CN112530936A - 集成电路细致修调电阻阵列版图结构 - Google Patents

集成电路细致修调电阻阵列版图结构 Download PDF

Info

Publication number
CN112530936A
CN112530936A CN202011341459.XA CN202011341459A CN112530936A CN 112530936 A CN112530936 A CN 112530936A CN 202011341459 A CN202011341459 A CN 202011341459A CN 112530936 A CN112530936 A CN 112530936A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
resistance
resistors
integrated circuit
metal leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011341459.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112530936B (zh
Inventor
刘天奇
杨广文
甘霖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN202011341459.XA priority Critical patent/CN112530936B/zh
Publication of CN112530936A publication Critical patent/CN112530936A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112530936B publication Critical patent/CN112530936B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构，包括N条电阻、N条金属引线、第一电阻端口和第二电阻端口；N条电阻相互平行设置，N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN‑2、电阻RN‑1与电阻RN，其中，电阻R1的电阻值等于R/N，随着电阻下标编号增大，对应的电阻的电阻值依次增加R/N，直到电阻RN的电阻值为R；N条金属引线，N条金属引线相互平行，N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地互联；第一电阻端口与N条金属引线的另一端可选择性地连接；第二电阻端口与N条电阻的另一端一一对应地互联。本发明可以在较大范围内对电阻值进行细致修调。

Description

集成电路细致修调电阻阵列版图结构
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构。
背景技术
在集成电路设计的过程中，常会遇到一些电路对电阻值特别敏感的情况，在工艺上电阻值的不确定性往往会对电路的最终性能产生重要影响。在集成电路版图中，电阻一般可以分为P阱/N阱电阻、P+/N+电阻、P+/N+掺杂多晶硅电阻、普通多晶硅电阻等多种类型，在离子注入或材料制备的工艺过程中，不可避免的会造成部分电阻在一定阻值范围出现较大偏差，影响了部分电阻值的准确预估。为了避免敏感电阻值工艺偏差对特定电路性能造成较大影响，集成电路设计者一般会同时在特定节点接入多个电阻(并联或串联)或设计多个电阻方案，在流片后可以通过聚焦粒子束(或激光)对多个电阻的连接进行切割或者重新连接，以此实现对电阻值的修调，保证获得理想的电路性能，并最终确定电路版图。此外，根据不同需求还可以采用熔丝烧断修调、二极管短路修调等技术。
传统集成电路电阻版图修调方法一般仅将多个电阻简单并联或串联接入电路，难以同时做到小的占用面积、宽阻值范围、高的修调精度等要求，对于不同的需求，往往需要改变其修调电阻版图结构，给电阻修调留下的空间较小。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构，可以在较大范围内对电阻值进行细致修调。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，包括：
N条电阻，N条所述电阻相互平行设置，N条所述电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN，其中，电阻R1的电阻值等于R/N，随着电阻下标编号增大，对应的电阻的电阻值依次增加R/N，直到电阻RN的电阻值为R；
N条金属引线，N条所述金属引线相互平行，N条所述金属引线的一端与N条所述电阻的一端一一对应地互联；
第一电阻端口，所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端可选择性地连接；
第二电阻端口，所述第二电阻端口与N条所述电阻的另一端一一对应地互联。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，利用聚焦离子束等设备可以对本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构中的N条金属引线进行任意组合切割或/和连接，以此实现不同的电阻值。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，能够实现单一电阻接入、任意组合电阻并联接入等多种连接方式，可以对集成电路的接入电阻进行极其细致的修调，适用于集成电路中对电阻极其敏感的情况。本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构简单、规整、连接与切割方便，能够在较大范围内对接入电路的电阻值进行细致修调，可以作为固定模块在集成电路的设计中调用，将会大大缩短集成电路设计的研制周期，节约设计中备选方案的版图面积。
根据本发明的一个实施例，所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端一一对应地连接。
根据本发明的一个实施例，所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端全部断开。
根据本发明的一个实施例，所述第一电阻端口与N条所述金属引线中的一部分所述金属引线的另一端一一对应连接，与N条所述金属引线中的其余部分所述金属引线的另一端一一对应地断开。
根据本发明的一个实施例，所述集成电路细致修调电阻阵列版图结构与特定电阻串联。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明一个实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构示意图。
图2为本发明另一个实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构示意图。
图3为本发明又一个实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面结合图1至图3来描述本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000。
如图1至图3所示，根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000，包括N条电阻、N条金属引线、第一电阻端口T1和第二电阻端口T2。其中，N条电阻相互平行设置，N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN，其中，电阻R1的电阻值等于R/N，随着电阻下标编号增大，对应的电阻的电阻值依次增加R/N，直到电阻RN的电阻值为R；N条金属引线相互平行，N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地通过通孔互联；第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端可选择性地连接；第二电阻端口T2与N条电阻的另一端一一对应地通过通孔互联。
具体地，N条电阻相互平行设置，N条电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN，其中，电阻R1的电阻值等于R/N，随着电阻下标编号增大，对应的电阻的电阻值依次增加R/N，直到电阻RN的电阻值为R；也就是说，电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN的电阻值依次为R/N、2R/N、3R/N、...、(N-2)R/N、(N-1)R/N与R、相邻的两条电阻的电阻值之间相差R/N。
N条金属引线相互平行，N条金属引线的一端与N条电阻的一端一一对应地通过通孔互联；也就是说，N条金属引线分别为金属引线M1、金属引线M2、金属引线M3、...、金属引线MN-2、金属引线MN-1与金属引线MN时，金属引线M1的一端与电阻R1的一端对应地互联，金属引线M2的一端与电阻R2的一端对应地互联，金属引线M3的一端与电阻R3的一端对应地互联，...，金属引线M(N-1)的一端与电阻R(N-1)的一端对应地互联，金属引线MN的一端与电阻RN的一端对应地互联。
第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端可选择性地连接；也就是说，第一电阻端口T1可以与N条金属引线全部对应接入，第一电阻端口T1也可以与N条金属引线全部断开，第一电阻端口T1还可以与N条金属引线中的一部分金属引线介入而与N条金属引线中的其余部分金属引线断开。
第二电阻端口T2与N条电阻的另一端一一对应地通过通孔互联；也就是说，第二电阻端口T2与N条电阻的另一端全部互联。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000，利用聚焦离子束等设备可以对本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000中的金属引线M1、M2、M3、...、MN-2、MN-1与MN进行任意组合切割或/和连接，以此实现不同的电阻值。
根据本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000，能够实现单一电阻接入、任意组合电阻并联接入等多种连接方式，可以对集成电路的接入电阻进行极其细致的修调，适用于集成电路中对电阻极其敏感的情况。本发明实施例的集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000简单、规整、连接与切割方便，能够在较大范围内对接入电路的电阻值进行细致修调，可以作为固定模块在集成电路的设计中调用，将会大大缩短集成电路设计的研制周期，节约设计中备选方案的版图面积。
如图1所示，根据本发明的一个实施例，第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端一一对应地连接。也就是说，N条金属引线全部接入第一电阻端口T1，利用聚焦电子束等设备可以对图1中的金属引线M1、金属引线M2、金属引线M3、...、金属引线MN-2、金属引线MN-1与金属引线MN进行任意组合切割，以此实现不同的电阻值，可修调的总的电阻组合个数A为：
Figure BDA0002798734560000041
其中，当N条电阻中的一个电阻单独接入第一电阻端口T1时，可选择的阻值范围为R/N到R；如果将任意大于或等于两个的电阻进行并联接入，则可以实现A-N种接入阻值，具有较大的细致修调范围。
如图2所示，根据本发明的一个实施例，第一电阻端口T1与N条金属引线的另一端全部断开。可以理解的是，在使用图2集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000的过程中，需要使用聚焦离子束等设备金属引线M1、金属引线M2、金属引线M3、...、金属引线MN-2、金属引线MN-1与金属引线MN进行选择性互联，连接区域如图2中线框G1内所示，其可实现电阻组合个数同样等于A，即：
Figure BDA0002798734560000042
根据本发明的一个实施例，第一电阻端口T1与N条金属引线中的一部分金属引线的另一端一一对应连接，与N条金属引线中的其余部分金属引线的另一端一一对应地断开。由此，可以将特定电阻值连接为初始状态，可以设置单一电阻接入(如图3中线框G2内所示)、两个电阻接入或者其它可能的组合状态作为初始状态接入，在初始状态的基础上，流片后对电阻进行细致修调。
根据本发明的一个实施例，集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000与特定电阻串联，以实现特定的修调范围，即可以在特定电阻的电阻值的基础上，对集成电路细致修调电阻阵列版图结构1000的电阻进行细致修调，增加了集成电路的电阻的调节范围。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种集成电路细致修调电阻阵列版图结构，其特征在于，包括：
N条电阻，N条所述电阻相互平行设置，N条所述电阻分别为电阻R1、电阻R2、电阻R3、...、电阻RN-2、电阻RN-1与电阻RN，其中，电阻R1的电阻值等于R/N，随着电阻下标编号增大，对应的电阻的电阻值依次增加R/N，直到电阻RN的电阻值为R；
N条金属引线，N条所述金属引线相互平行，N条所述金属引线的一端与N条所述电阻的一端一一对应地互联；
第一电阻端口，所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端可选择性地连接；
第二电阻端口，所述第二电阻端口与N条所述电阻的另一端一一对应地互联。
2.根据权利要求1所述的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，其特征在于，所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端一一对应地连接。
3.根据权利要求1所述的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，其特征在于，所述第一电阻端口与N条所述金属引线的另一端全部断开。
4.根据权利要求1所述的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，其特征在于，所述第一电阻端口与N条所述金属引线中的一部分所述金属引线的另一端一一对应连接，与N条所述金属引线中的其余部分所述金属引线的另一端一一对应地断开。
5.根据权利要求1所述的集成电路细致修调电阻阵列版图结构，其特征在于，所述集成电路细致修调电阻阵列版图结构与特定电阻串联。
CN202011341459.XA 2020-11-25 2020-11-25 集成电路细致修调电阻阵列版图结构 Active CN112530936B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011341459.XA CN112530936B (zh) 2020-11-25 2020-11-25 集成电路细致修调电阻阵列版图结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011341459.XA CN112530936B (zh) 2020-11-25 2020-11-25 集成电路细致修调电阻阵列版图结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112530936A true CN112530936A (zh) 2021-03-19
CN112530936B CN112530936B (zh) 2022-03-18

Family

ID=74993531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011341459.XA Active CN112530936B (zh) 2020-11-25 2020-11-25 集成电路细致修调电阻阵列版图结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112530936B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114091397A (zh) * 2021-11-09 2022-02-25 重庆中科渝芯电子有限公司 一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09331021A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Mitsumi Electric Co Ltd 抵抗回路及びその調整方法
US20020079538A1 (en) * 2000-03-30 2002-06-27 Yuan-Mou Su Scr-type electrostatic discharge protection circuit
US6441665B1 (en) * 1999-11-25 2002-08-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US20050191767A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Edwards Henry L. Focused ion beam circuit repair using a hardmask and wet chemistry
US20050227664A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Stephen Wu Inline filter resistors
US20080036036A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103858184A (zh) * 2011-09-29 2014-06-11 罗姆股份有限公司 贴片电阻器及具有电阻电路网的电子设备
CN103915411A (zh) * 2013-01-08 2014-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电编程熔丝结构
US20150216044A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-30 Rohm Co., Ltd. Chip parts and method for manufacturing the same, circuit assembly having the chip parts and electronic device
CN105119594A (zh) * 2015-07-30 2015-12-02 中国电子科技集团公司第五十八研究所 高速串口负载自动校准电路
US20150362815A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-17 Sage Electrochromics, Inc. Controlled switching for electrochromic devices
CN108573958A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 精工半导体有限公司 半导体装置
CN108695318A (zh) * 2017-03-30 2018-10-23 艾普凌科有限公司 具有电阻分压电路的半导体装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09331021A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Mitsumi Electric Co Ltd 抵抗回路及びその調整方法
US6441665B1 (en) * 1999-11-25 2002-08-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US20020079538A1 (en) * 2000-03-30 2002-06-27 Yuan-Mou Su Scr-type electrostatic discharge protection circuit
US20050191767A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Edwards Henry L. Focused ion beam circuit repair using a hardmask and wet chemistry
US20050227664A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Stephen Wu Inline filter resistors
US20080036036A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103858184A (zh) * 2011-09-29 2014-06-11 罗姆股份有限公司 贴片电阻器及具有电阻电路网的电子设备
CN103915411A (zh) * 2013-01-08 2014-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电编程熔丝结构
US20150216044A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-30 Rohm Co., Ltd. Chip parts and method for manufacturing the same, circuit assembly having the chip parts and electronic device
US20150362815A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-17 Sage Electrochromics, Inc. Controlled switching for electrochromic devices
CN105119594A (zh) * 2015-07-30 2015-12-02 中国电子科技集团公司第五十八研究所 高速串口负载自动校准电路
CN108573958A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 精工半导体有限公司 半导体装置
CN108695318A (zh) * 2017-03-30 2018-10-23 艾普凌科有限公司 具有电阻分压电路的半导体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114091397A (zh) * 2021-11-09 2022-02-25 重庆中科渝芯电子有限公司 一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112530936B (zh) 2022-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6803680B2 (en) Apparatus, methods, and articles of manufacture for a switch having sharpened control voltage
CN102177687B (zh) 总线驱动器电路
US5966047A (en) Programmable analog array and method
US8627258B2 (en) Adjusting capacitance of capacitors without affecting die area
US7129767B2 (en) Methods of manufacture for a low control voltage switch
US20140300404A1 (en) Rf mems isolation, series and shunt dvc, and small mems
KR20030036028A (ko) 메모리 평면 및 메모리 장치
CN112530936B (zh) 集成电路细致修调电阻阵列版图结构
US7589581B2 (en) Circuit for adjusting reference voltage using fuse trimming
CN114814556B (zh) 一种高效的集成电路芯片修调测试电路及测试方法
US8749293B2 (en) Stackable programmable passive device and a testing method
CN114925018B (zh) 片上交叉开关系统及芯片
US6590448B1 (en) Operational amplifier topology and method
US11984817B2 (en) Low power inverter-based CTLE
US7265608B1 (en) Current mode trimming apparatus
KR100309304B1 (ko) 반도체 집적회로 장치 및 기능 셀의 배치방법
US8362870B2 (en) Impedance calibration circuit with uniform step heights
US4922136A (en) Master slice integrated circuit having high and low speed unit cells
US6970458B1 (en) Method of increasing switch capacity
US20110187444A1 (en) Voltage trimming circuit of semiconductor memory apparatus
US7973552B2 (en) On-die terminators formed of coarse and fine resistors
Mijanovic et al. R/2R/sup+/digital-analog converter (DAC)
US11545480B2 (en) Integrated circuit with single level routing
CN107844615B (zh) 用于实现可控延时的方法和延时电路
US20040094820A1 (en) Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant