CN116868313A - 基板处理方法、存储介质以及基板处理装置 - Google Patents

基板处理方法、存储介质以及基板处理装置 Download PDF

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Abstract

本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：对基板(W)的表面(Wa)供给显影液(L1)，以在基板的表面形成显影液的液膜；在基板的表面上维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展；以及在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，对周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液(L2)，以在基板的表面的周缘区域与周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。

Description

基板处理方法、存储介质以及基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开了一种具备基板保持单元、显影液供给单元以及冲洗液供给单元的基板的显影处理装置。该显影处理装置的冲洗液供给单元在水平方向上移动，并且从狭缝状喷出口向基板上喷出冲洗液来使基于显影液进行的显影反应停止。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-257849号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够容易地调整基板表面处的线宽分布的基板处理方法、存储介质、以及基板处理装置。
用于解决问题的方案
本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：对基板的表面供给显影液，以在基板的表面形成显影液的液膜；在基板的表面上维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展；以及在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，对基板的表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液，以在周缘区域与周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。
发明的效果
根据本公开，提供一种能够容易地调整基板表面处的线宽分布的基板处理方法、存储介质以及基板处理装置。
附图说明
图1是示意性地示出基板处理系统的一例的立体图。
图2是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
图3是示意性地示出显影单元的一例的侧视图。
图4的(a)及图4的(b)是示出喷出显影液的喷嘴的一例的示意图。
图5是示出控制装置的硬件结构的一例的框图。
图6是示出显影处理的一例的流程图。
图7的(a)及图7的(b)是例示显影处理的情形的示意图。
图8是示出形成显影液的液膜的处理的一例的流程图。
图9的(a)～图9的(d)是例示形成显影液的液膜的处理的情形的示意图。
图10是示出维持液膜以使显影有进展的处理的一例的流程图。
图11的(a)及图11的(b)是例示维持液膜的处理的情形的示意图。
图12的(a)及图12的(b)是例示维持液膜的处理的情形的示意图。
图13的(a)是示出未使用调整液的情况下的线宽分布的测量结果的一例的图。图13的(b)是示出使用了调整液的情况下的线宽分布的测量结果的一例的图。
图14是示出沿着半径方向的线宽分布的测量结果的一例的曲线图。
图15的(a)及图15的(b)是示出线宽相对于调整液的供给开始时刻的变化的一例的图表。
图16是示出供给开始时刻的设定方法的一例的流程图。
图17的(a)及图17的(b)是例示喷出调整液的情形的示意图。
图18是示出喷出显影液的喷嘴的一例的示意图。
图19是示出形成显影液的液膜的处理的一例的流程图。
图20的(a)是示出未使用调整液的情况下的线宽分布的测量结果的一例的图。图20的(b)是示出使用了调整液的情况下的线宽分布的测量结果的一例的图。
图21是示出喷出显影液的喷嘴的一例的示意图。
图22是示出通过显影形成图案的处理的一例的流程图。
具体实施方式
下面，对实施方式的概要进行说明。
本公开的一个方面所涉及的基板处理方法包括：对基板的表面供给显影液，以在基板的表面形成显影液的液膜；在基板的表面上维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展；以及在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，对基板的表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液，以在周缘区域与周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。
在该基板处理方法中，在使显影有进展的期间，对表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液。由此，在周缘区域与周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。由于线宽根据显影的程度发生变化，因此能够通过对周缘区域供给调整液来调整线宽。其结果是，能够容易地调整基板面内的线宽分布。
也可以是，供给显影液包括：使显影喷嘴沿着与喷出区域交叉的移动方向移动，并且一边使基板旋转一边使显影喷嘴喷出显影液，其中，该显影喷嘴能够沿着基板的表面向沿一个方向延伸的喷出区域喷出显影液。也可以是，使显影喷嘴沿移动方向移动包括：使显影喷嘴移动以使喷出区域从基板的表面的端部朝向基板的表面的包括中心的中央区域移动。在该情况下，在喷出区域从基板的表面的端部到达中央区域的期间，显影液扩散到表面的大致整个区域。由于显影喷嘴的移动距离小，因此能够使显影液在短期间内扩散，从而缩小由于基板面内的着液的时间差引起的显影程度的差别。其结果是，能够提高基板面内的线宽的均匀性。
也可以是，在利用显影液进行显影前的基板的表面形成有通过汞紫外线(日语：i線)进行了曝光的状态的抗蚀膜。在对通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜进行显影时，容易由于基板面内的周缘区域与内部区域的温度差而出现显影程度的差别。在上述方法中，通过向周缘区域供给调整液来调整周缘区域的显影的程度。其结果是，能够调整由于温度差引起的显影程度的差别。
也可以是，在基板的表面上维持显影液的液膜包括：在供给调整液之前使基板的旋转加速到规定的旋转速度。也可以是，供给调整液包括：对以规定的旋转速度旋转的基板的周缘区域供给调整液。在该情况下，在通过基板的旋转而对表面上的液膜作用有离心力的状态下，对周缘区域供给调整液。因此，到达周缘区域的调整液不易朝向内侧移动。其结果是，更加容易调整周缘区域与内部区域之间的线宽。
在上述基板处理方法中，也可以是，在停止供给调整液之后，继续维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展。在该情况下，在停止供给调整液之后，在抑制了周缘区域处的显影的进展的状态下使显影有进展，因此与紧接在供给调整液之后停止显影的情况相比，容易发挥调整液对显影的抑制效果。
也可以是，对周缘区域供给调整液包括：以使相比于在基板的表面上维持显影液的液膜的期间的前期供给调整液的时间而言在上述期间的后期供给调整液的时间更长的方式供给调整液。在该情况下，在执行显影的期间的前期，即使在周缘区域也能够使显影进展到目标水平。因此，能够使周缘区域处的显影有进展并且调整面内的线宽分布。
上述基板处理方法还可以包括：在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，以不使基板的表面露出的程度对基板的表面供给气体。在该情况下，由于对基板的表面供给气体，因此能够缩小周缘区域与内部区域之间的温度差。因此，能够抑制由于基板面内的温度差引起的线宽的均匀性的下降。
也可以是，对基板的表面供给气体包括：对内部区域供给气体。在该情况下，由于被供给了气体的内部区域的温度下降，因此即使在周缘区域的温度下降了的情况下，也能够缩小周缘区域与内部区域之间的温度差。其结果是，能够进一步抑制由于基板面内的温度差引起的线宽的均匀性的下降。
在上述基板处理方法中，也可以是，在对基板的表面供给气体之后，对周缘区域供给调整液。当在供给调整液之后供给流量大的气体时，调整液可能会扩散到显影液的液膜内。与此相对地，在上述方法中，在供给气体之后供给调整液，因此不会由于供给气体而引起调整液扩散。其结果是，能够同时实现高效的气体供给和线宽调整。
也可以是，供给调整液包括：通过朝向基板的表面的端部喷出调整液，来对周缘区域供给调整液。在该情况下，被供给到显影液的液膜之后的调整液不易移动到液膜的中央部分。其结果是，容易通过供给调整液来调整周缘区域中的线宽。
