CN112394559B

CN112394559B - 电子装置

Info

Publication number: CN112394559B
Application number: CN202010423100.0A
Authority: CN
Inventors: 林宜宏; 李宜音; 何家齐; 蔡秀怡
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2019-08-12
Filing date: 2020-05-19
Publication date: 2023-05-16
Anticipated expiration: 2040-05-19
Also published as: CN112394559A

Abstract

本揭露提供一种电子装置。所述电子装置包括一对基板、框胶以及加热单元。所述一对基板包括各自包括周边区与主动区，并且周边区邻近基板的边缘。所述框胶设置于所述一对基板间。所述加热单元设置于所述一对基板其中一者上，包括对应于所述一对基板的所述其中一者的所述周边区设置并且邻近所述基板边缘的第一部分、对应于所述主动区设置的第三部分以及连接所述第一部分以及所述第三部分的第二部分。所述第一部分的阻值小于所述第三部分的阻值。因此，本揭露的电子装置可提升加热效率。

Description

电子装置

技术领域

本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种液晶装置。

背景技术

对于一般的电子装置来说，当操作在低温环境下时，因为电子装置中的某些材料特性的因素，可能导致电子装置无法正常地工作。举例而言，当液晶显示设备或液晶天线装置在低温环境下时，由于液晶材料的特性，导致液晶显示设备或液晶天线装置可能无法正常进行显示或进行传信。有鉴于此，须进行改善。

发明内容

本揭露提供一种具有加热功能的电子装置。

根据本揭露的实施例，所述电子装置包括一对基板、框胶以及加热单元。所述一对基板各自包括周边区与主动区。所述框胶设置于所述一对基板间。所述加热单元设置于所述一对基板其中一者上，并且包括设置于所述周边区并靠近所述基板边缘的第一部分、对应于所述主动区设置的第三部分以及连接所述第一部分以及所述第三部分的第二部分。所述第一部分的阻值小于所述第三部分的阻值。

根据本揭露的实施例，所述电子装置包括一对基板、框胶以及加热单元。所述框胶设置于所述一对基板的其中一者上。所述加热单元设置于所述一对基板的其中一者上。所述加热单元包括第一部分与第二部分。所述第二部分位在所述框胶所围绕的范围内，并且所述加热单元的所述第二部分以外为所述第一部分。所述第一部分的阻值小于所述第二部分的阻值

基于上述，本揭露的电子装置可对应于基板不同区域的加热单元进行阻值设计，以提升加热单元对电子装置的加热效率。

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

附图说明

图1A是本揭露的一实施例的电子装置100的剖面示意图；

图1B是本揭露的一实施例的加热单元的第二设置位置示意图；

图1C是本揭露的一实施例的加热单元的第三设置位置示意图；

图1D是本揭露的一实施例的加热单元的第四设置位置示意图；

图2是本揭露的一实施例的电子装置中，设置有加热单元的基板的俯视图；

图3是本揭露的一实施例的加热单元的第一种阻值配置示意图；

图4是本揭露的一实施例的加热单元的第二种阻值配置示意图；

图5是本揭露的一实施例的加热单元的第一结构剖面示意图；

图6是本揭露的一实施例的加热单元的第二结构剖面示意图；

图7是本揭露的一实施例的加热单元的第三结构剖面示意图；

图8是本揭露的一实施例的加热单元的第四结构剖面示意图。

附图标记说明

100：电子装置；

111、510、610、710、810：第一基板；

112：第二基板

113：液晶层；

1111：周边区；

1113：主动区；

120：框胶；

130A：加热单元；

131：第一接垫；

132：第二接垫；

133、530、630、730、830：加热线；

140：操作单元；

130A1、130A1’：第一部分；

130A2、130A2’：第二部分；

130A3：第三部分；

533、633、733、833：第一导电层；

534、634、734、834：第二导电层；

635：绝缘层；

S1：第一表面；

S2：第二表面；

S3：第三表面；

S4：第四表面；

D1、D2、D3：方向。

具体实施方式

本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包含两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

于文中，“约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内，或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“实质上”的含义。此外，用语“范围介于第一数值及第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰组件，其本身并不意含及代表该，或该些，组件有任何之前的序数，也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的组件得以和另一具有相同命名的组件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。

在本揭露的实施例中，电子装置包括显示设备、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示设备例如可包括液晶、发光二极管、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)，磷光(phosphor)，其他适合的材料，或上述材料的组合，但不限于此。发光二极管例如可包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(QLED or QDLED)，荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料且其材料可任意排列组合，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线装置，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。

图1A是本揭露的一实施例的电子装置100的剖面示意图。在本实施例中，电子装置100包括第一基板111、第二基板112、液晶层113、框胶120、加热单元130A。第一基板111以及第二基板112分别沿着方向D1以及方向D2所形成的平面来延伸。方向D1、方向D2以及方向D3方向不同，举例来说，方向D1、方向D2以及方向D3相互垂直。方向D3为第一基板111的法线方向。第一基板111以及第二基板112之间具有液晶层113，液晶层113中具有液晶分子(liquidcrystal molecules，LC)。框胶120设置于第一基板111与第二基板112之间，并且包围液晶层113。第一基板111包括第一表面S1以及第二表面S2，第一表面S1以及第二表面S2对应设置，并且第二基板112包括第三表面S3以及第四表面S4，第三表面S3以及第四表面S4对应设置。在本实施例中，加热单元130A可设置在第一基板111以及第二基板112之间，并且设置在第一基板111的第一表面S1上。第一基板111的第一表面S1或第二基板112的第四表面S4还可进一步设置例如开关组件(图未示)等电路，本揭露并不加以限制。本实施例的加热单元130A可对电子装置100提供热源，以调整电子装置100内的液晶层113的操作温度。

图1B是本揭露的一实施例的加热单元的第二设置位置示意图。图1B与图1A结构类似，因此相同的组件采用相同的组件符号，于此不再赘述。两图主要的差异在于加热单元130A的位置。参考图1B，电子装置100中，加热单元130A可设置在第一基板111以及第二基板112之间并且设置在第二基板112的第四表面S4上。

图1C是本揭露的一实施例的加热单元的第三设置位置示意图。图1C与图1A结构类似，因此相同的组件采用相同的组件符号，于此不再赘述。两图主要的差异在于加热单元130A的位置。参考图1C，电子装置100中，加热单元130A可设置在第一基板111上，举例来说，设置在第一基板111的第二表面S2上。

图1D是本揭露的一实施例的加热单元的第四设置位置示意图。图1D与图1A结构类似，因此相同的组件采用相同的组件符号，于此不再赘述。两图主要的差异在于加热单元130A的位置。参考图1D，电子装置100中，加热单元130A可设置在第二基板112上，举例来说，设置在第二基板112的第三表面S3上。

在本揭露中，不限制加热单元130A的数量及设置的位置，例如，可以在第一基板111及第二基板112均设置加热单元130A，但本揭露不限于此。

图2是本揭露的一实施例的电子装置中，设置有加热单元的基板的俯视图。请参考图1A及图2，举例来说，加热单元130A设置于第一基板111上，但本揭露不限于此。在本揭露的其他实施例中，加热单元130A亦可设置如图1B、图1C或图1D所示的第一基板111以及第二基板112的其中一者上。在本实施例中，由第一基板111的俯视方向(或可称为第一基板111的法线方向或方向D3)，第一基板111上设置有框胶120、加热单元130A以及操作单元(operating unit)140，但不限于此。框胶120设置于第一基板111以及第二基板112之间。第一基板111包括周边区1111以及主动区1113。周边区1111以及主动区1113可用框胶120来区分，举例来说，第一基板111的主动区1113位在框胶120所围绕的范围内，而周边区1111在框胶120所围绕范围以外的区域。操作单元140位在主动区1113范围内。加热单元130A包括第一接垫131、第二接垫132以及耦接于第一接垫131与第二接垫132之间的多条加热线133。第一接垫131及第二接垫132设置在第一基板111的周边区1111并且邻近第一基板111的边缘。部分加热线133会位在主动区1113内，部分加热线133会位在主动区1113与周边区1111之间。电子装置110可依使用需求或依环境温度变化来施加适当电压于第一接垫131与第二接垫132上，使第一接垫131及第二接垫132作为电压输入接垫，并让施加于第一接垫131上的电压与施加于第二接垫132上的电压具有电压差，以使加热线133因为电压差而有功率消耗并发热，可对电子装置110进行加热。

在本实施例中，电子装置100举例为天线装置，例如液晶天线装置，因此主动区1113内的操作单元140可为微波组件(microwave device)，但本揭露并不限于此。在另一实施例中，电子装置100亦可为液晶面板，因此主动区1113内的操作单元140可为像素单元，但本揭露并不限于此。在本实施例中，加热单元130A的第一接垫131、第二接垫132以及多条加热线133中可分别包含由单层导电材料或多层导电材料形成，在其他实施例中，也可部分的加热线133由单层导电材料或多层导电材料形成。举例来说，导电材料包含例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、氧化铟锡(ITO)，或其他适合的材料或上述的组合，但不限于此。因此，主动区1113内的所述多个操作单元140所对应的液晶分子将可被加热。

在本实施例中，操作单元140位在主动区1113范围内，主动区1113可由最靠近第一基板111边缘的一行操作单元140的外缘或最靠近第一基板111边缘的一列操作单元140的外缘分别再往第一基板111边缘加上一长度来界定，举例来说，可由最靠近第一基板111边缘的一行操作单元140的外缘及最靠近第一基板111边缘的一列操作单元140的外缘分别再往第一基板111边缘加上500微米(um)所围成的范围做为主动区1113，但不限于此。

图3是本揭露的一实施例的加热单元的第一种阻值配置示意图。参考图1A及图3，举例来说，加热单元130A设置于第一基板111上，但本揭露不限于此。在本揭露的其他实施例中，加热单元130A亦可设置如图1B、图1C或图1D所示的位置。并且，由于图3与图2的配置相同，因此相同的组件采用相同的组件符号，于此不再赘述。在本实施例中，加热单元130A包括设置于周边区1111并且邻近第一基板111边缘的第一部分130A1、对应于主动区1113设置的第三部分130A3以及连接第一部分130A1以及第三部分130A3的第二部分130A2。主动区1113可由最靠近第一基板111边缘的一行操作单元140的外缘及最靠近第一基板111边缘的一列操作单元140的外缘分别再往第一基板111边缘加上一长度来界定，长度例如500微米。加热单元130A的第一部分130A1可为电压输入接垫，包括第一接垫131及第二接垫132。加热单元130A的第一部分130A1其阻值为R1奥姆(Ω)，加热单元130A的第二部分130A2其阻值为R2奥姆，并且加热单元130A的第三部分130A3其阻值为R3奥姆。在本实施例中，加热单元130A的第一部分130A1的阻值R1除以第一部分130A1、第二部分130A2以及第三部分130A3的阻值加总(R1+R2+R3)的值约小于5％，即以下式(1)。或者，加热单元130A的第一部分130A1的阻值R1的比例可进一步降低，以使加热单元130A的第一部分130A1的阻值R1除以第一部分130A1、第二部分130A2以及第三部分130A3的阻值加总(R1+R2+R3)的值约小于1％，即以下式(2)。对此，通过调整加热单元130A的阻值分配比例设计，加热单元130A可提高对电子装置100的主动区1113的加热效率，使主动区1113内的多个操作单元140所对应的液晶分子处于适当的操作温度。

在另一实施例中，加热单元130A的第一部分130A1以及第二部分130A2的阻值的加总(R1+R2)除以第一部分130A1、第二部分130A2以及第三部分130A3的阻值加总(R1+R2+R3)的值约小于15％，即以下式(3)。或者，加热单元130A的第一部分130A1以及第二部分130A2的阻值的加总(R1+R2)的比例可进一步降低，以使加热单元130A的第一部分130A1以及第二部分130A2的阻值的加总(R1+R2)除以第一部分130A1、第二部分130A2以及第三部分130A3的阻值加总(R1+R2+R3)的值约小于10％，即以下式(4)。对此，加热单元130A可提高对电子装置100的主动区1113的加热效率。

图4是本揭露的一实施例的加热单元的第二种阻值配置示意图。参考图1A及图4，举例来说，加热单元130A设置于第一基板111上，但本揭露不限于此。在本揭露的其他实施例中，加热单元130A亦可设置如图1B、图1C或图1D所示的位置。并且，由于图4与图2的配置相同，因此相同的组件采用相同的组件符号，于此不再赘述。在本实施例中，加热单元130A包括第一部分130A1’以及第二部分130A2’。第二部分130A2’位在框胶120所围绕的范围内，举例来说，框胶120所围绕的范围不含框胶120所在的区域，换句话说，为液晶层113所在区域，其中第二部分130A2’与框胶120在第一基板111的俯视方向(或可称为第一基板111的法线方向或方向D3)上所围绕的区域重迭。加热单元130A的第二部分130A2’以外的区域为第一部分130A1’。加热单元130A的第一部分130A1’包括第一接垫131及第二接垫132以及部分连接至第一接垫131及第二接垫132的加热线133。加热单元130A的第一部分130A1’其阻值为R1’奥姆，加热单元130A的第二部分130A2’其阻值为R2’奥姆。第一部分130A1’的阻值R1’小于第二部分130A2’的阻值R2’。在本实施例中，加热单元130A的第一部分130A1’的阻值R1’除以第一部分130A1’以及第二部分130A2’的阻值加总(R1’+R2’)的值约小于10％，即以下式(5)。加热单元130A的第一部分130A1’的阻值R1’的比例可进一步降低，以使加热单元130A的第一部分130A1’的阻值R1’除以第一部分130A1’以及第二部分130A2’的阻值加总(R1’+R2’)的值约小于5％，即以下式(6)。对此，加热单元130可提高对电子装置100的主动区1113的加热效率。

值得注意的是，上述图3以及图4的加热单元130A的部分区域的阻值可通过对加热单元130A的各部分进行电性分离后，再利用电阻测量仪进行测量。电性分离方式例如可将加热单元130A的各部分(如第一接垫131与加热线133的连接处)以雷射断开，但不限于此。电阻测量仪例如三用电表(Volt-Ohm-Milliammeter，VOM)，可用探针来接触加热单元130A断开后各部分，以测量其阻值，并且即可进一步计算出上述相关阻值比例关系。

先说明的是，上述图2至图4的加热单元130A的任意区域的剖面结构可各别选择性设计如以下图5至图8的结构。也就是说，图3的加热单元130A的第一部分130A1、第二部分130A2以及第三部分130A3，以及图4的加热单元130A的第一部分130A1’以及第二部分130A2’可分别由相同或不相同的单层导体层或多层导体层所形成。换言之，如上述图2至图4的加热单元130A包含第一接垫131、第二接垫132与加热线133，第一接垫131、第二接垫132与加热线133可依设计为单层导体层或多层导体层而有不同的剖面结构。另外，加热线133在不同加热区域中亦可具有不同剖面结构，其可以依据各加热区域的加热需求来搭配不同的剖面结构设计。

以图3为例，加热单元130A的第一部分130A1可例如采用图8的剖面结构设计，加热单元130A的第二部分130A2可例如采用图5的剖面结构设计，加热单元130A的第三部分130A3可例如采用图6的剖面结构设计，但不限于此。因此，图3的加热单元130A可通过不同部分的不同剖面结构设计来满足上述式(1)～式(4)的阻值比例。图4亦可以此类推，于此不多加赘述。也就是说，在本揭露的一些实施例中，上述的图3以及图4实施例的加热单元130A的各阻值比例关系可通过加热单元130A在不同部分设计以不同的剖面结构设计来实现之。以下，以加热线为例，针对图5至图8的剖面结构，详细说明之，但本揭露不限于此。

图5是本揭露的一实施例的加热线的第一剖面结构示意图。参考图5，在本实施例中，加热线530包括第一导电层533以及第二导电层534。第一导电层533以及第二导电层534可为相同导电材料或不同导电材料。第一导电层533先形成在基板510上，并且第二导电层534形成在基板510上，并且覆盖第一导电层533。在本实施例中，加热线530可通过第一导电层533以及第二导电层534的材料、长度、宽度或高度等结构设计，以调整加热线530的阻值。

图6是本揭露的一实施例的加热单元的第二剖面结构示意图。参考图6，在本实施例中，加热线630包括第一导电层633、第二导电层634以及绝缘层635。第一导电层633以及第二导电层634可为相同导电材料或不同导电材料。第一导电层633先形成在基板610上，之后绝缘层635形成在基板610上，并且部分覆盖第一导电层633。之后第二导电层634形成在绝缘层635上，并且与第一导电层633耦接。在本实施例中，加热线630可通过第一导电层633、第二导电层634以及绝缘层635的材料、长度、宽度或高度等结构设计，以调整加热线630的阻值。

图7是本揭露的一实施例的加热单元的第三剖面结构示意图。参考图7，在本实施例中，加热线730包括第一导电层733以及第二导电层734。第一导电层733以及第二导电层734可为相同导电材料或不同导电材料。第一导电层733先形成在基板710上，之后第二导电层734形成在基板710上，并且部分覆盖第一导电层733。在本实施例中，加热线730可通过第一导电层733以及第二导电层734的材料、长度、宽度、高度或重迭区域的大小等结构设计，以调整加热线730的阻值。

图8是本揭露的一实施例的加热单元的第四剖面结构示意图。参考图8，在本实施例中，加热线830包括第一导电层833以及第二导电层834。第一导电层833以及第二导电层834可为相同导电材料或不同导电材料。第一导电层833先形成在基板810上，之后第二导电层834形成在第一导电层833上。如图8所示，第二导电层834在基板810上的投影面积小于第一导电层833在基板810上的投影面积。在本实施例中，加热线830可通过第一导电层833以及第二导电层834的材料、长度、宽度、高度或重迭区域的大小等结构设计，以调整加热线830的阻值。

综上所述，本揭露的电子装置可通过加热单元的设置，来对于设置在基板的主动区中的电路或组件进行加热，以使本揭露的电子装置具有在低温环境下仍可进行运作的特点。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一对基板，各自包括周边区与主动区，各自所述周边区邻近各自所述基板边缘；

框胶，设置于所述一对基板间；以及

加热单元，设置于所述一对基板其中一者上，包括设置于所述一对基板的所述其中一者的所述周边区且邻近所述基板边缘的第一部分、设置于所述主动区内的第三部分以及连接所述第一部分以及所述第三部分的第二部分，

其中，所述第一部分的阻值小于所述第三部分的阻值，

其中所述加热单元的所述第一部分的阻值除以所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分的阻值的加总小于5％。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述加热单元的所述第一部分包括电压输入接垫。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述加热单元的所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分是分别由不同结构的导体层所形成。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述加热单元的所述第一部分以及所述第二部分的阻值的加总除以所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分的阻值的加总小于15％。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，至少部分所述加热单元由单层导体层或多层导体层所形成。

6.一种电子装置，其特征在于，包括：

一对基板；

框胶，设置于所述一对基板间；以及

加热单元，设置于所述一对基板的其中一者上，包括第一部分与第二部分，其中所述第二部分位在所述框胶所围绕的范围内，并且所述加热单元的所述第二部分以外的部分为所述第一部分，

其中，所述第一部分的阻值小于所述第二部分的阻值，

其中所述第一部分的阻值除以所述第一部分以及所述第二部分的阻值的加总小于10％。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述加热单元的所述第一部分以及所述第二部分是分别由不同结构的导体层所形成。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述加热单元的所述第一部分包括电压输入接垫。

9.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述加热单元由单层导体层或多层导体层所形成。