CN109559999A - 检测系统及检测方法 - Google Patents

检测系统及检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109559999A
CN109559999A CN201811426857.4A CN201811426857A CN109559999A CN 109559999 A CN109559999 A CN 109559999A CN 201811426857 A CN201811426857 A CN 201811426857A CN 109559999 A CN109559999 A CN 109559999A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
hole
aperture
disk hole
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811426857.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109559999B (zh
Inventor
刘博佳
王海宽
吴龙江
林宗贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huaian Xide Industrial Design Co ltd
Original Assignee
Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huaian Imaging Device Manufacturer Corp filed Critical Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Priority to CN201811426857.4A priority Critical patent/CN109559999B/zh
Publication of CN109559999A publication Critical patent/CN109559999A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109559999B publication Critical patent/CN109559999B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种检测系统及检测方法，检测系统包括：吸盘，所述吸盘适于吸附晶圆，所述晶圆的边缘具有定位缺口，所述吸盘包括预设区，所述预设区包括预设晶圆放置区和与预设晶圆放置区邻接的预设定位缺口区，所述预设晶圆放置区的径向尺寸与所述晶圆的径向尺寸一致，所述预设定位缺口区沿吸盘表面的尺寸与所述定位缺口沿晶圆表面的尺寸一致；所述吸盘中具有若干贯穿吸盘的盘孔，所述盘孔沿预设区的外边缘排布且与预设区的外边缘相内切，部分数量的盘孔贯穿预设晶圆放置区，部分数量的盘孔贯穿预设定位缺口区；若干传感器，所述传感器适于在晶圆放置于吸盘表面的情况下检测盘孔是否被所述晶圆覆盖。所述检测系统检测精度得到提高。

Description

检测系统及检测方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测系统及检测方法。
背景技术
晶圆在制作中常常需要进行晶边减薄工艺和晶背减薄工艺。在进行上述减薄工艺之前，需要将晶圆放置在吸盘(chuck table)表面。吸盘将所述晶圆吸附后，晶圆与减薄装置进行相对运动，使晶圆的背面减薄，或者，将晶圆的边缘减薄。
上述减薄工艺对晶圆在吸盘表面的位置精度的要求较高，若晶圆在吸盘的表面的位置发生偏差，则会影响到减薄的厚度的均匀性。因此，需要一种有效的检测晶圆为吸盘表面的位置是否发生偏差的方法。
然而，现有技术对晶圆在吸盘上位置偏差的检测精度较差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种检测系统及检测方法，以提高检测系统的检测精度。
为解决上述问题，本发明提供一种检测系统，吸盘，所述吸盘适于吸附晶圆，所述晶圆的边缘具有定位缺口，所述吸盘包括预设区，所述预设区包括预设晶圆放置区和与预设晶圆放置区邻接的预设定位缺口区，所述预设晶圆放置区的径向尺寸与所述晶圆的径向尺寸一致，所述预设定位缺口区沿吸盘表面的尺寸与所述定位缺口沿晶圆表面的尺寸一致；所述吸盘中具有若干贯穿吸盘的盘孔，所述盘孔沿预设区的外边缘排布且与预设区的外边缘相内切，部分数量的盘孔贯穿预设晶圆放置区，部分数量的盘孔贯穿预设定位缺口区；若干传感器，所述传感器适于在晶圆放置于吸盘表面的情况下检测盘孔是否被所述晶圆覆盖。
可选的，各盘孔均具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；各第一孔口的形状相同且尺寸相同。
可选的，所述第一孔口的形状为圆形；所述第一孔口的径向尺寸为0.01毫米～3毫米。
可选的，所述传感器为光纤传感器。
可选的，一个盘孔内放置一个光纤传感器。
可选的，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述光纤传感器位于所述盘孔外，所述光纤传感器适于由第二孔口向盘孔内发射检测入射光并收集自所述盘孔出射的反射光。
可选的，所述传感器为压力传感器。
可选的，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述检测系统还包括：三通连接器，所述三通连接器中具有相互贯通的第一连接孔，第二连接孔和第三连接孔，第一连接孔与所述第二孔口连接；激励源装置，所述激励源装置连接第二连接孔；所述压力传感器朝向所述第三连接孔。
可选的，所述激励源装置为抽气装置，所述压力传感器为气压传感器。
可选的，所述激励源装置为喷水装置，所述压力传感器为水压传感器。
可选的，所述若干盘孔包括若干第一孔和若干第二孔，第一孔贯穿预设晶圆放置区，第二孔贯穿预设定位缺口区；所述若干第二孔的数量大于等于3个。
本发明还提供一种检测方法，包括：提供上述任意一项的检测系统；将所述晶圆放置在吸盘的预设区；将所述晶圆放置在吸盘的预设区后，所述吸盘吸附所述晶圆；所述吸盘吸附所述晶圆后，所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖，并获取所述晶圆暴露出的盘孔的数量；若所述晶圆暴露出的盘孔的数量大于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置发生偏移；若所述晶圆暴露出的盘孔的数量等于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置未发生偏移。
可选的，所述传感器为气压传感器；所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述检测系统还包括：三通连接器，所述三通连接器中具有相互贯通的第一连接孔，第二连接孔和第三连接孔，第一连接孔与所述第二孔口连接；抽气装置，所述抽气装置连接第二连接孔；所述气压传感器朝向所述第三连接孔；所述检测方法还包括：所述吸盘吸附所述晶圆后，所述抽气装置进行抽气步骤；所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：在所述抽气装置进行抽气步骤的过程中，所述气压传感器检测第三连接孔处的气压；根据第三连接孔处的气压判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
可选的，所述传感器为水压传感器；所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述检测系统还包括：三通连接器，所述三通连接器中具有相互贯通的第一连接孔，第二连接孔和第三连接孔，第一连接孔与所述第二孔口连接；喷水装置，所述喷水装置连接第二连接孔；所述水压传感器朝向所述第三连接孔；所述检测方法还包括：所述吸盘吸附所述晶圆后，所述喷水装置向盘孔内喷水；所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：在所述喷水装置向盘孔内喷水的过程中，所述水压传感器检测第三连接孔处的水压；根据第三连接孔处的水压判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
可选的，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述传感器为光纤传感器，一个盘孔内放置一个光纤传感器；所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：所述光纤传感器向第一孔口发射检测入射光并收集反射光；根据收集的反射光的情况，判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
可选的，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述传感器为光纤传感器，所述光纤传感器位于所述盘孔外；所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：所述光纤传感器由第二孔口向盘孔内发射检测入射光，并收集自所述盘孔出射的反射光；根据收集的反射光的情况，判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的检测系统中，在吸盘中设置了若干贯穿吸盘的盘孔，所述盘孔沿预设区的外边缘排布且与预设区的外边缘相内切，部分数量的盘孔贯穿预设晶圆放置区，部分数量的盘孔贯穿预设定位缺口区。所述检测系统还包括若干传感器，所述传感器适于在晶圆放置于吸盘表面的情况下检测盘孔是否被所述晶圆覆盖，进而能获取所述晶圆暴露出的盘孔的数量。若所述晶圆暴露出的盘孔的数量大于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置发生偏移。若所述晶圆暴露出的盘孔的数量等于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置未发生偏移。综上，提高了检测系统的检测精度。
附图说明
图1是本发明一实施例中晶圆的示意图；
图2是本发明一实施例中吸盘的俯视图；
图3是图2中沿切割线A-A1的剖面图；
图4是本发明一实施例中传感器的示意图；
图5是本发明一实施例中检测方法的流程图；
图6至图8是本发明一实施例中检测过程的结构示意图；
图9是本发明另一实施例中检测系统的示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术对晶圆在吸盘上位置偏差的检测精度较差。
一种对晶圆在吸盘表面的位置偏差进行检测的方法包括：将晶圆放置在吸盘的表面，之后吸盘将晶圆吸附住；采用光学检测方法获取晶圆边缘的四个点的位置坐标，分别为第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标；根据第一坐标、第二坐标和第三坐标获取晶圆的圆心的第一计算坐标；根据第一坐标、第二坐标和第四坐标获取晶圆的圆心的第二计算坐标；根据第三坐标、第二坐标和第四坐标获取晶圆的圆心的第三计算坐标；根据第一坐标、第三坐标和第四坐标获取晶圆的圆心的第四计算坐标；获取第一计算坐标、第二计算坐标、第三计算坐标和第四计算坐标和平均坐标。
在对晶圆进行减薄的工艺制程中，吸盘所处的研磨环境为湿环境，吸盘表面有液层。将晶圆放置于吸盘表面后，那么采用光学检测方法获取第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标时，晶圆周围吸盘表面的液层会降低光学检测方法的精度，第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标的精度较差，进而导致平均坐标的精度较差。
在此基础上，本发明提供一种检测系统，包括：吸盘，所述吸盘适于吸附晶圆，所述晶圆的边缘具有定位缺口，所述吸盘包括预设区，所述预设区包括预设晶圆放置区和与预设晶圆放置区邻接的预设定位缺口区，所述预设晶圆放置区的径向尺寸与所述晶圆的径向尺寸一致，所述预设定位缺口区沿吸盘表面的尺寸与所述定位缺口沿晶圆表面的尺寸一致；所述吸盘中具有若干贯穿吸盘的盘孔，所述盘孔沿预设区的外边缘排布且与预设区的外边缘相内切，部分数量的盘孔贯穿预设晶圆放置区，部分数量的盘孔贯穿预设定位缺口区；若干传感器，所述传感器适于在晶圆放置于吸盘表面的情况下检测盘孔是否被所述晶圆覆盖。所述检测系统检测精度得到提高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
本发明一实施例提供一种检测系统，请参考图2、图3和图4，包括：
吸盘200，所述吸盘200适于吸附晶圆100，所述晶圆100的边缘具有定位缺口101，所述吸盘200包括预设区210，所述预设区210包括预设晶圆放置区211和与预设晶圆放置区211邻接的预设定位缺口区212，所述预设晶圆放置区211的径向尺寸与所述晶圆100的径向尺寸一致，所述预设定位缺口区212沿吸盘200表面的尺寸与所述定位缺口101沿晶圆100表面的尺寸一致；
所述吸盘200中具有若干贯穿吸盘200的盘孔，所述盘孔沿预设区210的外边缘排布且与预设区210的外边缘相内切，部分数量的盘孔贯穿预设晶圆放置区211，部分数量的盘孔贯穿预设定位缺口区212；
若干传感器，所述传感器适于在晶圆100放置于吸盘表面的情况下检测盘孔是否被所述晶圆100覆盖。
所述预设定位缺口区212相对于预设晶圆放置区211的位置，与定位缺口101相对于晶圆100的位置一致。
所述吸盘200具有相对的第一盘面和第二盘面，预设区210的第一盘面适于与晶圆接触。各盘孔自第一盘面至第二盘面的方向贯穿吸盘200。
所述盘孔包括若干第一孔221和若干第二孔222，第一孔221贯穿预设晶圆放置区211，第二孔222贯穿预设定位缺口区212。
各盘孔均具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口朝向第一盘面，第二孔口朝向第二盘面。
第一孔口适于朝向所述晶圆。
各第一孔口的形状相同且尺寸相同。
本实施例中，所述第一孔口的形状为圆形，第二孔口的形状为圆形。
在其它实施例中，第一孔口和第二孔口的形状为矩形、方形或不规则形。
本实施例中，所述第一孔口的径向尺寸为0.01毫米～3毫米。
第二孔口的径向尺寸等于第一孔口的径向尺寸或与第一孔口的径向尺寸不等。
本实施例中，所述第一孔口的径向尺寸小于等于3毫米，使得第一孔221的密度较大，使得检测系统的检测灵敏度较高，误差小。
所述晶圆100边缘的定位缺口101的面积较小，这样保证晶圆100可利用的面积较大。由于定位缺口101的面积较小，因此相应的，需要第二孔222的孔径较小，第二孔222的孔径小于等于3毫米。
本实施例中，所述若干第二孔222的数量大于等于3个，如4个或5个以上，这样使得检测检测系统的检测灵敏度较高。
本实施例中，所述传感器为光纤传感器240(参考图4)。
本实施例中，一个盘孔内放置一个光纤传感器240。
所述光纤传感器240适于向第一孔口发射检测入射光。
需要说明的是，在其它实施例中，光纤传感器位于所述盘孔外，所述光纤传感器适于由第二孔口向盘孔内发射检测入射光并收集自所述盘孔出射的反射光，光纤传感器的数量和盘孔的数量相等，一个光纤传感器检测一个盘孔是否被所述晶圆100覆盖。
所述吸盘200的中心区域具有贯穿吸盘200的若干吸孔250。通过对吸孔250进行抽气，使吸盘200吸附住晶圆100。
所述检测系统还包括：自动报警装置(未图示)。
在晶圆100放置在预设区210的表面且晶圆100的圆心在吸盘200表面没有位置偏差时，晶圆100在吸盘200表面的投影图形均位于预设区210以内，且位于定位缺口101以外的晶圆100的边缘与预设区210的外边缘相切。
所述预设区210的边缘形状为圆形。
需要说明的是，当晶圆100放置在预设区210的表面且晶圆100的圆心在吸盘200表面没有位置偏差时，并不要求晶圆100在吸盘200表面的投影图形与预设晶圆放置区重合，并不要求定位缺口101在吸盘200表面的投影图形与预设定位缺口区212重合。
但是，当晶圆100在吸盘200表面的投影图形与预设晶圆放置区重合，定位缺口101在吸盘200表面的投影图形与预设定位缺口区212重合时，那么一定有：晶圆100放置在预设区210的表面且晶圆100的圆心在吸盘200表面没有位置偏差。
相应的，本实施例还提供一种检测方法，请参考图5，包括以下步骤：
S01：提供上述的检测系统；
S02：将所述晶圆100放置在吸盘的预设区210；
S03：将所述晶圆100放置在吸盘的预设区210后，所述吸盘200吸附所述晶圆100；
S04：所述吸盘200吸附所述晶圆100后，所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖，并获取所述晶圆暴露出的盘孔的数量；
S05：若所述晶圆暴露出的盘孔的数量大于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置发生偏移；
S06：若所述晶圆暴露出的盘孔的数量等于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置未发生偏移。
图6至图8是本发明一实施例中检测过程的结构示意图。
结合参考图6和图7，图7为沿图6中切割线A-A1的剖面图，将所述晶圆100放置在吸盘的预设区210。
参考图8，图8为在图7基础上的示意图，将所述晶圆100放置在吸盘的预设区210后，所述吸盘200吸附所述晶圆100。
继续参考图8，所述吸盘200吸附所述晶圆100后，所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆100覆盖，并获取所述晶圆100暴露出的盘孔的数量。
本实施例中，所述传感器为光纤传感器240(参考图4)，一个盘孔内放置一个光纤传感器240。
本实施例中，所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆100覆盖的方法包括：所述光纤传感器240向第一孔口发射检测入射光并收集反射光；根据收集的反射光的情况，判断盘孔是否被所述晶圆100覆盖。
若所述反射光的强度大于等于光强阈值，则判断盘孔被所述晶圆100覆盖；若所述反射光的强度小于光强阈值，则判断盘孔未被所述晶圆100覆盖。
需要说明的是，在其它实施例中，光纤传感器位于所述盘孔外，所述光纤传感器适于由第二孔口向盘孔内发射检测入射光并收集自所述盘孔出射的反射光。相应的，所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：所述光纤传感器由第二孔口向盘孔内发射检测入射光，并收集自所述盘孔出射的反射光；根据收集的反射光的情况，判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。若所述反射光的强度大于光强阈值，则判断盘孔被所述晶圆覆盖；若所述反射光的强度小于光强阈值，则判断盘孔未被所述晶圆覆盖。
若晶圆在吸盘表面的位置发生偏移时，触发自动报警装置进行报警提示。
本发明另一实施例还提供一种检测系统，本实施例的检测系统与前一实施例的检测系统的区别在于：所述传感器为压力传感器310(参考图9)；所述检测系统还包括：三通连接器300(参考图9)，所述三通连接器300中具有相互贯通的第一连接孔301，第二连接孔302和第三连接孔303，第一连接孔301与所述第二孔口连接；激励源装置320，所述激励源装置320连接第二连接孔302；所述压力传感器310朝向所述第三连接孔303。
本实施例中，所述激励源装置320为抽气装置，所述压力传感器310为气压传感器。
相应的，本实施例还提供一种检测方法，本实施例的检测方法与前一实施例的检测方法的区别在于：所述检测方法还包括：所述吸盘吸附所述晶圆后，所述抽气装置进行抽气步骤；所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：在所述抽气装置进行抽气步骤的过程中，所述气压传感器检测第三连接孔处的气压；根据第三连接孔处的气压判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
若第三连接孔处的气压大于等于气压阈值，则判断盘孔被所述晶圆100覆盖；若所述第三连接孔处的气压小于气压阈值，则判断盘孔未被所述晶圆100覆盖。
关于本实施例中检测方法与前一实施例中检测方法相同的部分，不再详述。
本发明另一实施例还提供一种检测系统，本实施例的检测系统与前一实施例的检测系统的区别在于：所述激励源装置为喷水装置，所述压力传感器为水压传感器。
相应的，本实施例还提供一种检测方法，本实施例的检测方法与前一实施例的检测方法的区别在于：所述检测方法还包括：所述吸盘吸附所述晶圆后，所述喷水装置向盘孔内喷水；所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：在所述喷水装置向盘孔内喷水的过程中，所述水压传感器检测第三连接孔处的水压；根据第三连接孔处的水压判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
若第三连接孔处的水压大于等于水压阈值，则判断盘孔被所述晶圆100覆盖；若所述第三连接孔处的水压小于水压阈值，则判断盘孔未被所述晶圆100覆盖。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种检测系统，其特征在于，包括：
吸盘，所述吸盘适于吸附晶圆，所述晶圆的边缘具有定位缺口，所述吸盘包括预设区，所述预设区包括预设晶圆放置区和与预设晶圆放置区邻接的预设定位缺口区，所述预设晶圆放置区的径向尺寸与所述晶圆的径向尺寸一致，所述预设定位缺口区沿吸盘表面的尺寸与所述定位缺口沿晶圆表面的尺寸一致；
所述吸盘中具有若干贯穿吸盘的盘孔，所述盘孔沿预设区的外边缘排布且与预设区的外边缘相内切，部分数量的盘孔贯穿预设晶圆放置区，部分数量的盘孔贯穿预设定位缺口区；
若干传感器，所述传感器适于在晶圆放置于吸盘表面的情况下检测盘孔是否被所述晶圆覆盖。
2.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，各盘孔均具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；各第一孔口的形状相同且尺寸相同。
3.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述第一孔口的形状为圆形；所述第一孔口的径向尺寸为0.01毫米～3毫米。
4.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述传感器为光纤传感器。
5.根据权利要求4所述的检测系统，其特征在于，一个盘孔内放置一个光纤传感器。
6.根据权利要求4所述的检测系统，其特征在于，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述光纤传感器位于所述盘孔外，所述光纤传感器适于由第二孔口向盘孔内发射检测入射光并收集自所述盘孔出射的反射光。
7.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述传感器为压力传感器。
8.根据权利要求7所述的检测系统，其特征在于，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；
所述检测系统还包括：三通连接器，所述三通连接器中具有相互贯通的第一连接孔，第二连接孔和第三连接孔，第一连接孔与所述第二孔口连接；
激励源装置，所述激励源装置连接第二连接孔；所述压力传感器朝向所述第三连接孔。
9.根据权利要求8所述的检测系统，其特征在于，所述激励源装置为抽气装置，所述压力传感器为气压传感器。
10.根据权利要求8所述的检测系统，其特征在于，所述激励源装置为喷水装置，所述压力传感器为水压传感器。
11.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述若干盘孔包括若干第一孔和若干第二孔，第一孔贯穿预设晶圆放置区，第二孔贯穿预设定位缺口区；所述若干第二孔的数量大于等于3个。
12.一种检测方法，其特征在于，包括：
提供权利要求1至11任意一项所述的检测系统；
将所述晶圆放置在吸盘的预设区；
将所述晶圆放置在吸盘的预设区后，所述吸盘吸附所述晶圆；
所述吸盘吸附所述晶圆后，所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖，并获取所述晶圆暴露出的盘孔的数量；
若所述晶圆暴露出的盘孔的数量大于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置发生偏移；
若所述晶圆暴露出的盘孔的数量等于贯穿预设定位缺口区的盘孔的数量，则判断晶圆的圆心在吸盘表面的位置未发生偏移。
13.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述传感器为气压传感器；所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；
所述检测系统还包括：三通连接器，所述三通连接器中具有相互贯通的第一连接孔，第二连接孔和第三连接孔，第一连接孔与所述第二孔口连接；
抽气装置，所述抽气装置连接第二连接孔；所述气压传感器朝向所述第三连接孔；
所述检测方法还包括：所述吸盘吸附所述晶圆后，所述抽气装置进行抽气步骤；
所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：在所述抽气装置进行抽气步骤的过程中，所述气压传感器检测第三连接孔处的气压；根据第三连接孔处的气压判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
14.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述传感器为水压传感器；
所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；
所述检测系统还包括：三通连接器，所述三通连接器中具有相互贯通的第一连接孔，第二连接孔和第三连接孔，第一连接孔与所述第二孔口连接；
喷水装置，所述喷水装置连接第二连接孔；所述水压传感器朝向所述第三连接孔；
所述检测方法还包括：所述吸盘吸附所述晶圆后，所述喷水装置向盘孔内喷水；
所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：在所述喷水装置向盘孔内喷水的过程中，所述水压传感器检测第三连接孔处的水压；根据第三连接孔处的水压判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
15.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述传感器为光纤传感器，一个盘孔内放置一个光纤传感器；
所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：所述光纤传感器向第一孔口发射检测入射光并收集反射光；根据收集的反射光的情况，判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
16.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述盘孔具有相对的第一孔口和第二孔口，第一孔口适于朝向所述晶圆；所述传感器为光纤传感器，所述光纤传感器位于所述盘孔外；
所述传感器检测各盘孔是否被所述晶圆覆盖的方法包括：所述光纤传感器由第二孔口向盘孔内发射检测入射光，并收集自所述盘孔出射的反射光；
根据收集的反射光的情况，判断盘孔是否被所述晶圆覆盖。
CN201811426857.4A 2018-11-27 2018-11-27 检测系统及检测方法 Active CN109559999B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811426857.4A CN109559999B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 检测系统及检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811426857.4A CN109559999B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 检测系统及检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109559999A true CN109559999A (zh) 2019-04-02
CN109559999B CN109559999B (zh) 2021-04-02

Family

ID=65867698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811426857.4A Active CN109559999B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 检测系统及检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109559999B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112435987A (zh) * 2020-11-09 2021-03-02 太极半导体（苏州）有限公司 一种3d晶圆的槽式定位方法
CN112713115A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种真空晶圆缺口定位装置
CN112435987B (zh) * 2020-11-09 2024-07-02 太极半导体（苏州）有限公司 一种3d晶圆的槽式定位方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4278348A (en) * 1979-11-26 1981-07-14 Quintel Corporation Locking mechanism for use in a chuck for an optical alignment and exposure apparatus
US20040150172A1 (en) * 2002-10-16 2004-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding device
KR20090097657A (ko) * 2008-03-12 2009-09-16 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 척 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법
CN201456002U (zh) * 2009-07-16 2010-05-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 吸附盘
CN102080683A (zh) * 2011-02-16 2011-06-01 合肥芯硕半导体有限公司 一种多功能真空吸盘
CN104347445A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 东京毅力科创株式会社 探测装置
CN105185722A (zh) * 2014-05-30 2015-12-23 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆固持装置
CN205452255U (zh) * 2016-03-25 2016-08-10 天津三安光电有限公司 一种圆片真空吸盘

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4278348A (en) * 1979-11-26 1981-07-14 Quintel Corporation Locking mechanism for use in a chuck for an optical alignment and exposure apparatus
US20040150172A1 (en) * 2002-10-16 2004-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding device
KR20090097657A (ko) * 2008-03-12 2009-09-16 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 척 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법
CN201456002U (zh) * 2009-07-16 2010-05-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 吸附盘
CN102080683A (zh) * 2011-02-16 2011-06-01 合肥芯硕半导体有限公司 一种多功能真空吸盘
CN104347445A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 东京毅力科创株式会社 探测装置
CN105185722A (zh) * 2014-05-30 2015-12-23 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆固持装置
CN205452255U (zh) * 2016-03-25 2016-08-10 天津三安光电有限公司 一种圆片真空吸盘

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112713115A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种真空晶圆缺口定位装置
CN112435987A (zh) * 2020-11-09 2021-03-02 太极半导体（苏州）有限公司 一种3d晶圆的槽式定位方法
CN112435987B (zh) * 2020-11-09 2024-07-02 太极半导体（苏州）有限公司 一种3d晶圆的槽式定位方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109559999B (zh) 2021-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101761389B1 (ko) 얇은 패드들 내의 몰딩 윈도우들
TWI478263B (zh) Method for measuring the rotation offset amount of the bonded substrate and the method of manufacturing the bonded substrate
US6524164B1 (en) Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
KR101762936B1 (ko) 패드 윈도우 삽입
KR20130139251A (ko) 웨이퍼 스택에 있는 결함 및 층 두께를 측정하기 위한 측정 장치 및 측정 방법
US6779386B2 (en) Method and apparatus for detecting topographical features of microelectronic substrates
TW200301722A (en) Method of fabricating a polishing pad having an optical window
CN109559999A (zh) 检测系统及检测方法
TW201907135A (zh) 膜厚測量系統及方法
CN110767591A (zh) 用于晶片处理的方法和装置
TWI355027B (en) End point detecting apparatus for semiconductor wa
US10514247B2 (en) Wafer alignment mark scheme
US8647908B2 (en) Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing semiconductor pressure sensor
CN208674092U (zh) 承载盘组件和机械手臂
JP3713571B2 (ja) ウェーハ形状検査方法およびその装置
CN111601051B (zh) 一种对准图像获取方法、装置及系统
JP2017181442A (ja) 応力センサ
CN101398394A (zh) 硅片周边缺口检查方法及装置
TWM592968U (zh) 一種承片臺及探針臺
CN216749825U (zh) 一种晶圆检测装置及半导体设备
US11984366B2 (en) Measurement device and method for semiconductor structure
CN110360941A (zh) 膜厚测定装置
JP2005028479A (ja) マルチブレードのセットアップ方法，ブレード間隔測定方法，およびブレード状態検知方法
JPH02275344A (ja) 半導体基板エッヂチップ測定器
JPH0949789A (ja) チャック装置および光学処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230717

Address after: 223001 Room 318, Building 6, east of Zhenda Steel Pipe Company, south of Qianjiang Road, Huaiyin District, Huai'an City, Jiangsu Province

Patentee after: Huaian Xide Industrial Design Co.,Ltd.

Address before: No. 599, East Changjiang Road, Huaiyin District, Huai'an City, Jiangsu Province

Patentee before: HUAIAN IMAGING DEVICE MANUFACTURER Corp.