CN111601051B - 一种对准图像获取方法、装置及系统 - Google Patents
一种对准图像获取方法、装置及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111601051B CN111601051B CN202010401989.2A CN202010401989A CN111601051B CN 111601051 B CN111601051 B CN 111601051B CN 202010401989 A CN202010401989 A CN 202010401989A CN 111601051 B CN111601051 B CN 111601051B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aligned
- wafer
- alignment
- infrared
- visible light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本申请实施例提供了一种对准图像获取方法、装置及系统,可以利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号,待对准晶圆中形成有对准标记,利用红外摄像头接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源和红外摄像头得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,在可见光不能穿过一些膜层时,红外光可以穿过,因此得到的第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现待对准晶圆中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆的对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。
Description
技术领域
本申请涉及半导体领域,特别是涉及一种对准图像获取方法、装置及系统。
背景技术
在半导体器件的制造工艺中,往往需要对晶圆进行对准,从而实现晶圆的特定位置的处理,例如对晶圆的特定位置的检测,目前,可以对晶圆进行拍摄,得到拍摄图像,拍摄图像中可以包括晶圆中的对准标记,根据拍摄图像中的对准标记的位置可以实现晶圆的对准。然而,在实际操作中,存在拍摄图像中对准标记不清楚导致晶圆对准失效的问题。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请实施例提供一种对准图像获取方法、装置及系统,提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题。
本申请实施例提供了一种对准图像获取方法,包括:
利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号;所述待对准晶圆中形成有对准标记;
利用红外摄像头接收经所述待对准晶圆反射的红外信号,以形成所述待对准晶圆的第一拍摄图像;所述第一拍摄图像用于实现所述待对准晶圆的对准。
可选的,所述利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号之前,所述方法还包括:
确定所述待对准晶圆中包括不透光膜层。
可选的,所述不透光膜层的材料包括无定形碳、单晶硅、碳化硅、氮化硅的至少一种。
可选的,所述利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号之前,所述方法还包括:
利用可见光光源向所述待对准晶圆发射可见光信号;
利用可见光摄像头接收所述待对准晶圆反射的可见光信号,以形成所述待对准晶圆的第二拍摄图像;
基于所述第二拍摄图像实现所述待对准晶圆的对准失败。
可选的,所述利用可见光光源向所述待对准晶圆发射可见光信号之前,所述方法还包括:
确定所述待对准晶圆中的待测膜层为透光膜层。
可选的,所述待对准晶圆包括衬底及其上的待测膜层,所述衬底中形成有对准标记,则在实现所述待对准晶圆的对准后,所述方法还包括:
利用可见光摄像头接收所述待对准晶圆的红外信号,以形成所述待测膜层的检测数据,所述检测数据体现所述待测膜层的厚度信息。
本申请实施例还提供了一种对准图像获取装置,包括:红外光源和红外摄像头;
所述红外光源,用于向待对准晶圆发射红外信号;所述待对准晶圆中形成有对准标记;
所述红外摄像头,用于接收所述待对准晶圆反射的红外信号,以形成所述待对准晶圆的第一拍摄图像;所述第一拍摄图像用于实现所述待对准晶圆的对准。
可选的,所述装置还包括:
可见光光源,用于向所述待对准晶圆发射可见光信号;
可见光摄像头,用于接收所述待对准晶圆反射的可见光信号,以形成所述待对准晶圆的第二拍摄图像;所述第二拍摄图像用于实现所述待对准晶圆的对准;
所述红外光源向所述待对准晶圆发射红外信号的步骤,在利用所述第二拍摄图像实现所述待对准晶圆的对准失效时执行。
可选的,所述待对准晶圆包括衬底及其上的待测膜层,所述衬底中形成有对准标记,则所述可见光摄像头还用于:
在实现所述待对准晶圆的对准后,接收所述待对准晶圆的红外信号,以形成所述待测膜层的检测数据,所述检测数据体现所述待测膜层的厚度信息。
可选的,所述红外光源向所述待对准晶圆发射红外信号的步骤,在确定所述待对准晶圆中包括不透光膜层时执行。
本申请实施例还提供了一种对准图像获取系统,包括对准控制器和对准图像获取装置,所述对准控制器用于执行对准图像获取方法。
本申请实施例提供了一种对准图像获取方法、装置及系统,可以利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号,待对准晶圆中形成有对准标记,利用红外摄像头接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源和红外摄像头得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,在可见光不能穿过一些膜层时,红外光可以穿过,因此得到的第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现待对准晶圆中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆的对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种对准图像获取装置的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种对准图像获取方法的流程图;
图3为本申请实施例提供的一种对准图像获取系统的结构框图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
目前,在半导体器件的制造工艺中,往往需要对晶圆进行对准,从而实现晶圆的特定位置的处理,例如对晶圆的特定位置的检测,以得到膜层的厚度、形状等参数。例如可以对特定位置进行膜厚的测量,以得到膜层的厚度,可以在多个位置进行膜厚的测量,得到膜层的形状。
具体的,为了实现晶圆的对准,可以在可见光下对晶圆进行拍摄,得到拍摄图像,拍摄图像中可以包括晶圆中的对准标记,根据拍摄图像中的对准标记可以实现晶圆的对准。
然而发明人研究发现,实际操作中,会存在拍摄图像中的对准标记不清楚导致对准失效的问题。这是因为晶圆中一些膜层的材料是不透光材料,这样在对晶圆进行拍摄时,设置于衬底中的对准标记被其上的不透光膜层遮挡,从而出现拍摄图像中对准标记不清楚的问题导致晶圆对准失效。
基于以上技术问题,本申请实施例提供了一种对准图像获取方法及装置,可以利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号,待对准晶圆中形成有对准标记,利用红外摄像头接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源和红外摄像头得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,在可见光不能穿过一些膜层时,红外光可以穿过,因此得到的第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现待对准晶圆中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆的对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。
下面结合附图,通过实施例来详细说明本申请实施例中的一种对准图像获取方法、装置及系统的具体实现方式。
参考图1所示,为本申请实施例提供的一种对准图像获取装置的结构示意图,该对准图像获取装置100可以包括:红外光源110和红外摄像头120。该对准图像获取装置100可以用于获取待对准晶圆的图像,以便利用待对准晶圆的图像进行待对准晶圆的对准。
本申请实施例中,待对准晶圆可以包括衬底,衬底中可以形成有对准标记,衬底可以是硅衬底,也可以是其他半导体衬底,其上的对准标记可以是预先设置在衬底中,用于对待对准晶圆进行对准,对准标记的形状可以根据实际情况而定。
若获取的待对准晶圆的图像中体现对准标记的位置,则可以利用待对准晶圆的图像实现待对准晶圆的对准。一般来说,衬底为透光材料,直接对待对准晶圆的衬底进行拍摄,得到的图像中可以体现对准标记的位置。
在衬底上形成待测膜层时,若待测膜层较薄,且为透光材料,这样可以直接对待对准晶圆进行拍摄,待测膜层不会遮挡衬底中的对准标记,拍摄得到的图像中也能够体现对准标记的位置。但是,在待测膜层较厚,或者其中包括不透光材料时,待测膜层会对衬底中的对准标记造成遮挡,在可见光下直接对待对准晶圆进行拍摄,得到的图像中对准标记看不清或者对比度下降不容易识别,因此将不容易得到对准晶圆的位置信息,容易导致待对准晶圆对准失效,这样不能进行待对准晶圆的检测。
举例来说,待测膜层的材料可以包括可见光下不透光的材料,这里的不透光的材料可以包括阻挡光通过的材料,即光通过时存在较大吸收比例的材料,例如无定形碳、单晶硅等,也可以包括光通过时存在明显色散的材料,即光通过时明显改变传播方向的材料,随着其厚度的增加,色散的影响加重,例如碳化硅和氮化硅等。这样,待测膜层会对其下的衬底中的对准标记造成一定的遮挡,导致得到的图像中对准标记看不清或者对比度下降。
因此,在本申请实施例中,可以利用对准图像获取装置100获取待对准晶圆的图像,得到的待对准晶圆的图像中有较清晰的对准标记,提高待对准晶圆的图像中对准标记的可识别度,从而利用待对准晶圆的图像进行待对准晶圆的对准,能够有效解决部分待对准晶圆对准失效的问题。
具体的,对准图像获取装置100可以包括红外光源110和红外摄像头120,其中,红外光源110可以发射红外信号,红外摄像头120可以接收红外信号,利用红外光源110可以向待对准晶圆发射红外信号,之后可以利用红外摄像头120接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源110和红外摄像头120得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,一些可见光不能穿过的膜层,红外光可以穿过,因此第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现衬底中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。
这里的红外信号是指红外频段的光信号,红外光源110是能够发射红外信号的设备,例如可以是红外发光二极管,也可以是功率较小的红外激光器,还可以是其他可以产生红外信号的光源;红外摄像头120是能够接收红外信号的设备,例如可以是接收红外信号的CCD、CMOS等元件。
红外光源110和红外摄像头120可以设置于待对准晶圆的上方,红外光源110和红外摄像头120之间的距离可以根据实际情况确定。红外光源110可以正对待对准晶圆,从而使红外信号垂直入射到待对准晶圆的上表面,红外信号经过反射、散射、折射等后可以被红外摄像头120接收;红外光源110也可以不正对待对准晶圆,从而使红外信号以其他角度入射到待对准晶圆的上表面,同样经过反射、散射、折射等后可以被红外摄像头120接收。
在本申请实施例中,对准图像获取装置100还可以包括可见光光源130和可见光摄像头140,其中,可见光光源130可以发射可见光信号,可见光摄像头140可以接收可见光信号,利用可见光光源130可以向待对准晶圆发射可见光信号,之后利用可见光摄像头140接收经待对准晶圆反射的可见光信号,以形成待对准晶圆的第二拍摄图像,由于第二拍摄图像是基于可见光得到的,若可见光能够透过待对准晶圆的待测膜层,而被衬底中的对准标记反射后被可见光摄像头140接收,则第二拍摄图像中可以体现对准标记的位置,则利用第二拍摄图像可以实现待对准晶圆的对准。然而,若待对准晶圆中的待测膜层为不透光膜层,即可见光透过待对准晶圆中的待测膜层时被大量吸收或色散,则可见光摄像头140不能顺利接收到经对准标记反射后的可见光信号,因此第二拍摄图像中不能体现衬底中的对准标记的位置信息。
其中,可见光信号是指可见光频段的光信号,可见光信号是能发射可见光信号的设备,可见光摄像头140可以是能够接收可见光信号的设备。可见光光源130和可见光摄像头140可以设置于待对准晶圆的上方,可见光光源130和可见光摄像头140之间的距离可以根据实际情况确定。可见光光源130可以正对待对准晶圆,也可以不正对待对准晶圆。
也就是说,利用可见光光源130和可见光摄像头140,也可以获取待对准晶圆的图像,然而只有在待对准晶圆中不包括不透光膜层时,得到的图像才可较完整的体现其中的对准标记,因此,可见光光源130和可见光摄像头140可以用于获取一部分待对准晶圆的图像,这些待对准晶圆中的待测膜层时可以透光的,即能够在一定场景下得到用于待对准晶圆对准的第二拍摄图像,而在待对准膜层中包括不透光膜层时,利用第二拍摄图像进行待对准晶圆的对准,将会出现对准失效的问题。
在一些可能的实施方式中,可以在确定待对准晶圆中的待测膜层为透光膜层时,利用可见光光源130和可见光摄像头140获取待对准晶圆的第二拍摄图像,利用第二拍摄图像实现待对准晶圆的对准。在确定待测膜层中包括不透光膜层时,利用红外光源110和红外摄像头120获取待对准晶圆的第一拍摄图像,而不再利用可见光光源130和可见光摄像头140获取第二拍摄图像,也不再利用第二拍摄图像对待对准晶圆进行对准,从而减少冗余步骤。
其中,可以根据用户输入的对准指令来确定待测膜层中是否包括不透光膜层,例如用户在放置待对准晶圆后,输入对准指令,该对准指令指示了待测膜层的材料,可以根据待测膜层的材料确定待测膜层是否包括不透光膜层,当然,对准指令也可以指示待测膜层包括不透光膜层,从而可以获取到该对准指令指示的信息。
在另一些可能的实施方式中,也可以不进行待对准晶圆的材料的确定,而先利用可见光光源130和可见光摄像头140获取到第二拍摄图像,在确定利用第二拍摄图像实现待对准晶圆的对准失败时,再利用红外光源110和红外摄像头120获取待对准晶圆的第一拍摄图像,这样可以对红外光源110和红外摄像头120的工作时间进行控制,同时减少对现有对准流程的更改。这样,即使待对准晶圆中的待测膜层为透光膜层,也可能存在对准失败的问题,此时利用红外光源110和红外摄像头120可以得到待对准晶圆的第一拍摄图像进而实现待对准晶圆的对准。
本申请实施例中,在对待对准晶圆进行对准后,还可以对待对准晶圆进行检测,具体的,可以利用可见光摄像头140接收待对准晶圆的红外信号,以形成待测膜层的检测数据,检测数据可以体现待测膜层的厚度信息。具体来说,检测数据可以是红外信号在不同时间的信号强度,用于体现红外信号在各个界面处的反射情况,从而利用红外信号的信号强度确定界面之间的距离,进而确定待测膜层的厚度。
本申请实施例提供了一种对准图像获取装置,包括红外光源和红外摄像头,可以利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号,待对准晶圆中形成有对准标记,利用红外摄像头接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源和红外摄像头得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,在可见光不能穿过一些膜层时,红外光可以穿过,因此得到的第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现待对准晶圆中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆的对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。
基于以上对准图像获取装置100,本申请实施例还提供了一种对准图像获取方法,应用于对准控制器200,对准控制器200可以对准图像获取装置100进行控制,参考图2所示,为本申请实施例提供的一种对准图像获取方法的流程图,可以包括:
S101,利用红外光源110向待对准晶圆发射红外信号。
本申请实施例中,待对准晶圆可以包括衬底,衬底中可以形成有对准标记,在衬底上可以形成有待测膜层。待测膜层的材料可以包括可见光下不透光的材料,也可以包括可见光下透光的材料。
对准控制器200可以利用红外光源110可以向待对准晶圆发射红外信号,红外信号是指红外频段的光信号,红外光源110是能够发射红外信号的设备,例如可以是红外发光二极管,也可以是功率较小的红外激光器,还可以是其他可以产生红外信号的光源。红外光源110可以正对待对准晶圆,也可以不正对待对准晶圆。
在此之前,对准控制器200可以在确定待测膜层中包括不透光膜层时,利用红外光源110向待对准晶圆发射红外信号。不透光的材料可以包括阻挡光通过的材料,即光通过时存在较大吸收比例的材料,例如无定形碳、单晶硅等,也可以包括光通过时存在明显色散的材料,即光通过时明显改变传播方向的材料,随着其厚度的增加,色散的影响加重,例如碳化硅和氮化硅等。
在对准图像获取装置100包括可见光光源130和可见光摄像头140时,对准控制器200可以在确定待对准晶圆中的待测膜层为透光膜层时,利用可见光光源130和可见光摄像头140获取待对准晶圆的第二拍摄图像,利用第二拍摄图像实现待对准晶圆的对准。也可以不进行待对准晶圆的材料的确定,而先利用可见光光源130和可见光摄像头140获取到第二拍摄图像。
在确定利用第二拍摄图像实现待对准晶圆的对准失败时,再利用红外光源110向待对准晶圆发射红外信号,这样可以对红外光源110的工作时间进行控制,同时减少对现有对准流程的更改。
S102,利用红外摄像头120接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像。
红外光源110发射的红外信号,经待对准晶圆的反射、散射、折射等后可以被红外摄像头120接收,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源110和红外摄像头120得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,一些可见光不能穿过的膜层,红外光可以穿过,因此第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现衬底中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。在对待对准晶圆进行对准后,对准控制器200还可以对待对准晶圆进行检测,具体的,可以利用可见光摄像头140接收待对准晶圆的红外信号,以形成待测膜层的检测数据,检测数据可以体现待测膜层的厚度信息。
本申请实施例提供了一种对准图像获取方法,可以利用红外光源向待对准晶圆发射红外信号,待对准晶圆中形成有对准标记,利用红外摄像头接收经待对准晶圆反射的红外信号,以形成待对准晶圆的第一拍摄图像,由于第一拍摄图像是利用红外光源和红外摄像头得到的,而红外光具有比可见光更强的穿透能力,在可见光不能穿过一些膜层时,红外光可以穿过,因此得到的第一拍摄图像相比较于利用可见光得到的图像更能体现待对准晶圆中的对准标记的位置信息,因此利用第一拍摄图像实现待对准晶圆的对准时,能够提高拍摄图像中对准标记的可识别度,解决部分晶圆对准失效的问题,实现更多种类的待对准晶圆的对准。
基于以上对准图像获取方法及装置,本申请实施例还提供了一种对准图像获取系统,参考图3所示,为本申请实施例提供的一种对准图像获取系统的结构框图,该系统可以包括:对准图像获取装置100和对准控制器200,其中对准控制器200用于执行对准图像获取方法。
本申请实施例中提到的“第一……”、“第一……”等名称中的“第一”只是用来做名字标识,并不代表顺序上的第一。该规则同样适用于“第二”等。
通过以上的实施方式的描述可知,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法中的全部或部分步骤可借助软件加通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解,本申请的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在存储介质中,如只读存储器(英文:read-only memory,ROM)/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者诸如路由器等网络通信设备)执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于系统实施例而言,由于其基本相似于方法实施例和设备实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见方法实施例和设备实施例的部分说明即可。以上所描述的设备及系统实施例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下,即可以理解并实施。
以上所述仅是本申请的优选实施方式,并非用于限定本申请的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (6)
1.一种对准图像获取方法,其特征在于,包括:
利用红外光源向具有不透光膜层的第一待对准晶圆发射红外信号;所述第一待对准晶圆中形成有对准标记;
利用红外摄像头接收经所述第一待对准晶圆反射的红外信号,以形成所述第一待对准晶圆的第一拍摄图像,所述第一拍摄图像显示有所述对准标记的位置信息;所述第一拍摄图像用于直接实现所述第一待对准晶圆的对准;
利用可见光光源向均为透光膜层的第二待对准晶圆发射可见光信号;
利用可见光摄像头接收所述第二待对准晶圆反射的可见光信号,以形成所述第二待对准晶圆的第二拍摄图像;
基于所述第二拍摄图像实现所述第二待对准晶圆的对准。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述不透光膜层的材料包括无定形碳、单晶硅、碳化硅、氮化硅的至少一种。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的方法,其特征在于,所述第一待对准晶圆和所述第二待对准晶圆包括衬底及其上的待测膜层,所述衬底中形成有对准标记,则在实现所述第一待对准晶圆和所述第二待对准晶圆的对准后,所述方法还包括:
利用可见光摄像头接收所述第一待对准晶圆和所述第二待对准晶圆的红外信号,以形成所述待测膜层的检测数据,所述检测数据体现所述待测膜层的厚度信息。
4.一种对准图像获取装置,其特征在于,包括:红外光源、红外摄像头、可见光光源和可见光摄像头;
所述红外光源,用于向具有不透光膜层的第一待对准晶圆发射红外信号;所述第一待对准晶圆中形成有对准标记;
所述红外摄像头,用于接收经所述第一待对准晶圆反射的红外信号,以形成所述第一待对准晶圆的第一拍摄图像,所述第一拍摄图像显示有所述对准标记的位置信息;所述第一拍摄图像用于直接实现所述第一待对准晶圆的对准;
可见光光源,用于向均为透光膜层的第二待对准晶圆发射可见光信号;
可见光摄像头,用于接收所述第二待对准晶圆反射的可见光信号,以形成所述第二待对准晶圆的第二拍摄图像;基于所述第二拍摄图像实现所述第二待对准晶圆的对准。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第一待对准晶圆和所述第二待对准晶圆包括衬底及其上的待测膜层,所述衬底中形成有对准标记,则所述可见光摄像头还用于:
在实现所述第一待对准晶圆和所述第二待对准晶圆的对准后,接收所述第一待对准晶圆和所述第二待对准晶圆的红外信号,以形成所述待测膜层的检测数据,所述检测数据体现所述待测膜层的厚度信息。
6.一种对准图像获取系统,其特征在于,包括对准控制器和如权利要求4-5任意一项所述的对准图像获取装置,所述对准控制器用于执行如权利要求1-3任意一项所述的对准图像获取方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010401989.2A CN111601051B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种对准图像获取方法、装置及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010401989.2A CN111601051B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种对准图像获取方法、装置及系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111601051A CN111601051A (zh) | 2020-08-28 |
CN111601051B true CN111601051B (zh) | 2021-07-16 |
Family
ID=72191276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010401989.2A Active CN111601051B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种对准图像获取方法、装置及系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111601051B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114220757B (zh) * | 2022-02-22 | 2022-06-07 | 武汉精立电子技术有限公司 | 晶圆检测对位方法、装置和系统及计算机介质 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104310300A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-28 | 杭州大立微电子有限公司 | 集成像元级聚光透镜的红外探测器及其制备方法 |
CN105185802A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 单芯片可见光红外混合成像探测器像元结构及制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202406199U (zh) * | 2011-09-20 | 2012-08-29 | 天津大学 | 一种基于双阵列图像传感器的三维测量芯片及系统 |
