向D2平行的方向上延伸,并且第二部分200b可以包括在第一方向D1上突出的第二分支或段221。
第二分支221可以以第一线200的第二部分200b为中心从第二部分200b突出。例如,第二分支221可以从在第二方向D2上延伸的第一线200的第二部分200b朝向沿着第一方向D1的两侧中的至少一侧突出。在第二子区域SS2中从两个邻近的第二部分200b朝向彼此突出的一对第二分支221可以排布、布置或设置在同一条线上。为了防止第一线200之间的短路,第二分支221的从两个邻近的第二部分200b朝向彼此延伸的端部分可以彼此隔开以形成间隙。在第二子区域SS2中,第二部分200b和第二分支221可以以预定的图案排布、布置或设置在像素区域CA中。
第一线200的第二部分200b可以与扫描线SL平行地延伸,并且第二分支221可以与第一数据线DL1或第二数据线DL2平行地延伸。第二部分200b可以与初始化电压线VIL重叠。初始化电压线VIL的宽度可以大于第二部分200b的宽度。初始化电压线VIL可以具有覆盖或完全覆盖第二部分200b的宽度的宽度。初始化电压线VIL可以排布、布置或设置在与扫描线SL和第二部分200b的层不同的层上。例如,初始化电压线VIL可以排布、布置或设置于在扫描线SL与第二部分200b之间的层上。
第一线200可以电连接到第一数据线DL1,并且可以将数据信号从焊盘区域PADA的焊盘传递到第一数据线DL1。由于第一线200的第二部分200b可以排布、布置或设置成与扫描线SL平行,因此传送到扫描线SL的扫描信号可能使传送到第一线200的数据信号失真。由于数据信号的失真,沿着第二子区域SS2与第三子区域SS3之间的边界可能会出现对角线污点。在实施例中,第一线200可以与排布、布置或设置于在第一线200与扫描线SL之间的层上的初始化电压线VIL重叠,并且可以接收恒定电压。因此,由于初始化电压线VIL用作屏蔽线,该屏蔽线可以阻挡第一线200与扫描线SL之间的信号干扰,因此可以最小化或防止寄生电容的发生,从而最小化或防止第一线200的数据信号的失真。例如,由于初始化电压线VIL的宽度可以大于第一线200的与初始化电压线VIL重叠的部分(例如,第二部分200b或第一分支211)的宽度,因此第一线200与扫描线SL之间的间隔可以更宽,从而更有效地阻挡第一线200与扫描线SL之间的信号干扰。
参考图7,第二线250在第二区域S2中可以排布、布置或设置在与第一线200的层相同的层上。第二线250可以包括与第一线200的材料相同或相似的材料。第二线250可以与第一线200隔开,并且与第一线200电隔离。第二线250可以在第二方向D2上延伸,并且可以包括在第一方向D1上突出的第三分支或段251。第三分支251可以以第二线250为中心从第二线250突出。例如,第三分支251可以从在第二方向D2上延伸的第二线250朝向沿着第一方向D1的两侧中的至少一侧突出。在第二区域S2中从两个邻近的第二线250朝向彼此突出的一对第三分支251可以排布、布置或设置在同一条线上。为了防止第二线250之间的短路,第三分支251的从两个邻近的第二线250朝向彼此延伸的端部分可以彼此隔开以形成间隙。
第二线250可以与扫描线SL平行地延伸,并且第三分支251可以与第一数据线DL1或第二数据线DL2平行地延伸。第二线250可以与初始化电压线VIL重叠。初始化电压线VIL的宽度可以大于第二线250的宽度。初始化电压线VIL可以具有覆盖或完全覆盖第二线250的宽度的宽度。初始化电压线VIL可以排布、布置或设置在与扫描线SL和第二线250的层不同的层上。例如,初始化电压线VIL可以排布、布置或设置于在扫描线SL与第二线250之间的层上。
图示了在其中对于每个像素区域CA第一分支211的图案可以相同或相似,对于每个像素区域CA第二分支221的图案可以相同或相似并且对于每个像素区域CA第三分支251的图案可以相同或相似的示例。在一个或多个实施例中,对于每个像素区域CA,第一分支211的图案、第二分支221的图案和第三分支251的图案可以不同。例如,对于每个像素区域CA,分支或段的长度和彼此面对的分支之间的间隙位置等可以不同。
第一分支211可以是从第一线200的第一部分200a或第三部分200c突出并延伸的部分,第二分支221可以是从第一线200的第二部分200b突出并延伸的部分,并且第三分支251可以是从第二线250突出并延伸的部分。例如,由于分支可以是线的一部分,因此第一线200可以指包括第一分支211和第二分支221的第一线200,并且第二线250可以指包括第三分支251的第二线250。然而,实施例不限于此。
由于与排布、布置或设置在第一区域S1中的第一线200类似的第二线250可以排布、布置或设置在第二区域S2中,因此光的反射(或散射)特性变得相似。因此,第一区域S1和第二区域S2可以不被不同地识别。
如图5至图7中图示的,导电图案可以排布、布置或设置在与第一线200和第二线250的层相同的层上。导电图案可以包括第一图案230。第一图案230可以用作屏蔽电极,该屏蔽电极可以防止在每个像素PX中排布、布置或设置在第一图案230的下层上的电路元件与排布、布置或设置在第一图案230的上层上的像素电极之间发生信号干扰。第一图案230可以电连接到电源电压线PL(电源电压线PL可以电连接到像素PX),并且可以接收第一电源电压ELVDD。导电图案可以包括第二图案240。第二图案240可以用作桥接电极,该桥接电极可以在每个像素PX中将排布、布置或设置在第二图案240的下层上的电路元件电连接到排布、布置或设置在第二图案240的上层上的像素电极。
由于第一图案230和第二图案240可以被提供在第一区域S1和第二区域S2中,因此第一区域S1和第二区域S2可以不被不同地识别,并且可以确保图案密度,从而提供制造上的优势。
图8是示意性地图示根据实施例的电极和线的布局图。图9是沿着图8的线I-I’截取的显示面板10的示意性截面图。图10A至图10E是示意性地图示基于层的图8的元件的布局图。图11是示意性地图示像素电极PE和屏蔽构件150的平面图。