上述基板处理方法还可以包括：获取显影后的基板的表面处的沿着半径方向的线宽分布与目标分布的偏差量；以及基于被构建为表示开始供给调整液的开始时刻与周缘区域中的线宽之间的关系的模型、以及获取到的偏差量，以缩小与后续的基板有关的偏差量的方式计算上述开始时刻。在该情况下，只要改变为了调节线宽而供给调整液的时刻即可，因此能够简便地使显影后的基板面内的线宽分布接近目标分布。
本公开的一个方面所涉及的计算机可读取的存储介质是存储有用于使装置执行上述中的某一基板处理方法的程序的存储介质。
本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：保持部，其保持基板，在该基板的表面形成有通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜；显影液供给部，其对保持于保持部的基板的表面供给显影液；调整液供给部，其对保持于保持部的基板的表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液；以及控制部，其控制保持部、显影液供给部以及调整液供给部。控制部执行以下处理：通过显影液供给部对基板的表面供给显影液，以在基板的表面形成显影液的液膜；通过保持部在基板的表面上维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展；以及在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，通过调整液供给部对周缘区域供给调整液，以在周缘区域与周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。
在对通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜进行显影时，由于基板面内的周缘区域与内部区域的温度差而容易出现显影程度的差别。在上述基板处理装置中，在使显影有进展的期间，对表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液。由此，在周缘区域与周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。由于线宽根据显影的程度发生变化，因此能够通过对周缘区域供给调整液来调整线宽。即使在使用与汞紫外线进行反应的抗蚀膜的情况下，也能够容易地调整基板面内的线宽分布。
也可以是，保持部能够一边使基板旋转一边保持该基板。也可以是，显影液供给部具有：显影喷嘴，其能够向沿基板的表面在一个方向上延伸的喷出区域喷出显影液；以及驱动部，其使显影喷嘴沿基板的表面并且沿与喷出区域交叉的移动方向移动。也可以是，控制部执行以下处理：在对基板供给显影液时，通过驱动部使显影喷嘴沿移动方向移动，并且一边通过保持部使基板旋转一边使显影喷嘴喷出显影液；以及在使显影喷嘴沿移动方向移动时，通过驱动部使显影喷嘴移动以使喷出区域从基板的表面的端部朝向基板的表面的包括中心的中央区域移动。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，能够提高基板面内的线宽的均匀性。
也可以是，保持部能够一边使基板旋转一边保持该基板。也可以是，控制部执行以下处理：在维持显影液的液膜时，在通过显影液供给部供给调整液之前，通过保持部使基板的旋转加速到规定的旋转速度；以及在供给调整液时，通过调整液供给部对以规定的旋转速度旋转的基板的周缘区域供给调整液。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，更容易调整周缘区域与内部区域之间的线宽。
也可以是，在停止供给调整液之后，控制部通过保持部来继续维持显影液的液膜，以使基板的表面处的显影有进展。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，与紧接在供给调整液之后停止显影的情况相比，容易发挥调整液对显影的抑制效果。
也可以是，在对周缘区域供给调整液时，在基板的表面上维持显影液的液膜的期间的前期，控制部不使显影液供给部供给调整液，在上述期间的后期的至少一部分期间，控制部使显影液供给部供给调整液。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，能够使周缘区域中的显影有进展并且调整面内的线宽分布。
上述基板处理装置还可以具备气体供给部，该气体供给部对基板的表面供给气体。也可以是，控制部在通过维持显影液的液膜来使显影有进展的期间，控制气体供给部，以不使基板的表面露出的程度对基板的表面供给气体。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，能够抑制由于基板面内的温度差引起的线宽的均匀性的下降。
也可以是，在对基板的表面供给气体时，控制部通过气体供给部来对内部区域供给气体。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，能够进一步抑制由于基板面内的温度差引起的线宽的均匀性的下降。
也可以是，在通过气体供给部对基板的表面供给气体之后，控制部通过调整液供给部来对周缘区域供给调整液。在该情况下，与上述基板处理方法同样地，能够同时实现高效的气体供给和线宽调整。
下面，参照附图对实施方式的详情进行说明。在说明中，对相同的要素或具有相同功能的要素标注相同的标记，并且省略重复的说明。在一部分附图中示出由X轴、Y轴以及Z轴规定的正交坐标系。在以下的实施方式中，Z轴与铅垂方向对应，X轴及Y轴与水平方向对应。
[第一实施方式]
首先，参照图1～图20对第一实施方式所涉及的基板处理系统进行说明。图1所示的基板处理系统1(基板处理装置)是对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的工件W例如是基板、或者通过被实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基板。作为一例，该基板是硅晶圆。工件W(基板)可以为圆形。工件W可以是玻璃基板、掩模基板或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。在工件W的边缘处存在倒角(bevel)的情况下，本公开中的工件W的“表面”也包括从工件W的表面侧观察时的倒角部分。感光性覆膜例如是抗蚀膜。
如图1和图2所示，基板处理系统1具备涂布显影装置2、曝光装置3以及控制装置100。曝光装置3是对形成于工件W(基板)的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体地说，曝光装置3通过浸液曝光等方法向抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。能量射线例如可以是电离辐射线、非电离辐射线等。
电离辐射线是具有足以使原子或分子电离的能量的辐射线。电离辐射线例如可以是极端紫外线(EUV：Extreme Ultra violet)、电子射线、离子束、X射线、α射线、β射线、γ射线、重粒子射线、质子线等。非电离辐射线是不具有足以使原子或分子电离的能量的辐射线。非电离辐射线例如可以是汞蓝线(日语：g線)、汞紫外线、KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2准分子激光等。下面，例示将汞紫外线用作曝光用的能量射线的情况。
涂布显影装置2在利用曝光装置3进行曝光处理之前进行将抗蚀剂(药液)涂布于工件W的表面来形成抗蚀膜的处理，并在曝光处理后进行抗蚀膜的显影处理。例如通过汞紫外线对显影处理前的抗蚀膜进行曝光。即，通过曝光装置3来选择性地对显影处理前的抗蚀膜的曝光对象部分照射汞紫外线。涂布显影装置2具备承载件块4、处理块5以及接口块6。
承载件块4向涂布显影装置2内导入工件W，并且从涂布显影装置2内导出工件W。例如，承载件块4能够支承工件W用的多个承载件C，内置有包括交接臂的搬送装置A1。承载件C例如收容多张圆形的工件W。搬送装置A1将工件W从承载件C取出并传递到处理块5，从处理块5接受工件W并送回承载件C内。处理块5具有处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块11通过液处理单元U1和热处理单元U2来在工件W的表面上形成下层膜。液处理单元U1将用于形成下层膜的处理液涂布于工件W上。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成而进行的各种热处理。
处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块12通过液处理单元U1和热处理单元U2来在下层膜上形成抗蚀膜。液处理单元U1将用于形成抗蚀膜的处理液涂布于下层膜上。液处理单元U1将能够通过汞紫外线的曝光而形成图案的药液作为用于形成抗蚀膜的处理液涂布于下层膜上。热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成而进行的各种热处理。
处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块13通过液处理单元U1和热处理单元U2来在抗蚀膜上形成上层膜。液处理单元U1将用于形成上层膜的处理液涂布于抗蚀膜上。热处理单元U2进行伴随上层膜的形成而进行的各种热处理。
处理模块14内置有显影单元U3、热处理单元U4以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块14通过显影单元U3和热处理单元U4来进行被实施了曝光处理后的抗蚀膜的显影处理、以及伴随显影处理而进行的热处理。显影单元U3是利用显影液对工件W实施液处理(显影处理)的单元。显影单元U3通过将显影液涂布于曝光完毕的工件W的表面上，来在工件W的表面上形成显影液的液膜(液团)。
显影单元U3通过在工件W的表面上维持显影液的液膜(例如进行静止显影)来进行抗蚀膜的显影。此时，容易促进从工件W的周缘部分散热，因此在工件W的面内可能会产生温度差。在该情况下，在工件W的面内可能会产生显影进展的差别。特别地，在使用汞紫外线用的抗蚀膜的情况下，相对于在利用其它药液形成的抗蚀膜的情况下在从形成显影液的液膜起经过几秒左右显影的程度固定而言，存在如下趋势：在维持显影液的液膜的期间，显影以大致固定的比例持续有进展。因此，在使用汞紫外线用的抗蚀膜的情况下，容易出现由于温度差引起的显影程度的差别。具体地说，由于周缘区域中的温度低，因此显影进一步有进展，周缘区域中的线宽可能会变细。与此相对地，在基板处理系统1中进行工件W的面内的显影程度的调整。在后文中叙述在工件W的面内调整显影程度的方法。
显影单元U3在利用显影液进行显影之后，利用冲洗液将工件W的表面上的显影液冲掉。热处理单元U4进行伴随显影处理而进行的各种热处理。作为热处理的具体例，能够举出显影前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake，曝光后烘烤)和显影后的加热处理(PB：Post Bake，后烘)等。
在处理块5内的靠承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为在上下方向上排列的多个层格(日语：セル)。在架单元U10的附近设置有包括升降臂的搬送装置A7。搬送装置A7使工件W在架单元U10的层格之间进行升降。
在处理块5内的靠接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为在上下方向上排列的多个层格。
接口块6与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如，接口块6内置有包括交接臂的搬送装置A8，该接口块6与曝光装置3连接。搬送装置A8将配置于架单元U11的工件W传递到曝光装置3。搬送装置A8从曝光装置3接受工件W并送回架单元U11。
控制装置100构成为局部以及整体地控制涂布显影装置2。控制装置100控制涂布显影装置2，以按照例如以下的过程执行涂布显影处理。首先，控制装置100控制搬送装置A1以将承载件C内的工件W搬送到架单元U10，并且控制搬送装置A7以将该工件W配置于处理模块11用的层格。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的表面上形成下层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3以将形成有下层膜的工件W送回架单元U10，并且控制搬送装置A7以将该工件W配置于处理模块12用的层格。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的表面形成抗蚀膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3以将工件W送回架单元U10，并且控制搬送装置A7以将该工件W配置于处理模块13用的层格。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块13内的各单元。另外，控制装置100控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的抗蚀膜上形成上层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将工件W搬送到架单元U11。
接着，控制装置100控制搬送装置A8，以将架单元U11的工件W送出到曝光装置3。之后，控制装置100控制搬送装置A8，以从曝光装置3接受被利用汞紫外线实施了曝光处理的工件W，并配置于架单元U11中的处理模块14用的层格。
接着，控制装置100控制搬送装置A3以将架单元U11的工件W搬送到处理模块14内的各单元，并且控制显影单元U3和热处理单元U4以对该工件W的抗蚀膜进行显影处理。通过进行抗蚀膜的显影处理，来在工件W的表面Wa形成抗蚀图案。
之后，控制装置100控制搬送装置A，以将工件W送回架单元U10，并且控制搬送装置A7和搬送装置A1以将该工件W送回承载件C内。通过以上处理，关于一张工件W的涂布显影处理完成。控制装置100使涂布显影装置2对后续的多个工件W也分别与上述同样地执行涂布显影处理。
此外，基板处理装置的具体结构并不限定于以上所例示的基板处理系统1的结构。基板处理装置只要具备对形成有抗蚀膜的状态的基板进行显影处理的显影单元、以及能够控制该显影单元的控制装置即可，可以是任意的基板处理装置。
(显影单元)
接着，参照图3和图4对处理模块14的显影单元U3详细地进行说明。如图3所示，显影单元U3例如具有壳体H、旋转保持部20、显影液供给部30、调整液供给部40、罩构件70以及鼓风机B。壳体H收容旋转保持部20、显影液供给部30、调整液供给部40、罩构件70以及鼓风机B。
旋转保持部20(保持部)保持工件W并使工件W旋转。旋转保持部20能够一边使工件W旋转一边保持该工件W。旋转保持部20例如包括旋转驱动部22、轴24以及保持部26。旋转驱动部22基于来自控制装置100的信号进行动作，以使轴24旋转。旋转驱动部22例如包括电动马达等动力源。保持部26设置于轴24的前端部。在保持部26上配置工件W。保持部26例如通过吸附等将工件W大致水平地保持。在工件W的姿势为大致水平的状态下，旋转保持部20使工件W绕与工件W的表面Wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。保持部26可以将工件W以上述旋转轴与工件W的中心CP大致一致的方式保持。
显影液供给部30对保持于旋转保持部20(保持部26)的工件W的表面Wa供给规定的药液。通过显影液供给部30供给的药液是显影液L1。显影液L1是用于对形成于工件W的表面Wa的抗蚀膜(下面，称作“抗蚀膜R”。)实施显影的药液。在本公开中，对工件W的表面Wa供给液体或气体等流体(例如显影液L1)相当于使该流体与形成于该表面Wa的抗蚀膜或液膜等膜接触。
显影液供给部30例如包括送液部32、驱动部34以及显影喷嘴36。送液部32基于来自控制装置100的信号，通过泵等(未图示)将容器(未图示)中贮存的显影液L1送出到显影喷嘴36。驱动部34基于来自控制装置100的信号来使显影喷嘴36至少在沿着工件W的表面Wa的方向(水平方向)上移动。
显影喷嘴36将从送液部32供给的显影液L1朝向工件W的表面Wa喷出。也可以是，显影喷嘴36能够向沿工件W的表面Wa在一个方向上延伸的区域(下面，称作“喷出区域DA”。)喷出显影液L1。如图4的(a)所示，显影喷嘴36例如包括多个喷出口36a。多个喷出口36a沿水平的一个方向(例如，图示的X轴方向)排列。在从多个喷出口36a分别喷出的显影液L1到达工件W的表面Wa时，分别来自多个喷出口36a的显影液L1的附着区域在一个方向上排列。通过在该一个方向上排列的多个附着区域，来形成基于显影喷嘴36的上述喷出区域DA。
如图4的(b)所示，显影喷嘴36配置为在多个喷出口36a的排列方向上上述喷出区域DA与工件W的中心CP重叠。也可以是，显影喷嘴36的长边方向上的中央的位置在多个喷出口36a的排列方向上与中心CP大致一致。或者，也可以是，显影喷嘴36的长边方向上的中央的位置在多个喷出口36a的排列方向上相对于中心CP偏移。显影喷嘴36的长边方向上的长度可以比工件W的直径短。喷出区域DA的延伸方向上的长度可以与显影喷嘴36的长边方向上的长度大致一致。
驱动部34可以使显影喷嘴36沿与基于显影喷嘴36的喷出区域DA交叉的方向(下面，称作“移动方向”。)移动。在一例中，驱动部34使显影喷嘴36沿移动方向(图示的Y轴方向)移动，以使喷出区域DA在工件W的表面Wa的周缘Wb(端部)与包括中心CP的中央区域CA之间移动。显影喷嘴36也可以朝向铅垂下方或斜下方喷出显影液L1。在图4的(b)中例示出从显影喷嘴36喷出显影液L1的喷出方向为斜下方的情况。
返回图3，调整液供给部40对保持于旋转保持部20(保持部26)的工件W的表面Wa的周缘区域供给规定的液体。通过调整液供给部40供给的液体是调整液L2。调整液L2是用于抑制利用显影液L1进行的抗蚀膜R的显影的进展的液体。在显影液L1中追加了调整液L2的情况下，与不追加调整液L2的情况相比，利用显影液L1进行的显影的进展缓慢(受到阻碍)。
工件W的表面Wa的周缘区域是表面Wa的包括周缘Wb及其附近的区域。在工件W为圆形的情况下，周缘区域例如是周缘Wb与位于从周缘Wb起向内侧离开工件W的半径的1/5～1/15左右的位置处的圆之间的环状的区域。在该情况下，周缘区域的内径为工件W的半径的4/5～14/15左右。下面，将周缘区域记为“周缘区域Wc”，将表面Wa中的除周缘区域Wc以外的区域且位于周缘区域Wc的内侧的区域记为“内部区域Wd”(参照图4的(b))。
通过调整液供给部40供给的调整液L2只要是不使抗蚀膜R的显影有进展的液体即可，可以是任一种类的液体。作为调整液L2的具体例，能够举出水(例如纯水)。在调整液L2的种类为水的情况下，调整液L2还可以用作用于将工件W的表面Wa上的显影液L1冲掉的冲洗液。在该情况下，调整液供给部40具有对被供给了显影液L1的状态的工件W的表面Wa供给冲洗液的功能。
调整液供给部40例如具有送液部42A、42B、驱动部44以及调整喷嘴46。送液部42A、42B基于来自控制装置100的信号，通过泵等(未图示)将容器(未图示)中贮存的调整液L2送出到调整喷嘴46。在对表面Wa的周缘区域Wc供给调整液L2的情况下，通过送液部42A向调整喷嘴46供给调整液L2。在调整液L2被用作冲洗液的情况下，通过送液部42B向调整喷嘴46供给调整液L2。
通过送液部42A送出的调整液L2的流量(每单位时间的流量)可以比通过送液部42B送出的调整液L2的流量(每单位时间的流量)小。驱动部44基于来自控制装置100的信号来使调整喷嘴46至少在沿着工件W的表面Wa的方向(水平方向)上移动。例如，调整喷嘴46通过驱动部44而能够在与周缘区域Wc相向的位置以及与表面Wa的中心CP相向的位置之间移动。
调整喷嘴46朝向保持部26上的工件W的表面Wa喷出从送液部42A或送液部42B供给的调整液L2。调整喷嘴46可以包括单一的喷出口。从调整喷嘴46喷出的调整液L2在与表面Wa重叠的一个部位处附着于表面Wa。在一例中，调整喷嘴46配置于工件W的表面Wa的上方，在此基础上朝向铅垂下方喷出调整液L2。
罩构件70设置于旋转保持部20的周围。罩构件70例如包括杯主体72、排液口74以及排气口76。杯主体72作为用于承接为了对工件W进行处理而供给到工件W的显影液L1和调整液L2的集液容器发挥功能。排液口74设置于杯主体72的底部，将由杯主体72收集到的排液排出到显影单元U3的外部。排气口76设置于杯主体72的底部。
显影单元U3具有排气部V1、V2。排气部V1设置于壳体H的下部，通过基于来自控制装置100的信号进行动作，来将壳体H内的气体排出。排气部V1例如可以是能够根据开度来调节排气量的风门(日语：ダンパ)。通过利用排气部V1调节从壳体H排气的排气量，能够控制壳体H内的温度、压力以及湿度等。也可以是，控制排气部V1，以在对工件W进行液处理的期间始终对壳体H内进行排气。
排气部V2设置于排气口76，通过基于来自控制装置100的信号进行动作，来将杯主体72内的气体排出。在工件W的周围流动的下降流(下行流)通过排气口76和排气部V2排出到显影单元U3的壳体H的外部。排气部V2例如可以是能够根据开度来调节排气量的风门。通过利用排气部V2调节从杯主体72排气的排气量，能够控制杯主体72内的温度、压力以及湿度等。
鼓风机B在显影单元U3的壳体H内配置于旋转保持部20和罩构件70的上方。鼓风机B基于来自控制装置100的信号来形成朝向罩构件70的下降流。也可以是，控制鼓风机B，以在对工件W进行液处理的期间始终形成下降流。
(控制装置)
如图2所示，控制装置100具有作为功能上的结构的存储部102和控制部104。存储部102存储有用于使包括显影单元U3的涂布显影装置2的各部进行动作的程序。存储部102还存储有各种数据(例如，与用于使显影单元U3动作的信号有关的信息)、以及来自设置于各部的传感器等的信息。存储部102例如为半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。该程序还能够包括于与存储部102分体的外部存储装置、或传播信号等无形介质。也可以将该程序从这些以外的介质安装到存储部102，并使存储部102存储该程序。
控制部104基于从存储部102读出的程序来控制涂布显影装置2的各部的动作。控制部104构成为至少执行以下处理：通过显影液供给部30对工件W的表面Wa供给显影液L1，以在工件W的表面Wa形成显影液L1的液膜；以及通过旋转保持部20在工件W的表面Wa上维持(保持)显影液L1的液膜，以使工件W的表面Wa处的显影有进展。另外，控制部104构成为还执行以下处理：在通过维持显影液L1的液膜来使显影有进展的期间，通过调整液供给部40对周缘区域Wc供给调整液，以在周缘区域Wc与内部区域Wd之间调整显影的程度(显影水平)。
控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制装置100具有图5所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器122、存储器124、存储装置126、输入输出端口128以及计时器132。存储装置126例如具有硬盘等可由计算机读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行后述的基板处理方法的程序。存储介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘以及光盘等可取出的介质。存储器124暂时地存储从存储装置126的存储介质加载来的程序以及通过处理器122得到的运算结果。
处理器122与存储器124协作地执行上述程序。输入输出端口128按照来自处理器122的指令来与旋转保持部20、显影液供给部30、调整液供给部40、排气部V1、V2以及鼓风机B等之间进行电信号的输入和输出。计时器132例如通过对固定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。此外，控制装置100的硬件结构可以由专用的逻辑电路或者将该专用的逻辑电路集成所得的ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
(基板处理方法)
接下来，作为基板处理方法的一例，参照图6～图12来说明在显影单元U3中对一张工件W执行的液处理的方法。图6是示出在显影单元U3中执行的液处理方法的一例的流程图。在该液处理方法中，在作为处理对象的工件W保持于旋转保持部20的保持部26的状态下，控制装置100的控制部104依次执行步骤S01、S03、S05。
在步骤S01中，如图7的(a)所示，例如控制部104使显影单元U3执行在工件W的表面Wa形成显影液L1的液膜的处理。在步骤S03中，例如控制部104使显影单元U3执行在表面Wa上维持显影液L1的液膜的处理，以使利用抗蚀膜R进行的显影有进展。在图7的(b)中例示出在表面Wa上维持有显影液L1的液膜的状态。在步骤S05中，例如控制部104使显影单元U3执行包括作为冲洗液的调整液L2的供给以及表面Wa的干燥的处理，以去除显影液L1的液膜。下面，分别对步骤S01、S03、S05的处理的详情进行说明。
图8是示出步骤S01的形成显影液L1的液膜的处理的一例的流程图。在该形成液膜的处理中，在显影液供给部30的显影喷嘴36配置于工件W之外且工件W载置于旋转保持部20的保持部26的状态下，控制部104执行步骤S11。在步骤S11中，例如控制部104控制旋转保持部20，以使工件W开始旋转。在工件W开始旋转之后，控制部104可以控制旋转保持部20，以使工件W以规定的旋转速度ω1旋转。旋转速度ω1被预先存储于存储部102，例如设定为500rpm～1500rpm左右。
接着，控制部104执行步骤S12。在步骤S12中，例如控制部104通过显影液供给部30的驱动部34使显影喷嘴36开始沿表面Wa移动。在一例中，从步骤S12开始以后，控制部104通过驱动部34使显影喷嘴36沿与喷出区域DA交叉的移动方向移动，以使基于显影喷嘴36的喷出区域DA从周缘Wb(表面Wa的端部)朝向包括中心CP的中央区域CA移动。下面，例示使显影喷嘴36以固定的速度移动的情况。显影喷嘴36可以以具有与移动的方向相反方向的成分的方式向铅垂斜方向喷出显影液L1。
接着，控制部104执行步骤S13、S14。在步骤S13中，例如控制部104待机，直到成为规定的喷出开始时刻为止。喷出开始时刻是预先设定的，例如设定为在配置于移动前的待机位置的显影喷嘴36开始移动之后喷出区域DA中的某个部位到达周缘Wb的时刻(从基准时刻起的时间)。在步骤S14中，例如控制部104使显影液供给部30开始从显影喷嘴36进行喷出。由此，如图9的(a)和图9的(b)所示，在工件W以旋转速度ω1旋转的状态下，开始向周缘Wb的附近供给显影液L1。然后，显影液L1逐渐被供给到表面Wa的周缘区域Wc及其附近，并在表面Wa上扩散。
接着，控制部104执行步骤S15。在步骤S15中，例如控制部104待机，直到基于显影喷嘴36的喷出区域DA到达第一位置为止。预先将第一位置决定为显影喷嘴36的移动线路上的规定位置，设定为从最初与喷出区域DA重叠的周缘Wb起向中心CP靠近比工件W的半径短的距离的位置。在一例中，在从显影喷嘴36开始移动(步骤S12)起经过了与第一位置对应的时间时，控制部104判定为喷出区域DA到达了第一位置。
接着，控制部104执行步骤S16。在步骤S16中，例如控制部104通过旋转保持部20使工件W的旋转速度降低。控制部104可以控制旋转保持部20，以使工件W以比上述旋转速度ω1小的规定的旋转速度ω2旋转。预先将旋转速度ω2存储于存储部102，例如设定为250rpm～750rpm左右。在执行步骤S16之后，如图9的(c)所示，基于显影喷嘴36的喷出区域DA靠近中心CP，显影液L1被供给到比周缘区域Wc靠内侧的位置并在表面Wa上扩散。
接着，控制部104执行步骤S17。在步骤S17中，例如控制部104待机，直到基于显影喷嘴36的喷出区域DA到达第二位置为止。预先将第二位置决定为显影喷嘴36的移动线路上的规定位置，设定为比第一位置更靠近中心CP的位置。在一例中，在从显影喷嘴36开始移动(步骤S12)起经过了与第二位置对应的时间时，控制部104判定为喷出区域DA到达了第二位置。
