CN112530936B - 集成电路细致修调电阻阵列版图结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构,包括N条电阻、N条金属引线、第一电阻端口和第二电阻端口;N条电阻相互平行设置,N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN‑2、电阻RN‑1与电阻RN,其中,电阻R1的电阻值等于R/N,随着电阻下标编号增大,对应的电阻的电阻值依次增加R/N,直到电阻RN的电阻值为R;N条金属引线,N条金属引线相互平行,N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地互联;第一电阻端口与N条金属引线的另一端可选择性地连接;第二电阻端口与N条电阻的另一端一一对应地互联。本发明可以在较大范围内对电阻值进行细致修调。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其是涉及一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构。
背景技术
在集成电路设计的过程中,常会遇到一些电路对电阻值特别敏感的情况,在工艺上电阻值的不确定性往往会对电路的最终性能产生重要影响。在集成电路版图中,电阻一般可以分为P阱/N阱电阻、P+/N+电阻、P+/N+掺杂多晶硅电阻、普通多晶硅电阻等多种类型,在离子注入或材料制备的工艺过程中,不可避免的会造成部分电阻在一定阻值范围出现较大偏差,影响了部分电阻值的准确预估。为了避免敏感电阻值工艺偏差对特定电路性能造成较大影响,集成电路设计者一般会同时在特定节点接入多个电阻(并联或串联)或设计多个电阻方案,在流片后可以通过聚焦粒子束(或激光)对多个电阻的连接进行切割或者重新连接,以此实现对电阻值的修调,保证获得理想的电路性能,并最终确定电路版图。此外,根据不同需求还可以采用熔丝烧断修调、二极管短路修调等技术。
传统集成电路电阻版图修调方法一般仅将多个电阻简单并联或串联接入电路,难以同时做到小的占用面积、宽阻值范围、高的修调精度等要求,对于不同的需求,往往需要改变其修调电阻版图结构,给电阻修调留下的空间较小。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构,可以在较大范围内对电阻值进行细致修调。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构,包括:
N条电阻,N条所述电阻相互平行设置,N条所述电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN,其中,电阻R1的电阻值等于R/N,随着电阻下标编号增大,对应的电阻的电阻值依次增加R/N,直到电阻RN的电阻值为R;
N条金属引线,N条所述金属引线相互平行,N条所述金属引线的一端与N条所述电阻的一端一一对应地互联;
第一电阻端口,所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端可选择性地连接;
第二电阻端口,所述第二电阻端口与N条所述电阻的另一端一一对应地互联。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构,利用聚焦离子束等设备可以对本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构中的N条金属引线进行任意组合切割或/和连接,以此实现不同的电阻值。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构,能够实现单一电阻接入、任意组合电阻并联接入等多种连接方式,可以对集成电路的接入电阻进行极其细致的修调,适用于集成电路中对电阻极其敏感的情况。本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构简单、规整、连接与切割方便,能够在较大范围内对接入电路的电阻值进行细致修调,可以作为固定模块在集成电路的设计中调用,将会大大缩短集成电路设计的研制周期,节约设计中备选方案的版图面积。
根据本发明的一个实施例,所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端一一对应地连接。
根据本发明的一个实施例,所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端全部断开。
根据本发明的一个实施例,所述第一电阻端口与N条所述金属引线中的一部分所述金属引线的另一端一一对应连接,与N条所述金属引线中的其余部分所述金属引线的另一端一一对应地断开。
根据本发明的一个实施例,所述集成电路细致修调电阻阵列版图结构与特定电阻串联。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本发明一个实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构示意图。
图2为本发明另一个实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构示意图。
图3为本发明又一个实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
下面结合图1至图3来描述本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000。
如图1至图3所示,根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000,包括N条电阻、N条金属引线、第一电阻端口T1和第二电阻端口T2。其中,N条电阻相互平行设置,N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN,其中,电阻R1的电阻值等于R/N,随着电阻下标编号增大,对应的电阻的电阻值依次增加R/N,直到电阻RN的电阻值为R;N条金属引线相互平行,N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地通过通孔互联;第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端可选择性地连接;第二电阻端口T2与N条电阻的另一端一一对应地通过通孔互联。
具体地,N条电阻相互平行设置,N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN,其中,电阻R1的电阻值等于R/N,随着电阻下标编号增大,对应的电阻的电阻值依次增加R/N,直到电阻RN的电阻值为R;也就是说,电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN的电阻值依次为R/N、2R/N、3R/N、...、(N-2)R/N、(N-1)R/N与R、相邻的两条电阻的电阻值之间相差R/N。
N条金属引线相互平行,N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地通过通孔互联;也就是说,N条金属引线分别为金属引线M1、金属引线M2、金属引线M3、...、金属引线MN-2、金属引线MN-1与金属引线MN时,金属引线M1的一端与电阻R1的一端对应地互联,金属引线M2的一端与电阻R2的一端对应地互联,金属引线M3的一端与电阻R3的一端对应地互联,...,金属引线M(N-1)的一端与电阻R(N-1)的一端对应地互联,金属引线MN的一端与电阻RN的一端对应地互联。
第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端可选择性地连接;也就是说,第一电阻端口T1可以与N条金属引线全部对应接入,第一电阻端口T1也可以与N条金属引线全部断开,第一电阻端口T1还可以与N条金属引线中的一部分金属引线接入而与N条金属引线中的其余部分金属引线断开。
第二电阻端口T2与N条电阻的另一端一一对应地通过通孔互联;也就是说,第二电阻端口T2与N条电阻的另一端全部互联。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000,利用聚焦离子束等设备可以对本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000中的金属引线M1、M2、M3、...、MN-2、MN-1与MN进行任意组合切割或/和连接,以此实现不同的电阻值。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000,能够实现单一电阻接入、任意组合电阻并联接入等多种连接方式,可以对集成电路的接入电阻进行极其细致的修调,适用于集成电路中对电阻极其敏感的情况。本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000简单、规整、连接与切割方便,能够在较大范围内对接入电路的电阻值进行细致修调,可以作为固定模块在集成电路的设计中调用,将会大大缩短集成电路设计的研制周期,节约设计中备选方案的版图面积。
如图1所示,根据本发明的一个实施例,第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端一一对应地连接。也就是说,N条金属引线全部接入第一电阻端口T1,利用聚焦电子束等设备可以对图1中的金属引线M1、金属引线M2、金属引线M3、...、金属引线MN-2、金属引线MN-1与金属引线MN进行任意组合切割,以此实现不同的电阻值,可修调的总的电阻组合个数A为:
其中,当N条电阻中的一个电阻单独接入第一电阻端口T1时,可选择的阻值范围为R/N到R;如果将任意大于或等于两个的电阻进行并联接入,则可以实现A-N种接入阻值,具有较大的细致修调范围。
如图2所示,根据本发明的一个实施例,第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端全部断开。可以理解的是,在使用图2集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000的过程中,需要使用聚焦离子束等设备金属引线M1、金属引线M2、金属引线M3、...、金属引线MN-2、金属引线MN-1与金属引线MN进行选择性互联,连接区域如图2中线框G1内所示,其可实现电阻组合个数同样等于A,即:
根据本发明的一个实施例,第一电阻端口T1与N条金属引线中的一部分金属引线的另一端一一对应连接,与N条金属引线中的其余部分金属引线的另一端一一对应地断开。由此,可以将特定电阻值连接为初始状态,可以设置单一电阻接入(如图3中线框G2内所示)、两个电阻接入或者其它可能的组合状态作为初始状态接入,在初始状态的基础上,流片后对电阻进行细致修调。
根据本发明的一个实施例,集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000与特定电阻串联,以实现特定的修调范围,即可以在特定电阻的电阻值的基础上,对集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000的电阻进行细致修调,增加了集成电路的电阻的调节范围。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (1)
1.一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构,其特征在于,包括:
N条电阻,N条所述电阻相互平行设置,N条所述电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN,其中,电阻R1的电阻值等于R/N,随着电阻下标编号增大,对应的电阻的电阻值依次增加R/N,直到电阻RN的电阻值为R;
N条金属引线,N条所述金属引线相互平行,N条所述金属引线的一端与N条所述电阻的一端一一对应地互联;
第一电阻端口,所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端可选择性地连接;所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端一一对应地连接;或所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端全部断开;或所述第一电阻端口与N条所述金属引线中的一部分所述金属引线的另一端一一对应连接,与N条所述金属引线中的其余部分所述金属引线的另一端一一对应地断开;
第二电阻端口,所述第二电阻端口与N条所述电阻的另一端一一对应地互联;
所述集成电路细致修调电阻阵列版图结构利用聚焦离子束设备对M条所述金属引线进行任意组合切割或/和连接,以实现不同的电阻值;所述集成电路细致修调电阻阵列版图结构与特定电阻串联。
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