CN112522683A - 一种原子层沉积装置及oled封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。所述原子层沉积腔室包括腔体、工作台和工件挡板，工作台设置在腔体的底部，用于放置工件；腔体的顶部上开设有第一进气口，腔体的侧壁上开设有第二进气口；从第一进气口和第二进气口进入的气体能够分路径扩散至工件的待成膜区，并在工件的待成膜区反应形成膜层；工件挡板间隔设置在工作台的上方，工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件的待成膜区，防止腔体内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。所述OLED封装方法通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。

Description

一种原子层沉积装置及OLED封装方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。
背景技术
目前，现有的原子层沉积装置，由于Al2O3等金属薄膜无法自清洁，使得原子层沉积腔室内颗粒物随着腔室使用次数的增多而增加，若颗粒物落在基板上容易导致基板出现异常，从而降低产品良率。
因此，亟待需要一种原子层沉积装置以解决上述问题。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。
本发明的另一个目的在于提供一种OLED封装方法，通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。
为实现上述目的，提供以下技术方案：
一方面，提供了一种原子层沉积装置，包括：
腔体，所述腔体的顶部上开设有第一进气口，所述腔体的侧壁上开设有第二进气口；
工作台，设置在所述腔体的底部，用于放置工件；
工件挡板，间隔设置在所述工作台的上方，所述工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件的待成膜区，且从所述第一进气口和所述第二进气口进入的气体能够分路径扩散至所述工件的待成膜区。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述非遮挡区上设置有开孔，所述开孔用于使从所述第一进气口进入的气体通过。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述非遮挡区与所述无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述工件挡板的边缘向上翘起形成第一气流引导结构。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述腔体的侧壁上设置有与所述第一气流引导结构相对设置的第二气流引导结构，且所述第二气流引导结构位于所述第二进气口的上方。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述第二气流引导结构的外表面为由外至内倾斜向下设置的弧面。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述第二进气口由外至内倾斜向下设置。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述工件挡板可拆卸地设置在所述腔体内。
作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述腔体的侧壁上设置有支架，所述工件挡板可拆卸地设置在所述支架上。
另一方面，提供了一种OLED封装方法，包括如上所述的原子层沉积装置，包括如下步骤：
将OLED基底放置在工作台上，并将工件挡板安装于所述OLED基底上方；
从第一进气口提供第一反应气体，沿第一路径吸附在所述OLED基底待成膜表面；
利用氮气吹扫置换腔体内气体氛围；
从第二进气口提供第二反应气体，沿第二路径吸附在所述OLED基底待成膜表面。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供的原子层沉积装置，包括腔体、工作台和工件挡板，工作台设置在腔体的底部，用于放置工件；腔体的顶部上开设有第一进气口，腔体的侧壁上开设有第二进气口；从第一进气口和第二进气口进入的气体能够分路径扩散至工件的待成膜区，并在工件的待成膜区反应形成膜层；工件挡板间隔设置在工作台的上方，工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件的待成膜区，防止腔体内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。
本发明提供的OLED封装方法，通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的原子层沉积装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的腔体内部的俯视图；
图3为本发明实施例提供的工件挡板上收纳结构的结构示意图。
附图标记：
100-工件；
1-腔体；11-第一进气口；12-第二进气口；13-支架；
2-工作台；
3-工件挡板；31-收纳结构。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
如图1所示，本实施例提供了一种原子层沉积装置，包括腔体1、工作台2和工件挡板3，工作台2设置在腔体1的底部，用于放置工件100；腔体1的顶部上开设有第一进气口11，腔体1的侧壁上开设有第二进气口12；从第一进气口11和第二进气口12进入的气体能够分路径扩散至工件100的待成膜区，并在工件100的待成膜区反应形成膜层；工件挡板3间隔设置在工作台2的上方，工件挡板3包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件100的待成膜区，防止腔体1内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。
需要说明的是，工件100可以是基板或OLED基底等。
工件挡板3的尺寸大于工件100尺寸，以保证工件挡板3能够更好地遮挡工件100。可选地，工作台2上可放置一件工件100，工件挡板3的尺寸大于一件工件100的尺寸；如图2所示，工作台2上还可以放置2-4件工件100，因此，工件挡板3的尺寸还可以是大于四件工件100的尺寸，保证工件挡板3能够更好地遮挡工件100，保证工件100成膜质量。
工件挡板3的非遮挡区上设置有开孔，开孔用于使从第一进气口11进入的气体通过，便于从第一进气口11进入的气体扩散至工件100的待成膜区。
可选地，工件挡板3的非遮挡区与无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔，微米级气孔可起到分子筛的作用，保证工艺气体通过，阻挡颗粒物通过，同时能够保证工件100表面薄膜沉积速率。
为了减少反应气体在目标工件100表面以外的腔体1表面沉积薄膜并脱落形成颗粒物，以及进一步防止腔体1内的颗粒物沉积至工件100表面上，工件挡板3的边缘向上翘起形成第一气流引导结构。在第一气流引导结构的作用下，能够使工件挡板3上的颗粒物停留在工件挡板3上或工件挡板3上的收纳结构31中，避免颗粒物随气流由工件挡板3的边缘落至工件100表面上。
示例性地，如图3所示，工件挡板3上的收纳结构31可以为工件挡板3上的凹槽。所述凹槽可以是是弧形凹槽也可以是方形凹槽，只要能够收纳工件挡板3上的颗粒物即可，在此不作限制。
可选地，工件挡板3位于OLED基底上方5-10mm。该距离小于工件挡板3与气体扩散板的距离。
腔体1的侧壁上设置有与第一气流引导结构相对设置的第二气流引导结构，且第二气流引导结构位于第二进气口12的上方。从第一进气口11进入的气体在第一气流引导结构与第二气流引导结构的作用下，能够相互作用形成对流区，可引导第一进气口11进入的反应气体因沿不同表面扩散，形成两股方向相向运动的气流参考图1中示意曲线，避免从第一进气口11进入的气体从第一气流引导结构和第二气流引导结构之间的缝隙穿过，从而在不影响工件挡板3快速装载或拆卸功能的同时更好的实现了两路反应气体的隔离效果，避免两路气体在工件挡板3在多个墙壁表面沉积后再脱落并形成颗粒物，污染样品表面或造成薄膜封装的穿刺缺陷。
