CN112435987A - 一种3d晶圆的槽式定位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种3D晶圆的槽式定位方法，包含晶圆和定位感应器；先在晶圆的边缘加工出定位槽，再对晶圆进行环切，去除晶圆外圈厚度异常部位，去除掉的环切部位的外径与内径之差小于定位槽的深度；使晶圆在环切之后，外圈上仍然留有部分定位槽结构；定位感应器对晶圆环切之后余下部分的定位槽进行识别，进而对晶圆进行定位；本方案在晶圆的边缘加工出定位槽，定位槽伸入到晶圆有效区域内部，为3D晶圆的边沿的二次加工提出可能性，使3D晶圆外围去除掉以后，不影响晶圆定位，并提高了可检测检查面积，减小定位难度。

Description

一种3D晶圆的槽式定位方法
技术领域
本发明涉及一种3D晶圆的槽式定位方法，属于半导体加工技术领域。
背景技术
晶圆在加工时需要先通过识别传感器定位，现有的方法是在晶圆的外缘边上做一个小的缺口，但由于目前3D晶圆的实施，晶圆外围厚度出现了变化，导致设备在晶圆定位时频繁出现“定位不良”报警，严重影响生产效率。
发明内容
针对上述存在的技术问题，本发明的目的是：提出了一种3D晶圆的槽式定位方法。
本发明的技术解决方案是这样实现的：一种3D晶圆的槽式定位方法，包含晶圆和定位感应器；先在晶圆的边缘加工出定位槽，再对晶圆进行环切，去除晶圆外圈厚度异常部位，去除掉的环切部位的外径与内径之差小于定位槽的深度；使晶圆在环切之后，外圈上仍然留有部分定位槽结构；定位感应器对晶圆环切之后余下部分的定位槽进行识别，进而对晶圆进行定位。
优选的，所述定位槽的深度为3-8mm。
优选的，所述定位槽为矩形槽。
优选的，所述定位槽的中心线穿过晶圆的圆心。
优选的，所述定位槽由激光或物理切割的方式加工而成。
优选的，所述定位感应器为感光传感器。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
本方案在晶圆的边缘加工出定位槽，定位槽伸入到晶圆有效区域内部，为3D晶圆的边沿的二次加工提出可能性，使3D晶圆外围去除掉以后，不影响晶圆定位，并提高了可检测检查面积，减小定位难度。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
附图1为本发明所述的一种3D晶圆的槽式定位方法的示意图。
具体实施方式
下面结合附图来说明本发明。
如附图1所示，本发明所述的一种3D晶圆的槽式定位方法，包含晶圆1和定位感应器2；先在晶圆1的边缘加工出定位槽3，定位槽3可以是矩形槽，或者其他长形的规则形状，矩形槽沿长边方向的的中心线穿过晶圆1的圆心；定位槽3通过激光或物理切割的方式加工而成，定位槽3的深度为3-8mm，再对晶圆1进行环切，去除晶圆1外圈厚度异常部位，去除掉的环切部位4的外径与内径之差小于定位槽3的深度；使晶圆1在环切之后，外圈上仍然留有部分定位槽3结构。
在研磨、贴膜、切割设备上加装定位感应器2，需要定位加工时，通过定位感应器2对晶圆1环切之后余下部分的定位槽3进行识别，进而对晶圆1进行定位，定位感应器2优选为感光传感器。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种3D晶圆的槽式定位方法，其特征在于：包含晶圆（1）和定位感应器（2）；
先在晶圆（1）的边缘加工出定位槽（3），再对晶圆（1）进行环切，去除晶圆（1）外圈厚度异常部位，去除掉的环切部位（4）的外径与内径之差小于定位槽（3）的深度；使晶圆（1）在环切之后，外圈上仍然留有部分定位槽（3）结构；
定位感应器（2）对晶圆（1）环切之后余下部分的定位槽（3）进行识别，进而对晶圆（1）进行定位。
2.根据权利要求1所述的3D晶圆的槽式定位方法，其特征在于：所述定位槽（3）的深度为3-8mm。
3.根据权利要求1所述的3D晶圆的槽式定位方法，其特征在于：所述定位槽（3）为矩形槽。
4.根据权利要求1所述的3D晶圆的槽式定位方法，其特征在于：所述定位槽（3）的中心线穿过晶圆（1）的圆心。
5.根据权利要求1所述的3D晶圆的槽式定位方法，其特征在于：所述定位槽（3）由激光或物理切割的方式加工而成。
6.根据权利要求1所述的3D晶圆的槽式定位方法，其特征在于：所述定位感应器（2）为感光传感器。
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