在图8的左侧图示了第一线200的第一部分200a或第三部分200c可以排布、布置或设置在其中的第一像素区域CA1,并且在图8的右侧图示了第一线200的第二部分200b或第二线250可以排布、布置或设置在其中的第二像素区域CA2。图9图示了排布、布置或设置在基板100的显示区域DA中的像素中包括的元件与连接到像素PX的线之间的堆叠关系。图9图示与图8中图示的第一晶体管T1、第六晶体管T6、电容器Cst和有机发光二极管OLED相对应的部分的示意性截面。这将在以下参考图8至图11被描述。
基板100可以包括诸如玻璃材料、金属材料或塑料材料的各种材料。在实施例中,基板100可以是柔性基板。例如,基板100可以包括聚合物树脂,例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯,聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。基板100可以具有包括无机层(未图示)和包括上述聚合物树脂的层的多层结构。缓冲层110可以排布、布置或设置在基板100上。
缓冲层110可以具有包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅之类的无机绝缘材料的单层或多层结构。可以阻挡外部空气渗透的阻挡层(未图示)可以被包括在基板100与缓冲层110之间。在实施例中,缓冲层110可以被省略。
半导体层Act可以排布、布置或设置在缓冲层110上。半导体层Act可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。半导体层Act可以以各种形状被弯曲。如图10A中图示的,半导体层Act可以包括第一晶体管T1的沟道区131a、第二晶体管T2的沟道区131b、第三晶体管T3的沟道区131c1和131c2、第四晶体管T4的沟道区131d1和131d2、第五晶体管T5的沟道区131e、第六晶体管T6的沟道区131f以及第七晶体管T7的沟道区131g。例如,第一晶体管T1至第七晶体管T7的相应的沟道区可以是半导体层Act的部分区。由于第一晶体管T1的沟道区131a可以具有折褶、弯曲或曲线,因此第一晶体管T1的沟道区131a可以相对于其他元件形成为长的。因此,施加到栅电极的栅电压的驱动范围可以被加宽。第一晶体管T1的沟道区131a可以具有各种形状,诸如,例如“ㄈ”、“S”、“M”、和“W”。然而,实施例不限于此,并且在本公开的精神和范围内可以包括其他形状。第七晶体管T7的沟道区131g可以是半导体层Act的从前一行延伸的部分区。例如,图8中图示的第七晶体管T7可以是排布、布置或设置在前一行中的像素的第七晶体管T7。
第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层Act可以在每个沟道区的两侧上包括源区和漏区。如图10A中图示的,半导体层Act可以包括第一晶体管T1的源区176a和漏区177a、第二晶体管T2的源区176b和漏区177b、第三晶体管T3的源区176c和漏区177c、第四晶体管T4的源区176d和漏区177d、第五晶体管T5的源区176e和漏区177e、第六晶体管T6的源区176f和漏区177f以及第七晶体管T7的源区176g和漏区177g。在实施例中,源区和漏区可以分别是源电极和漏电极。例如,在图10A中图示的半导体层Act中,第一晶体管T1的源电极和漏电极可以分别与在沟道区131a附近的掺杂的源区176a和掺杂的漏区177a相对应。在实施例中,可以改变源区和漏区的位置。第一绝缘层111可以排布、布置或设置在半导体层Act上方。
如图10B中图示的,第一晶体管T1的栅电极125a、第二晶体管T2的栅电极125b、第三晶体管T3的栅电极125c(包括栅电极125c1和125c2)、第四晶体管T4的栅电极125d(包括栅电极125d1和125d2)、第五晶体管T5的栅电极125e、第六晶体管T6的栅电极125f以及第七晶体管T7的栅电极125g可以排布、布置或设置在第一绝缘层111上。第一扫描线121、第二扫描线122和发射控制线123可以排布、布置或设置在第一绝缘层111上并且在第二方向D2上延伸。第一扫描线121、第二扫描线122和发射控制线123可以排布、布置或设置在与第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极125a至125g的层相同的层上,并且可以包括与第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极125a至125g的材料相同或相似的材料。第一晶体管T1的栅电极125a还可以用作电容器Cst的下电极125a。
第二晶体管T2的栅电极125b以及第三晶体管T3的栅电极125c1和125c2可以是第一扫描线121的与半导体层Act交叉的部分,或者可以是从第一扫描线121突出的部分。第四晶体管T4的栅电极125d1和125d2以及第七晶体管T7的栅电极125g可以是第二扫描线122的与半导体层Act交叉的部分,或者可以是从第二扫描线122突出的部分。第五晶体管T5的栅电极125e和第六晶体管T6的栅电极125f可以是发射控制线123的与半导体层Act交叉的部分,或者可以是从发射控制线123突出的部分。第一晶体管T1的栅电极125a可以被提供为岛型。
第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极125a至125g可以是包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。第二绝缘层112可以排布、布置或设置在第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极125a至125g上方。
