CN112420080B

CN112420080B - 磁盘装置

Info

Publication number: CN112420080B
Application number: CN201911334258.4A
Authority: CN
Inventors: 鹤冈正和; 工藤文也; 阿部隆夫
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date: 2019-08-22
Filing date: 2019-12-23
Publication date: 2022-04-19
Anticipated expiration: 2039-12-23
Also published as: JP2021034079A; JP7225059B2; US20210056989A1; US11152025B2; CN112420080A

Abstract

实施方式提供能够高速地切换记录方式的磁盘装置。根据一个实施方式，磁盘装置具备具有第1存储区域和与第1存储区域不同的第2存储区域的磁盘。在所述第2存储区域中，预先保存有用于以第1方式向所述第1存储区域写入用户数据的第1后置码和用于以第2方式向所述第1存储区域写入用户数据的第2后置码的双方。所述第1方式是互相相邻的2个磁道中的1个磁道与该2个磁道中的另一磁道的一部分重叠的方式。所述第2方式是互相相邻的2个磁道互相不重叠的方式。

Description

磁盘装置

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019-152029号(申请日：2019年8月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及磁盘装置。

背景技术

近年来，作为磁盘的记录方式，开发出了被称作SMR(Shingled MagneticRecording：叠瓦式磁记录)的技术。

根据SMR，在向磁盘写入数据时，以与已经写入的1磁道量的数据的一部分重叠的方式写入下一磁道的数据。由此，能够使磁道的宽度(磁道间距)比写元件的宽度窄，因此记录密度提高。

相对于SMR，相邻的2个磁道的数据不重叠地配置的以往的写入的方式被称作CMR(Conventional Magnetic Recording：传统磁记录)。根据CMR，与SMR相比随机访问性能高。

发明内容

一个实施方式提供能够高速地切换记录方式的磁盘装置。

根据一个实施方式，磁盘装置具备具有第1存储区域和与第1存储区域不同的第2存储区域的磁盘。在所述第2存储区域中，预先保存有用于以第1方式向所述第1存储区域写入用户数据的第1后置码和用于以第2方式向所述第1存储区域写入用户数据的第2后置码的双方。所述第1方式是互相相邻的2个磁道中的1个磁道与该2个磁道中的另一磁道的一部分重叠的方式。所述第2方式是互相相邻的2个磁道互相不重叠的方式。

附图说明

图1是示出实施方式的磁盘装置的构成的一例的图。

图2是示出实施方式的磁盘的构成的一例的图。

图3是用于说明实施方式的SMR的方式的示意性的图。

图4是用于说明实施方式的CMR的方式的示意性的图。

图5是用于说明在实施方式的磁盘设定的某定时下的存储区域的分配的一例的示意性的图。

图6是用于说明在实施方式的磁盘设定的别的定时下的存储区域的分配的一例的示意性的图。

图7是用于说明实施方式的向CMR区域写入的信号的频率的示意性的图。

图8是用于说明实施方式的向SMR区域写入的信号的频率的示意性的图。

图9是用于说明实施方式的向后置码用区域写入的信号的频率的示意性的图。

图10是示出对SMR区域访问时的实施方式的磁盘装置的动作的一例的流程图。

图11是示出将记录方式从SMR切换为CMR时的实施方式的磁盘装置的动作的一例的流程图。

图12是示出对CMR区域访问时的实施方式的磁盘装置的动作的一例的流程图。

图13是示出将记录方式从CMR切换为SMR时的实施方式的磁盘装置的动作的一例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图来详细说明实施方式的磁盘装置。此外，本发明不受该实施方式所限定。

(实施方式)

图1是示出实施方式的磁盘装置1的构成的一例的图。

磁盘装置1连接于主机40。磁盘装置1能够从主机40接收写命令、读命令等访问命令。另外，磁盘装置1除了访问命令之外，还能够接收要求记录方式的切换的命令。关于记录方式、记录方式的切换将在后文叙述。

磁盘装置1具备磁盘11。磁盘装置1根据访问命令而向磁盘11写入数据或从磁盘11读出数据。

数据的写入及读出经由磁头22而进行。具体而言，磁盘装置1除了磁盘11之外，还具备主轴马达12、马达驱动器21、磁头22、致动器臂15、音圈马达(VCM)16、斜坡13、前置放大器24、读写通道(RWC)25、硬盘控制器(HDC)23、缓冲存储器29及处理器26。

磁盘11通过主轴马达12而以旋转轴为中心以预定的转速旋转。主轴马达12的旋转由马达驱动器21驱动。

磁头22利用其具备的写元件22w及读元件22r来对磁盘11进行数据的写、读。另外，磁头22安装于致动器臂15的顶端。磁头22通过由马达驱动器21驱动的VCM16而沿着磁盘11的径向移动。在磁盘11的旋转处于停止时等，磁头22移动到斜坡13上。

前置放大器24在从磁盘11读出数据时，将磁头22从磁盘11所读出的信号放大并输出，向RWC25供给。另外，前置放大器24将从RWC25供给的与写入对象的数据对应的信号放大，向磁头22供给。

HDC23进行经由I/F总线而与主机40之间进行的数据的收发的控制、缓冲存储器29的控制以及所读出的数据的纠错处理等。

缓冲存储器29用作与主机40之间收发的数据的缓冲器。例如，缓冲存储器29用于暂时存储向磁盘11写入的数据。

缓冲存储器29例如由能够进行高速的动作的易失性存储器构成。构成缓冲存储器29的存储器的种类不限定于特定的种类。缓冲存储器29例如可由DRAM(Dynamic RandomAccess Memory：动态随机存取存储器)、SRAM(Static Random Access Memory：静态随机存取存储器)构成。

RWC25对从HDC23供给的写入对象的数据进行编码调制并向前置放大器24供给。另外，RWC25对从磁盘11读出并从前置放大器24供给的信号进行编码解调并作为数字数据而向HDC23输出。

处理器26例如是CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)。在处理器26连接有RAM27、FROM(Flash Read Only Memory：快闪只读存储器)28及缓冲存储器29。

RAM27例如由DRAM、SRAM构成。RAM27由处理器26用作动作用的存储器。RAM27作为加载固件(程序数据)的区域、保持各种管理数据的区域来使用。

FROM28是非易失性存储器的一例。处理器26按照预先存储于FROM28及磁盘11的固件进行该磁盘装置1的整体的控制。例如，处理器26将预先存储于FROM28及磁盘11的固件向RAM27加载，按照加载后的固件执行马达驱动器21、前置放大器24、RWC25、HDC23等的控制。

此外，包括处理器26及HDC23的构成可视为控制电路30。控制电路30也可以包括RAM27、FROM28、缓冲存储器29或RWC25等其他要素。

图2是示出实施方式的磁盘11的构成的一例的图。在形成于磁盘11的表面的磁性层中，例如在出厂前由伺服写入器等写入有伺服信息。伺服信息包括扇区/柱面信息或脉冲串图案(burst pattern)。扇区/柱面信息能够提供磁盘11的圆周方向及半径方向的伺服地址，能够在使磁头22移动至目标磁道的寻道控制中使用。脉冲串图案能够在将磁头22定位于目标磁道的范围内的跟踪控制中使用。此外，伺服信息也可以通过自伺服写入(SSW)而在出厂后向磁盘11写入。在图2中，作为写入有伺服信息的伺服区的配置的一例，示出了呈放射状配置的伺服区11a。在磁盘11的径向上以预定的间距设置有同心圆的多个磁道11b。在各磁道11b的圆周上连续地形成有许多扇区。由磁头22对各扇区执行数据的写入及读出。

作为对该磁盘11写入数据的方式(记录方式)，准备有SMR及CMR。

图3是用于说明实施方式的SMR的方式的示意性的图。SMR是以下方式：在执行某磁道的数据(记为第1数据)的写入，之后执行与该磁道在径向上相邻的磁道的数据(记为第2数据)的写入的情况下，使第2数据与第1数据的一部分重叠地，将各磁道的数据写入。也就是说，根据SMR，在磁盘11的径向上互相相邻的2个磁道中的1个磁道的数据与该2个磁道中的另一磁道的数据的一部分重叠而写入。

例如，磁道#2的数据的一部分与磁道#1的数据重叠。另外，磁道#3的数据的一部分与磁道#2的数据重叠。即，根据SMR，1个磁道的数据与已经被写入了数据的相邻磁道的数据的一部分的重叠反复进行。

由此，各磁道的宽度(＝磁道间距TP)与磁头22的写元件22w的芯宽度(WHw)相比缩窄。其结果，实现记录密度的提高。也就是说，根据SMR，与后述的CMR相比，能够使存储容量增加。

然而，根据SMR，由于磁道间距TP比写元件22w的芯宽度WHw窄，所以若更新多磁道量的数据中的一部分，则与该更新了的数据相邻的磁道的数据会被破坏。为了防止数据的破坏，根据SMR，包括该一部分数据的多磁道量的数据被一并更新。被一并更新的多磁道的区域可以称作区(zone)或带(band)等。根据SMR，由于进行如上所述的更新方法，所以与后述的CMR相比，随机访问性能逊色。

图4是用于说明实施方式的CMR的方式的示意性的图。如本图所示，根据CMR，各磁道的数据不与在径向上相邻的磁道的数据重叠地配置。换言之，CMR是以下方式：在磁盘11的径向上互相相邻的2个磁道的数据互相不重叠地写入。根据CMR，各磁道的宽度与写元件22w的芯宽度(WHw)相同，因此能够更新任意位置的数据。由此，根据CMR，与SMR相比存储容量小，相反，随机访问性能高。

在第1实施方式中，磁盘装置1构成为，不仅能够通过SMR及CMR中的任何一种方式来向磁盘11进行数据的写入，还能够将磁盘11的各位置的记录方式在SMR与CMR之间切换。

图5是用于说明在实施方式的磁盘11设定的某定时下的存储区域的分配的一例的示意性的图。此外，在本图中，设为磁头22相对于磁盘11向箭头50所示的方向相对移动。另外，在本图中，设为在周向上包括4个伺服区11a，但在周向上包括的伺服区11a的数量不限定于4。

如图5所示，在磁盘11中，后置码(Post Code)用区域100、CMR区域110a及SMR区域110b在径向上排列。各区域100、110a、110b由1个以上的磁道11b构成。在各区域100、110a、110b的边界设置有防护区域11c。防护区域11c是不被写入数据的区域。

构成CMR区域110a或SMR区域110b的区域是第1存储区域的一例，后置码用区域100是第2存储区域的一例。此外，磁盘11可以分配2个以上的CMR区域110a。另外，磁盘11可以分配2个以上的SMR区域110b。另外，第2存储区域可以分割并配置于径向上的不同的位置。

在后置码用区域100中保存有磁盘11的至少可以设定磁道的全部区域的量的CMR用的后置码和SMR用的后置码。后置码是用于修正写入于伺服区11a的伺服信息(Srv)的信息。

在CMR区域110a中以CMR的方式写入数据。在CMR区域110a的各磁道11b中，在伺服区11a的后续的位置写入有后置码(PC)。并且，在写入有后置码的位置的后续的位置写入用户数据。

在访问CMR区域110a(写入或读出)时，首先，CMR区域110a内的访问对象的磁道11b内的伺服信息和后置码由磁头22读出。然后，使用该后置码来修正该伺服信息，基于修正后的该伺服信息来执行磁头22的定位，由此，执行向后续的用户数据的区域的访问。

SMR区域110b以SMR的方式被写入数据。在SMR区域110b的各磁道11b中，在伺服区11a的后续的位置写入用户数据。也就是说，在SMR区域110b的各磁道11b中不写入后置码。

在访问SMR区域110b时，首先，从后置码用区域100向缓冲存储器29读出访问对象的磁道11b所涉及的后置码。访问多个磁道11b的情况下，该多个磁道11b的量的后置码被一并读出。然后，从SMR区域110b内的访问对象的磁道11b读出伺服信息，使用读出到缓冲存储器29的后置码来修正该伺服信息。然后，基于修正后的该伺服信息来执行磁头22的定位。

此外，由于从离开了SMR区域110b的位置(后置码用区域100)保存有后置码，所以在对SMR区域110b进行随机访问的情况下，需要向保存有后置码的磁道的寻道和向SMR区域110b内的读出的对象的磁道的寻道这合计2次的寻道。这会引起随机访问性能的下降。若以对SMR区域110b尽量进行顺序访问而非随机访问的方式运用磁盘装置1，则能够将成为了顺序访问的对象的多磁道量的后置码一并读出并利用，因此能够抑制由在SMR区域110b中不保存后置码引起的性能下降的缺点。

图6是用于说明在实施方式的磁盘11设定的别的定时下的存储区域的分配的一例的示意性的图。

磁盘装置1在将存储区域的分配从图5所示的状态变更为图6所示的状态的情况下，将CMR区域110a以外的区域变更(也就是说，重新分配)为CMR区域110a。在此，在SMR区域110b侧与CMR区域110a相邻的防护区域11c和SMR区域110b的一部分被变更为CMR区域110a，对CMR区域110a追加了2个新的磁道。

后置码的生成需要很长的时间。由此，在假设磁盘装置1构成为在对CMR区域110a追加2个磁道时生成该2个磁道所涉及的后置码的情况下，记录方式的切换所需的时间变多。

在实施方式中，采用了CMR的记录方式的情况和采用了SMR的记录方式的情况这双方的情况下的后置码预先保存于后置码用区域100。磁盘装置1在对CMR区域110a新追加磁道的情况下，将该磁道所涉及的后置码从后置码用区域100读出并向该磁道的伺服区11a的后续的位置写入。由此，能够抑制在将记录方式从SMR切换为CMR时所需的时间。

另外，磁盘装置1在将存储区域的分配从图6所示的状态变更为图5所示的状态的情况下，将SMR区域110b以外的区域变更为CMR区域110a。在此，在CMR区域110a侧与SMR区域110b相邻的防护区域11c和CMR区域110a的一部分被变更为SMR区域110b。

如前所述，在向SMR区域110b的访问时，使用保存于后置码用区域100的后置码。由此，在对SMR区域110b追加磁道时，不需要生成后置码或从后置码用区域100读出后置码的处理。

这样，在CMR与SMR之间切换记录方式时，由于不需要后置码的生成，所以能够抑制该切换所需的时间。

此外，在图5及图6中，对未对记录方式的变更的单位设置限制的例进行了说明。也可以禁止防护区域11c被切换为CMR区域110a及SMR区域110b的任何一者，针对由防护区域11c区隔开的每个区域执行存储方式的变更。另外，存储方式的变更也可以针对区或带等每个单位区域执行。

一般，向磁盘11写入的信号的频率针对伺服信息和用户数据而不同。使用图7～图9对向磁盘11写入的信号的频率进行说明。

图7是用于说明实施方式的向CMR区域110a写入的信号的频率的示意性的图。标号200a是向CMR区域110a写入的信号的波形的一例。从本图可读取到，用户数据比伺服信息(Srv)密集地写入。也就是说，向磁盘11写入的用户数据的信号的频率比向磁盘11写入的伺服信息的信号的频率高。将向磁盘11写入的伺服信息的信号的频率记为伺服频率。伺服频率是第1频率的一例。将向磁盘11写入的用户数据的信号的频率记为写入频率。写入频率是第2频率的一例。

而且，如图7所示，后置码以与伺服信息相同的密度写入。也就是说，后置码以伺服频率写入。

图8是用于说明实施方式的向SMR区域110b写入的信号的频率的示意性的图。标号200b是向SMR区域110b写入的信号的波形的一例。如本图所示，伺服信息以伺服频率写入，用户数据以写入频率写入。

图9是用于说明实施方式的向后置码用区域100写入的信号的频率的示意性的图。标号200c是向后置码用区域100写入的信号的波形的一例。如本图所示，在后置码用区域100中，后置码以写入频率写入。

在假设构成为向SMR区域110b写入后置码的情况下，与CMR区域110a的情况同样，对于SMR区域110b，后置码以伺服频率写入。

在实施方式中，SMR区域110b用的后置码向后置码用区域100密集地写入，因此与向SMR区域110b写入后置码的情况相比，能够抑制向SMR区域110b用的后置码分出的容量。

另外，由于在SMR区域110b中不需要后置码用的区域，所以与SMR区域110b具有后置码用的区域的情况相比，能够增加能够用于用户数据的保存的区域。

也就是说，通过SMR区域110b用的后置码以写入频率向后置码用区域100而非SMR区域110b写入，格式化(format)的效率提高。

此外，SMR是第1方式的一例。第1方式是互相相邻的2个磁道中的1个磁道与该2个磁道中的另一磁道的一部分重叠的方式。

另外，CMR是第2方式的一例。第2方式是互相相邻的2个磁道互相不重叠的方式。

另外，保存于后置码用区域100的SMR用的后置码是第1后置码的一例。另外，保存于后置码用区域100的CMR用的后置码是第2后置码的一例。

接着，说明实施方式的磁盘装置1的动作。

图10是示出对SMR区域110b访问时的实施方式的磁盘装置1的动作的一例的流程图。

控制电路30利用磁头22从后置码用区域100读出属于SMR区域110b的多磁道量的后置码(S101)。在S101中，可以读出属于SMR区域110b的全部磁道所涉及的后置码。或者，也可以读出属于SMR区域110b的磁道中的包括访问对象的磁道的一部分磁道所涉及的后置码。

控制电路30将通过S101的处理而读出后的多磁道量的后置码向缓冲存储器29保存(S102)。

然后，控制电路30使用保存于缓冲存储器的多磁道量的后置码来访问SMR区域110b(S103)。

在S103中，控制电路30利用磁头22读出伺服信息，基于保存于缓冲存储器29的后置码来修正该伺服信息。然后，控制电路30通过基于修正后的伺服信息进行磁头22的定位来访问伺服区11a的后续的用户数据的区域。

通过S103，对SMR区域110b的访问的动作结束。

这样，控制电路30在向SMR区域110b的访问时，执行以下控制：将保存于后置码用区域100的SMR用的后置码读出，使用所读出的后置码来进行伺服信息的修正。

图11是示出将记录方式从SMR切换为CMR时的实施方式的磁盘装置1的动作的一例的流程图。在此，设为能够针对每个预定的单位区域进行切换。

控制电路30当接收到要求从SMR向CMR的切换的命令时(S201)，利用磁头22从后置码用区域100读出CMR区域110a的后置码(S202)。

此外，要求从SMR向CMR的切换的命令包括表示切换对象的范围的信息。例如，该命令包括切换对象的单位区域。该命令能够通过切换对象的单位区域的位置、尺寸或它们的组合来表示切换对象的单位区域。在S202中，读出被指定的单位区域的量的CMR用的后置码。

接在S202之后，控制电路30将所读出的后置码利用磁头22向被指定为切换对象的单位区域的各磁道的伺服区11a的后续的位置写入(S203)。

此外，S202和S203也可以针对预定数量的每个后置码反复执行。在S203中，以CMR的方式执行后置码的写入。

当后置码向被指定为切换对象的单位区域的写入结束后，控制电路30使用写入到各磁道的后置码来将用户数据用的区域格式化(S204)。

在S204中，控制电路30利用磁头22读出伺服信息和保存于该伺服信息的后续的位置的后置码，基于该后置码来修正该伺服信息。然后，控制电路30通过基于修正后的伺服信息进行磁头22的定位来执行用户数据用的区域的格式化。

通过S204，将记录方式从SMR切换为CMR的动作结束。

此外，在防护区域被变更为CMR区域的情况下，也能够执行与图11所示的动作同样的动作。另外，图11所示的动作也能够应用于未对记录方式的变更的单位设置限制的情况。

这样，在被指示了记录方式从SMR向CMR的切换的情况下，控制电路30执行以下控制：从后置码用区域100读出CMR用的后置码，将所读出的后置码向构成切换对象的区域的磁道写入。

图12是示出对CMR区域110a访问时的实施方式的磁盘装置1的动作的一例的流程图。

控制电路30利用磁头22从访问对象的磁道将后置码与伺服信息一起读出(S301)。然后，控制电路30使用所读出的后置码来访问保存有后置码的区域的后续的用户数据用的区域(S302)。

在S302中，控制电路30基于通过S301的处理读出的后置码来修正通过S301的处理读出的伺服信息。然后，控制电路30通过基于修正后的伺服信息进行磁头22的定位来访问伺服区11a的后续的用户数据的区域。

通过S302，对CMR区域110a的访问的动作结束。

图13是示出将记录方式从CMR切换为SMR时的实施方式的磁盘装置1的动作的一例的流程图。在此，设为能够针对每个预定的单位区域执行切换。

控制电路30当接收到要求从CMR向SMR的切换的命令时(S401)，通过将切换对象的CMR区域110a的写入有后置码的区域变更为用户数据用的区域来扩大用户数据用的各区域(S402)。

此外，要求从CMR向SMR的切换的命令包括表示切换对象的范围的信息。例如，该命令包括切换对象的单位区域。该命令能够应该切换对象的单位区域的位置、尺寸或它们的组合来表示切换对象的单位区域。在S402中，控制电路30扩大被指定的单位区域中所包含的用户数据用的各区域。

接在S402之后，控制电路30将用户数据用的区域格式化成SMR用(S403)。由此，在构成切换对象的区域的各磁道中保存的CMR用的后置码被删除，能够实现基于SMR的访问。

通过S403，将记录方式从CMR切换为SMR的动作结束。

此外，在防护区域被变更为SMR区域的情况下，也能够执行与图13所示的动作同样的动作。另外，图13所示的动作也能够应用于未对记录方式的变更的单位设置限制的情况。

这样，控制电路30在被指示了记录方式从CMR向SMR的切换的情况下，执行从切换对象的存储区域删除CMR用的后置码的控制。

在上述的说明中，记录方式的切换设为根据从主机40接收到的要求切换的命令而执行。控制电路30也可以构成为不需要来自主机40的命令而自发地执行记录方式的切换。例如，在SMR区域110b的容量低于了预定量的情况下，主机40也可以通过CMR区域110a的一部分区域所涉及的记录方式的切换而使SMR区域110b的容量增加。

也就是说，作为控制器的控制电路30也可以构成为将SMR区域110b中的至少一部分区域重新分配给CMR区域110a。

如以上所述，根据实施方式，磁盘11具备后置码用区域100，该后置码用区域100预先保存有用于向磁盘11的存储区域以SMR方式写入用户数据的后置码和用于向该存储区域以CMR方式写入用户数据的后置码的双方。

由此，在SMR与CMR之间切换记录方式时，能够省略生成后置码的处理。由于能够抑制在SMR与CMR之间切换记录方式的处理所需的时间，所以能够高速地切换记录方式。

另外，磁盘装置1还具备作为控制器的控制电路30。控制电路30在向设定了SMR作为记录方式的存储区域即SMR区域110b的访问时，执行以下控制：将保存于后置码用区域100的SMR用的后置码读出，使用所读出的后置码来进行伺服信息的修正。

由此，在SMR区域110b中不需要用于保存后置码的区域，因此与在SMR区域110b中保存后置码的情况相比，能够增加能够用于用户数据的保存的区域。

另外，在被指示了记录方式从SMR向CMR的切换的情况下，控制电路30执行以下控制：从后置码用区域100读出CMR用的后置码，将所读出的后置码向切换对象的存储区域内的各磁道写入。

由此，在记录方式从SMR向CMR的切换时，不需要生成后置码的处理，因此能够抑制记录方式从SMR向CMR的切换所需的时间。

此外，伺服信息以伺服频率写入于磁盘11，SMR用的后置码及CMR用的后置码以比伺服频率高的写入频率写入于后置码用区域100。控制电路30执行以下控制：将从后置码用区域100读出的CMR用的后置码，以伺服频率向切换对象的存储区域内的各磁道写入。

另外，在被指示了记录方式从CMR向SMR的切换的情况下，控制电路30执行以下控制：从切换对象的存储区域删除CMR用的后置码。

在记录方式从CMR向SMR的切换时也是，由于不需要生成后置码的处理，所以能够抑制记录方式从CMR向SMR的切换所需的时间。

另外，控制电路30如上述那样构成，所以关于向第1存储区域的访问时的磁头22的控制，执行如下所述的特征性的动作。即，在第1定时、例如设定有SMR作为用户数据向某存储区域(第1存储区域)的写入方式的定时，控制电路30在进行向该第1存储区域的访问时，使磁头22移动到后置码用区域100上后，使磁头22移动到第1存储区域上。另外，在与第1定时不同的第2定时、例如设定有CMR作为用户数据向第1存储区域的写入方式的定时，控制电路30在进行向该第1存储区域的访问时，不使磁头22移动到后置码用区域100上而使磁头22移动到第1存储区域上。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式作为例子而提示，并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。

Claims

1.一种磁盘装置，具备磁盘，

所述磁盘具备第1存储区域和与所述第1存储区域不同的第2存储区域，该第2存储区域保存有用于以第1方式向所述第1存储区域写入用户数据的第1后置码和用于以第2方式向所述第1存储区域写入用户数据的第2后置码的双方，所述第1方式是在所述磁盘的径向上互相相邻的2个磁道中的1个磁道的数据与该2个磁道中的另一磁道的数据的一部分重叠而写入的方式，所述第2方式是在所述磁盘的径向上互相相邻的2个磁道的数据互相不重叠地写入的方式。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

还具备控制器，

在设定有所述第1方式作为所述用户数据相对于所述第1存储区域的写入的方式的情况下，在向所述第1存储区域的访问时，所述控制器执行以下控制：将保存于所述第2存储区域的所述第1后置码读出，使用所读出的所述第1后置码来进行伺服信息的修正。

3.根据权利要求2所述的磁盘装置，

在被要求了从所述第1方式向所述第2方式的切换的情况下，所述控制器执行以下控制：将保存于所述第2存储区域的所述第2后置码读出，将所读出的所述第2后置码向所述第1存储区域内的各磁道写入。

4.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述磁盘以第1频率被写入所述伺服信息，

所述第1后置码及所述第2后置码以比所述第1频率高的第2频率写入于所述第2存储区域，

所述控制器执行以下控制：将从所述第2存储区域读出的所述第2后置码，以所述第1频率向所述第1存储区域内的各磁道写入。

5.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述第2频率与用户数据的写入用的频率相等。

6.根据权利要求3所述的磁盘装置，

在被要求了从所述第2方式向所述第1方式的切换的情况下，所述控制器执行以下控制：将写入于所述第1存储区域的各磁道的所述第2后置码删除。

7.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述磁盘以第1频率被写入伺服信息，

所述第1后置码及所述第2后置码以比所述第1频率高的第2频率写入于所述第2存储区域。

8.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述第2频率与用户数据的写入用的频率相等。

9.根据权利要求1所述的磁盘装置，具备：

控制电路，控制用户数据相对于所述第1存储区域的读出/写入，

所述第1存储区域，包括以所述第1方式被写入用户数据的第1区域和以所述第2方式被写入用户数据的第2区域，

将作为所述第1区域的至少一部分的第3区域重新分配给所述第2区域。

10.一种磁盘装置，具备磁盘，

所述磁盘具备第1存储区域和与所述第1存储区域不同的第2存储区域，该第2存储区域供用于以第1方式向所述第1存储区域写入用户数据的第1后置码和用于以第2方式向所述第1存储区域写入用户数据的第2后置码的双方进行保存，所述第1方式是在磁盘的径向上互相相邻的2个磁道中的1个磁道的数据与该2个磁道中的另一磁道的数据的一部分重叠而写入的方式，所述第2方式是在所述磁盘的径向上互相相邻的2个磁道的数据互相不重叠地写入的方式。

11.一种磁盘装置，具备：

磁盘，具备第1存储区域和与所述第1存储区域不同的第2存储区域；

磁头；及

控制器，在第1定时，在向所述第1存储区域的访问时，执行使所述磁头移动到所述第2存储区域上后使所述磁头移动到所述第1存储区域上的控制，在与所述第1定时不同的第2定时，在向所述第1存储区域的访问时，执行不使所述磁头移动到所述第2存储区域上而使所述磁头移动到所述第1存储区域上的控制。