接着，控制部104执行步骤S18。在步骤S18中，例如控制部104通过旋转保持部20使工件W的旋转速度降低。控制部104可以控制旋转保持部20，以使工件W以比上述旋转速度ω2小的规定的旋转速度ω3旋转。预先将旋转速度ω3存储于存储部102，例如设定为10rpm～100rpm左右。在执行步骤S17之后，如图9的(d)所示，基于显影喷嘴36的喷出区域DA进一步靠近中心CP，显影液L1被供给到中心CP附近的区域并在表面Wa上扩散。
接着，控制部104执行步骤S19。在步骤S19中，例如待机，直到基于显影喷嘴36的喷出区域DA到达目标位置为止。预先将目标位置决定为显影喷嘴36的移动线路上的规定位置，设定为包括中心CP及其附近的中央区域CA内的某个位置。目标位置可以设定为中央区域CA中比中心CP靠近显影喷嘴36的移动开始位置的位置，也可以设定为与中心CP大致一致的位置，还可以设定为中央区域CA中比中心CP远离显影喷嘴36的移动开始位置的位置。以显影液L1在包括中心CP的中央区域CA的整个区域扩散的方式设定目标位置。中央区域CA例如通过以中心CP为基准而具有工件W的半径的1/15～1/10左右的半径的圆来划分。
接着，控制部104执行步骤S20、S21。在步骤S20中，例如控制部104通过驱动部34使显影喷嘴36停止移动，并通过显影液供给部30使显影喷嘴36停止喷出显影液L1。在步骤S21中，例如控制部104通过旋转保持部20使工件W停止旋转。
在以上的步骤S11～S21中，控制部104在对工件W供给显影液L1时，通过驱动部34使显影喷嘴36沿上述移动方向移动，并且一边通过旋转保持部20使工件W旋转一边使显影喷嘴36喷出显影液L1。而且，在基于显影喷嘴36的喷出区域DA到达了上述中央区域CA(该区域内的目标位置)的状态下，控制部104使显影液供给部30停止从显影喷嘴36喷出显影液L1。通过进行以上处理，如图9的(d)或图7的(b)所示，在工件W的表面Wa上形成显影液L1的液膜(积液)。
图10是示出步骤S03的维持显影液L1的液膜的处理的一例的流程图。在维持液膜的处理中，控制部104在步骤S01的上述一系列处理结束之后(例如，在紧接步骤S21结束之后不进行其它处理)执行步骤S31。在步骤S31中，例如控制部104待机，直到成为规定的旋转开始时刻为止。由此，如图11的(a)所示，在工件W未旋转的状态下在表面Wa上维持显影液L1的液膜，直到成为旋转开始时刻为止。
通过在表面Wa上维持显影液L1，在表面Wa上抗蚀膜R的显影有进展。此时，控制部104可以通过驱动部44使调整喷嘴46移动，以使调整喷嘴46与表面Wa的周缘区域Wc相向。旋转开始时刻是预先决定的，例如设定为从步骤S03中的显影期间(维持显影液L1的液膜的期间)开始起经过了该显影期间的1/3～1/2的时间之后的时刻。在一例中，将显影期间设定为30秒～180秒左右。可以将旋转开始时刻设定为上述显影期间的后期的任一时刻。显影期间由前期和后期构成，显影期间的前期是指显影期间的一半的时间点之前的1/2期间，显影期间的后期是指显影期间的一半的时间点之后的1/2期间。
接着，控制部104执行步骤S32。在步骤S32中，例如控制部104通过旋转保持部20使工件W开始旋转。在工件W开始旋转之后，控制部104可以控制旋转保持部20，以使工件W以规定的旋转速度ω4旋转。预先将旋转速度ω4存储于存储部102，设定为能够在表面Wa上保持显影液L1的液膜(不破坏)的程度的速度。旋转速度ω4可以为5rpm～35rpm，也可以为10rpm～30rpm，还可以为15rpm～25rpm。
接着，控制部104执行步骤S33。在步骤S33中，例如控制部104待机，直到成为供给开始时刻(开始时刻)为止。将供给开始时刻设定为上述旋转开始时刻加上规定时间后的时刻，并且以工件W的旋转在该供给开始时刻达到旋转速度ω4的方式进行设定。也可以将供给开始时刻与旋转开始时刻同样地设定为上述显影期间的后期的任一时刻。例如，在将显影期间设定为100秒期间的情况下，可以将供给开始时刻设定为从显影期间开始起50秒后的时刻。
接着，控制部104执行步骤S34。在步骤S34中，例如控制部104开始通过调整液供给部40对工件W的表面Wa的周缘区域Wc供给调整液L2。由此，如图11的(b)所示，一边使工件W以旋转速度ω4旋转，一边从调整喷嘴46对周缘区域Wc喷出调整液L2。其结果是，对显影液L1的液膜的周缘区域(液膜中的与周缘区域Wc对应的区域)供给调整液L2，并且调整液L2混合到显影液L1的液膜中的周缘区域中。此时，在显影液L1的液膜中的内部区域(液膜中的与内部区域Wd对应的区域)，调整液L2不与显影液L1混合。
接着，控制部104执行步骤S35、S36。在步骤S35中，例如控制部104待机，直到成为供给停止时刻为止。在步骤S36中，例如控制部104通过调整液供给部40来停止供给调整液L2。将供给停止时刻设定为从开始对周缘区域Wc供给调整液L2起对周缘区域Wc供给了目标量的调整液L2的程度。例如，将供给停止时刻设定为对周缘区域Wc供给调整液L2的供给时间成为显影期间的1/10～1/5左右。在一例中，对周缘区域Wc供给调整液L2的供给时间为几秒～几十秒左右。在供给调整液L2的期间也在工件W的表面Wa上维持显影液L1的液膜。
接着，控制部104执行步骤S37。在步骤S37中，例如控制部104通过旋转保持部20使工件W停止旋转。由此，如图12的(a)所示，在工件W停止旋转的状态下，在表面Wa上维持显影液L1的液膜。其结果是，利用显影液L1进行的抗蚀膜R的显影进一步有进展。此时，与供给调整液L2之前不同，由于向周缘区域Wc供给了调整液L2，因此显影的进展程度在周缘区域Wc与位于比该周缘区域Wc靠内侧的位置的区域即内部区域Wd之间有所不同。具体地说，周缘区域Wc中的显影相比于内部区域Wd中的显影而言进展缓慢(周缘区域Wc中的显影的程度比内部区域Wd中的显影的程度小)。
接着，控制部104执行步骤S38。在步骤S38中，例如控制部104待机，直到成为显影完成时刻为止。显影完成时刻是根据在步骤S03中执行显影的显影期间预先设定的。通过执行以上的步骤S31～S38的一系列处理，来对抗蚀膜R进行显影。通过利用调整液供给部40对周缘区域Wc供给调整液L2，来在周缘区域Wc与内部区域Wd之间调整显影的程度。例如，控制部104通过调整液供给部40对周缘区域Wc供给调整液L2，以缩小由于周缘区域Wc与内部区域Wd之间的温度差引起的显影水平的差别。
在上述一系列处理中，控制部104在通过旋转保持部20开始维持调整液L2的液膜之后(步骤S03开始之后)且供给调整液L2之前(步骤S34之前)，通过旋转保持部20使工件W加速到旋转速度ω4。而且，控制部104执行以下处理：通过调整液供给部40对以旋转速度ω4旋转的工件W的周缘区域Wc供给调整液L2。像这样，供给调整液L2的期间的工件W的旋转速度(旋转速度ω4)比未供给调整液L2的期间(除用于使旋转速度变化的期间以外)的工件W的旋转速度大。此外，如上述那样，在使工件W停止旋转来进行静止显影的情况下，未供给调整液L2的期间的工件W的旋转速度为零。
在上述的一系列处理中，控制部104在停止供给调整液L2之后，通过旋转保持部20继续维持显影液L1的液膜，以使工件W的表面Wa处的显影有进展。在与从步骤S03的开始时间点起到结束时间点为止的期间相当的规定的显影期间，控制部104通过利用旋转保持部20在工件W的表面Wa上保持显影液L1的液膜，来使抗蚀膜R的显影有进展。
在上述的一系列处理中，控制部104通过调整液供给部40，以使相比于在显影期间的前期供给调整液L2的时间而言在显影期间的后期供给调整液L2的时间更长的方式供给调整液L2。通过将供给开始时刻设定为处于显影期间的后期，在显影期间的前期控制部104不通过调整液供给部40来供给调整液L2。而且，在显影期间的后期的至少一部分时间，控制部104通过调整液供给部40来供给调整液L2。在该情况下，在显影期间的前期供给调整液L2的时间为零。
也可以将调整液L2的供给开始时刻设定在显影期间的前期。也可以是，从前期的某个时间点起到后期的某个时间点为止，控制部104通过调整液供给部40以使后期中的供给时间比前期中的供给时间长的方式连续地供给调整液L2，而不是从前期的最初开始以固定时间供给调整液L2。在显影期间也可以进行两次以上的调整液L2的供给。在该情况下，控制部104可以通过调整液供给部40以使后期中的调整液L2的供给时间比前期中的供给时间更长的方式进行两次以上的调整液L2的供给。控制部104也可以通过调整液供给部40以使后期中的调整液L2的供给时间所占的比例比前期中的调整液L2的供给时间所占的比例更大的方式进行两次以上的调整液L2的供给。
在以上的步骤S31～S38的一系列处理之后，控制部104执行上述步骤S05。在步骤S05中，如图12的(b)所示，例如控制部104在通过旋转保持部20使工件W旋转的状态下，从调整喷嘴46朝向工件W的表面Wa的中心CP喷出调整液L2(冲洗液)。由此，在工件W的表面Wa上将显影液L1的液膜置换为调整液L2的液膜。而且，控制部104在停止喷出调整液L2之后，通过进一步使工件W旋转来使工件W的表面Wa干燥(从表面Wa去除调整液L2)。通过以上处理，在显影单元U3中针对一张工件W执行的液处理结束。
此外，上述的一系列处理为一例，能够适当地变更。在上述一系列处理中，控制部104可以并行地执行一个步骤和下一个步骤，也可以按与上述例不同的顺序执行各步骤。控制部104可以省略任一步骤，也可以在任一步骤中执行与上述例不同的处理。
(实施方式的效果)
以上实施方式所涉及的基板处理方法包括：对工件W的表面Wa供给显影液L1，以在工件W的表面Wa形成显影液L1的液膜；在工件W的表面Wa上维持显影液L1的液膜，以使工件W的表面Wa处的显影有进展；以及在通过维持显影液L1的液膜来使显影有进展的期间，对周缘区域Wc供给用于抑制显影的进展的调整液L2，以在工件W的表面Wa的周缘区域Wc与周缘区域Wc的内侧的内部区域Wd之间调整显影的程度。
在该基板处理方法中，在使显影有进展的期间，对表面Wa的周缘区域Wc供给用于抑制显影的进展的调整液L2。由此，在周缘区域Wc与内部区域Wd之间调整显影的程度。由于线宽根据显影的程度发生变化，因此通过对周缘区域Wc供给显影液L1，能够调整线宽。其结果是，能够容易地调整工件W的面内的线宽分布。
在以上的实施方式中，也可以是，供给显影液L1包括：使能够向沿工件W的表面Wa在一个方向上延伸的喷出区域DA喷出显影液L1的显影喷嘴36沿与喷出区域DA交叉的移动方向移动，并且一边使工件W旋转一边使显影喷嘴36喷出显影液L1。也可以是，使显影喷嘴36沿移动方向移动包括：使显影喷嘴36移动以使喷出区域DA从工件W的表面Wa的端部(周缘Wb)朝向工件W的表面Wa的包括中心的中央区域CA移动。
在该情况下，在喷出区域DA从工件W的周缘Wb到达中央区域CA的期间，显影液L1扩散到表面Wa的大致整个区域。由于显影喷嘴36的移动距离小，因此能够在短期间内使显影液L1扩散，从而缩小由于工件W的面内的着液的时间差引起的显影程度的差别。其结果是，能够提高工件W的面内的线宽的均匀性。例如，通过使工件W以更快的旋转速度旋转，并且通过显影喷嘴36的移动及喷出来形成显影液L1的液膜，来进一步缩小着液的时间差。在该情况下，通过加快旋转速度，表面Wa的周缘区域Wc中的温度降低的程度可能会变大，但是在上述基板处理方法中，能够通过对周缘区域Wc供给调整液L2来抑制由于温度降低引起的显影的进展。像这样，在上述基板处理方法中，能够抑制由于加快旋转速度而产生的影响，并且能够抑制伴随着液的时间差产生的线宽的均匀性的降低。
在以上的实施方式中，也可以是，在利用显影液L1进行显影前的工件W的表面Wa形成有通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜R。在对通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜R进行显影时，容易由于工件W的面内的周缘区域Wc与周缘Wb的温度差而出现显影程度的差别。在上述方法中，通过向周缘区域Wc供给调整液L2来调整周缘区域Wc中的显影的程度。其结果是，能够调整由于温度差引起的显影程度的差别。例如，通过使周缘区域Wc的温度比内部区域Wd的温度降低，显影进一步有进展，周缘区域Wc中的线宽变细。在上述基板处理方法中，通过供给调整液L2来抑制显影的进展，因此也能够提高工件W的面内的线宽分布的均匀性。
在以上的实施方式中，也可以是，在工件W的表面Wa上维持显影液L1的液膜包括：在供给调整液L2之前使工件W的旋转加速到规定的旋转速度。也可以是，供给调整液L2包括：对以规定的旋转速度旋转的工件W的周缘区域Wc供给调整液L2。在该情况下，在通过工件W的旋转而对表面Wa上的液膜作用有离心力的状态下，对周缘区域Wc供给调整液L2。因此，到达周缘区域Wc的调整液L2不易朝向内侧移动。其结果是，更加容易在周缘区域Wc与内部区域Wd之间调整线宽。
在以上的实施方式所涉及的基板处理方法中，也可以是，在停止供给调整液L2之后，继续维持显影液L1的液膜，以使工件W的表面Wa处的显影有进展。在该情况下，在停止供给调整液L2之后，在抑制了周缘区域Wc中的显影的进展的状态下使显影有进展，因此与在紧接供给调整液L2之后停止显影的情况相比，容易发挥调整液L2对显影的抑制效果。
在以上的实施方式中，也可以是，对周缘区域Wc供给调整液L2包括：以使相比于在工件W的表面Wa上维持显影液L1的液膜的期间的前期供给调整液L2的时间而言在上述期间的后期供给调整液L2的时间更长的方式供给调整液L2。在该情况下，在执行显影的期间的前期，即使在周缘区域Wc也能够使显影进展到目标水平。因此，能够使周缘区域Wc中的显影有进展并且调整面内的线宽分布。另外，由于不是在显影有进展的初期而是在后半进行调整液L2的大部分供给，因此能够降低过度地抑制被供给调整液L2的周缘区域Wc中的显影的进展的风险。
在图13的(a)和图13的(b)中示出了工件W的表面Wa处的抗蚀图案的线宽分布的测量结果。在图13的(a)中示出了未供给调整液L2的情况下的线宽分布的测量结果，在图13的(b)中示出了对周缘区域Wc供给了调整液L2的情况下的线宽分布的测量结果。在图13的(a)和图13的(b)中，在各测量部位处通过颜色的浓度示出了该测量结果相对于整个面内的线宽平均值的偏差量。
如图13的(a)所示，在未供给调整液L2的情况下，由于温度差，周缘区域Wc中的显影的程度比内部区域Wd中的显影的程度大。因此，明显地表现出周缘区域Wc中的线宽比内部区域Wd中的线宽细的倾向。此外，在用灰度示出的测量结果中，虽然在周缘区域Wc和内部区域Wd存在浓度为相同程度的部分，但是在周缘区域Wc中相对于平均值向负侧偏移，在内部区域Wd中相对于平均值向正侧偏移。在图13的(a)所示的测量结果中，线宽的测量值最小的部位位于周缘区域Wc，该测量值是相对于整个面内的线宽平均值小48nm的值。
如图13的(b)所示，在对周缘区域Wc供给了调整液L2的情况下，通过调整液L2来抑制周缘区域Wc中的显影的进展。因此可知，抑制了由于温度降低引起的对周缘区域Wc中的显影的促进，缩小了周缘区域Wc与内部区域Wd之间的显影程度的差别。与图13的(a)所示的测量结果相比，在图13的(b)所示的测量结果中，周缘区域Wc中的线宽比内部区域Wd中的线宽细的倾向减小。在图13的(b)所示的测量结果中，线宽的测量值最小的部位位于周缘区域Wc，该测量值是相对于整个面内的线宽平均值小31nm的值。
(变形例1)
在上述例中，预先决定了开始供给调整液L2的供给开始时刻，但也可以根据针对工件W的显影结果来变更供给开始时刻的设定值。在图14中示出了使供给开始时刻按多个阶段而不同的情况下的线宽分布的测量结果。将测量位置设定为工件W的表面Wa中的沿着一个方向的直径上的多个部位。横轴的“测量位置(X)”表示在沿着一个方向的直径上等间隔地设定的27个部位处的测量位置。测量位置(X)为1的部位以及测量位置(X)为27的部位位于直径上的两端(周缘Wb)附近。测量位置(X)为14的部位与表面Wa的中心CP大致一致。
在图14所示的曲线图中，“t1”～“t4”表示供给开始时刻，其值按“t1”～“t4”的顺序变大，按照“t1”～“t4”的顺序开始供给调整液L2。“Ref”是未供给调整液L2的情况下的结果。根据图14所示的测量结果可知，在周缘区域Wc中，线宽根据调整液L2的供给开始时刻而不同。考虑该特性是由于在供给调整液L2之前使显影有进展的期间和通过调整液L2来抑制周缘区域Wc中的显影的进展的期间取决于供给开始时刻。
在图15的(a)和图15的(b)中示出了在一处测量位置处的线宽相对于供给开始时刻的变化。在图15的(a)中示出了测量位置(X)为1的部位处的测量结果，在图15的(b)中示出了测量位置(X)为27的部位处的测量结果。将“t1”设定为显影期间的任一时刻，“t1”～“t4”使时刻等间隔地增加。根据图15的(a)和图15的(b)的测量结果可知，线宽相对于供给开始时刻大致线性地变化。可以利用这样的关系来进行供给开始时刻的调节，以调整周缘区域Wc中的线宽。
在一例中，控制部104可以使供给开始时刻分多个阶段地变化，并且控制显影单元U3以对测试用的工件W形成抗蚀图案。而且，控制部104可以在按每个阶段获取抗蚀图案的线宽的测量值，并针对周缘区域Wc内的直径上的每个位置，基于这些测量值来构建表示供给开始时刻与线宽之间的关系的模型。存储部102可以存储该模型。
图16是示出使用被构建为表示供给开始时刻与线宽之间的关系的模型来变更供给开始时刻的设定值的处理的一例的流程图。在该处理中，在执行上述步骤S01、S03、S05之后，控制部104执行步骤S61。在步骤S61中，例如控制部104获取显影后的工件W的表面Wa处的沿着半径方向的线宽分布(线宽分布的测量值)。在一例中，控制部104获取从中心CP起延伸到周缘Wb的任一部位为止的半径上的线宽分布、或者在任一方向上延伸的直径上的线宽分布。
接着，控制部104执行步骤S62。在步骤S62中，例如控制部104获取在步骤S61中获取到的线宽分布与目标分布的偏差量，在此基础上判断该偏差量是否大于规定的阈值。将目标分布例如设定为面内的线宽均匀。在该情况下，将目标分布中的线宽设定为在任一部位均为固定值。在步骤S61中获取到的线宽分布中，周缘区域Wc与内部区域Wd之间的线宽之差越大，则相对于目标分布的偏差量越大，该线宽之差越小，则相对于目标分布的偏差量越小。
在步骤S62中，在获取到的线宽分布与目标分布的偏差量大于上述阈值的情况下(步骤S62：“是”)，控制部104执行步骤S63。在步骤S63中，以在后续的工件W中缩小在步骤S62中获取到的偏差量的方式计算供给开始时刻。而且，控制部104将供给开始时刻的设定值设定(变更)为计算出的值。此外，控制部104也可以将供给开始时刻的计算结果通知给操作者等，并基于来自操作者等的指示来变更供给开始时刻的设定值。由此，在对后续的工件W进行显影时，以变更后的供给开始时刻供给调整液L2。
另一方面，在步骤S62中，在获取到的线宽分布与目标分布的偏差量为上述阈值以下的情况下(步骤S62：“否”)，控制部104不执行步骤S63，结束处理。也可以是，每当针对一张或多张工件W执行步骤S01、S03、S05时，控制部104执行上述的步骤S61～S63(S62)的一系列处理。
该变形例1所涉及的基板处理方法可以包括：获取显影后的工件W的表面Wa处的沿着半径方向的线宽分布与目标分布的偏差量；以及基于被构建为表示开始供给调整液L2的供给开始时刻与周缘区域Wc中的线宽之间的关系的模型、以及获取到的偏差量，以缩小与后续的工件W有关的偏差量的方式计算供给开始时刻。在该情况下，为了调节线宽，只要改变供给调整液的时刻即可，因此能够简便地使显影后的工件W的面内的线宽分布接近目标分布。
(变形例2)
也可以从调整喷嘴46朝向表面Wa的端部喷出调整液L2。例如，如图17的(a)所示，调整液供给部40可以以使所喷出的调整液L2与表面的倒角部分的端部(表面Wa与周缘Wb的边界部分)接触的方式从调整喷嘴46喷出调整液L2。通过以调整液L2与表面Wa的倒角部分接触的方式从调整喷嘴46喷出调整液L2，来对周缘区域Wc供给调整液L2。调整液供给部40也可以通过喷出调整液L2来以在显影液L1的液膜中的端部形成显影液L1与调整液L2的混合液的块(图17的(a)中用“L1+L2”表示的部分)的方式从显影喷嘴36朝向周缘Wb喷出调整液L2。
在该变形例2所涉及的基板处理方法中，供给调整液L2可以包括：通过朝向工件W的表面Wa的端部喷出调整液L2，来对周缘区域Wc供给调整液L2。在该情况下，被供给到显影液L1的液膜之后的调整液L2不易向液膜的中央部分移动。另外，如图17的(b)所示，可能在工件W的周缘Wb(侧面)以及背面的端部附近维持调整液L2的块，因此容易使调整液L2继续发挥对显影的抑制效果。其结果是，容易通过供给调整液来调整周缘区域中的线宽。
(变形例3)
调整液供给部40也可以具有显影喷嘴86来代替显影喷嘴36。如图18所示，显影喷嘴86具有在一个方向上延伸的一个开口86a。显影喷嘴86以开口86a沿着水平的一个方向(例如，图示的X轴方向)的方式配置。由此，显影喷嘴86能够与显影喷嘴36同样地向沿表面Wa在一个方向上延伸的喷出区域DA喷出显影液L1。基于显影喷嘴86的喷出区域DA的形状与开口86a的形状对应(例如大致一致)。显影喷嘴86也可以以其长边方向上的中央与中心CP所对应的位置大致一致的方式配置。显影喷嘴86的长边方向上的长度可以比工件W的直径长。
驱动部34可以使显影喷嘴86沿与基于显影喷嘴86的喷出区域DA交叉的移动方向(例如，图示的Y轴方向)移动。显影喷嘴86至少能够在工件W的沿着上述移动方向的直径上的两端之间移动。与图8所例示的一系列处理同样地，在供给显影液L1时，控制部104可以一边使工件W旋转，一边通过驱动部34使显影喷嘴86沿上述移动方向移动以使喷出区域DA从周缘Wb移动到包括中心CP的中央区域CA。取而代之地，控制部104也可以一边使基于显影喷嘴86的喷出区域DA从工件W的直径上的一端移动到另一端，一边使显影喷嘴86喷出显影液L1。
图19是示出使用显影喷嘴86的情况下的显影液L1的液膜的形成处理(步骤S01)的一例的流程图。在该液膜的形成处理中，在显影喷嘴86配置于工件W的外侧且工件W载置于旋转保持部20的保持部26的状态下，控制部104执行步骤S71。在步骤S71中，例如控制部104控制旋转保持部20，以使工件W开始旋转。在工件W开始旋转之后，控制部104可以控制旋转保持部20，以使工件W以规定的旋转速度旋转。预先将该旋转速度存储于存储部102，例如设定为5rpm～20rpm左右。
接着，控制部104执行步骤S72。在步骤S72中，例如控制部104通过显影液供给部30的驱动部34使显影喷嘴86开始沿表面Wa移动。在一例中，从步骤S72开始以后，控制部104通过驱动部34使显影喷嘴86移动以使基于显影喷嘴86的喷出区域DA从工件W的沿着移动方向的直径上的一端朝向另一端移动。
接着，控制部104执行步骤S73、S74。在步骤S73中，例如控制部104待机，直到成为规定的喷出开始时刻为止。喷出开始时刻是预先设定的，例如设定为在配置于移动前的待机位置的显影喷嘴86开始移动之后喷出区域DA的中央部分到达周缘Wb的时刻。在步骤S74中，例如控制部104使显影液供给部30开始从显影喷嘴86进行喷出。
接着，控制部104执行步骤S75、S76、S77。在步骤S75中，例如控制部104待机，直到基于显影喷嘴86的喷出区域DA到达目标位置为止。预先将目标位置决定为显影喷嘴86的移动线路上的规定位置，例如设定为直径上的与开始喷出显影液L1的一端相反一侧的端部的位置。在步骤S76、S77中，例如控制部104进行与上述的步骤S20、S21相同的处理。通过执行以上的步骤S71～S77的处理，来在工件W的表面Wa上形成显影液L1的液膜(参照图7的(b))。
在该变形例3所涉及的使用了显影喷嘴86的基板处理方法中，也与使用显影喷嘴36的情况同样地能够容易地调整工件W的面内的线宽分布。
在图20的(a)和图20的(b)中示出了使用了显影喷嘴86的情况下的抗蚀图案的线宽分布的测量结果。在图20的(a)中示出了不供给调整液L2且在供给显影液L1时未使工件W旋转的情况下的线宽分布的测量结果。在图20的(b)中示出了对周缘区域Wc供给调整液L2并且在供给显影液L1时使工件W旋转了的情况下的线宽分布的测量结果。在图20的(a)和图20的(b)中分别在各测量部位处通过颜色的浓度示出了该测量结果相对于整个面内的线宽平均值的偏差量。
如图20的(a)所示，在未供给调整液L2的情况下，由于温度差，周缘区域Wc中的显影的程度比内部区域Wd中的显影的程度大。因此，表现出周缘区域Wc中的线宽比内部区域Wd中的线宽细的倾向。另外，由于来自显影喷嘴86的显影液L1的着液的时间差而表现出如下倾向：在一个方向(图中的横向)上，先着液的区域和后着液的区域中的线宽不同。在图20的(a)所示的测量结果中，线宽的测量值最小的部位位于周缘区域Wc，该测量值是相对于整个面内的线宽平均值小51nm的值。
如图20的(b)所示，在对周缘区域Wc供给了调整液L2的情况下，通过调整液L2来抑制周缘区域Wc中的显影的进展。因此可知：抑制了由于温度降低引起的对周缘区域Wc中的显影的促进，缩小了周缘区域Wc与内部区域Wd之间的显影程度的差别。与图20的(a)所示的测量结果相比，在图20的(b)所示的测量结果中表现出周缘区域Wc中的线宽比内部区域Wd中的线宽细的倾向，另外，一个方向上的两端附近的区域彼此的线宽之差变小。在图20的(b)所示的测量结果中，线宽的测量值最小的部位位于周缘区域Wc，该测量值是相对于整个面内的线宽平均值小17nm的值。
[第二实施方式]
接下来，参照图21和图22对第二实施方式所涉及的基板处理系统进行说明。在第二实施方式所涉及的基板处理系统中，显影单元U3在还具有气体供给部90这一点上与第一实施方式所涉及的显影单元U3不同。气体供给部90对工件W的表面Wa(显影液L1的液膜)供给规定气体。气体供给部90所供给的规定气体可以是非活性气体，在一例中为氮气。从气体供给部90供给的气体是用于将显影液L1局部地进行冷却的冷却用的气体。气体供给部90以不使形成有显影液L1的液膜的状态的工件W的表面Wa(更详细地说，存在于显影液L1的正下方的膜：在上述例中为上层膜)露出的程度的流量对表面Wa供给气体。
气体供给部90例如包括气体喷嘴96。气体供给部90从气体源经由气体用的流路向气体喷嘴96供给气体。气体喷嘴96可以配置于工件W的上方，并且以随着从气体喷嘴96离开而相对于工件W的表面Wa向各种方向(辐射状地)扩散的方式喷射气体。在气体喷嘴96例如形成有在相对于工件W的表面Wa以各不相同的角度延伸的方向上延伸的多个喷出口。气体喷嘴96可以连接(固定)于调整喷嘴46。在该情况下，驱动部44可以使调整喷嘴46和气体喷嘴96一同沿表面Wa移动。
在第二实施方式所涉及的基板处理系统中也是，可以通过执行上述的步骤S01、S03、S05来在表面Wa形成抗蚀图案。图22是示出在步骤S01中形成显影液L1的液膜之后执行的步骤S03(维持液膜的处理)的一例的流程图。在表面Wa上维持显影液L1的处理中，在紧接步骤S01结束之后，控制部104执行步骤S81。在步骤S81中，例如控制部104开始通过旋转保持部20来在工件W的表面Wa上维持液膜。在一例中，控制部104通过旋转保持部20使工件W停止旋转，由此使显影单元U3开始执行静止显影。
接着，控制部104执行步骤S82。在步骤S82中，例如控制部104待机，直到成为气体供给时刻为止。气体供给时刻是预先决定的，例如设定为在表示步骤S03的显影开始起到显影结束为止的期间的显影期间的前期从气体供给部90供给气体。
接着，控制部104执行步骤S83。在步骤S83中，例如控制部104在通过旋转保持部20使工件W旋转的状态下，通过气体供给部90对工件W的表面Wa供给气体。将步骤S83中的工件W的旋转速度设定为维持显影液L1的液膜的程度，例如设定为5rpm～20rpm左右。当在通过维持显影液L1的液膜来使显影有进展的期间供给气体时，控制部104通过气体供给部90以不使工件W的表面Wa露出的程度对表面Wa(显影液L1的液膜)供给气体。控制部104也可以不向表面Wa的周缘区域Wc供给气体，通过气体供给部90对周缘区域Wc的内侧的内部区域Wd供给气体。
接着，控制部104执行步骤S84、S85。在步骤S84中，例如控制部104待机，直到成为调整液L2的供给时刻为止。与上述的步骤S33中的供给开始时刻相同地设定该供给时刻。在步骤S85中，例如控制部104在通过旋转保持部20使工件W以上述的旋转速度ω4旋转的状态下，通过调整液供给部40对工件W的周缘区域Wc供给调整液L2。旋转速度ω4可以比步骤S82中的工件W的旋转速度大。
接着，控制部104与上述的步骤S38同样地执行步骤S86。通过执行以上的步骤S81～S86的一系列处理，抗蚀膜R处的显影有进展，在表面Wa上形成抗蚀图案。在该一系列处理中，控制部104在通过气体供给部90对工件W的表面Wa供给气体之后，通过调整液供给部40对周缘区域Wc供给调整液L2。
(实施方式的效果)
在该第二实施方式所涉及的基板处理系统中，也与上述第一实施方式同样地能够容易地调整工件W的面内的线宽分布。
第二实施方式所涉及的基板处理方法可以包括：在通过维持显影液L1的液膜来使显影有进展的期间，以不使工件W的表面Wa露出的程度对工件W的表面Wa供给气体。在该情况下，由于对工件W的表面Wa供给气体，因此能够缩小周缘区域Wc与内部区域Wd之间的温度差。因此，能够抑制由于工件W的面内的温度差引起的线宽的均匀性的下降。
在第二实施方式所涉及的基板处理方法中，也可以是，对工件W的表面Wa供给气体包括：对内部区域Wd供给气体。在该情况下，由于被供给气体的内部区域Wd的温度下降，因此即使在周缘区域Wc的温度下降了的情况下，也能够缩小周缘区域Wc与内部区域Wd之间的温度差。其结果是，能够进一步抑制由于工件W的面内的温度差引起的线宽的均匀性下降。
在第二实施方式所涉及的基板处理方法中，也可以是，在对工件W的表面Wa供给气体之后，对周缘区域Wc供给调整液L2。当在供给调整液L2之后供给流量大的气体时，可能会导致调整液L2扩散到显影液L1的液膜内。与此相对地，在上述方法中，在供给气体之后供给调整液L2，因此不会由于供给气体而使得调整液L2扩散。其结果是，能够同时实现高效的气体供给和线宽调整。
附图标记说明
1：基板处理系统；2：涂布显影装置；U3：显影单元；20：旋转保持部；30：显影液供给部；34：驱动部；36、86：显影喷嘴；40：调整液供给部；90：气体供给部；100：控制装置；104：控制部；W：工件；Wa：表面；Wb：周缘；Wc：周缘区域；Wd：内部区域；DA：喷出区域；CA：中央区域；L1：显影液；L2：调整液。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，包括：
对基板的表面供给显影液，以在所述基板的表面形成所述显影液的液膜；
在所述基板的表面上维持所述显影液的液膜，以使所述基板的表面处的显影有进展；以及
在通过维持所述显影液的液膜来使显影有进展的期间，对所述基板的表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液，以在所述周缘区域与所述周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
供给所述显影液包括：使能够向沿所述基板的表面在一个方向上延伸的喷出区域喷出所述显影液的显影喷嘴沿与所述喷出区域交叉的移动方向移动，并且一边使所述基板旋转一边使所述显影喷嘴喷出所述显影液，
使所述显影喷嘴沿所述移动方向移动包括：使所述显影喷嘴移动以使所述喷出区域从所述基板的表面的端部朝向所述基板的表面的包括中心的中央区域移动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
在利用所述显影液进行显影前的所述基板的表面形成有通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板的表面上维持所述显影液的液膜包括：在供给所述调整液之前使所述基板的旋转加速到规定的旋转速度，
供给所述调整液包括：对以所述规定的旋转速度旋转的所述基板的所述周缘区域供给所述调整液。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在停止供给所述调整液之后，继续维持所述显影液的液膜，以使所述基板的表面处的显影有进展。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
对所述周缘区域供给所述调整液包括：以使相比于在所述基板的表面上维持所述显影液的液膜的期间的前期供给所述调整液的时间而言在所述期间的后期供给所述调整液的时间更长的方式供给所述调整液。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
在通过维持所述显影液的液膜来使显影有进展的期间，以不使所述基板的表面露出的程度对所述基板的表面供给气体。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
对所述基板的表面供给所述气体包括：对所述内部区域供给所述气体。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理方法，其特征在于，
在对所述基板的表面供给所述气体之后，对所述周缘区域供给所述调整液。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
供给所述调整液包括：通过朝向所述基板的表面的端部喷出所述调整液，来对所述周缘区域供给所述调整液。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
获取显影后的所述基板的表面处的沿着半径方向的线宽分布与目标分布的偏差量；以及
基于被构建为表示开始供给所述调整液的开始时刻与所述周缘区域中的线宽之间的关系的模型、以及获取到的所述偏差量，以缩小与后续的基板有关的所述偏差量的方式计算所述开始时刻。
12.一种计算机可读存储介质，存储有用于使装置执行根据权利要求1至11中的任一项所述的基板处理方法的程序。
13.一种基板处理装置，具备：
保持部，其保持基板，在所述基板的表面形成有通过汞紫外线进行了曝光的状态的抗蚀膜；
显影液供给部，其对保持于所述保持部的所述基板的表面供给显影液；
调整液供给部，其对保持于所述保持部的所述基板的表面的周缘区域供给用于抑制显影的进展的调整液；以及
控制部，其控制所述保持部、所述显影液供给部以及所述调整液供给部，
其中，所述控制部执行以下处理：
通过所述显影液供给部对所述基板的表面供给所述显影液，以在所述基板的表面形成所述显影液的液膜；
通过所述保持部在所述基板的表面上维持所述显影液的液膜，以使所述基板的表面处的显影有进展；以及
在通过维持所述显影液的液膜来使显影有进展的期间，通过所述调整液供给部对所述周缘区域供给所述调整液，以在所述周缘区域与所述周缘区域的内侧的内部区域之间调整显影的程度。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持部能够一边使所述基板旋转一边保持所述基板，
所述显影液供给部具有：显影喷嘴，其能够向沿所述基板的表面在一个方向上延伸的喷出区域喷出所述显影液；以及驱动部，其使所述显影喷嘴沿所述基板的表面并且沿与所述喷出区域交叉的移动方向移动，
所述控制部执行以下处理：
在对所述基板供给所述显影液时，通过所述驱动部使所述显影喷嘴沿所述移动方向移动，并且一边通过所述保持部使所述基板旋转一边使所述显影喷嘴喷出所述显影液；以及
在使所述显影喷嘴沿所述移动方向移动时，通过所述驱动部使所述显影喷嘴移动以使所述喷出区域从所述基板的表面的端部朝向所述基板的表面的包括中心的中央区域移动。
15.根据权利要求13或14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保持部能够一边使所述基板旋转一边保持所述基板，
所述控制部执行以下处理：
当在所述基板的表面上维持所述显影液的液膜时，在通过所述显影液供给部供给所述调整液之前，通过所述保持部使所述基板的旋转加速到规定的旋转速度；以及
在供给所述调整液时，通过所述调整液供给部对以所述规定的旋转速度旋转的所述基板的所述周缘区域供给所述调整液。
16.根据权利要求13至15中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在停止供给所述调整液之后，所述控制部通过所述保持部来继续维持所述显影液的液膜，以使所述基板的表面处的显影有进展。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在对所述周缘区域供给所述调整液时，所述控制部通过所述显影液供给部，以使相比于在所述基板的表面上维持所述显影液的液膜的期间的前期供给所述调整液的时间而言在所述期间的后期供给所述调整液的时间更长的方式供给所述调整液。
18.根据权利要求13至17中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备气体供给部，所述气体供给部对所述基板的表面供给气体，
所述控制部在通过维持所述显影液的液膜来使显影有进展的期间，控制所述气体供给部，以不使所述基板的表面露出的程度对所述基板的表面供给所述气体。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于，
在对所述基板的表面供给所述气体时，所述控制部通过所述气体供给部来对所述内部区域供给所述气体。
20.根据权利要求18或19所述的基板处理装置，其特征在于，
在通过所述气体供给部对所述基板的表面供给所述气体之后，所述控制部通过所述调整液供给部来对所述周缘区域供给所述调整液。
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