如图10C中图示的,电容器Cst的上电极127可以排布、布置或设置在第二绝缘层112上。开口27可以形成在电容器Cst的上电极127中。节点电极174(如图10D中图示)可以通过开口27将电容器Cst的下电极125a电连接到第三晶体管T3的漏区177c。电容器Cst的上电极127可以是包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。电容器Cst可以将第一晶体管T1的栅电极125a共享为下电极,并且可以与第一晶体管T1重叠。
初始化电压线124和屏蔽电极129可以在第二绝缘层112上排布、布置或设置在与电容器Cst的上电极127的层相同的层上。初始化电压线124和屏蔽电极129可以包括与电容器Cst的上电极127的材料相同或相似的材料。初始化电压线124可以在第二方向D2上延伸。屏蔽电极129可以与第二晶体管T2的源区176b以及第三晶体管T3的源区176c和漏区177c重叠。屏蔽电极129可以与在第三晶体管T3的两个沟道区131c1和131c2之间的源区176c和漏区177c重叠。
第三绝缘层113可以排布、布置或设置在电容器Cst的上电极127、初始化电压线124和屏蔽电极129上。
第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113可以是包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅之类的无机材料的无机绝缘层。
如图10D中图示的,在第一方向D1上延伸的数据线171和电源电压线172可以排布、布置或设置在第三绝缘层113上。数据线171可以通过形成在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔164而电连接到第二晶体管T2的源区176b。电源电压线172可以通过形成在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔165而电连接到第五晶体管T5的源区176e。电源电压线172可以通过形成在第三绝缘层113中的接触孔168而电连接到电容器Cst的上电极127。电源电压线172可以通过形成在第三绝缘层113中的接触孔169而电连接到屏蔽电极129。电源电压线172可以包括在第二扫描线122的延伸方向上从电源电压线172突出的突起172a。电源电压线172的突起172a可以与第二扫描线122重叠。如沿着图8的线II-II’截取的显示面板10的局部放大的视图中图示的,由于电源电压线172的突起172a可以排布、布置或设置在第一线200与第二扫描线122之间,并且可以与第一线200和第二扫描线122重叠,因此电源电压线172的突起172a可以防止第二扫描线122与第一线200的与第二扫描线122平行的部分(第二部分200b和第一分支211)之间的电信号干扰,从而减小第一线200与第二扫描线122之间的寄生电容。
数据线171和电源电压线172中的每条可以包括Mo、Al、Cu或Ti等,并且可以是单层或多层。在实施例中,数据线171和电源电压线172中的每条可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
各种导电层可以排布、布置或设置在第三绝缘层113上。例如,节点电极174以及连接电极173和175可以排布、布置或设置在第三绝缘层113上。节点电极174的一端可以通过形成在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔166而电连接到第三晶体管T3的漏区177c和第四晶体管T4的漏区177d,并且节点电极174的另一端可以通过形成在第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔167而电连接到第一晶体管T1的栅电极125a。例如,节点电极174的另一端可以通过形成在电容器Cst的上电极127中的开口27而电连接到第一晶体管T1的栅电极125a。连接电极173的一端可以通过形成在第三绝缘层113中的接触孔161而电连接到初始化电压线124,并且连接电极173的另一端可以通过形成在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔162而电连接到第四晶体管T4的源区176d。连接电极175可以通过形成在第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113中的接触孔163而电连接到第六晶体管T6的漏区177f。
节点电极174以及连接电极173和175中的每个可以包括Mo、Al、Cu或Ti等,并且可以是单层或多层。在实施例中,节点电极174以及连接电极173和175中的每个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第四绝缘层114可以排布、布置或设置在数据线171和电源电压线172上。第一线200和第二线250可以排布、布置或设置在第四绝缘层114上。
如图10E的左侧图示的,第一线200的可以与第二数据线DL2平行的第一部分200a以及可以与第二扫描线122平行并且可以与初始化电压线124重叠的第一分支211可以排布、布置或设置在第一像素区域CA1中。类似地,第一线200的可以与第一数据线DL1平行的第三部分200c以及可以与第二扫描线122平行并且可以与初始化电压线124重叠的第一分支211可以排布、布置或设置在第一像素区域CA1中。如图10E的右侧图示的,第一线200的可以与第二扫描线122平行并且可以与初始化电压线124重叠的第二部分200b以及可以与第一数据线DL1或第二数据线DL2平行的第二分支221可以排布、布置或设置在第二像素区域CA2中。类似地,可以与第二扫描线122平行并且可以与初始化电压线124重叠的第二线250以及可以与第一数据线DL1或第二数据线DL2平行的第三分支251可以排布、布置或设置在第二区域S2中。例如,第一线200的在第二方向D2上延伸的部分(例如,第二部分200b和第一分支211)和第二线250可以与初始化电压线124重叠。
