JPH02275344A - 半導体基板エッヂチップ測定器 - Google Patents
半導体基板エッヂチップ測定器Info
- Publication number
- JPH02275344A JPH02275344A JP9800689A JP9800689A JPH02275344A JP H02275344 A JPH02275344 A JP H02275344A JP 9800689 A JP9800689 A JP 9800689A JP 9800689 A JP9800689 A JP 9800689A JP H02275344 A JPH02275344 A JP H02275344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor substrate
- edge tip
- light rays
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板のエッヂチップ測定器に関する。
従来、半導体基板側面のエッヂチップ(欠け)の有無判
定及びエッヂチップの深さ測定は、自動測定器でなく目
視で行なっていた。
定及びエッヂチップの深さ測定は、自動測定器でなく目
視で行なっていた。
上述した従来の半導体基板側面のエッヂチップの有無の
判定及びエッヂチップの深さを測定するには、目視で行
なうしかなかった為、正確な判定や測定ができないとい
う欠点がある。
判定及びエッヂチップの深さを測定するには、目視で行
なうしかなかった為、正確な判定や測定ができないとい
う欠点がある。
本発明は、半導体基板を固定し水平面内で回転させる手
段と、前記半導体基板の側面部に投光し反射光の有無に
よりエッヂチップの判定及び測定を行う光学的センサー
手段とを備えた半導体基板エッヂチップ測定器である。
段と、前記半導体基板の側面部に投光し反射光の有無に
よりエッヂチップの判定及び測定を行う光学的センサー
手段とを備えた半導体基板エッヂチップ測定器である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の縦断面図である。
本発明の半導体エッヂチップ測定器は、カップ2の上部
に半導体基板1を乗せ、真空ポンプ6を起動することに
より真空チャツク配管3内部が大気圧から真空になり、
半導体基板1をカップ2に吸着させ保持する。又モータ
ー5を起動することにより、半導体基板1を水平面内に
回転する機構を有し、半導体基板1の側面部に対し、上
部にレーザー光線8を投光する投光センサー10と、下
部にレーザー光線8を受光する受光センサー11−を設
け、半導体基板1の側面部の上部、上角部。
に半導体基板1を乗せ、真空ポンプ6を起動することに
より真空チャツク配管3内部が大気圧から真空になり、
半導体基板1をカップ2に吸着させ保持する。又モータ
ー5を起動することにより、半導体基板1を水平面内に
回転する機構を有し、半導体基板1の側面部に対し、上
部にレーザー光線8を投光する投光センサー10と、下
部にレーザー光線8を受光する受光センサー11−を設
け、半導体基板1の側面部の上部、上角部。
下角部にレーザー光線8を投光し、エッヂチップがあれ
ばレーザー光線8は半導体基板1に反射されずに受光セ
ンサー11に受光され、エッヂチップの判定及び測定が
できる。又エッヂチップモニター9にて半導体基板1を
画面に写しだすことができる。
ばレーザー光線8は半導体基板1に反射されずに受光セ
ンサー11に受光され、エッヂチップの判定及び測定が
できる。又エッヂチップモニター9にて半導体基板1を
画面に写しだすことができる。
第2図は本発明の第2の実施例の縦断面図である。
この実施例では、半導体基板1の側面部にレーザー光線
8を投光し、反射されたレーザー光線8を受光すること
のできる投受光センサー12を有しており、このレーザ
ー光線8を半導体基板1の側面部の上下部、角部、側面
部に投光し、エッヂチップがあればレーザー光線8は投
受光センサー12に反射されず、エッヂチップの判定、
測定ができる。
8を投光し、反射されたレーザー光線8を受光すること
のできる投受光センサー12を有しており、このレーザ
ー光線8を半導体基板1の側面部の上下部、角部、側面
部に投光し、エッヂチップがあればレーザー光線8は投
受光センサー12に反射されず、エッヂチップの判定、
測定ができる。
この実施例では、投受光センサー12にてエッヂチップ
の判定、測定を行なう為、測定箇所の範囲が広がるとい
う利点がある。
の判定、測定を行なう為、測定箇所の範囲が広がるとい
う利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体基板側面のエッヂ
チップの判定及び測定をレーザー光線の反射を利用して
行なうことにより、誤判定、誤測定がなくなるという効
果がある。
チップの判定及び測定をレーザー光線の反射を利用して
行なうことにより、誤判定、誤測定がなくなるという効
果がある。
第1図は本発明は第1の実施例の縦断面図、第2図は本
発明の第2の実施例の縦断面図である。
発明の第2の実施例の縦断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板を固定し水平面内で回転させる手段と、前記
半導体基板の側面部に投光し反射光の有無によりエッヂ
チップの判定及び測定を行う光学的センサー手段とを備
えたことを特徴とする半導体基板エッヂチップ測定器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9800689A JPH02275344A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体基板エッヂチップ測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9800689A JPH02275344A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体基板エッヂチップ測定器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02275344A true JPH02275344A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14207635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9800689A Pending JPH02275344A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 半導体基板エッヂチップ測定器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02275344A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100460807B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2004-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 웨이퍼 외관 검사장치와 이를이용하는 세정설비 및 그 검사방법 |
WO2009021207A3 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-02 | Accretech Usa Inc | Apparatus and method for wafer edge exclusion measurement |
JP2011109142A (ja) * | 2011-02-28 | 2011-06-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 表示装置、及び検査装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5250157A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Sharp Corp | Signal supply system of thyristor-transistor composite connection circ uit |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9800689A patent/JPH02275344A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5250157A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Sharp Corp | Signal supply system of thyristor-transistor composite connection circ uit |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100460807B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2004-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 웨이퍼 외관 검사장치와 이를이용하는 세정설비 및 그 검사방법 |
WO2009021207A3 (en) * | 2007-08-09 | 2009-04-02 | Accretech Usa Inc | Apparatus and method for wafer edge exclusion measurement |
JP2011109142A (ja) * | 2011-02-28 | 2011-06-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 表示装置、及び検査装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20190100616A (ko) | 표면 결함 검사 장치 | |
KR100876257B1 (ko) | 광학적 측정 방법 및 그 장치 | |
WO2002042754A3 (en) | Measurement of surface defects | |
TWI591325B (zh) | 晶圓檢測系統及用以在晶圓檢測系統中監視入射光束位置之結構及方法 | |
JP3381341B2 (ja) | 半導体装置の外観検査装置とその検査方法 | |
JP5219487B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査プログラム | |
JP4215220B2 (ja) | 表面検査方法及び表面検査装置 | |
JPH02275344A (ja) | 半導体基板エッヂチップ測定器 | |
JP2003347385A (ja) | ウェハ表面状態の検査装置及び検査方法 | |
US5321495A (en) | Optical detecting system for determining particle position on a substrate | |
US6881587B2 (en) | Liquid-containing substance analyzing device and liquid-containing substance analyzing method | |
JPH043953A (ja) | 表面実装部品検査装置 | |
JPH10144748A (ja) | ウェハステージ | |
JPH05206237A (ja) | 半導体基板の欠け検査装置 | |
JP2002107116A (ja) | 平坦度等測定装置 | |
JP2009177166A (ja) | 検査装置 | |
JPH09189545A (ja) | 距離測定装置 | |
JPH05203413A (ja) | 非接触変位測定方法、非接触変位測定装置及び非接触膜厚測定装置 | |
JPH02213702A (ja) | 半導体基板エッジチップ測定器 | |
JPH06258041A (ja) | 半導体パッケージのリード検査方法及びその検査装置 | |
JPH05215524A (ja) | レーザ式高さ測定装置 | |
JPH08145849A (ja) | カラーフィルタ検査装置 | |
JPH0328363Y2 (ja) | ||
JPH09304017A (ja) | 非接触式の距離及び傾斜測定方法及び同装置 | |
JP2002055023A (ja) | 被検レンズの屈折率測定装置 |