CN111383572B - 具有由四个子像素构成的单位像素的显示装置 - Google Patents
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Abstract
具有由四个子像素构成的单位像素的显示装置。提供一种显示装置,其中每一个单位像素包括四个子像素。每一个单位像素的四个子像素可以经过单条数据线依次接收数据信号。设置在数据线的一侧上的两个子像素可以通过与数据线交叉的基准连接线连接到基准电压供应线。设置在数据线的另一侧上的两个子像素可以通过与基准电压供应线交叉的数据连接线连接到数据线。基准连接线和数据线的交叉区域可以与数据连接线和基准电压供应线的交叉区域具有相同的面积。因而,在显示装置中,可以防止由于数据连接线和基准连接线的寄生电容差导致的充电速率的变化。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置,其中由四个子像素构成的单位像素连接到单条数据线。
背景技术
通常,诸如监视器、TV、膝上型计算机和数码相机之类的电子电器包括用于实现图像的显示装置。例如,显示装置可以包括发光器件。
显示装置可以包括多个单位像素。每一个单位像素可以由子像素构成。每一个子像素可以实现与其它子像素不同的颜色。例如,每一个单位像素可以包括实现蓝颜色的蓝子像素、实现红颜色的红子像素、实现绿颜色的绿子像素以及实现白颜色的白子像素。
每一个单位像素可以通过单条数据线接收数据信号。例如,每一条数据线可以顺序地将该数据信号传输到每一个单位像素的四个子像素。每一条数据线可以在相对应的单位像素的子像素之间穿过。例如,每一个单位像素可以包括并排设置在相对应的数据线的一侧上的第一子像素和第二子像素,以及并排设置在相对应的数据线的另一侧上的第三子像素和第四子像素。
然而,由于每一个单位像素的四个子像素通过单条数据线接收数据信号,显示装置可以包括用于将每一个子像素连接到相对应的数据线的至少一条连接线,并且每一个子像素的寄生电容器会由于连接线而不同。因而,在显示装置中,每一个子像素的充电速率会由于寄生电容器的变化而不同,并且施加到具体子像素的信号会是相对延迟的。
发明内容
因此,本发明涉及一种显示装置,其基本上克服了由于相关技术的局限和缺点所带来的一个或更多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种显示装置,其中每一个单位像素的子像素具有相同的充电速率。
本发明的另一目的在于提供一种能够使每一个单位像素的子像素中的RC延迟差异最小化的显示装置。
本发明的附加优点、目的和特征将部分地在下面的描述中进行阐释,并且部分地对查阅了以下内容的本领域普通技术人员将变得明显或者可以从本发明的实践中获知。可以通过在描述的说明书及其权利要求书以及附图中专门指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点,并且根据本发明的目的,提供一种包括第一子像素的显示装置。第二子像素与第一子像素沿第一方向并排设置。第三子像素与第一子像素沿与第一方向垂直的第二方向并排设置。第四子像素与第三子像素沿第一方向并排设置。数据线沿第一方向延伸。数据线在第一子像素和第三子像素之间以及第二子像素和第四子像素之间穿过。基准电压供应线与数据线并排设置。基准电压供应线在数据线和第三子像素之间以及数据线和第四子像素之间穿过。基准连接线与数据线交叉。基准连接线将第一子像素和第二子像素连接到基准电压供应线。数据连接线与基准电压供应线交叉。数据连接线将第三子像素和第四子像素连接到数据线。基准电压供应线和数据连接线的交叉区域与数据线和基准连接线的交叉区域具有相同的面积。
基准电压供应线和数据连接线的交叉区域的数量可以与数据线和基准连接线的交叉区域的数量相同。
数据线和基准连接线的交叉区域的数量可以是1。
选通线可以沿第二方向延伸。选通线可以包括连接到第一子像素的第一选通线、连接到第二子像素的第二选通线、连接到第三子像素的第三选通线和连接到第四子像素的第四选通线。第二选通线可以比第三选通线设置得更加接近第一选通线。
第一子像素至第四子像素中的每一个可以包括发光器件和电连接到发光器件的驱动电路。第三子像素的驱动电路可以与第一子像素的驱动电路具有相同的布置。第四子像素的驱动电路可以与第二子像素的驱动电路具有相同的布置。
第二子像素的驱动电路可以具有与第一子像素的驱动电路相对称的布置。
第一子像素至第四子像素的驱动电路可以包括至少一个晶体管。晶体管的栅极可以具有与晶体管的源极和漏极相同的材料。
数据线和基准电压供应线可以具有与栅极不同的材料。