如沿着图8的线II-II’截取的显示面板10的局部放大的视图中图示的,初始化电压线124可以排布、布置或设置在第一线200与第二扫描线122之间的层上以及在第二线250与第二扫描线122之间的层上。初始化电压线124可以阻挡第一线200与第二扫描线122之间的电信号干扰,从而减小第一线200与第二扫描线122之间的寄生电容。初始化电压线124的宽度W1(图10C)可以大于与初始化电压线124重叠的第一线200和第二线250的宽度W2(图10E)。第二扫描线122和初始化电压线124应彼此隔开。因此,当初始化电压线124的宽度W1大于第一线200的宽度W2时,第一线200与第二扫描线122之间的间隔距离SD(图8)可以增加,从而增强阻挡第一线200与第二扫描线122之间的电信号干扰的效果。
第一线200和第二线250中的每个可以是包括Mo、Al、Cu、Ti及其任意合金中的至少一种的单层或多层。在实施例中,第一线200和第二线250中的每个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。第一线200和第二线250可以与电源电压线172的至少一部分重叠。第一图案230和第二图案240可以排布、布置或设置在第四绝缘层114上。第一图案230和第二图案240可以包括与第一线200和第二线250的材料相同或相似的材料。第一图案230可以通过第四绝缘层114的接触孔58而电连接到电源电压线172。第二图案240可以通过第四绝缘层114的接触孔54而电连接到连接电极175。第二图案240可以通过第五绝缘层115的接触孔59(图8)而电连接到排布、布置或设置在上层上的像素电极PE。例如,第六晶体管T6和像素电极PE可以通过连接电极175和第二图案240彼此电连接。
第五绝缘层115可以排布、布置或设置在第一线200、第二线250、第一图案230和第二图案240上。
第四绝缘层114和第五绝缘层115中的每个可以是作为平坦化绝缘层的有机绝缘层。第四绝缘层114和第五绝缘层115中的每个可以包括有机绝缘材料,例如,诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物,对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其任何共混物。在实施例中,第四绝缘层114和第五绝缘层115中的每个可以包括聚酰亚胺。
尽管在图8中被省略,如图9中图示的,用作显示元件的有机发光二极管OLED可以排布、布置或设置在第五绝缘层115上方。有机发光二极管OLED可以包括像素电极PE、发射层EL和对电极CE。
像素电极PE可以排布、布置或设置在第五绝缘层115上,并且可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在实施例中,像素电极PE可以包括反射膜,该反射膜包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何化合物。在实施例中,像素电极PE可以包括在以上描述的反射膜上方和/或下方的包括ITO,IZO、ZnO或In2O3的层。像素电极PE可以通过第四绝缘层114上的第二图案240而电连接到第六晶体管T6。
屏蔽构件150可以排布、布置或设置在第五绝缘层115上。如图11中图示的,遮蔽构件150可以在第二方向D2上沿着像素电极PE的边缘的一部分延伸,以便当在平面图中观看时不与像素电极PE重叠,并且可以排布、布置或设置在每行上方和/或下方。屏蔽构件150可以根据同一行的像素电极PE的布置而沿着第二方向D2线性地或之字形地延伸。图11图示了排布、布置或设置在第一像素至第三像素的像素电极PE周围的屏蔽构件150,该像素电极PE排布、布置或设置在任意行PXRi的第一列至第四列PXC1、PXC2、PXC3和PXC4。屏蔽构件150可以排布、布置或设置在非发射区域NEA(图9)中。
屏蔽构件150可以包括遮光金属。例如,屏蔽构件150可以包括Mo、Al、Cu或Ti等,并且可以是包括上述材料的单层或多层。在实施例中,屏蔽构件150可以是Ti/Al/Ti的多层。屏蔽构件150可以包括与像素电极PE的材料相同或相似的材料。屏蔽构件150可以彼此隔开,并且可以针对每一行独立地被提供。屏蔽构件150可以是浮置的并且可以电连接到恒定电压线(例如,电源电压线172或初始化电压线124等)并且可以接收恒定电压。
第六绝缘层116可以排布、布置或设置在第五绝缘层115上。由于第六绝缘层116可以具有与每个像素相对应的开口,例如,暴露像素电极PE的一部分的开口OP,因此第六绝缘层116可以用作像素限定层。第六绝缘层116可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅烷(HMDSO)的有机材料。可替代地,第六绝缘层116可以包括无机材料。在下文中,第六绝缘层的开口OP或像素电极PE的由第六绝缘层116的开口OP暴露的区域可以被限定为发射区域EA。发射层EL可以排布、布置或设置在发射区域EA中。如图11中图示的,第一像素的发射区域EA1、第二像素的发射区域EA2和第三像素的发射区域EA3可以具有不同的尺寸。第一像素的发射区域EA1和第三像素的发射区域EA3可以在其中沿着第一方向D1交替地重复的列和第二像素的发射区域EA2可以在其中重复的列可以沿着第二方向D2重复。例如,第一像素的发射区域EA1、第二像素的发射区域EA2、第三像素的发射区域EA3和第二像素的发射区域EA2可以沿着第二方向D2重复。然而,本公开不限于此。
发射区域EA的外围可以是非发射区域NEA,并且非发射区域NEA可以围绕发射区域EA。例如,显示区域DA可以包括发射区域EA和围绕发射区域EA的非发射区域NEA,并且外围区域PA可以包括非发射区域NEA。
发射层EL可以排布、布置或设置在由第六绝缘层116的开口OP暴露的像素电极PE上。发射层EL可以包括发射某种颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。发射层EL可以是红色发光层、绿色发光层或蓝色发光层。在实施例中,为了发射白光,发射层EL可以具有在其中红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层可以被堆叠的多层结构或者包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料的单层结构。在实施例中,在发射层EL下方的第一功能层FL1和/或在发射层EL上方的第二功能层FL2可以被包括。第一功能层FL1和/或第二功能层FL2可以包括遍及多个像素电极PE的集成层,或者可以包括与各个像素电极PE相对应地被图案化的层。
第一功能层FL1可以是单层或多层。例如,当第一功能层FL1可以包括高分子量材料时,第一功能层FL1可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL),并且可以包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层FL1可以包括低分子量材料时,第一功能层FL1可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
可以不总是提供第二功能层FL2。例如,当第一功能层FL1和发射层EL中的每个包括高分子量材料时,第二功能层FL2可以被形成以改善有机发光二极管OLED的特性。第二功能层FL2可以是单层或多层。第二功能层FL2可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极CE可以排布、布置或设置成面对像素电极PE,而发射层EL介于对电极CE和像素电极PE之间。对电极CE可以包括具有低功函数的导电材料。例如,对电极CE可以包括(半)透明层,该(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其任意合金。在实施例中,对电极CE可以在包括上述材料的(半)透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极CE可以排布、布置或设置在发射层EL和第六绝缘层116上方。对电极CE可以是可以在显示区域DA中的有机发光二极管OLED中一体地形成的并且可以面对像素电极PE的公共电极。
封装层300可以排布、布置或设置在有机发光二极管OLED上方。封装层300可以包括至少一个包括无机材料的无机封装层和至少一个包括有机材料的有机封装层。有机封装层可以比无机封装层厚。在实施例中,封装层300可以具有在其中第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层可以被堆叠的结构。第一无机封装层的无机材料可以与第二无机封装层的无机材料相同或不同。第一无机封装层可以具有包括不同的无机材料的双层结构。覆盖对电极CE的封盖层(未图示)可以排布、布置或设置在有机发光二极管OLED的对电极CE与封装层300之间。在一个或多个实施例中,密封基板(未图示)可以排布、布置或设置在有机发光二极管OLED上方以面对基板100,并且可以通过诸如密封剂或熔块之类的密封构件在显示区域DA的外部粘合到基板100。
图12是根据实施例的显示装置的示意性截面图。图13和图14分别是示意性地图示根据实施例的显示面板10上的输入感测层400的示意性截面图和平面图。图15A至图15D是基于层的输入感测层400的平面图。图15E是图示屏蔽构件150和输入感测层400的布局的平面图。
参考图12,根据实施例的显示装置可以包括基板100以及可以排布、布置或设置在基板100上方的电路层CL、显示层DPL、封装层300和输入感测层400。显示面板10可以包括基板100、电路层CL、显示层DPL和封装层300。
电路层CL可以包括绝缘层、导电层和半导体层。导电层可以构成信号线和/或像素PX的像素电路PC。显示层DPL可以包括像素PX的有机发光二极管OLED。封装层300可以覆盖显示区域DA并且可以延伸到显示区域DA的外部。
输入感测层400可以排布、布置或设置在封装层300上。如图13中图示的,输入感测层400可以包括排布、布置或设置在封装层300上的第一导电层CML1和第二导电层CML2。下绝缘层LIL可以排布、布置或设置在第一导电层CML1和封装层300之间,中间绝缘层MIL可以排布、布置或设置在第一导电层CML1和第二导电层CML2之间,并且上绝缘层HIL可以排布、布置或设置在第二导电层CML2上。
第一导电层CML1和第二导电层CML2中的每个可以包括金属。例如,第一导电层CML1和第二导电层CML2中的每个可以包括Mo、Al、Cu或Ti等,并且可以是包括上述材料的单层或多层。在实施例中,第一导电层CML1和第二导电层CML2中的每个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
在实施例中,下绝缘层LIL和中间绝缘层MIL中的每个可以是诸如氮化硅的无机绝缘层,并且上绝缘层HIL可以是有机绝缘层。图13图示了下绝缘层LIL可以排布、布置或设置在封装层300与第一导电层CML1之间。然而,在一个或多个实施例中,下绝缘层LIL可以被省略,并且第一导电层CML1可以直接排布、布置或设置在显示面板10的封装层300上。在一个或多个实施例中,下绝缘层LIL和中间绝缘层MIL中的每个可以是有机绝缘层。
参考图14,输入感测层400可以具有与显示面板10相对应的形状。输入感测层400可以具有分别与显示面板10的显示区域DA和外围区域PA相对应的显示区域DA和外围区域PA。输入感测层400可以包括第一感测电极410、连接到第一感测电极410的第一信号线415-1至415-4、第二感测电极420以及连接到第二感测电极420的第二信号线425-1至425-5。输入感测层400可以通过互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
第一感测电极410可以排布、布置或设置在第一方向D1上,并且第二感测电极420可以排布、布置或设置在第二方向D2上。排布、布置或设置在第一方向D1上的第一感测电极410可以通过在彼此邻近的第一感测电极410之间的第一连接电极411而彼此电连接,并且可以形成第一感测线410C1至410C4。排布、布置或设置在第二方向D2上的第二感测电极420可以通过在彼此邻近的第二感测电极420之间的第二连接电极421而彼此电连接,并且可以形成第二感测线420R1至420R5。第一感测线410C1至410C4和第二感测线420R1至420R5可以彼此交叉。例如,第一感测线410C1至410C4和第二感测线420R1至420R5可以彼此垂直。
第一感测线410C1至410C4和第二感测线420R1至420R5可以排布、布置或设置在显示区域DA上,并且可以分别通过形成在外围区域PA中的第一信号线415-1至415-4和第二信号线425-1至425-5而电连接到感测信号焊盘440。第一感测线410C1至410C4可以电连接到第一信号线415-1至415-4,并且第二感测线420R1至420R5可以电连接到第二信号线425-1至425-5。图14示例性地图示了四个第一感测线410C1至410C4和五个第二感测线420R1至420R5。
如图15A中图示的,第一导电层CML1可以包括第二连接电极421。如图15C中所图示的,第二导电层CML2可以包括第一感测电极410、第一连接电极411和第二感测电极420。第一感测电极410可以通过在与第一感测电极410的层相同的层上形成的第一连接电极411而彼此电连接。第二感测电极420可以通过在与第二感测电极420的层不同的层上形成的第二连接电极421而彼此电连接。如图14和图15B中图示的,电连接彼此邻近的第二感测电极420的第二连接电极421可以通过形成在中间绝缘层MIL中的接触孔CH而电连接到彼此相邻的第二感测电极420。
第一感测电极410和第二感测电极420中的每个可以具有基本上菱形的形状或者在本发明的精神和范围内的其他形状。图15D是图15C的部分E的放大的平面图。
如图15D中图示的,第一感测电极410可以包括包含孔410H的网格结构的网格线410L。孔410H可以与像素PX的发射区域EA重叠。类似地,第二感测电极420可以包括包含孔420H的网格结构的网格线420L。孔420H可以与像素PX的发射区域EA重叠。发射区域EA可以具有各种尺寸。第一像素的发射区域EA1、第二像素的发射区域EA2和第三像素的发射区域EA3可以具有不同的尺寸。例如,可以发射红光的发射区域、可以发射绿光的发射区域和可以发射蓝光的发射区域可以具有不同的尺寸。具有相同尺寸的孔410H和420H在图15D中被图示。在一个或多个实施例中,与发射区域EA重叠的孔410H和420H的尺寸可以根据发射区域EA的尺寸而不同。第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L可以排布、布置或设置在围绕发射区域EA的非发射区域NEA中。网格线410L和420L可以具有例如几微米的线宽。
如图15E中图示的,第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L中的一些可以与屏蔽构件150重叠。
图16至图19是图示根据实施例的第一线200、第二线250和感测电极的布局的平面图。在图16至图19中,为了便于图示和说明,省略了一些电极和线。
图16图示了第一线200的排布、布置或设置在显示区域DA的第一区域S1中的第一子区域SS1或第三子区域SS3中的第一部分200a或第三部分200c的布局。参考图16,发射区域EA1、EA2和EA3可以与第一线200的一部分重叠。第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L可以与第一线200的第一分支211的端部分(例如,第一分支211之间的间隙)重叠。根据第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L的位置,第一线200的一部分可以不具有线性的形状而是具有基本上弯曲的形状。根据第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L的位置,第一分支211可以从第一线200的一侧或仅一侧突出,或者第一分支211可以从第一线200的两侧突出。根据第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L的位置,第一分支211的长度和第一分支211之间的间隙的位置在像素区域中可以被改变。
图17图示了第一线200的排布、布置或设置在第一区域S1的第二子区域SS2中的第二部分200b或排布、布置或设置在显示区域DA中的第二区域S2中的第二线250的布局。参考图17,发射区域EA1、EA2和EA3可以与第一线200和第二线250的一部分重叠。第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L可以与第一线200的第二分支221的端部分(例如,第二分支221之间的间隙)以及第二线250的第三分支251的端部分(例如,第三分支251之间的间隙)重叠。根据第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L的位置,第一线200的一部分和第二线250的一部分可以不具有线性的形状而是具有基本上弯曲的形状。根据第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L的位置,第二分支221和第三分支251的长度以及第二分支221之间和第三分支251之间的间隙的位置在像素区域中可以被改变。
图18是在其中第一线200的第一部分200a可以弯曲到第二部分200b的部分的平面图,并且图19是在其中第一线200的第二部分200b可以弯曲到第三部分200c的部分的平面图。参考图18和图19,第一线200的第一部分200a和第二部分200b或者第一线200的第三部分200c和第二部分200b可以一起排布、布置或设置于在其中第一线200可以弯曲的位置处的像素区域中。与图16和图17中的那些类似,根据第一感测电极410的网格线410L和第二感测电极420的网格线420L的位置,第一分支211的长度、第一分支211之间的间隙的位置、第二分支221的长度以及第二分支221之间的间隙的位置在像素区域中可以被改变。
如图18中图示的,第一线200的与第二数据线DL2平行的第一部分200a和第一线200的与第二扫描线122平行并且与初始化电压线124重叠的第二部分200b可以排布、布置或设置于在像素区域CAP1中,在像素区域CAP1中第一线200的第一部分200a可以弯曲到第二部分200b。如图19中图示的,第一线200的与第一数据线DL1平行的第三部分200c和从第一线200的与第二扫描线122平行并且与初始化电压线124重叠的第三部分200c突出的第一分支211可以排布、布置或设置在像素区域CAP2中,在像素区域CAP2中第一线200的第二部分200b可以弯曲到第三部分200c。
根据一个或多个实施例,可以将数据信号传送到数据线的连接线可以排布、布置或设置在显示区域中,从而减少显示装置的死区。作为示例,通过阻挡连接线与影响连接线的其他线之间的电信号干扰,连接线可以电连接到的数据线的数据信号的变化可以被最小化,从而防止图像质量的变化。然而,本公开的范围不受这些效果的限制。
应理解,本文中描述的实施例应仅在描述性意义上被考虑,并且不为了限制的目的。实施例内的特征或方面的描述通常应适用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (23)
1.一种显示装置,包括:
基板,包括显示区域以及在所述显示区域的外部的外围区域,在所述显示区域中设置有显示元件;
数据线,被设置在所述基板的所述显示区域中;
第一电压线,与所述数据线平行地延伸;
扫描线,在与所述数据线垂直的方向上延伸;
第二电压线,与所述扫描线平行地延伸;以及
线,被设置在所述基板的所述显示区域中,并且与所述数据线或所述扫描线平行地延伸,并且包括在与所述线的延伸方向垂直的方向上突出的段,
其中所述第二电压线被设置在所述扫描线与所述线之间的层上,并且
所述线的与所述扫描线平行的一部分与所述第二电压线重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述线的所述段是分支。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二电压线的宽度大于所述线的宽度。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二电压线与所述扫描线隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一电压线被设置在所述扫描线与所述线之间的层上,并且包括在所述扫描线的延伸方向上突出且与所述扫描线重叠的突起。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一电压线和所述第二电压线被设置在不同的层上。
7.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
第一晶体管,包括第一半导体层和第一栅电极;
第二晶体管,包括第二半导体层和第二栅电极,所述第二半导体层的一端电连接到所述第一晶体管的所述第一栅电极;
节点电极,电连接到所述第一晶体管的所述第一栅电极和所述第二晶体管的所述第二半导体层的所述一端;以及
电极图案,电连接到所述第一电压线并且与所述节点电极重叠,所述电极图案和所述线被设置在同一层上。
8.根据权利要求2所述的显示装置,进一步包括感测电极,所述感测电极被设置在所述线上方,其中
所述感测电极包括网格线,并且
所述网格线与所述线的所述段的端部分重叠。
9.一种显示装置,包括:
基板,包括显示区域以及在所述显示区域的外部的外围区域,在所述显示区域中设置有显示元件;
数据线,被设置在所述基板的所述显示区域中;
第一电压线,与所述数据线平行地延伸;
扫描线,在与所述数据线垂直的方向上延伸;
第二电压线,与所述扫描线平行地延伸;以及
线,被设置在所述基板的所述显示区域中,与所述数据线平行地延伸,并且包括在与所述数据线垂直的方向上突出且与所述第二电压线重叠的段,
其中所述第二电压线被设置在所述扫描线与所述线之间的层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述线的所述段是分支。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第二电压线的宽度大于所述线的宽度。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第二电压线与所述扫描线隔开。
13.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一电压线被设置在所述扫描线与所述线之间的层上,并且包括在所述扫描线的延伸方向上突出且与所述扫描线重叠的突起。
14.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述第一电压线和所述第二电压线被设置在不同的层上。
15.根据权利要求9所述的显示装置,进一步包括感测电极,所述感测电极被设置在所述线上方,其中
所述感测电极包括网格线,并且
所述网格线与所述线的所述段的端部分重叠。
16.根据权利要求9所述的显示装置,进一步包括第二数据线,所述第二数据线与所述数据线隔开,
其中所述线电连接到所述数据线或所述第二数据线。
17.一种显示装置,包括:
基板,包括显示区域以及在所述显示区域的外部的外围区域,在所述显示区域中设置有显示元件;
数据线,被设置在所述基板的所述显示区域中;
第一电压线,与所述数据线平行地延伸;
扫描线,在与所述数据线垂直的方向上延伸;
第二电压线,与所述扫描线平行地延伸;以及
线,被设置在所述基板的所述显示区域中,与所述扫描线平行地延伸,与所述第二电压线重叠,并且包括在与所述数据线平行的方向上突出的段,
其中所述第二电压线被设置在所述扫描线与所述线之间的层上。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中所述线的所述段是分支。
19.根据权利要求17所述的显示装置,其中所述第二电压线的宽度大于所述线的宽度。
20.根据权利要求17所述的显示装置,其中所述第二电压线与所述扫描线隔开。
21.根据权利要求17所述的显示装置,其中所述第一电压线被设置在所述扫描线与所述线之间的层上,并且包括在所述扫描线的延伸方向上突出且与所述扫描线重叠的突起。
22.根据权利要求17所述的显示装置,其中所述第一电压线和所述第二电压线被设置在不同的层上。
23.根据权利要求17所述的显示装置,进一步包括感测电极,所述感测电极被设置在所述线上方,其中
所述感测电极包括网格线,并且
所述网格线与所述线的所述段的端部分重叠。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0119611 | 2019-09-27 | ||
KR1020190119611A KR20210037786A (ko) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112582446A true CN112582446A (zh) | 2021-03-30 |
Family
ID=75119602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010993826.8A Pending CN112582446A (zh) | 2019-09-27 | 2020-09-21 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11672150B2 (zh) |
KR (1) | KR20210037786A (zh) |
CN (1) | CN112582446A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113594180A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-11-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法以及显示面板 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220077323A (ko) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375092B1 (ko) | 1999-11-24 | 2003-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100957574B1 (ko) | 2003-09-17 | 2010-05-11 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
KR101980757B1 (ko) | 2012-12-13 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US9430180B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Display panel and electronic device |
KR20180030325A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102617812B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시 장치 |
KR102528500B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2019
- 2019-09-27 KR KR1020190119611A patent/KR20210037786A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-07-14 US US16/928,575 patent/US11672150B2/en active Active
- 2020-09-21 CN CN202010993826.8A patent/CN112582446A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113594180A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-11-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法以及显示面板 |
CN113594180B (zh) * | 2021-07-22 | 2023-09-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法以及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11672150B2 (en) | 2023-06-06 |
KR20210037786A (ko) | 2021-04-07 |
US20210098552A1 (en) | 2021-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |