CN112563140A - 一种碳化硅mosfet器件jfet区自对准掺杂工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，采用自对准的方法实现注入掺杂，对具体的自对准加工工艺，又细分为两种实现路线，一种是通过表面平整化的工艺方案，另一种是设计合适的JFET区宽度和多晶硅掩膜厚度比例，从而直接通过全片刻蚀工艺实现JFET区和p阱区的自对准。本发明能够在有效降低JFET区域电阻的同时，避免JFET区未注入完整，或者单边沟道被注入导致性能差异的风险。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，主要涉及一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺。
背景技术
碳化硅材料禁带宽度大、击穿电场高、饱和漂移速度和热导率大，这些材料优越性能使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。碳化硅MOSFET器件具有击穿电压高、电流密度大、驱动电路与硅IGBT近似的一系列优点，因此发展前景非常广泛。
碳化硅MOSFET器件的典型参数性能指标包括阻断电压、工作电流、阈值电压和导通电阻等。其中导通电阻由衬底电阻、漂移层电阻、JFET区电阻、沟道电阻和接触电阻等部分组成。随着器件性能需求不断提升，器件的元胞尺寸不断缩小，于是JFET区尺寸随之减小，而串联在器件导通电路中的JFET区电阻将不断上升。于是，对JFET区掺杂以获得较小的JFET区电阻成为可行而有效的方案。常用的JFET区掺杂方案是对整个MOSFET有源区进行整体掺杂，但是这种方案对器件其他区域进行了不必要的注入工艺，带来了额外的损伤。所以，在有可能的情况下，希望实现只对JFET区进行掺杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，通过自对准的工艺方法实现器件JFET区域的掺杂，从而在降低JFET区电阻的同时不引入其他寄生效应。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，包括如下步骤：
S1：在碳化硅外延片表面生长淀积掩膜介质；
S2：将JFET区域表面的掩膜介质去除；
S3：对碳化硅表面JFET区域进行n型离子注入；
S4：在整个碳化硅圆片表面淀积多晶硅掩膜介质；
S5：采用表面平整化工艺，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质；
或者，对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到SiO2掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存；
S6：通过腐蚀工艺，去除之前的掩膜介质，对于器件的终端区域，通过光刻工艺，用光刻胶作掩膜保留部分掩膜介质；
S7：对碳化硅表面进行p型的p阱离子注入；
S8：通过自对准的方法，即对全片覆盖SiO2介质后再整体刻除，从而保留多晶硅介质侧壁的部分SiO2介质；或者直接对多晶硅介质进行自氧化生长工艺；
S9：对碳化硅表面进行n+型的离子注入，从而在p阱区域自对准地形成沟道；
S10：去除所有掩膜介质，完成整套自对准工艺，SiC圆片继续进行后续工艺。
与现有技术相比，本发明的显著优点为：本发明通过对碳化硅MOSFET器件的JFET区注入工艺采用自对准注入的方案，并将该方案整合进原有的碳化硅MOSFET沟道自对准注入流程中；该方案能够在有效降低JFET区域电阻的同时，避免JFET区未注入完整，或者单边沟道被注入导致性能差异的风险。同时方案的整合使得工艺难度得到一定程度降低。
附图说明
图1是本发明实施例中碳化硅表面淀积掩膜介质SiO2的示意图。
图2是本发明实施例中去除圆片JFET区域表面掩膜介质SiO2的示意图。
图3是本发明实施例中JFET区域进行n型离子注入的示意图。
图4是本发明实施例中完成JFET区注入后全片表面淀积覆盖多晶硅层的示意图。
图5是本发明实施例中表面平整化去除JFET区域以外多晶硅介质的示意图。
图6是本发明实施例中完成JFET区注入后全片表面淀积覆盖较厚多晶硅层，使得JFET区多晶硅层表面高于其他位置的示意图。
图7是本发明实施例中去除多余的掩膜介质SiO2的示意图。
图8是本发明实施例中离子注入形成p阱区域的示意图。
图9是本发明实施例中通过自对准工艺在多晶硅层侧壁形成SiO2薄层的示意图。
图10是本发明实施例中离子注入形成n+区域、p阱沟道的示意图。
图11是本发明实施例中去除所有掩膜介质，完成自对准工艺的示意图。
具体实施方式
碳化硅MOSFET器件的标准制备工艺中，常用多晶硅掩膜自氧化的方法形成自对准图形，从而注入形成p阱沟道，沟道宽度<1um，且通过精确控制自氧化的时间实现对沟道宽度的精确控制。于是，尝试同样通过自对准的方法可以实现JFET区的注入工艺。自对准方法还可以避免仅用光刻的方法制备JFET区注入掩膜存在的风险，特别是横向偏移使得部分JFET区未注入，或者单边沟道被注入导致性能差异等。
本发明提出一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，包括如下步骤：
S1：在碳化硅外延片表面生长淀积掩膜介质；
S2：通过光刻、刻蚀(或者腐蚀)工艺，将JFET区域表面的掩膜介质去除；
S3：对碳化硅表面JFET区域进行n型离子注入；
S4：在整个碳化硅圆片表面淀积多晶硅掩膜介质；
S5-1：采用表面平整化(CMP)等工艺方案，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质，这是整个JFET区域自对准掺杂工艺的核心过程；
S5-2：还有另一种工艺方案，当碳化硅MOSFET器件的JFET区域较窄，并且在S4步骤中选择淀积较厚的多晶硅掩膜介质时，可以使得JFET区域的多晶硅层高度高于圆片其他位置，此时可以选择对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到SiO2掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存；
S6：通过腐蚀(或者刻蚀)工艺，去除之前的掩膜介质，这里对于器件的终端区域，可以通过光刻工艺，用光刻胶作掩膜保留部分掩膜介质，以保证器件终端不受后续的p阱注入和n+注入的影响；
S7：对碳化硅表面进行p型的p阱离子注入；
S8：再通过自对准的方法，即对全片覆盖SiO2介质后再整体刻除，从而保留多晶硅介质侧壁的部分SiO2介质；或者直接对多晶硅介质进行自氧化生长工艺；
S9：对碳化硅表面进行n+型的离子注入，从而在p阱区域自对准地形成沟道；
S10：去除所有掩膜介质，完成整套自对准工艺，SiC圆片继续进行后续工艺。
进一步的，所述步骤S1中，掩膜介质推荐使用SiO2，也可以采用SiN、变组分SixN1-x、SiON等其他介质，掩膜介质厚度在0.5um至5um，原因是需要用作JFET以外区域注入时的掩膜，同时兼顾工艺成本和难度。
进一步的，所述步骤S2中，去除JFET区域介质的方法可以是氢氟酸(或者BOE)湿法腐蚀，此时需根据介质厚度留足相同宽度的侧蚀余量；或者采用干法刻蚀工艺，此时可以剩余部分介质，厚度小于500埃，避免损伤碳化硅表面，同时对JFET注入能量少量提升，保证注入深度。
进一步的，所述步骤S3中，通过掩膜介质形成对JFET区域的单独注入，此处也可以选择无掩膜介质整片注入，或者注入完成后直接去除掩膜介质，即不采用自对准工艺，如此也能达到掺杂JFET区域的目的，但是会引入额外的风险。
进一步的，所述步骤S4中，淀积的多晶硅层厚度在0.5um至5um，目的是足够满足后续p阱注入时的掩膜需求。
进一步的，所述步骤S5-1中，对表面平整化的片内均匀性有要求，至少正负0.5um以内，要求JFET区域以外的多晶硅层去除干净，可以额外减去部分SiO2掩膜，但是要保证剩余的(多晶硅)厚度满足注入掩膜要求。
进一步的，所述步骤S5-2中，此方案中采用的多晶硅层厚度较厚，大于SiO2掩膜介质的厚度；该方法更适合窄JFET区域的情形，指宽度小于2um；采用全片刻蚀多晶硅的方法，还需要较高的多晶硅和SiO2刻蚀比，大于3：1，从而以一定比例的过刻保证非JFET区无多晶硅残留；最后此方案还需要JFET区域的多晶硅层在过刻后仍有剩余。
进一步的，所述步骤S6中，去除剩余SiO2的过程中，需要不损伤多晶硅层，不损伤碳化硅表面。对于器件终端结构的制备，本发明在后续的p+层注入过程中一并实现，所以此处默认对终端区域保留掩膜介质不注入离子。
进一步的，所述步骤S7-S9中，此处描述的是碳化硅p阱、沟道、n+区注入形成的标准流程，本发明主要创新在于将JFET区注入过程放在这一过程之前，从而实现JFET区、p阱、n+区三者的自对准。实际方案流程中相当于用p阱对准JFET区，再用n+区对准p阱。
下面结合附图，对本发明的技术方案做进一步的阐述。
实施例
本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺方法，包括以下步骤：
S1：在碳化硅外延片表面生长淀积掩膜介质，掩膜介质使用SiO2，如图1所示；
S2：将JFET区域表面的掩膜介质去除，如图2所示；
S3：对碳化硅表面JFET区域进行n型离子注入，如图3所示；
S4：在整个碳化硅圆片表面淀积多晶硅掩膜介质，如图4所示；
S5-1：采用表面平整化工艺方案，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质，如图5所示，这是整个JFET区域自对准掺杂工艺的核心过程；
S5-2：还有另一种工艺方案，当碳化硅MOSFET器件的JFET区域较窄，并且在S4步骤中选择淀积较厚的多晶硅掩膜介质时，可以使得JFET区域的多晶硅层高度高于圆片其他位置，如图6所示，此时可以选择对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到SiO2掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存；
S6：通过腐蚀工艺，去除之前的掩膜介质SiO2，如图7所示，这里对于器件的终端区域，可以通过光刻工艺，用光刻胶作掩膜保留部分掩膜介质，以保证器件终端不受后续的p阱注入和n+注入的影响；
S7：对碳化硅表面进行p型的p阱离子注入，如图8所示；
S8：再通过自对准的方法，即对全片覆盖SiO2介质后再整体刻除，从而保留多晶硅介质侧壁的部分SiO2介质，如图9所示；
S9：对碳化硅表面进行n+型的离子注入，从而在p阱区域自对准地形成沟道，如图10所示；
S10：去除所有掩膜介质，完成整套自对准工艺，如图11所示，SiC圆片继续进行后续工艺。
Claims (8)
1.一种碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在碳化硅外延片表面生长淀积掩膜介质；
S2：将JFET区域表面的掩膜介质去除；
S3：对碳化硅表面JFET区域进行n型离子注入；
S4：在整个碳化硅圆片表面淀积多晶硅掩膜介质；
S5：采用表面平整化工艺，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质；
或者，对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存；
S6：通过腐蚀工艺，去除之前的掩膜介质，对于器件的终端区域，通过光刻工艺，用光刻胶作掩膜保留部分掩膜介质；
S7：对碳化硅表面进行p型的p阱离子注入；
S8：通过自对准的方法，即对全片覆盖SiO2介质后再整体刻除，从而保留多晶硅介质侧壁的部分SiO2介质；或者直接对多晶硅介质进行自氧化生长工艺；
S9：对碳化硅表面进行n+型的离子注入，从而在p阱区域自对准地形成沟道；
S10：去除所有掩膜介质，完成整套自对准工艺，SiC圆片继续进行后续工艺。
2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S1中，掩膜介质为SiO2、SiN、变组分SixN1-x、SiON，掩膜介质厚度在0.5um至5um。
3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S2中，去除JFET区域介质的方法为氢氟酸湿法腐蚀或者BOE湿法腐蚀，根据介质厚度留足相同宽度的侧蚀余量。
4.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S2中，采用干法刻蚀工艺，剩余部分介质，厚度小于500埃。
5.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S3中，通过掩膜介质形成对JFET区域的单独注入，或者选择无掩膜介质整片注入，或者注入完成后直接去除掩膜介质，即不采用自对准工艺。
6.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S4中，淀积的多晶硅层厚度在0.5um至5um。
7.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S5中，抛光去除圆片表面除JFET区域以外的多晶硅掩膜介质时，对表面平整化的片内均匀性有要求，至少正负0.5um以内。
8.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件JFET区自对准掺杂工艺，其特征在于：所述S5中，对圆片表面的多晶硅层进行全片整体刻蚀，直至刻蚀到SiO2掩膜介质表面，而JFET区域有多晶硅介质留存，该方案中采用的多晶硅层厚度大于SiO2掩膜介质的厚度；JFET区域宽度小于2um；多晶硅和SiO2刻蚀比大于3：1。
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2020
- 2020-11-29 CN CN202011365991.5A patent/CN112563140B/zh active Active
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