数据连接线和基准连接线可以具有与栅极相同的材料。
电源线可以沿第一方向延伸。电力分配线可以连接到电源线。电力分配线可以沿第二方向延伸。电力分配线可以穿过第一子像素至第四子像素。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入且构成本申请一部分的附图例示了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1A是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的图;
图1B是示意性示出根据本发明的实施方式的构成显示装置中的单个单位像素的子像素的布置的图;
图2A是图1B中的区域P1的放大图;
图2B是图1B中的区域P2的放大图;
图3A是沿着图1B的线I-I’截取的图;
图3B是沿着图2A的线II-II’截取的图。
具体实施方式
在下文中,与本发明的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果有关的细节将通过下面的详细描述并且参照例示本发明的一些实施方式的附图而得到清楚理解。这里,提供本发明的实施方式以便允许将本发明的技术精神满意地传递给本领域的技术人员,并且因而本发明可以按照其它形式实施而不局限于下面描述的实施方式。
此外,在整个说明书中,相同或者极其相似的元件可以由相同的附图标记指定,并且在附图中,层和区域的长度和厚度可以为了方便而被放大。将理解的是,当第一元件被称为位于第二元件“上”时,尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触,但是可以在第一元件和第二元件之间插置第三元件。
这里,诸如例如“第一”和“第二”之类的术语可以用于将任意一个元件与另一个元件区分开。然而,在不偏离本发明的技术精神的情况下,可以根据本领域技术人员的方便而任意命名第一元件和第二元件。
在本发明的说明书中使用的术语仅用于描述具体实施方式,并且并不意在限制本发明的范围。例如,除非在上下文中另外明确指出,否则以单数形式描述的元件意在包括多个元件。此外,在本申请的说明书中,将进一步理解到,术语“包括”和“包含”指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在,但是不排除一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或组合的存在或添加。
除非另外定义,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员的一般理解相同的含义。将进一步理解,诸如在常用字典中定义的那些术语之类的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义相一致的含义并且不应该被解释为理想化或者完全形式上的意义,除非在本文中明确定义如此。
(实施方式)
图1A是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的图。图1B是示意性示出构成根据本发明的实施方式的显示装置中的单个单位像素的子像素的布置的图。图2A是图1B中的区域P1的放大图。图2B是图1B中的区域P2的放大图。图3A是沿着图1B的线I-I’截取的图。图3B是沿着图2A的线II-II’截取的图。
参照图1A、图1B、图2A、图2B、图3A和图3B,根据本发明的实施方式的显示装置可以包括设备基板100。设备基板100可以包括绝缘材料。设备基板100可以包括透明材料。例如,设备基板100可以包括玻璃或者塑料。
信号线GL1-GL4、DL、RL和PL可以设置在设备基板100上。例如,信号线GL1-GL4、DL、RL和PL可以包括用于施加选通信号的选通线GL1-GL4、用于传输数据信号的信号线DL、用于供应基准电压的基准电压供应线以及用于供应电源电压的电源线PL。选通线GL1-GL4可以与数据线DL交叉。例如,数据线DL可以沿第一方向Y延伸,并且选通线GL1-GL4可以沿与第一方向Y垂直的第二方向X延伸。基准电压供应线RL可以与数据线DL沿第二方向X并排设置。例如,基准电压供应线RL可以沿第一方向Y延伸。电源线PL可以与数据线DL平行。例如,电源线PL可以沿第一方向Y延伸。
信号线GL1-GL4、DL、RL和PL可以控制每一个单位像素PA。每一个单位像素PA可以由四个子像素S1-S4构成。四个子像素S1-S4可以共享数据线DL和基准电压供应线RL。数据线DL和基准电压供应线可以将每一个单位像素PA的四个子像素S1-S4分成两组。例如,数据线DL和基准电压供应线RL可以在第一子像素S1和第三子像素S3之间以及第二子像素S2和第四子像素S4之间穿过。第二子像素S2可以与第一子像素S1沿第一方向Y并排设置。第三子像素S3可以与第一子像素S1沿第二方向X并排设置。第四子像素S4可以与第三子像素S3沿第一方向Y并排设置。第二子像素S2可以与第四子像素S4沿第二方向X并排设置。
选通线GL1-GL4可以分别连接到子像素S1-S4。例如,选通线GL1-GL4可以包括连接到第一子像素S1的第一选通线GL1、连接到第二子像素S2的第二选通线GL2、连接到第三子像素S3的第三选通线GL3以及连接到第四子像素S4的第四选通线GL4。
每一个子像素S1-S4可以包括发光器件EL和驱动电路DA。发光器件EL可以电连接到驱动电路DA。驱动电路DA可以由信号线GL1-GL4、DL、RL和PL控制。例如,第一子像素S1的驱动电路DA可以连接到第一选通线GL1,第二子像素S2的驱动电路DA可以连接到第二选通线GL2。第三子像素S3的驱动电路DA可以连接到第三选通线GL3,第四子像素S4的驱动电路DA可以连接到第四选通线GL4。驱动电路DA可以根据选通信号和数据信号向发光器件EL供应驱动电流。例如,驱动电路DA可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。
第一薄膜晶体管T1可以由经过相对应的选通线GL1-GL4施加的选通信号控制。第一薄膜晶体管T1可以根据选通信号传输经过数据线DL施加的数据信号。例如。第一薄膜晶体管T1可以包括半导体图案210、栅绝缘层220、栅极230、源极250和漏极260。
半导体图案210可以接近设备基板100设置。半导体图案210可以包括半导体材料。例如,半导体图案210可以包括非晶硅或者多晶硅。半导体图案210可以是氧化物半导体。例如,半导体图案210可以包括IGZO。
半导体图案210可以包括源区、漏区和沟道区。沟道区可以设置在源区和漏区之间。沟道区可以具有低于源区和漏区的电导率。例如,源区和漏区可以具有比沟道区高的杂质浓度。
栅绝缘层220可以设置在半导体图案210上。栅绝缘层220可以延伸至半导体图案210之外。例如,半导体图案210的侧表面可以由栅绝缘层220覆盖。
栅绝缘层220可以包括绝缘材料。例如,栅绝缘层220可以包括硅氧化物(SiO)和/或硅氮化物(SiN)。栅绝缘层220可以具有多层结构。栅绝缘层220可以包括高K材料。例如,栅绝缘层220可以包括铪氧化物(HfO)和钛氧化物(TiO)。
栅极230可以设置在栅绝缘层220上。栅极230可以与半导体图案210的沟道区交叠。例如,栅极230可以通过栅绝缘层220与半导体图案210绝缘。
栅极230可以包括导电材料。例如,栅极230可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)之类的金属。
源极250可以设置在栅绝缘层220上。源极250可以与栅极230间隔开。源极250可以电连接到半导体图案210的源区。例如,栅绝缘层220可以包括部分地暴露半导体图案210的源区的接触孔。源极250可以与半导体图案210的通过栅绝缘层220暴露的源区接触。
源极250可以包括导电材料。例如,源极250可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)之类的金属。源极250可以包括与栅极230相同的材料。
漏极260可以设置在栅绝缘层220上。漏极260可以与栅极230以及源极250间隔开。漏极260可以电连接到半导体图案210的漏区。例如,栅绝缘层220可以包括部分地暴露半导体图案210的漏区的接触孔。漏极260可以与半导体图案210的通过栅绝缘层220暴露的漏区接触。
漏极260可以包括导电材料。例如,例如,漏极260可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)之类的金属。漏极260可以与源极250包括相同的材料。
第二薄膜晶体管T2可以由第一薄膜晶体管T1控制。例如,第一薄膜晶体管T1可以根据选通信号向第二薄膜晶体管T2传输数据信号。第二薄膜晶体管T2可以向发光器件EL传输与数据信号相对应的驱动电流。第二薄膜晶体管T2可以具有与第一薄膜晶体管T1相同的结构。例如。第二薄膜晶体管T2可以包括半导体图案210、栅绝缘层220、栅极230、源极250和漏极260。第二薄膜晶体管T2的栅极230可以包括与第二薄膜晶体管T2的源极250和漏极260相同的材料。
第二薄膜晶体管T2的栅极230可以连接到第一薄膜晶体管T1。例如,第一薄膜晶体管T1的栅极230可以电连接到选通线GL1-GL4中的一条,第一薄膜晶体管T1的源极250可以电连接到数据线DL,并且第一薄膜晶体管T1的漏极260可以电连接到第二薄膜晶体管T2的栅极230。
发光器件EL可以从第二薄膜晶体管T2接收根据数据线的驱动电流。第二薄膜晶体管T2可以选择性地连接在发光器件EL和电源线PL之间。例如,第二薄膜晶体管T2可以设置在发光源极EL和连接到电源线PL的电力分配线BL之间。第二薄膜晶体管T2可以包括电连接到电力分配线BL的源极250以及电连接到发光器件EL的漏极260。如图3A所示,电源线PL可以设置在设备基板上,并且与电源线PL不同,电力分配线BL可以与栅极230设置在同一栅绝缘层220上。因而,电力分配线BL可以由与栅极230相同的材料制成。
第三薄膜晶体管T3可以由选通信号控制。例如,第三薄膜晶体管T3可以根据选通信号传输经过基准电压供应线RL施加的基准电压。第三薄膜晶体管T3可以具有与第一薄膜晶体管T1相同的结构。例如,第三薄膜晶体管T3可以包括半导体图案210、栅绝缘层220、栅极230、源极250和漏极260。第三薄膜晶体管T3的栅极230可以包括与第三薄膜晶体管T3的源极250和漏极260相同的材料。
存储电容器Cst可以在单个帧期间维持施加到第二薄膜晶体管T2的栅极230的信号。存储电容器Cst可以设置在第二薄膜晶体管T2的栅极230和漏极260之间。
数据线DL可以设置在第一子像素S1和基准电源供应线RL以及第二子像素S2和基准电压供应线RL之间。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,第一子像素S1和第二子像素S2的驱动电路DA可以通过与数据线Dl交叉的基准连接线CL1连接到基准电压供应线RL。例如,第一子像素S1和第二子像素S2的第三薄膜晶体管T3可以分别包括连接到基准连接线CL1的源极250。
基准电压供应线RL可以设置在第三子像素S3和数据线DL之间以及第四子像素S4和数据线DL之间。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,第三子像素S3和第四子像素S4的驱动电路DA可以通过与基准电压供应线RL交叉的数据连接线CL2连接到数据线DL。例如,第三子像素S3和第四子像素S4的第薄膜晶体管T2可以分别包括连接到数据连接线CL2的源极250。
基准电压供应线RL和数据连接线CL2的交叉区域CA2可以与数据线DL和基准连接线CL1的交叉区域CA1具有相同的面积。例如,当数据线DL与基准电压供应线RL具有相同的水平宽度并且数据连接线CL2可以与基准连接线CL1具有相同的水平宽度时,基准电压供应线RL和数据连接线CL2的交叉区域CA2的数量可以与数据线DL和基准连接线CL1的交叉区域CA1的数量相同。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,可以防止由于基准连接线CL1和数据连接线CL2导致的第一子像素S1至第四子像素S4的充电速率的变化。
在根据本发明的实施方式的显示装置中,数据线DL和基准连接线CL1的交叉区域CA1以及基准电压供应线RL和数据连接线CL2的交叉区域CA2可以被最小化。例如,数据线DL和基准连接CL1的交叉区域CA1的数量可以是1。基准连接线CL1可以在与数据线DL交叉之后朝向第一子像素S1和第二子像素S2分支。例如,数据连接线CL2和基准电压供应线RL的交叉区域CA2的数量可以是1。数据连接线CL2可以在与基准电压供应线RL交叉之后朝向第三子像素S3和第四子像素S4分支。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,基准连接线CL1的寄生电容和数据连接线CL2的寄生电容可以被最小化。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,第一子像素S1至第四子像素S4可以具有相同的RC延迟。
第三子像素S3的驱动电路DA可以具有与第一子像素S1的驱动电路DA相同的布置(例如,相同的布局)。例如,第一子像素S1的驱动电路DA可以包括位于第三薄膜晶体管T3和数据线DL之间的第一薄膜晶体管T1,并且第三子像素S3的驱动电路DA可以包括位于基准电压供应线RL和第一薄膜晶体管T1之间的第三薄膜晶体管T3。第二子像素S2的驱动电路DA可以具有与第一子像素S1的驱动电路DA相对称的布置,并且第四子像素S4的驱动电路DA可以具有与第三子像素S3的驱动电路DA相对称的布置。例如,第四子像素S4的驱动电路DA可以具有与第二子像素S2的驱动电路DA相同的布置。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,基准连接线CL1可以在第一子像素S1的第一薄膜晶体管T1与第二子像素S2的第一薄膜晶体管T1之间穿过,并且数据连接线CL2可以在第三子像素S3的第三薄膜晶体管T3和第四子像素S4的第三薄膜晶体管T3之间穿过。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,基准连接线CL1和数据连接线CL2可以得到简化。例如,在根据本发明的实施方式的显示装置中,基准连接线CL1和数据连接线CL2的形状在分支之前可以是直线。
缓冲层110可以设置在设备基板100和每一个子像素S1-S4的驱动电路DA之间。缓冲层110可以防止在形成驱动电路DA的过程中由于设备基板100造成的污染。缓冲层110可以覆盖设备基板100的整个表面。例如,位于设备基板100和第一子像素S1的驱动电路DA之间的缓冲层110可以与位于设备基板100和第三子像素S3的驱动电路DA之间的缓冲层110结合。
缓冲层110可以包括绝缘材料。缓冲层110可以包括无机绝缘材料。例如,缓冲层110可以包括硅氧化物(SiO)和/或硅氮化物(SiN)。缓冲层110可以具有多层结构。
下钝化层120和外覆层130可以被依次层叠在驱动电路DA上。下钝化层120可以防止驱动电路DA由于外部湿气和冲击而损坏。例如,驱动电路DA的第一薄膜晶体管T1到第三薄膜晶体管T3和存储电容器Cst可以由下钝化层120覆盖。外覆层130可以去除由于驱动电路DA导致的厚度差异。例如,外覆层130的与设备基板100相对的表面可以是平坦的表面。
发光器件EL可以设置在外覆层130上。例如,下钝化层120和外覆层130可以暴露第二薄膜晶体管T2的漏极260的至少一部分。例如,下钝化层120可以包括部分地暴露第二薄膜晶体管T2的漏极260的下接触孔,并且外覆层130可以包括与下接触孔交叠的上接触孔。发光器件EL可以通过下接触孔和上接触孔连接到驱动电路DA。
发光器件EL可以发出显示特定颜色的光。例如,发光器件EL可以包括依次层叠的第一电极310、发光层320和第二电极330。
第一电极310可以包括导电材料。第一电极310可以包括透明材料。例如,第一电极310可以是由诸如ITO和IZO之类的透明导电材料形成的透明电极。
发光层320可以生成具有与第一电极310和第二电极330之间的电压差相对应的亮度的光。例如,发光层320可以包括具有发光材料的发光材料层(EML)。发光材料可以是有机材料。例如,根据本发明的实施方式的显示装置是具有由有机材料形成的发光层320的有机发光显示设备。
第二电极330可以包括导电材料。第二电极330可以包括与第一电极310不同的材料。第二电极330可以具有比第一电极310高的反射率。例如,第二电极330可以包括诸如铝(Al)和银(Ag)之类的金属。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,由发光层320生成的光可以经过设备基板100和第一电极310被发出到外侧。然而,本公开不限于此。当显示装置是顶部发光型显示设备时,第一电极310可以包括透明导电材料,并且第二电极330可以包括反射型导电材料。
每一个子像素S1-S4的发光器件EL可以被独立驱动。例如,每一个子像素S1-S4的发光器件EL的第一电极310可以与相邻子像素S1-S4的发光器件EL的第一电极310间隔开。堤绝缘层140可以设置在相邻第一电极310之间的空间中。每一个第一电极310可以通过堤绝缘层140与相邻的第一电极310绝缘。例如,堤绝缘层140可以覆盖每一个第一电极310的边缘。发光器件EL的发光层320和第二电极330可以被层叠在相对应的第一电极310的通过堤绝缘层140暴露的部分上。发光器件EL的发光层320和第二电极330可以延伸到堤绝缘层140上。例如,每一个子像素S1-S4的发光器件EL的发光层320和第二电极330可以与相邻子像素S1-S4的发光器件EL的发光层320和第二电极330组合。第一电极310和驱动电路DA的电连接区域可以与堤绝缘层140交叠。例如,下接触孔和上接触孔可以设置在设备基板100和堤绝缘层140之间。此外,遮光层LS可以进一步设置在第二薄膜晶体管T2的半导体图案210下方,以阻挡外部光进入半导体图案210。
上钝化层150可以设置在发光器件EL上。上钝化层150可以防止发光器件由于外部湿气和冲击而损坏。上钝化层150可以沿着第二电极330延伸。例如,上钝化层150可以延伸到堤绝缘层140上。
上钝化层150可以包括绝缘材料。例如,上钝化层150可以包括诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)之类的无机绝缘材料。上钝化层150可以具有多层结构。例如,上钝化层150可以具有以下结构,其中由有机绝缘材料形成的有机层可以设置在由无机绝缘材料形成的无机层之间。
封装基板400可以设置在上钝化层150上。封装基板400可以包括绝缘材料。封装基板400可以包括与设备基板100不同的材料。例如,封装基板400可以包括比设备基板100具有更高热耗散特性的金属,诸如铝(Al)和镍(Ni)。
粘合层500可以设置在设备基板100和封装基板400之间。粘合层500可以包括粘合材料。例如,封装基板400可以通过粘合层500与其中形成有发光器件EL的设备基板100结合。
因此,根据本发明的实施方式的显示装置可以包括由第一子像素S1至第四子像素S4构成的单位像素PA,第一子像素S1至第四子像素S4被数据线DL和基准电压供应线RL分为两组,并且连接线CL1和CL2用于向四个子像素S1-S4供应数据信号和基准电压。连接线CL1和CL2可以包括与数据线DL交叉的基准连接线CL1以及与基准电压供应线RL交叉的数据连接线CL2。基准连接线CL1和数据线DL的交叉区域CA1可以具有与数据连接线CL2和基准电压供应线RL的交叉区域CA2相同的面积。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,可以防止第一子像素S1至第四子像素S4由于连接线CL1和CL2导致的充电速率的变化。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,每一个单位像素PA的操作的可靠性可以得到改善。
在根据本发明的实施方式的显示装置中,设置在数据线DL和基准电压供应线RL的一侧上的子像素S1-S4的驱动电路DA可以与设置在数据线DL和基准电压供应线RL的另一侧上的子像素S1-S4的驱动电路具有相同的布置。因而,数据线DL和基准连接线CL1的交叉区域CA1的数量以及基准电压供应线RL和数据连接线CL2的交叉区域CA2的数量可以被最小化。例如,数据线DL和基准连接线CL1的交叉区域CA1的数量以及基准电压供应线RL和数据连接线CL2的交叉区域CA2的数量可以是1。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,每一条连接线CL1和CL2的寄生电容可以被最小化。此外,在根据本发明的实施方式的显示装置中,第一子像素S1至第四子像素S4的RC延迟可以被最小化,使得驱动效率可以得到改善。
在根据本发明的实施方式的显示装置中,连接线CL1和CL2的形状可以得到简化。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,连接线CL1和CL2的布置可以得到简化。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,形成单位像素PA的驱动电路DA的过程可以得到简化。
在根据本发明的实施方式的显示装置中,每一个驱动电路DA的薄膜晶体管T1-T3可以包括由与栅极230相同的材料形成的源极250和漏极260。因而,用于形成每一个子像素S1-S4的驱动电路DA的层叠金属层的数量可以减少。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,工艺效率可以得到改善。
结果,根据本发明的实施方式的显示装置可以包括用于向单个单位像素的子像素供应数据信号和基准电压的连接线,子像素被数据线和基准电压供应线分为两组,其中,与数据线交叉的基准连接线的寄生电容和与基准电压供应线交叉的数据连接线的寄生电容相同。因而,在根据本发明的实施方式的显示装置中,构成单个单位像素的子像素可以具有相同的充电速率。因此,在根据本发明的实施方式的显示装置中,可以防止施加到具体子像素的信号的相对延迟。
本申请要求于2018年12月28日递交的韩国专利申请No.10-2018-0172478的优先权权益,其通过引用结合于此,如同在本文中完全阐述一样。
Claims (14)
1.一种显示装置,该显示装置包括:
第一子像素;
沿第一方向与所述第一子像素并排设置的第二子像素;
沿与所述第一方向垂直的第二方向与所述第一子像素并排设置的第三子像素;
沿所述第一方向与所述第三子像素并排设置的第四子像素;
沿所述第一方向延伸的数据线,所述数据线在所述第一子像素与所述第三子像素之间并且在所述第二子像素与所述第四子像素之间穿过;
与所述数据线并排设置的基准电压供应线,所述基准电压供应线在所述数据线与所述第三子像素之间并且在所述数据线与所述第四子像素之间穿过;
与所述数据线交叉的基准连接线,所述基准连接线将所述第一子像素和所述第二子像素连接到所述基准电压供应线;以及
与所述基准电压供应线交叉的数据连接线,所述数据连接线将所述第三子像素和所述第四子像素连接到所述数据线,
其中,所述第一子像素至所述第四子像素连接到同一数据线和同一基准电压供应线,并且
其中,所述基准电压供应线和所述数据连接线的交叉区域具有与所述数据线和所述基准连接线的交叉区域相同的面积。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基准电压供应线和所述数据连接线的交叉区域的数量与所述数据线和所述基准连接线的交叉区域的数量相同。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述数据线和所述基准连接线的交叉区域的数量为1。
4.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括沿所述第二方向延伸的选通线,
其中,所述选通线包括连接到所述第一子像素的第一选通线、连接到所述第二子像素的第二选通线、连接到所述第三子像素的第三选通线以及连接到所述第四子像素的第四选通线,并且
其中,所述第二选通线被设置为比所述第三选通线更接近所述第一选通线。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第四子像素中的每一个包括发光器件和电连接到所述发光器件的驱动电路,并且
其中,所述第三子像素的驱动电路具有与所述第一子像素的驱动电路相同的布置,并且所述第四子像素的驱动电路具有与所述第二子像素的驱动电路相同的布置。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二子像素的驱动电路具有与所述第一子像素的驱动电路相对称的布置。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第四子像素中的每一个的驱动电路包括至少一个晶体管,并且
其中,所述晶体管的栅极具有与所述晶体管的源极和漏极相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述数据线与所述基准电压供应线具有与所述栅极不同的材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述数据连接线和所述基准连接线具有与所述栅极相同的材料。
10.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一子像素至所述第四子像素中的每一个的驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,
所述第一晶体管的栅极连接至供应选通信号的选通线,所述第一晶体管的源极连接至所述数据线,并且所述第一晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的栅极,并且
所述第二晶体管的源极连接至电源线,并且所述第二晶体管的漏极连接至所述发光器件的第一电极,
所述第三晶体管的栅极连接至所述选通线,所述第三晶体管的源极连接至所述基准电压供应线,并且所述第三晶体管的漏极连接至所述发光器件的所述第一电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中,所述第一晶体管被布置在所述第三晶体管和所述数据线之间,并且
其中,在所述第三子像素和所述第四子像素中的每一个中,所述第三晶体管被布置在所述第一晶体管和所述基准电压供应线之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括:
沿所述第一方向延伸的电源线;以及
连接到所述电源线的电力分配线,所述电力分配线沿所述第二方向延伸,
其中,所述电力分配线穿过所述第一子像素至所述第四子像素。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述电源线和所述电力分配线设置在不同的层上。
14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述电力分配线具有与所述数据连接线和所述基准连接线的材料相同的材料。
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