优选地，第二气流引导结构的外表面为由外至内倾斜向下设置的弧面，从而实现对从第一进气口11进入的气体进行引流导向。
第二进气口12由外至内倾斜向下设置，提高从第二进气口12进入的气体的气体密度，达到提高沉积速率的效果。
为了减少腔体1内的颗粒物数量，工件挡板3可拆卸地设置在腔体1内，工件挡板3可进行更换清洗。
优选地，腔体1的侧壁上设置有支架13，工件挡板3可拆卸地设置在支架13上。在其他实施例中，工件挡板3还可以悬挂安装于腔体1内，只要能够遮挡工件100即可。
此外，腔体1的内衬也可以为可拆卸安装，以便于及时更换清洗。
本实施例还提供了一种OLED封装方法，包括上述的原子层沉积装置。通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件100表面颗粒物数量，提高产品良率。
所述OLED封装方法包括如下步骤：
S1、将OLED基底放置在工作台2上，并将工件挡板3安装于OLED基底上方；
S2、从第一进气口11提供第一反应气体，沿第一路径吸附在OLED基底待成膜表面；
S3、利用氮气吹扫置换腔体1内气体氛围；
S4、从第二进气口12提供第二反应气体，沿第二路径吸附在OLED基底待成膜表面。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所说的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
腔体(1)，所述腔体(1)的顶部上开设有第一进气口(11)，所述腔体(1)的侧壁上开设有第二进气口(12)；
工作台(2)，设置在所述腔体(1)的底部，用于放置工件(100)；
工件挡板(3)，间隔设置在所述工作台(2)的上方，所述工件挡板(3)包括非遮挡区和无孔遮挡区，所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件(100)的待成膜区，且从所述第一进气口(11)和所述第二进气口(12)进入的气体能够分路径扩散至所述工件(100)的待成膜区。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述非遮挡区上设置有开孔，所述开孔用于使从所述第一进气口(11)进入的气体通过。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述非遮挡区与所述无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述工件挡板(3)的边缘向上翘起形成第一气流引导结构。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述腔体(1)的侧壁上设置有与所述第一气流引导结构相对设置的第二气流引导结构，且所述第二气流引导结构位于所述第二进气口(12)的上方。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述第二气流引导结构的外表面为由外至内倾斜向下设置的弧面。
7.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述第二进气口(12)由外至内倾斜向下设置。
8.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述工件挡板(3)可拆卸地设置在所述腔体(1)内。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述腔体(1)的侧壁上设置有支架(13)，所述工件挡板(3)可拆卸地设置在所述支架(13)上。
10.一种OLED封装方法，其特征在于，基于如权利要求1-9任一项所述的原子层沉积装置，包括如下步骤：
将OLED基底放置在工作台(2)上，并将工件挡板(3)安装于所述OLED基底上方；
从第一进气口(11)提供第一反应气体，沿第一路径吸附在所述OLED基底待成膜表面；
利用氮气吹扫置换腔体(1)内气体氛围；
从第二进气口(12)提供第二反应气体，沿第二路径吸附在所述OLED基底待成膜表面。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117133689A (zh) * 2023-10-24 2023-11-28 上海谙邦半导体设备有限公司 进气装置及进气方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213634A (ja) * 1996-02-02 1997-08-15 Sony Corp 薄膜成膜方法、半導体装置の製造方法及び薄膜成膜装置
US7327948B1 (en) * 2005-04-26 2008-02-05 Novellus Systems, Inc. Cast pedestal with heating element and coaxial heat exchanger
US20090136665A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
CN101689500A (zh) * 2007-09-12 2010-03-31 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
US20120269968A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Kurt J. Lesker Company Atomic Layer Deposition Apparatus and Process
JP2013197291A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 成膜装置及び成膜方法
CN104073776A (zh) * 2014-07-04 2014-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种化学气相沉积设备
CN105448635A (zh) * 2014-08-28 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213634A (ja) * 1996-02-02 1997-08-15 Sony Corp 薄膜成膜方法、半導体装置の製造方法及び薄膜成膜装置
US7327948B1 (en) * 2005-04-26 2008-02-05 Novellus Systems, Inc. Cast pedestal with heating element and coaxial heat exchanger
CN101689500A (zh) * 2007-09-12 2010-03-31 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
US20090136665A1 (en) * 2007-11-27 2009-05-28 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US20120269968A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Kurt J. Lesker Company Atomic Layer Deposition Apparatus and Process
JP2013197291A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 成膜装置及び成膜方法
CN104073776A (zh) * 2014-07-04 2014-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种化学气相沉积设备
CN105448635A (zh) * 2014-08-28 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117133689A (zh) * 2023-10-24 2023-11-28 上海谙邦半导体设备有限公司 进气装置及进气方法
CN117133689B (zh) * 2023-10-24 2024-01-23 上海谙邦半导体设备有限公司 进气装置及进气方法

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