CN112447502A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中该基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过旋转驱动部旋转的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从光源部对基片的内侧照射光的照射量比从光源部对基片的外侧照射光的照射量大。本发明能够在使用适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1记载了一种技术，在半导体器件的制造工艺中，依次进行：对形成于基片的表面的、曝光后进行了图案化的抗蚀剂的前表面照射波长200nm以下的光的步骤；和进行抗蚀剂膜的下层膜的蚀刻的步骤。照射波长200nm以下的光的步骤(以下，简称为照射光的步骤。)，目的在于例如改善抗蚀剂膜的粗糙度(凸凹)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3342856号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够在使用了适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过上述旋转驱动部旋转的上述保持部所保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从上述光源部对上述基片的内侧照射光的照射量比从上述光源部对上述基片的外侧照射光的照射量大。
本发明的一个方式的基片处理方法一边在处理容器内使基片旋转，一边从具有多个光源的光源部对上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案，在该基片处理方法中，使从上述光源部对上述基片的内侧照射光的照射量比从上述光源部对上述基片的外侧照射光的照射量大。
发明效果
依照本发明，提供一种能够在使用了适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度的技术。
附图说明
图1是表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。
图2是例示由基片处理装置对基片进行的处理的示意图。
图3是例示基片处理装置中的光源的配置的示意图。
图4是例示控制器的功能性的构成的框图。
图5是例示控制器的硬件构成的框图。
图6是例示基片处理装置中的基片处理时的压力变化的图。
图7是例示评价试验1的结果的图。
图8是例示评价试验2的结果的图。
图9是例示评价试验3的结果的图。
图10是例示评价试验4的结果的图。
图11是例示评价试验5的结果的图。
图12是例示评价试验6的结果的图。
图13是例示旋转的基片接收的光的强度变化的图。
图14是例示基片中的照度分布的图。
附图标记说明
1……基片处理装置；13……抗蚀剂图案；20……处理室；21……壳体；22……输送口；23……闸阀；25……旋转支承部；26……保持部；27……旋转驱动部；30……气体供给部；35……气体排出部；40……光照射机构；41……壳体；42……光源；44……点光源；100……控制器。
具体实施方式
以下，对各种例示的实施方式进行说明。
在一个例示的实施方式中，基片处理装置包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过上述旋转驱动部旋转的上述保持部所保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从上述光源部对上述基片的内侧照射光的照射量比从上述光源部对上述基片的外侧照射光的照射量大。
在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案的基片中，根据光的照射量的不同而图案的表面的粗糙度的改善程度容易变化。此外，在一边使基片旋转一边照射光的情况下，越靠内侧而基片的移动速度越变慢，因此光的照射量变少。对此，利用上述的基片处理装置，能够使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大，因此也能够对基片的内侧增加光的照射量，能够提高表面的粗糙度的改善效果。
也可以为如下方式：使对上述基片的内侧照射光的光源的输出强度比对上述基片的外侧照射光的光源的输出强度大。
如上所述，在通过提高光源的输出强度，以使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大的情况下，能够更简单地在基片的内侧与外侧之间实施光的照射量的调整。
也可以为如下方式：使对上述基片的内侧照射光的时间和对上述基片的外侧照射光的时间彼此不同。
如上所述，在通过使照射光的时间在基片的内侧和外侧彼此不同，以使对基片的内侧照射光的照射量比对外侧照射光的照射量大的情况下，能够更简单地在基片的内侧与外侧之间实施光的照射量的调整。
可以为如下方式：包括对上述处理容器内供给非活性气体的气体供给部和从上述处理容器内排出气体的气体排出部，上述气体供给部和上述气体排出部在用上述光源部照射光的期间，一边使上述处理容器内的压力变化一边进行上述气体的供给和排出。
如上所述，在用光源部照射光的期间，一边使处理容器内的压力变化一边进行气体的供给和排出，由此能够一边使处理容器内的压力成为与基片的表面状况相应的状态，一边对图案照射真空紫外光。
在一个例示的实施方式中，基片处理方法一边在处理容器内使基片旋转，一边从具有多个光源的光源部对上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案，该基片处理方法中，使从上述光源部对上述基片的内侧照射光的照射量比从上述光源部对上述基片的外侧照射光的照射量大。
依照上述的基片处理方法，能够使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大，因此能够对基片的内侧增加光的照射量，能够提高表面的粗糙度的改善效果。
在另一例示的实施方式中，存储介质是计算机可读存储介质，其中存储有用于使装置执行上述的基片处理方法的程序。
以下，参照附图，详细说明各种例示的实施方式。此外，在各附图中对相同或相应的部分标注相同的附图标记。
[基片处理装置的结构]
图1是表示本实施方式的基片处理装置的示意图(纵截侧视图)。图1所示基片处理装置1对晶片W(基片)照射处理用的光。例如，基片处理装置1构成为对形成于晶片W表面的抗蚀剂膜或者抗蚀剂图案照射真空紫外光(VUV光：Vacuum Ultra Violet Light)，来改善上述的抗蚀剂材料的表面的粗糙度。
晶片W呈圆板状，不过也可以使用呈圆形的一部分欠缺或者多边形等圆形以外的形状的晶片。晶片W例如可以为半导体基片、玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)基片这样的其他各种基片。
图2表示由基片处理装置1对晶片W进行处理的例子。如图2的(a)所示，在晶片W中，在作为下层膜的SOC膜11(Silicon-on-Carbon)和SOC膜11上的SOG膜12(Silicon-on-Glass)上有形成抗蚀剂图案13。在基片处理装置1中，通过对这样的晶片W的表面照射处理用的光L1，以如图2的(b)所示改善抗蚀剂图案13的表面的粗糙度。此外，抗蚀剂图案13是用于对作为下层膜的SOC膜11和SOG膜12进行蚀刻以在上述的下层膜形成图案的掩模图案。
返回图1，对基片处理装置1的各部进行说明。基片处理装置1如图1所示包括处理室20、光照射机构40(光源部)和控制器100(控制部)。此外，在图1中，仅示出光照射机构40所包含的结构的一部分。
处理室20包括壳体21、输送口22、旋转支承部25、气体供给部30和气体排出部35。壳体21例如是设置于大气气氛中的真空容器的一部分，构成为能够收纳由输送机构(未图示)输送的晶片W。在基片处理装置1中，在壳体21内收纳有晶片W的状态下对晶片W进行处理。在壳体21的侧壁形成有输送口22。输送口22是用于对壳体21送入送出晶片W的开口。输送口22由闸阀23开闭。
旋转支承部25具有在壳体21内基于控制器100的指示一边使晶片W旋转一边保持晶片W的功能。旋转支承部25例如具有保持部26和旋转驱动部27。保持部26以使形成有抗蚀剂图案13的表面朝上的方式支承水平配置的晶片W的中央部分，通过例如真空吸附等保持该晶片W。旋转驱动部27具有使保持有晶片W的保持部26与该晶片W一起绕铅垂的轴线A1旋转的功能。旋转驱动部27例如是以电动马达为动力源的旋转致动器。
气体供给部30构成为经由形成于壳体21的贯通孔21a对壳体21内供给非活性气体(例如，氩气、氮气等)。气体供给部30具有气体源30a、阀30b和配管30c。气体源30a贮存非活性气体，作为非活性气体的供给源发挥作用。阀30b基于来自控制器100的动作信号进行动作，将配管30c开放和封闭。配管30c从上游侧起依次连接气体源30a、阀30b和贯通孔21a。
气体排出部35经由形成于壳体21的贯通孔21b排出来自壳体21的气体。气体排出部35具有真空泵35a和配管35c。真空泵35a从壳体21内排出气体。配管35c连接贯通孔21b和真空泵35a。
光照射机构40包括壳体41、光源42和开关43。壳体41设置于壳体21的上部。光源42在壳体41内收纳有多个。图3是表示光源42的配置的一例的平面图。光源42在俯视观察时沿以作为保持部26的旋转轴的轴线A1为中心的2个同心圆配置。具体而言，沿内侧的圆在周向上隔开间隔地配置有4个光源42，沿外侧的圆在周向上隔开间隔地配置有8个光源42。此外，用如上述那样配置的光源42，对由保持部26保持的晶片W的表面整体照射光。此外，开关43切换光源42的点亮的开启和关闭。开关43的动作由控制器100控制。此外，光源42的配置例是仅一例，可以适当改变。
光源42例如照射115nm～400nm的波长的光，即具有115nm～400nm的连续光谱的光。具有该范围的连续光谱的光也可以包含波长为10nm～200nm的光(即，VUV光)，并且包含波长比VUV光长的近紫外光(近紫外线)。能够使来自光源42的光包含波长160nm以下的区域的光。光源42例如是氘灯，构成为能够照射波长为200nm以下的VUV光。连续光谱的峰值的波长例如可以为160nm以下，也可以为150nm以上。
从光源42照射的光的光谱的波段比较宽，因此，晶片W上的抗蚀剂图案13接收各种波长的光的能量。其结果，在抗蚀剂图案13的表面发生各种反应。具体而言，通过将构成抗蚀剂图案13的分子中的各个位置处的化学键切断，而生成各种化合物，因此能够消除在光照射前存在于抗蚀剂膜中的分子所具有的取向性。其结果，抗蚀剂图案13中的表面自由能降低，内部应力降低。即，通过使用光源42作为光源，而抗蚀剂图案13的表面的流动性容易变高，作为其结果，能够提高该表面的粗糙度的改善效果。
另外，在抗蚀剂图案13中，在照射来自光源42的光(尤其是VUV光)的期间和照射后也发生交联反应。由于在抗蚀剂图案13中同时发生交联反应，因此抗蚀剂图案13的表面固化，其结果为蚀刻耐受性变高。所以，在将该抗蚀剂图案13作为掩模进行下层膜的蚀刻时，能够改善下层膜中的图案表面的粗糙度(roughness)。
从光源42照射的光之中波长比160nm短的光的成分对改善上述抗蚀剂图案13和下层膜中的图案表面的粗糙度(roughness)有很大帮助。例如确认了：在仅将波长比160nm长的光照射到抗蚀剂图案的情况下，不能充分进行表面的粗糙度(roughness)的改善，而仅进行化学键的切断。但是，仅照射波长比160nm短的光，也不能充分进行表面的粗糙度的改善。因此，如氘灯那样的具有包含波长比160nm长的光和波长比160nm短的光这两者的连续光谱的光，对于改善表面的粗糙度是重要的。
另外，关于照射到抗蚀剂图案13的来自光源42的光，波长越大，在其强度越大的情况下越能够到达该抗蚀剂图案13的深层。但是，从光源42照射的光的光谱的峰值的波长，如上所述包含于VUV光的波段(10nm～200nm)，因此，从光源42照射的光中，具有比较大的波长的光的强度较小。所以，从光源42照射的光到达抗蚀剂膜的深层的部分较少，能够抑制在该抗蚀剂膜的深层切断上述的分子的键。即，通过使用光源42，能够在抗蚀剂图案13中将因光照射而发生反应的区域限定在表面。
对于VUV光区域的光而言，根据波长的不同而VUV光区域的光在抗蚀剂图案中的到达深度发生变化这一情况是相同的。即，如上所述，与光强度变得最大的波长150nm～160nm附近的光相比，波长长的成分能够到达抗蚀剂图案13的深层(例如，150nm以上)。另一方面，波长比150nm小的成分仅到达抗蚀剂图案13的表面附近(例如，50nm以下)。此外，已知波长比150nm小的成分在VUV光之中与峰值的波段相比强度小。即，对表面的粗糙度(roughness)的改善有帮助的、波长比160nm短的光的成分仅到达抗蚀剂图案13的表面附近(不到达深层)，在表面附近促进了因交联反应导致的抗蚀剂图案13的表面的固化。如上所述，波长比160nm短的光的成分对于促进抗蚀剂图案13的表面附近的交联反应是重要的。如上所述，波长比160nm短的光的对抗蚀剂图案13的影响较大，能够促进抗蚀剂图案13所包含的成分的侧链等的解离、内部应力的降低和交联反应。另一方面，在改善抗蚀剂图案13整体的膜质时，还需要波长比160nm长的光，因此，通过以适当的平衡照射上述光，能够实现膜质的改善。
光源42生成与高斯分布的光相比强度分布平坦的平顶(top hat)型的光。此外，即使是平顶型的光，强度分布也并非完全形成为平坦的。即，照射从光源42内的点光源44(参照图1)出射的具有照射范围的光，具体而言，向晶片W照射具有以点光源44为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光。如上所述，从光源42照射的光在照射面中照射范围为圆形。此外，在图3中，用虚线表示从各光源42输出的光在晶片W表面的大致传播范围。
VUV光在存在氧的气氛中与该氧发生反应，因此抗蚀剂图案13的粗糙度的改善效果会降低。所以，如后文所述，为了在处理晶片W时除去壳体21内的氧，在壳体21内形成真空气氛。在此，如上述方式，通过光照射将键切断而生成的分子量较小的分子，容易作为气体被释放到该真空气氛中。通过分解、交联产生的气体与波长的侵入范围无关地产生。长波长的光到达抗蚀剂图案13的深部，但是在此之前由短波长的光引起的交联反应推进(优先进行)，能够抑制抗蚀剂图案13的高度、宽度等的外形变化。
返回图1，基片处理装置1的控制器100控制旋转支承部25、气体供给部30、气体排出部35、光照射机构40。如图4所例示的那样，控制器100中，作为功能上的构成(以下，称为“功能模块”。)，具有照射控制部111、气体供给控制部112、排气控制部113和出入控制部114。上述的功能模块不过是为了方便而将控制器100的功能划分为多个模块，并不意味着构成控制器100的硬件必须分为这样的模块。
照射控制部111控制光照射机构40以在所希望的时刻照射VUV光。例如照射控制部111控制光照射机构40以在照射的时刻之前将所有光源42点亮。此外，照射控制部111控制光照射机构40以在照射的时刻结束后将所有光源42熄灭。
气体供给控制部112控制阀30b以从贯通孔21a对壳体21内供给非活性气体。排气控制部113控制真空泵35a以通过贯通孔21b将壳体21内的气体排出到外部。
出入控制部115控制闸阀23以使得伴随对壳体21内输入晶片W的动作和从壳体21内送出晶片W的动作对输送口22进行开闭，并控制旋转支承部25以切换由保持部26进行的晶片W的保持和释放。
控制器100由一个或者多个控制用计算机构成。例如控制器100具有图5所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、内存122、存储器123和输入输出端口124。存储器123例如具有硬盘等计算机可读取的存储介质。存储介质存储有用于使基片处理装置1实施后述的基片处理步骤的程序。存储介质可以为非易失性的半导体内存、磁盘和光盘等的可取出的介质。内存122临时存储从存储器123的存储介质加载的程序和处理器121的运算结果。处理器121与内存122协作地执行上述程序，构成上述的各功能模块。输入输出端口124按照来自处理器121的指令，在控制器100控制的各部之间进行电信号的输入输出。
此外，控制器100的硬件构成并不一定限于由程序构成各功能模块。例如控制器100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或将其集成而得的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[基片处理方法]
下面，参照图1和图6，对基片处理装置1的动作(基片处理方法)进行说明。图6是表示壳体21内的压力随时间的变化的概要的图表。图7的图表的横轴表示处理中的经过时间，纵轴表示作为处理容器的壳体21内的压力(单位：Pa)并示意性地大致表示为对数轴。首先，在气体供给部30和气体排出部35的动作停止的状态下，由输送机构将晶片W送入壳体21内。在旋转支承部25的保持部26载置晶片W时，闸阀23关闭，使壳体21内成为气密的。此时，壳体21内例如成为标准气压的大气气氛(图7的时刻t0)。然后，通过气体排出部35的动作，使壳体21内的压力降低。
进行减压，当壳体21内的压力成为1Pa时(时刻t1)，将该时刻的状态维持规定时间。在暂时地维持了1Pa的减压状态后(时刻t2)，将气体供给部30的阀30b打开对壳体21内供给Ar气体。由此，在壳体21内形成Ar气体气氛，并且该壳体21内的压力上升。此外，减压速度和升压速度能够通过气体供给部30和气体排出部35的动作控制。另外，减压速度和升压速度可以是一定的，也可以在中途改变。
由于Ar气体而例如壳体21内的压力达到10000Pa时，在维持着壳体21内的压力的状态下，从光源42对晶片W照射包含VUV光的光(时刻t3)。当从光源42照射规定的时间例如30秒的光后，停止该光照射(时刻t4)。之后，停止气体供给部30和气体排出部35的动作，在壳体21内的压力恢复到大气气氛后，将晶片W从壳体21内送出。通过以上方式，由基片处理装置1进行的晶片W处理结束。
如上所述，在基片处理装置1中，从光源42对晶片W照射光时，也进行由气体供给部30供给气体的动作和由气体排出部35排出气体的动作。因此，可以说，在维持着壳体21内的压力的状态下，发生Ar气体的更换。
此外，从光源42照射光的期间(时刻t3～时刻t4之间)，壳体21内的压力可以是一定的，也可以是逐渐变化的。在图6所示的例子中，从光源42照射光期间，为了抑制来自晶片W表面的释放气体(out gas)，使壳体21内的压力为10000Pa。然而，在从光源42照射光的期间，释放气体的发生量逐渐变少。在该情况下，也可以使壳体21内的压力逐渐变小地进行控制。通过采用这样的构成，能够在更接近真空的状态下对晶片W照射光。
[关于将ArF液浸曝光用抗蚀剂材料作为对象的基片处理]
此处，在本实施方式的基片处理装置1中，用于抗蚀剂图案13的抗蚀剂材料是适合于使用将ArF激光(波长193nm)作为曝光光源的ArF液浸曝光装置的液浸光刻的材料，关于该情况，有以下发现。即，发现通过在规定条件下照射包含上述VUV光的光，能够改善抗蚀剂图案13的表面的粗糙度，对于将该抗蚀剂图案13作为掩模进行了蚀刻而得的图案，也能够改善表面的粗糙度。在以下的实施方式中，说明抗蚀剂材料能够用于ArF液浸光刻的材料的情况下表面的粗糙度的改善。
如上所述，对适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料调整了成分以使得能够用ArF激光(波长193nm)对其进行曝光。因此，利用VUV光进行的该处理的最佳条件，与对应于其他曝光波长的抗蚀剂材料不同，该VUV光包含与ArF液浸光刻用抗蚀剂材料的曝光波长相同的193nm波长。即使是能够由VUV光所包含的其他波长的光进行曝光的材料，根据光的波长的不同而对图案的影响也发生变化。因此，对与各曝光条件对应的抗蚀剂材料的每一种，需要研究最佳条件。此外，在以下的实施方式中，对使用通常的ArF液浸光刻用抗蚀剂材料的情况进行说明。此外，抗蚀剂材料中也可以包含酸生成剂等添加剂、溶剂、分解物等。
如上所述，通过在基片处理装置1中照射包含VUV光的光，在晶片W中，构成抗蚀剂图案13的分子中的各个位置处的化学键被切断，由此生成各种化合物。此时，由于在各个位置发生化学键的切断，因此抗蚀剂图案13的表面的粗糙度变轻。此外，通过在照射包含VUV光的光的期间和照射后发生的交联反应，抗蚀剂图案13的表面固化，其结果为蚀刻耐受性变高。即，通过照射VUV光，能够适当地进行抗蚀剂图案13中的化学键的切断和交联反应。而且，通过该化学键的切断和交联反应，能够改善将抗蚀剂图案13和抗蚀剂图案13作为掩模进行了蚀刻的下层膜的表面的粗糙度(roughness)。
但是，在抗蚀剂图案13中的化学键的切断和交联反应的任一者不充分或者过剩的情况下，上述的表面的粗糙度(roughness)的改善效果变低。换言之，通过适当调整在基片处理装置1中照射包含VUV光的光的照射水平，能够提高表面的粗糙度的改善效果。关于这一点，下面对验证的结果进行说明。尤其是，ArF液浸光刻用的抗蚀剂材料对包含VUV光的来自光源42的光的响应性高，根据其强度等的不同而表面的粗糙度的改善效果发生变化。对于这一点进行说明。
作为改变在基片处理装置1中对抗蚀剂图案13照射VUV光的情况的照射条件的要素，能够例举出“辐照量(累计照射量)”“照射时的Ar流量”“照射时的晶片的转速”“光源的电流补偿值(偏置)”。其中，“辐照量”对应于从光源42对抗蚀剂图案13出射的光(VUV光)的能量总量。此外，“照射时的Ar流量”和“光源的电流补偿值”与从光源42出射的光的透射性相关。即，影响VUV光在抗蚀剂图案13中能够到达何种程度。此外，“晶片的转速”影响从光源42出射的VUV光对于抗蚀剂图案13能够使其发生何种程度的改性效果。以下，说明改变上述要素所涉及的条件而进行评价的结果。
(关于线宽的变化量的评价)
(评价试验1)
作为评价试验1，评价了将从光源42照射光时的Ar流量按2种条件改变的情况下的线宽(CD：Critical Dimension)的变化。评价的对象是蚀剂图案13和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案。
首先，作为评价对象的晶片W，准备了在SOC膜11和SOG膜12上形成有抗蚀剂图案13的晶片W。此外，晶片W的图案尺寸为45nm。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后，用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。在照射量以0mj/cm2～150mj/cm2之间的5级(25.1、42.5、75.2、107.8、149这5级)变化。之后，对抗蚀剂图案13和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案，分别测量了线宽(CD)。此外，关于此时的晶片的转速，使对晶片照射规定辐照量的光的期间的晶片的旋转圈数为3，使灯的补偿值(光源的电流补偿值)为2.5。在以下的实施方式中，将抗蚀剂图案13称为ADI(After Development Inspection：显影后检测)，将下层膜中的图案称为AEI(After Etch Inspection：蚀刻后检测)。
在图7中，对从光源42照射光时的Ar流量为15L/min的情况和为20L/min的情况，分别示出了线宽(CD)的测量结果。在图7中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射包含VUV光的光这一操作时的测量结果作为基准值，将线宽相对于基准值以何种程度发生了变化的情况在图表中分别绘制出来。
(评价试验2)
作为评价试验2，在将从光源42照射光时的晶片的转速按3种条件改变的情况下，评价了抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)中的线宽(CD)的变化。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后，用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量以0mj/cm2～150mj/cm2之间的3级(25.1、75.2、149这3级)变化。之后，对抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)分别测量了线宽(CD)。此外，使此时的Ar流量为20L/min，使灯的补偿值为2.5。
在图8中，关于由光源42照射光时的晶片的转速，使照射规定量的光的期间的晶片的旋转圈数为1圈、3圈、5圈的情况下，分别示出了线宽(CD)的测量结果。在图8中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射包含VUV光的光这一操作时的测量结果作为基准值，将线宽相对于基准值以何种程度发生了变化的情况在图表中分别绘制出来。
(评价试验3)
作为评价试验3，在将从光源42照射光时的灯的电流补偿值按2种条件改变的情况下，评价了抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)中的线宽(CD)的变化。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量按0mj/cm2～150mj/cm2之间的5级(25.1、42.5、75.2、107.8、149这5级)变化。之后，对抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)分别测量；了线宽(CD)。此外，使此时的Ar流量为20L/min，使晶片的旋转圈数为3。
在图9中，对于使光源42中的灯的补偿值(电流补偿值)为2.5和3.5的情况，分别示出了线宽(CD)的测量结果。在图9中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射包含VUV光的光这一操作时的测量结果作为基准值，将线宽相对于基准值以何种程度发生了变化的情况在图表中分别绘制出来。
(评价试验1～3的结果)
在图7～图9的任一者中，关于抗蚀剂图案(ADI)的线宽，在辐照量为50mj/cm2附近线宽最小，之后当辐照量变大时线宽逐渐变大。此外，关于下层膜的蚀刻图案(AEI)的线宽，在辐照量为50mj/cm2处线宽最小，之后当辐照量变大时，线宽大致一定。
在抗蚀剂图案(ADI)和下层膜图案(AEI)这两者中，直至辐照量到了50mj/cm2附近为止，线宽逐渐变小，因此抗蚀剂图案中的反应是不充分的(辐照量不足)。另一方面，在辐照量超过50mj/cm2的情况下，抗蚀剂图案(ADI)的线宽变大，但是下层膜图案(AEI)的线宽并不变化。根据以上情况，能够推断出：在辐照量为50mj/cm2程度下，在一定程度上充分地进行了抗蚀剂图案13内的键的切断和交联反应，结果抗蚀剂图案13的蚀刻耐性为提高的状态。因此，即使使辐照量变化也能够使下层膜图案(AEI)的线宽在一定程度上保持为一定的。但是，关于抗蚀剂图案13，能够得到辐照量从50mj/cm2开始变大时线宽变大结果。根据以上认为，在使辐照量从50mj/cm2起变大时，与交联反应相比过度地进行化学键的切断而抗蚀剂图案13成为所谓的模糊状态。根据以上所述，通过使辐照量为50mj/cm2程度，能够适当地进行抗蚀剂图案(ADI)中因照射VUV光而引起的反应。
此外，图7中的Ar为20mL/min的条件下的下层膜图案(AEI)的线宽，比Ar为15mL/min的条件下的下层膜图案(AEI)的线宽小。此外，图9中的灯补偿值为3.5的条件下的下层膜图案(AEI)的线宽，比灯补偿值为2.5的条件下的下层膜图案(AEI)的线宽小。这是由于，通过从光源42照射光而在抗蚀剂图案13中过度地进行反应，抗蚀剂图案13中的蚀刻耐受性降低。
如上所述，Ar流量和灯补偿值均是与从光源42出射的光的透射性相关的值。例如，Ar流量是在照射光的期间一边将壳体21内维持为规定的压力一边对壳体21内供给的Ar的流量。所以，当Ar的流量增大时，从壳体21向外部排出的气体排出量也增大，因此也能够促进在壳体21内产生的杂质(升华物等)向外部的排出。相反，当Ar的流量减少时，在壳体21内产生的杂质容易滞留在壳体21内。因此，从光源42出射的光的一部分被杂质等吸收或者扩散。其结果，存在对晶片W照射的光的光谱相对于来自光源42的光发生变化的可能性。如上所述，Ar流量是可能对从光源42出射的光的透射性和波长特性造成影响的要素。
另外，灯补偿值是与从光源42出射的光的强度相关的值，当增大补偿值时，来自光源42的光的强度变大，到达抗蚀剂图案13的光量变大。如上所述，在增大了Ar流量的情况和增大了灯补偿值的情况的任一情况下，到达抗蚀剂图案13的光的量都变大。因此，与减小了Ar流量的情况和减小了灯补偿值的情况相比，能够推进抗蚀剂图案13中的反应。另外，与将相同辐照量的光照射到抗蚀剂图案13的条件无关，Ar流量或者灯补偿值变大，抗蚀剂图案13(ADI)的线宽也不变化。与之相对，以下层膜图案(AEI)的线宽变小的方式发生了变化。根据以上所述，能够推测出在蚀刻时上层的抗蚀剂图案13作为掩模的功能降低了。
(关于表面的粗糙度的改善的评价)
(评价试验4)
作为评价试验4，在使从光源42照射光时的Ar流量按2种条件变化的情况下，评价了抗蚀剂图案13和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案中的LWR的变化。LWR(line wideth roughness)是图案的粗糙度的指标，值越小，表示图案的表面的粗糙度越小。
作为评价对象，准备了在SOC膜11和SOG膜12上形成有抗蚀剂图案13的晶片W。另外，使晶片W的图案尺寸为45nm。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量按0mj/cm2～150mj/cm2之间的5级(25.1、42.5、75.2、107.8、149这5级)变化。之后，对抗蚀剂图案13(ADI)和将抗蚀剂图案13作为掩模进行了下层膜的蚀刻时下层膜中的图案(AEI)，分别测量了LWR。此外，关于此时的晶片的转速，使对晶片照射规定辐照量的光的期间的晶片的转速为3，使灯的补偿值为2.5。
在图10中，对于用光源42照射光时的Ar流量为15L/min的情况和为20L/min的情况，分别示出了LWR的测量结果。在图10中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射包含VUV光的光这一操作时的测量结果作为基准值，计算表面的粗糙度相对于基准值以何种程度改善了并将其作为改善率，表示为柱状图。改善率是使用(各条件下的LWR－基准值)/(基准值)×100(％)的数学式计算出的。
(评价试验5)
作为评价试验5，在使从光源42照射光时的晶片的转速按3种条件变化的情况下，评价了抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)中的LWR的变化。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量按0mj/cm2～150mj/cm2之间的3级(25.1，75.2，149这3级)变化。之后，对抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)分别测量了LWR。此外，使此时的Ar流量为20L/min，使灯的补偿值为2.5。
在图11中，关于由光源42照射光时的晶片的转速，使照射规定量的光的期间的晶片的旋转圈数为1圈、3圈、5圈的情况下，分别示出了LWR的测量结果。在图11中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射包含VUV光的光这一操作时的测量结果作为基准值，计算表示LWR相对于基准值以何种程度变化了的改善率，并分别表示为柱状图。
(评价试验6)
作为评价试验6，在使从光源42照射光时的灯的电流补偿值按2种条件变化的情况下，评价了抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)中的LWR的变化。
在基片处理装置1的壳体21内，收纳在其表面形成有抗蚀剂图案13的晶片W，将壳体21内减压。在壳体21内达到设定压力后用光源42照射光。一连串操作与上述的基片处理方法相同。使照射量按0mj/cm2～150mj/cm2之间的5级(25.1、42.5、75.2、107.8、149这5级)变化。之后，对抗蚀剂图案13(ADI)和下层膜图案(AEI)分别测量了线宽(CD)。此外，使此时的Ar流量为20L/min，使晶片的旋转圈数为3。
在图12中，对于使光源42中的灯的补偿值(电流补偿值)为2.5和3.5的情况，分别示出了线宽(CD)的测量结果。在图12中，将不进行使用基片处理装置1从光源42照射包含VUV光的光这一操作时的测量结果作为基准值，计算表示LWR相对于基准值以何种程度变化了的改善率，并分别表示为柱状图。
(评价试验4～6的结果)
在图10～图12的任一者中，当辐照量变得比50mj/cm2时，下层膜图案(AEI)的LWR有较大改善。如上所述，通过照射辐照量为50mj/cm2程度的光(VUV光)，能够实现抗蚀剂图案13的改性以充分改善下层膜图案(AEI)的表面的粗糙度。这是因为，具有与线宽的评价试验1～3的结果大致相同的倾向。此外，当辐照量变得比75mj/cm2大时，LWR的改善率稳定。
另外，根据评价试验1～3的结果，对于在Ar为20mL/min或者灯补偿值为3.5的情况下抗蚀剂图案13中的蚀刻耐受性降低的可能性进行了说明，而根据评价试验4～6的结果，也可以得出同样的结论。即，示出了如下倾向：图7中的Ar为20mL/min的条件下的下层膜图案(AEI)的LWR的改善率比Ar为15mL/min的条件下的下层膜图案(AEI)的LWR的改善率小。此外，示出了如下倾向：图9中的灯补偿值为3.5的条件下的下层膜图案(AEI)的LWR的改善率比灯补偿值为2.5的条件下的下层膜图案(AEI)的LWR的改善率小。
(关于由晶片的旋转导致的光的照射效果的变化)
另外，根据图11所示的结果，能够得到如下倾向：在从光源42照射包含VUV光的光时晶片W的转速对LWR的改善率的影响比较轻微，但是转速越大，LWR的改善率越大。作为表现出这种倾向的理由，为：在将相同辐照量的光(VUV光)照射到抗蚀剂图案13的情况下，根据转速的不同而向抗蚀剂图案13内部侵入的倾向发生变化。
图13是说明根据晶片W旋转时的晶片W上的特定位置与光源42的相对位置的变化而该位置接收的光的强度的变化的图。图13的(a)是表示来自光源42的光的照射范围的图。图13的(a)所示的照射位置C0是与光源42内的点光源44对应的(正下方)位置，来自光源42的光的强度最大。另一方面，光的强度随着从与点光源44对应的照射位置C0离开而变小，在端部的照射位置C1光的强度最小。如上所述，根据晶片W上的特定位置与光源42的位置关系，该位置的光量发生较大变化。因此，尝试在基片处理装置1中，通过使晶片W旋转以使在晶片W表面的各位置接收的光量在一定程度上均匀。
在图13的(b)中，用箭头R1示意性地表示在使晶片W旋转的情况下晶片W相对于光源42的特定的一个点(此处称为特定点)的移动。在图13的(b)中，示出了4个光源42配置在与照射位置C0对应的位置的状态。通过使晶片W旋转，使晶片W上的特定点沿箭头R1旋转。此时，晶片W通过2个照射位置C0并且通过4个照射位置C1。如上所述，照射位置C0是来自光源42的光的强度最大的位置，而照射位置C1是来自光源42的光的强度最小的位置。即，在晶片W上的特定点沿箭头R1发生了移动(旋转)的情况下，特定点接收的光的强度与通过照射位置C0和照射位置C1这两个位置的动作相应地发生变化。图13的(c)和图13的(d)是示意性地表示沿箭头R1移动的晶片W上的特定点接收的光的强度的变化的图。图13的(d)所示的例子，与图13的(c)相比增大了转速。在增大了转速的情况下，特定点的移动路径(相当于箭头R1)也不发生变化，因此特定点通过照射位置C0、C1这两个位置。但是，在转速大的情况下，特定点接收的光的强度变化的速度也变大。
在光的强度较大的状态(例如，图13中的照射位置C0等)下，来自光源42的光之中、VUV光中强度较大的波段的光和强度较小的波段的光任一者都变得容易侵入抗蚀剂图案13。另一方面，在光的强度较小的状态(例如，图13中的照射位置C1等)下，来自光源42的光之中、VUV光中强度较大的波段的光侵入抗蚀剂图案13，但是强度较小的波段的光难以侵入抗蚀剂图案13。即，在光的强度较小的状态下，关于与VUV光的连续光谱对应的各波长成分的光之中、尤其强度较小的波段的光，不能照射对于促进抗蚀剂图案13中的改性充足的光量。
关于本实施方式中使用的适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料，将转速提高一定程度，例如成为将如图13的(d)所示照射到特定点的光的强度较大的状态反复若干次的状态。通过采用这样的构成，能够使与去往抗蚀剂图案13的VUV光的连续光谱对应的各成分适当地侵入至抗蚀剂图案13的所希望的位置(与各波长的光相应的侵入深度)。因此，如图12所示的结果那样，能够得到通过增大转速而LWR的改善率变得较大的倾向。此外，作为具体的转速，例如能够例举出在将50mj/cm2的辐照量的光照射到晶片W期间使晶片W旋转3圈～12圈程度。该值相当于，例如在使来自光源42的照度为0.8mW/cm2的情况下，一次处理必要的所需时间为63秒，因此，使保持部26的旋转速度为2rpm～12rpm程度。
另外，晶片W的转速在进行从光源42照射光的期间也可以不为一定的。如上所述，当转速变大时，VUV光中强度较大的波段的光变得容易侵入抗蚀剂图案13。因此，通过一边使转速变化一边将来自光源42的光照射晶片W，也能够调整来自光源42的光的照射以使得特定波段的光变得容易更多地侵入晶片W。
此外，如晶片W那样使圆形的基片以某一角速度旋转的情况下，在晶片W的内侧(中央附近)和外侧(端部附近)，相对于光源42的移动速度不同，因此旋转时的晶片W与光源42的位置关系有很大不同。具体而言，当从旋转中心起的距离变大时，实质的移动速度变大，因此，晶片W的内侧相对于光源42的移动速度变小，外侧相对于光源42的移动速度变大。另外，在晶片W的内侧和外侧，在晶片W旋转一圈的期间通过的照射区域有很大不同。例如，在光源42被配置成图3那样的情况下，在晶片W的内侧，在晶片W旋转一圈的期间通过内侧的4个光源42的照射区域。另一方面，在晶片W的外侧，在晶片W旋转一圈的期间通过外侧的8个光源42的照射区域。因此，越靠近晶片W的外侧越通过更多的光源42的照射区域，通过光的强度较大的区域的次数变多。这样一来，即使晶片W以某一定的速度旋转，基于晶片W的位置(尤其是，从旋转中心起的距离)，而晶片W的表面的抗蚀剂图案13接收的光(尤其是，照射的光的强度变化的速度)有时也不同。因此，作为结果，基于晶片W的表面的位置而抗蚀剂图案13的表面的粗糙度的改善程度不同。另外，在图3所示的配置的情况下，在晶片W的外侧，反复通过光源42的光的强度较大的区域，通过光的强度小的区域中的一者的时间段变短。因此，晶片W较强地受到通过光源42的光的强度较大的区域的时间段的影响，所以能够促进抗蚀剂图案13中的由光导致的改性。
在图14中，示出了在一边使晶片W旋转一边从多个光源42照射了光的情况，在晶片W的各位置接收的光的照度分布(光的照射量的分布)的一例。此处，光源42的配置为如图3所示在内外配置有多个光源42的情况。在图14所示的例中，确认了：在晶片W的外侧与内侧产生了晶片W表面接收的光的照度的偏差。具体而言，在晶片W的外侧的区域W1，接收的光的照度为中等程度，与此相对，在晶片W的内侧的区域W2，接收的光的照度变低(区域W2为Min.侧的颜色)。此外，在中央附近，在区域W1和区域W2之间也存在根据从中心起的距离的不同而照度发生变化的区域。作为这样的光的照度的偏差产生的原因，如上所述能够例举出晶片W相对于光源42的移动速度因晶片W的位置而不同的原因。此外，以何种方式通过各光源42的照射区域中强度较强的区域(例如，图13中的照射位置C0等)和强度较弱的区域(例如，图13中的照射位置C1等)，基于晶片W的各位置而不同，这也可以是原因。这样的照度分布的偏差也影响抗蚀剂图案13和下层膜图案表面的粗糙度(roughness)的改善效果的偏差。
在晶片W的表面的各位置产生(尤其在径向上)照度分布的偏差的情况下，作为改善该情况的方法，考虑改变从多个光源42对晶片W照射的光的强度。
基于晶片W的位置(尤其在内侧和外侧)而使从光源42对晶片W照射的光的强度不同的具体方法，并没有特别限定。例如，考虑改变光源42的配置、光源42的数量、从各光源42输出的光的强度等。例如，通过使图3所示的12个光源42中内侧的4个光源的电流补偿值为3.5，使外侧的8个光源的电流补偿值为2.5，能够使从内侧的光源42输出的光的强度比来自外侧的光源的光的强度大。此外，不通过改变电流补偿值等，而通过改变光源的配置等，也能够减少如图14所示的照度分布的偏差。如上所述，从光源42输出的光，在照射区域内在中央附近(C0)和端部附近(C1)，其强度有较大不同。此外，在中央附近(C0)和端部附近(C1)，通过该区域时抗蚀剂图案13中光到达深层的程度、基于接收到的光的抗蚀剂图案13的改性程度有较大不同。并且，对于相邻的光源42，通过以照射区域的端部附近重叠的方式将它们靠近地配置，能够增大通过重叠区域时晶片W接收的光的量。因此，通过调整重叠区域的大小等，也能够调整抗蚀剂图案13接收的光的量。如上所述，尤其是通过改变与光源42相关的各种构成，能够实现基于晶片W的位置(尤其在内侧和外侧)而使从光源42对晶片W照射的光的强度不同的构成。
此外，晶片W的“内侧”和“外侧”表示相对的位置关系。因此，内侧与外侧的边界在何处并没有特别限定。基于光源42的数量及其配置，能够改变沿晶片W的径向的照度分布的偏差产生的部位。但是，由于一边使晶片W旋转一边从光源42照射光，因此在内侧晶片W的移动速度变小而在外侧晶片W的移动速度变大。所以，更倾向于晶片W的内侧与晶片W的外侧相比，难以接收对于抗蚀剂图案13的改性(化学键的切断和交联反应)充足的光。考虑这一点，采用使从光源42对晶片W照射的光的强度在晶片W的内侧和外侧不同的构成即可。
此外，即使是如上述的ArF液浸光刻用的抗蚀剂材料那样对来自光源42的光的响应性高的材料，在抗蚀剂膜的膜厚较大的情况下也存在不能充分进行抗蚀剂图案13的改性(化学键的切断和表面的交联反应)的可能性。如上所述，对于促进抗蚀剂图案13的表面附近的交联反应很重要的、波长比160nm短的光的成分，难以到达深层。因此，当形成抗蚀剂图案13的抗蚀剂膜的膜厚变大时，存在因抗蚀剂图案13的位置的不同而改性的进展不同的可能性。具体而言，即使在上方利用来自光源42的光充分地进行了改性而蚀刻耐受性变高，在抗蚀剂图案13的下方(接近下层膜的一侧)也存在不能充分地进行改性而蚀刻耐受性无法变高的可能性。确认了：波长比160nm短的光的成分，仅从抗蚀剂图案13表面侵入50nm程度。因此，通过用上述的VUV光将抗蚀剂图案13改性而得到的表面的粗糙度的改善效果，在抗蚀剂的膜厚(抗蚀剂图案13的高度)比50nm小的情况下尤其显著。
[作用]
如以上所说明的那样，在上述的基片处理装置1和基片处理方法中，能够使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大。因此，能够对基片的内侧增加光的照射量，能够提高表面的粗糙度的改善效果。如上所述，在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材构成的图案的基片中，根据光的照射量的不同而图案表面的粗糙度的改善程度容易变化。此外，在一边使基片旋转一边照射光的情况下，越靠内侧，基片的移动速度越慢，因此光的照射量变得越少。对此，通过采用上述的构成，能够增加基片表面的由抗蚀剂材形成的图案接收的光的量，尤其能够提高内侧的表面的粗糙度的改善效果。
另外，在基片处理装置1中，可以为如下方式：使对基片的内侧照射光的光源42的输出强度，比对基片的外侧照射光的光源42的输出强度大。在像这样通过提高光源42的输出强度以使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大的情况下，能够更简单地在基片的内侧与外侧之间实施光的照射量的调整。此外，可以构成为：限定在对基片照射光的时间段中的一部分，实施上述的输出强度的调整。例如，在进行照射的最开始和最后，可以降低与基片外侧对应的光源的输出，也可以提高与基片内侧对应的光源的输出。
此外，如上所述，也可以代替使对基片的内侧照射光的光源42的输出强度比对基片的外侧照射光的光源42的输出强度大的方式，而使照射时间彼此不同。即，也可以构成为：通过使由光源42照射光的时间在基片的内侧和外侧彼此不同，以使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大。例如，可以在对基片的外侧照射光的光源42之前，由对基片的内侧照射光的光源42进行照射。此外，也可以在停止从对基片的外侧照射光的光源42照射光之后，停止从对基片的内侧照射光的光源42照射光。如上所述，也可以通过使对基片的内侧照射光的光源42的照射时间比对基片的外侧照射光的光源42的照射时间长，以使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大。还可以通过将上述实施方式中说明的输出强度的调整与照射时间的调整组合，以使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大。在该情况下，也能够一边使对基片的内侧照射光的光源42的照射时间比对基片的外侧照射光的光源42的照射时间短，一边使对基片的内侧照射光的照射量比对基片的外侧照射光的照射量大。
另外，包括对处理容器内供给非活性气体的气体供给部30和从处理容器内排出气体的气体排出部35。此时，能够使气体供给部30和气体排出部35成为如下状态：在用光源部照射光的期间，一边使处理容器内的压力变化一边进行气体的供给和排出。通过采用这样的构成，能够一边使处理容器内的压力成为与基片的表面状况相应的状态，一边对图案照射真空紫外光。
以上，对各种例示的实施方式进行了说明，不过并不限定于上述例示的实施方式，也可以进行各种各样的省略、置换和改变。此外，能够将不同的实施方式中的要素组合而形成其他实施方式。
例如，能够适当改变基片处理装置1中的光源42的配置和数量等。此外，也可以追加用于控制从光源42出射的光的来路的部件等。此外，能够适当改变基片处理装置1内的各部分的配置和构成。此外，在上述实施方式中说明的压力的控制等仅是一例，可以改变为在从光源42照射光之前的阶段也进行壳体21内的压力的控制。
依照以上的说明，本发明的各种实施方式以说明为目的在说明书中进行了说明，应当理解在不脱离本发明的范围和主旨的情况下能够进行各种改变。因此，本说明书公开的各种实施方式并不非限定性的，真正范围和主旨由所附的权利要求的范围给出。

Claims (6)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
在处理容器内保持基片的保持部，其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；
使所述保持部旋转的旋转驱动部；和
具有多个光源的光源部，其对通过所述旋转驱动部旋转的所述保持部所保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，
使从所述光源部对所述基片的内侧照射光的照射量比从所述光源部对所述基片的外侧照射光的照射量大。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
使对所述基片的内侧照射光的光源的输出强度比对所述基片的外侧照射光的光源的输出强度大。
3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
使对所述基片的内侧照射光的时间和对所述基片的外侧照射光的时间彼此不同。
4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
包括对所述处理容器内供给非活性气体的气体供给部和从所述处理容器内排出气体的气体排出部，
所述气体供给部和所述气体排出部在用所述光源部照射光的期间，一边使所述处理容器内的压力变化一边进行所述气体的供给和排出。
5.一种基片处理方法，其一边在处理容器内使基片旋转，一边从具有多个光源的光源部对所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案，
所述基片处理方法的特征在于：
使从所述光源部对所述基片的内侧照射光的照射量比从所述光源部对所述基片的外侧照射光的照射量大。
6.一种计算机可读存储介质，其特征在于：
存储有用于使装置执行权利要求5所述的基片处理方法的程序。
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