CN104950584B (zh) * | 2014-03-25 | 2018-01-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 成像对准系统 |
CN106292203B (zh) * | 2015-05-24 | 2019-01-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种自动调焦的对准系统及对准方法 |
CN105244357B (zh) * | 2015-08-31 | 2018-06-26 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 可见光红外混合成像探测器像元结构及其制备方法 |
JP2017208496A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
US11025887B2 (en) * | 2017-02-27 | 2021-06-01 | Sony Corporation | Field calibration of stereo cameras with a projector |
JP2019054150A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体ウェハ |
-
2020
- 2020-05-13 CN CN202010401989.2A patent/CN111601051B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104310300A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-28 | 杭州大立微电子有限公司 | 集成像元级聚光透镜的红外探测器及其制备方法 |
CN105185802A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 单芯片可见光红外混合成像探测器像元结构及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111601051A (zh) | 2020-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102884609B (zh) | 检查装置及检查方法 | |
US6721047B2 (en) | Method and apparatus for inspecting defects of a specimen | |
KR20120123719A (ko) | 수지 피막을 갖는 강판의 표면 검사 방법 및 그 표면 검사 장치 | |
CA2118743A1 (en) | Optical illumination and inspection system for wafer and solar cell defects | |
KR20000047405A (ko) | 정렬 마크, 이를 사용하는 정렬 시스템 및 이를 이용한 정렬방법 | |
CN106092970B (zh) | 一种光学检测系统及光学检测设备 | |
KR20190062190A (ko) | 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 | |
CN111601051B (zh) | 一种对准图像获取方法、装置及系统 | |
CN106706660A (zh) | 一种基板异物和光学浓度的检测方法及装置 | |
JP4104924B2 (ja) | 光学的測定方法およびその装置 | |
KR20050071640A (ko) | 배선패턴의 검사장치, 검사방법, 검출장치, 검출방법 | |
US9291576B2 (en) | Detection of defect in die | |
US8247773B2 (en) | Method and apparatus for reading identification mark on surface of wafer | |
TWI834843B (zh) | 檢查裝置及檢查方法 | |
CN211180838U (zh) | 指纹识别装置和电子设备 | |
CN112798605A (zh) | 一种表面缺陷检测装置及方法 | |
CN110502947B (zh) | 结构光测深系统、测量信息码深度的方法及数据处理方法 | |
CN109596640B (zh) | 异物检测方法及装置 | |
CN106919005A (zh) | 检测设备、曝光设备和制造设备的方法 | |
KR102037395B1 (ko) | 투과 광학계 검사 장치 및 이를 이용한 필름 결함 검사 방법 | |
KR20140088789A (ko) | 광학 필름 검사 장치 | |
KR101799775B1 (ko) | 레이저 간섭계 및 이를 이용한 측정방법 | |
KR100942236B1 (ko) | 판유리 두께의 측정오차 보정방법 | |
EP3637044B1 (en) | Multi-image projector and electronic device having the multi-image projector | |
JP3908003B2 (ja) | 反射高速電子回折用画像解析装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |