CN114429963A - 电子装置 - Google Patents
电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114429963A CN114429963A CN202011182325.8A CN202011182325A CN114429963A CN 114429963 A CN114429963 A CN 114429963A CN 202011182325 A CN202011182325 A CN 202011182325A CN 114429963 A CN114429963 A CN 114429963A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electronic device
- wires
- trace
- traces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 117
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N zinc antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[Sb+3] OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Surgical Instruments (AREA)
- Valve Device For Special Equipments (AREA)
- Noodles (AREA)
Abstract
本公开提供一种电子装置,包含基板、发光单元以及线路层。基板具有第一表面以及第二表面,第二表面与第一表面相对,发光单元设置于第一表面上,线路层设置于第二表面上,线路层包含第一层以及第二层,第二层设置于第一层上,第一层包含多条第一走线,第二层包含多条第二走线,且多条第一走线与多条第二走线交错。
Description
技术领域
本公开有关于一种电子装置,特别是有关于电子装置的线路配置。
背景技术
随着电子产品的蓬勃发展,消费者对电子产品(包含面板)的品质、功能抱有很高的期望。电子装置的信号线及/或电源线常会配置于基板的同一侧面上以节省空间。然而,信号线及/或电源线过度集中于某一侧的设置容易造成电流分布不均匀,产生热能累积或电能损耗等,进而影响显示影像的品质,例如画面亮度不均等问题。因此,发展出可改善面板的信赖性或效能的结构设计为目前业界致力研究的课题之一。
发明内容
根据本公开一些实施例,提供一种电子装置,包含基板、发光单元以及线路层。基板具有第一表面以及第二表面,第二表面与第一表面相对,发光单元设置于第一表面上,线路层设置于第二表面上,线路层包含第一层以及第二层,第二层设置于第一层上,第一层包含多条第一走线,第二层包含多条第二走线,且多条第一走线与多条第二走线交错。
根据本公开一些实施例,提供一种电子装置,包含基板、发光单元以及线路层。基板具有第一表面以及第二表面,第二表面与第一表面相对,发光单元设置于第一表面上,线路层设置于第二表面上,线路层包含第一层,第一层包含多条第一走线以及多条第二走线,且多条第一走线与多条第二走线沿一方向交替排列。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1A显示根据本公开一些实施例中,电子装置的部分元件的结构示意图;
图1B显示根据本公开一些实施例中,电子装置的部分元件的结构示意图;
图2A显示根据本公开一些实施例中,对应于图1B的截线T-T’的电子装置的剖面结构示意图;
图2B显示根据本公开一些实施例中,对应于图1B的截线T-T’的电子装置的剖面结构示意图;
图3显示根据本公开一些实施例中,电子装置的部分元件的结构示意图;
图4显示根据本公开一些实施例中,电子装置的部分元件的结构示意图;
图5显示根据本公开一些实施例中,对应于图4的截线Q-Q’的电子装置的剖面结构示意图;
图6显示根据本公开一些实施例中,拼接电子装置的部分元件的结构示意图。
符号说明
10、20、30、10U:电子装置
40:拼接电子装置
100:基板
100A:第一表面
100B:第二表面
100S:侧面
200:线路层
210:第一层
212:第一走线
212s:第一侧线路
220:第二层
222:第二走线
222s:第二侧线路
222-1:分支走线
300:驱动元件
400:保护层
400a:第一子层
400b:第二子层
B1、B2、B3、B4:侧边
D1:第一距离
D2:第二距离
W1:第一线宽
W2:第二线宽
W2-1、W2-2:宽度
T2:厚度
T-T’、Q-Q’:截线
P1:发光单元
X、Y:方向
Z:法线方向
具体实施方式
以下针对本公开实施例的电子装置作详细说明。应了解的是,以下的叙述提供许多不同的实施例,用以实施本公开一些实施例之不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然,这些仅用以举例而非本公开的限定。此外,在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件,以清楚描述本公开。然而,这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例,不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本公开,须注意的是,为了使读者能容易了解及附图的简洁,本公开中的多张附图只绘出电子装置的一部分,且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外,图中各元件的数量及尺寸仅作为示意,并非用来限制本公开的范围。
应理解的是,附图的元件或装置可以所属技术领域的技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语,例如「较低」或「底部」或「较高」或「顶部」,以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是,如果将附图的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。本公开实施例可配合附图一并理解,本公开的附图亦被视为公开说明的一部分。再者,当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时,包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形,或者,其间亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形,在此情形中,第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
本公开通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解,电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中,「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语,因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此,当本公开的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时,其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在,但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语,例如:「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等,仅是参考附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明,而并非用来限制本公开。在附图中,各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而,这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说,为了清楚起见,各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为「在另一个构件上」时,它可以直接在另一个构件上,或者两者之间可存在有其它构件。另一方面,当构件被称为「直接在另一个构件上」时,则两者之间不存在任何构件。另外,当一构件被称为「在另一个构件上」时,两者在俯视方向上有上下关系,而此构件可在另一个构件的上方或下方,而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
此外,应理解的是,虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组件、或部分,这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此,以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本公开的启示的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。
于文中,「约」、「实质上」的用语通常表示在一给定值或范围的10%内,或5%内、或3%之内、或2%之内、或1%之内、或0.5%之内。在此给定的数量为大约的数量,亦即在没有特定说明「约」、「实质上」的情况下,仍可隐含「约」、「实质上」的含义。此外,用语「范围介于第一数值及第二数值之间」表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
应理解的是,以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下,可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突,均可任意混合搭配使用。
在本公开中,厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得,厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得,但不以此为限。另外,任两个用来比较的数值或方向,可存在着一定的误差。若第一值等于第二值,其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10%的误差;若第一方向垂直于第二方向,则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间;若第一方向平行于第二方向,则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
除非另外定义,在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是,这些用语例如在通常使用的字典中定义用语,应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思,而不应以一理想化或过度正式的方式解读,除非在本公开实施例有特别定义。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为「在另一个构件上」时,它可以直接在另一个构件上,或者两者之间可存在有其他构件。另一方面,当构件被称为「直接在另一个构件上」时,则两者之间不存在任何构件。另外,当一构件被称为「在另一个构件上」时,两者在俯视方向上有上下关系,而此构件可在另一个构件的上方或下方,而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
此外,若一数值是介于一第一数值和一第二数值之间,该数值可为该第一数值、该第二数值或该第一数值和该第二数值之间的另一个数值。
根据本公开一些实施例,提供一种电子装置,可借由线路层的配置设计,改善信号(例如电源信号)传送至各个发光单元的分布均匀性,减少信号线过度集中而产生热能累积或电能损耗等情形,进而改善电子装置的显示品质,例如,改善画面亮度不均等问题。
根据本公开一些实施例,电子装置可包含显示装置、发光装置、触控装置、感测装置、拼接装置或前述的组合,但不以此为限。电子装置可包含可弯折或可挠式电子装置。根据一些实施例,电子装置可包含发光二极管(light-emitting diode,LED)、液晶(liquidcrystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot,QD)、其它合适的介质、或前述的组合,但不以此为限。发光二极管可例如包含有机发光二极管(organiclight-emitting diode,OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantumdot,QD,例如可为QLED、QDLED)、其它合适的材料或前述的任意排列组合,但不以此为限。此外,电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、不规则形、具有弯曲边缘的形状或其它合适的形状,电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统或层架系统等周边系统以支援显示装置。下文将以显示装置为例阐述电子装置,但本公开不以此为限。
请参照图1A及图1B,图1A及图1B显示根据本公开一些实施例中,电子装置10的部分元件的结构示意图。应理解的是,为了清楚说明,图中省略电子装置10的部分元件,仅示意地示出部分元件。根据一些实施例,可添加额外特征于以下所述的电子装置10。根据另一些实施例,以下所述电子装置10的部分特征可以被取代或省略。
如图1A及图1B所示,电子装置10包含基板100,基板100具有第一表面100A以及第二表面100B,第二表面100B与第一表面100A相对,即第一表面100A以及第二表面100B为基板100的相反两侧的表面。再者,基板100具有侧面100S,侧面100S与第一表面100A与第二表面100B连接。根据一些实施例,电子装置10具有多个发光单元P1,发光单元P1可设置于第一表面100A。多个发光单元P1可例如定义出一有源区(例如显示区或发光区域)。第一表面100A可例如朝观察者。电子装置10包含线路层200,线路层200可设置于第二表面100B上。
根据一些实施例,基板100包含可挠式基板、刚性基板或前述的组合,但不限于此。根据一些实施例,基板100的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚丙烯(polypropylene,PP)、其它合适的材料或前述的组合,但不限于此。
根据一些实施例,发光单元P1可包含发光二极管,例如可包含有机发光二极管、无机发光二极管例如次毫米发光二极管、微发光二极管或量子点发光二极管(QLED、QDLED)、或前述的组合,但不以此为限。
如图1B所示,根据一些实施例,线路层200包含第一层210以及第二层220,第二层220设置于第一层210上,第一层210可包含多条第一走线212,第二层220可包含多条第二走线222,且第一走线212与第二走线222交错。根据一些实施例,于基板100的法线方向Z上,第一走线212与第二走线222可部分地重叠或交错。根据一些实施例,多条第一走线212可用以提供资料信号或扫描信号,多条第二走线222用以提供电源信号。详细而言,根据一些实施例,第一走线212可为数据线(data line)或扫描线(scan line),第二走线222可为传递工作电压(VDD)或公共接地端电压(VSS)的电源信号线,但不限于此。
如图1B所示,根据一些实施例,电子装置10可包含驱动元件300,驱动元件300可设置于第二表面100B上,且与第一走线212以及第二走线222电性连接。根据一些实施例,驱动元件300可包含集成电路(integrated circuit,IC)、微型芯片(microchip)等来控制驱动元件,但不限于此。
根据一些实施例,驱动元件300可以薄膜覆晶封装(chip on film,COF)或玻璃覆晶封装(chip on glass,COG)等形式设置于基板100的第二表面100B上,但不以此为限。再者,驱动元件300的数量并不限于图中所示出者,根据不同的实施例,电子装置10可具有任意合适数量的驱动元件300。
如图1B所示,根据一些实施例,第二走线222可具有多条分支走线,第一走线212可不具有分支走线。根据一些实施例,基板100的第一表面100B具有侧边B1、侧边B2、侧边B3及/或侧边B4,侧边B1与侧边B2相对,侧边B3与侧边B4相对。根据一些实施例,第一走线212例如从侧边B1至少延伸至驱动元件300的底面(即驱动元件300面对基板100的一表面),但未延伸至对侧的侧边B2,但不限于此。根据一些实施例,第二走线222可从侧边B1延伸至驱动元件300的底面(即驱动元件300面对基板100的一表面),并选择性可延伸至对侧的侧边B2,但不限于此。此外,根据一些实施例(未示出),第二走线222可延伸至侧边B3及/或侧边B4,但不限于此。
根据一些实施例,第二走线222可具有多个分支走线222-1,多个分支走线222-1可汇集并延伸至驱动元件300的底面,第二走线222可经由对应的电极垫(未示出)电性连接至驱动元件300。根据一些实施例,对应于驱动元件300的底面下至少两第二走线222可例如位于多个第一走线212之间,但不限于此。在其他实施例(未示出),对应于驱动元件300的底面下的第二走线222与第一走线212可例如选择性有其他配置方法。在一些实施例,对应于驱动元件300的底面下的第二走线222的数量与对应于驱动元件300的底面下的第一走线212的数量可以相同或不同。在一些实施例(如图1B),对应于驱动元件300的底面下的第二走线222的数量例如小于第一走线212的数量。在一些实施例(如图1B),对应于驱动元件300的底面下的第二走线222例如有两条,一条可用以传递工作电压(VDD),另一条可用以传递公共接地端电压(VSS),但不限于此,第二走线222所传递的信号可根据需求做调整。根据一些实施例,对应于驱动元件300的底面下的第二走线222可例如朝侧边B1及/或侧边B2延伸并分裂成多条分支走线222-1,但不限于此。在其他实施例中,第二走线222的分支走线222-1的数量可以更多或更少。
如图1B所示,根据一些实施例,电子装置10包含多条第一侧线路212s以及多条第二侧线路222s,第一侧线路212s设置于基板100的侧面100S上并分别与第一走线212电性连接,第二侧线路222s设置于基板100的侧面100S上并分别与第二走线222电性连接,且第一侧线路212s与第二侧线路222s彼此未重叠。根据一些实施例,第二侧线路222s例如与第二走线222的分支走线222-1电性连接。
根据一些实施例,第一侧线路212s以及第二侧线路222s可与设置于基板100的第一表面100A上的线路电性连接。虽然图1A中并未完整绘示出设置于基板100的第一表面100A上的线路,但应理解的是,根据一些实施例,第一表面100A上的线路可与发光单元P1电性连接,且可借由第一侧线路212s及/或第二侧线路222s与线路层200的第一走线212以及第二走线222电性连接。
根据一些实施例,设置于侧面100S上的第一侧线路212s以及第二侧线路222s大致上沿着基板100的法线方向Z延伸,但不限于此。根据一些实施例,设置于侧面100S上的第一侧线路212s与第二侧线路222s大致上彼此平行,第一侧线路212s与第二侧线路222s沿一方向X上交替排列,但不限于此。方向X例如为垂直于侧面100S的法线方向的方向,该方向可大致为侧面100S的长边方向。根据一些实施例,在方向X上,多条第一侧线路212s的一者与多条第二侧线路222s的一者相邻且之间例如分隔第一距离D1,第一距离D1例如为第一侧线路212s以及第二侧线路222s之间的最短距离。根据一些实施例,第一距离D1的范围介于50微米(μm)至300微米之间(50μm≤第一距离D1≤300μm),但不限于此。根据一些实施例,第一距离D1的范围介于70微米至250微米之间(70微米≤第一距离D1≤250微米)。根据一些实施例,第一距离D1的范围介于100微米至200微米之间(100微米≤第一距离D1≤200微米)。
此外,在方向X上,在对应于或重叠于驱动元件300的底面下的第一走线212以及第二走线222之间分隔第二距离D2,第二距离D2例如为对应此区的第一走线212以及第二走线222之间的最短距离。
根据本公开实施例,可使用光学显微镜(optical microscopy,OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量元件之间的距离、间距或各元件的厚度或宽度。详细而言,根据一些实施例,可使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面影像,并测量元件之间的距离、或各元件的厚度或宽度。
根据一些实施例,第一走线212、第二走线222、第一侧线路212s以及第二侧线路222s的材料可包含金属导电材料、透明导电材料、其它合适的材料或前述的组合,但不限于此。金属导电材料可包含铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)、钛(Ti)、前述任一金属合金、其它合适的材料或前述的组合,但不限于此。透明导电材料可包含透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO),例如可包含氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化锑锌(antimony zinc oxide,AZO)、氧化锡(tinoxide,SnO)、氧化锌(zinc oxide,ZnO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化铟锡锌(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide,ATO)、其它合适的透明导电材料、或前述的组合,但不限于此。根据一些实施例,第一走线212、第二走线222、第一侧线路212s以及第二侧线路222s可例如为单层结构或多层结构。根据一些实施例,第一走线212、第二走线222、第一侧线路212s以及第二侧线路222s的材料可彼此相同、彼此不同、或部分相同且部分不同。
根据一些实施例,可使用网印制程、喷墨印刷制程(ink jet printing)、化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、电镀制程、无电电镀制程、其它合适的方法或前述的组合形成第一走线212、第二走线222、第一侧线路212s及/或第二侧线路222s。根据一些实施例,可借由一或多个光光刻制程及/或蚀刻制程将第一走线212、第二走线222、第一侧线路212s以及第二侧线路222s图案化。根据一些实施例,光光刻制程可包含光阻涂布(例如旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、掩模对齐、曝光、曝光后烘烤、光阻显影、清洗及干燥等,但不限于此。蚀刻制程可包含干蚀刻制程或湿蚀刻制程,但不限于此。
再者,第一走线212以及第二走线222可于相同或不同的制程中形成,第一侧线路212s以及第二侧线路222s可于相同或不同的制程中形成,且形成第一走线212及第二走线222的制程与形成第一侧线路212s及第二侧线路222s的制程可一起或分开进行。
值得注意的是,相较于仅单侧配置线路的方式,即第二侧线路222s仅设置于一侧边(例如侧边B1),如图1B的第二侧线路222s的设置于多个侧边的线路配置方式,例如第二走线222可由驱动元件300的底面下朝不同方向延伸,例如朝侧边B1及侧边B2方向延伸并可分裂成多条分支走线222-1,通过这些分支走线222-1分别与设置于侧边B1及/或侧边B2上的第二侧线路222s电性连接,可使第二走线222所传递的电源信号以更均匀或分散的方式传递至位于不同侧面上的第二侧线路222s,透过这些第二侧线路222s,使电源信号可以多端点的方式分别传递至发光单元P1中,但不限于此。如图图1A所示,经由第二走线222所传递的电源信号,可经由设置于侧边B1的第二侧线路222s及/或侧边B2的第二侧线路222s(未示出)分别传递至不同的发光单元P1中,借此减少信号过度集中而产生热能累积或电能损耗等情形。举例来说,如图1A所示,电子装置10具有多个发光单元P1,这些发光单元P1例如分成上半部及下半部,设置于侧边B1的第二侧线路222s例如可分别将不同的电源信号(例如VDD或VSS)传递至对应于下半部的部分发光单元P1,而设置于侧边B2的第二侧线路222s例如可分别将不同的电源信号(例如VDD或VSS)传递至对应于上半部的部分发光单元P1,但不限于此。在其它实施例(未示出),多个发光单元P1可以其它的方式来分区,且位于不同侧边上的第二侧线路222s可分别传递电源信号至位于不同区的多个发光单元P1。需注意的是,图1A所示的设置于第一表面100A上的线路配置仅为简单示意,其线路之间省略一些电子元件(如晶体管、电容、扫描线或数据线、或其它电子元件等)。在其它实施例中,可根据需求调整设置于第一表面100A上的线路与发光单元P1的连接关系。需注意的是,传递不同电源信号的第二侧线路222s或第二走线222需彼此电性绝缘。举例当传递不同电源信号的第二侧线路222s或第二走线222为同一层导电层,在线路设计上需彼此不重叠。举例当传递不同电源信号的第二侧线路222s或第二走线222为不同层导电层,这些不同导电层可透过介电层隔开降低短路问题。
应理解的是,线路层200中的第一走线212与第二走线222、以及第一侧线路212s与第二侧线路222s的数量不限于附图中所示出者,根据不同的实施例,电子装置10可具有其它合适数量的第一走线212、第二走线222、第一侧线路212s以及第二侧线路222s。
接着,请参照图2A以及图2B,图2A以及图2B显示根据本公开一些实施例中,对应于图1B的截线T-T’的电子装置10的部分元件的剖面结构示意图。应理解的是,为了清楚说明,图2A以及图2B仅示出线路层200的第一层210、第二层220以及保护层400,省略了其它元件。剖面结构示意图的第一层210及第二层220仅示出单层结构,但第一层210及第二层220可以选择性为单层或多层结构。
如图2A以及图2B所示,根据一些实施例,电子装置10包含保护层400,保护层400覆盖于线路层200上。根据一些实施例,保护层400可设置于基板100的第二表面100B上,但为了使图2A更为清楚,图2A的保护层省略未示出,保护层400可参考图2B所示。详细而言,保护层400可包含至少一子层,例如保护层400可包含第一子层400a以及第二子层400b,第一子层400a覆盖线路层200的第一层210(例如多条第一走线212),第二子层400b覆盖线路层200的第二层220(例如多条第二走线222),第一层210及第二层220属于线路层200的不同层别,但不限于此。根据一些实施例(如后续的图3),保护层400可设置于多条第一侧线路212s以及所述多条第二侧线路212s上。
根据一些实施例,保护层400可用以保护第一走线212以及第二走线222,降低水气或氧气影响而造成第一走线212及/或第二走线222产生腐蚀、氧化风险。根据一些实施例,保护层400可包含有机材料、无机材料、其它合适的保护材料或前述的组合,但不限于此。根据一些实施例,前述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或其它合适的材料,但不限于此。根据一些实施例,前述有机材料可包含环氧树脂(epoxy resins)、硅氧树脂、压克力树脂(acrylic resins)(例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate,PMMA)、苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)、聚亚酰胺(polyimide)、共聚酯(polyester)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(polyfluoroalkoxy,PFA))、其它合适的材料、或前述的组合,但不限于此。再者,保护层400的第一子层400a的材料可与第二子层400b的材料相同或不同。根据一些实施例,第一子层400a的材料可具有介电性质,降低第一走线212以及第二走线222彼此短路。
此外,如图2A所示,根据一些实施例,线路层200的第二层220设置于第一层210上,即第二走线222设置于第一走线212上。根据一些实施例,如图2B所示,线路层200的第一层210可设置于第二层220之上,即第一走线212设置于第二走线222上。
根据一些实施例,多条第一走线212中的一者具有第一线宽W1,多条第二走线222中的一者具有第二线宽W2,第二线宽W2大于或等于第一线宽W1(第二线宽W2≥第一线宽W1)。第一线宽W1定义为于方向X上,第一走线212的最大宽度,第二线宽W2定义为在方向X上,第二走线222的最大宽度。根据一些实施例,多条第二走线222中的一者位于基板100的第二表面100B上的宽度(即第二线宽W2)或位于侧面100S上的第二侧线路222s的宽度W2-1(可参考图1A的第二侧线路222s于X方向上的最大宽度)可大于或等于第二走线222位于基板100的第一表面100A上的宽度W2-2(可参考图1A的第二走线222于X方向上的最大宽度),但不限于此。根据一些实施例,第二走线222位于基板100的第二表面100B的厚度T2或第二侧线路222s的厚度(未示出)可大于或等于第二走线222位于基板100的第一表面100A上的厚度(未示出),但不限于此。借由前述位于第二表面100B的第二走线222或第二侧线路222s的宽度(或厚度)设计大于位于第一表面100A的第二走线222的宽度或厚度,可降低位于第二表面100B的第二走线222或第二侧线路222s的电阻,减少电能损耗等情形。
接着,请参照图3,图3显示根据本公开另一些实施例中,电子装置20的部分元件的结构示意图。应理解的是,后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示,其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似,故此部分于后文中将不再赘述。
图3所示的电子装置20与图1B所示的电子装置10大致上相似,其差异包含,电子装置20的保护层400可设置于基板100的侧面100S上,保护层400可覆盖于多条第一侧线路212s以及多条第二侧线路222s上。根据一些实施例,保护层400可包覆线路层200、第一侧线路212s及/或第二侧线路222s,但不限于此。根据一些实施例,保护层400可至少部分设置于驱动元件300上。
根据一些实施例,设置于基板100的侧面100S上的第一侧线路212s及/或第二侧线路222s可与侧面100S接触。根据一些实施例,第一侧线路212s以及第二侧线路222s可位于同一层别,而保护层400可覆盖第一侧线路212s以及第二侧线路222s,但不限于此。根据一些实施例,设置于侧面100S上的保护层400可具有第一子层(未示出)及第二子层(未示出),第一子层(未示出)可覆盖第一侧线路212s,第二子层(未示出)可覆盖第二侧线路222s,但不限于此。
接着,请参照图4,图4显示根据本公开另一些实施例中,电子装置30的部分元件的结构示意图。如图4所示,根据一些实施例,电子装置30的线路层200包含多条第一走线212以及多条第二走线222,且多条第一走线212与多条第二走线222彼此未重叠或沿一方向X交替排列。详细而言,于基板100的法线方向Z上,第一走线212与第二走线222并未重叠,并且,设置于基板100的侧面100S上的第一侧线路212s与第二侧线路222s亦未重叠。根据一些实施例,设置于侧面100S上的第一侧线路212s与第二侧线路222s大致上彼此平行,但不限于此。根据一些实施例,多条第一侧线路212s与多条第二侧线路222s沿一方向X交替排列。
应理解的是,虽然图示的实施例中,第一侧线路212s及第二侧线路222s是以一对一的方式交替排列(亦即,一条第一侧线路212s、接续为一条第二侧线路222s、再接续为一条第一侧线路212s…的排列方式),但根据另一些实施例,第一侧线路212s及第二侧线路222s可以其它任意合适的数量及方式交替排列。例如,第一侧线路212s及第二侧线路222s可以一对多的方式交替排列(亦即,一条第一侧线路212s、接续为多条第二侧线路222s、再接续为一条第一侧线路212s…的排列方式)、或是以多对一的方式交替排列(亦即,多条第一侧线路212s、接续为一条第二侧线路222s、再接续为多条第一侧线路212s…的排列方式)、或是以多对多的方式交替排列,本公开不以此为限。
如图4所示,根据一些实施例,多条第二走线222可分别不具有分支线路,这些第二走线222可从基板100的侧边B1延伸至侧边B2。换句话说,从侧边B1延伸至驱动元件300的底面下的第二走线222可与从侧边B2延伸至驱动元件300的第二走线222电性连接。
图4的线路配置方式亦可使得第二走线222所传递的电源信号以更均匀或分散的方式传递至位于不同侧面上的第二侧线路222s,透过这些第二侧线路222s,使电源信号可以多端点的方式分别传递至发光单元P1中。
接着,请参照图5,图5显示根据本公开一些实施例中,对应于图4的截线Q-Q’的电子装置30的剖面结构示意图。应理解的是,为了清楚说明,图5仅示出线路层200的第一走线212、第二走线222以及保护层400,省略了其它元件。
如图5所示,根据一些实施例,保护层400可具有单层结构,多条第二走线222与多条第一走线212属于同一层别。根据一些实施例,第二走线222及第一走线212可与基板100的第二表面100B接触,保护层400可覆盖第一走线212及第二走线222。在此实施例中,第一侧线路212s及第二侧线路222s可与基板100的侧面100S接触,即第一侧线路212s及第二侧线路222s可位于同一层别。再者,在此实施例中,第一走线212及第二走线222可于相同的制程中形成,第一侧线路212s及第二侧线路222s可于相同或不同的制程中形成,且形成第一走线212以及第二走线222的制程与形成第一侧线路212s以及第二侧线路222s的制程可一起或分开进行。
接着,请参照图6,图6显示根据本公开另一些实施例中,拼接电子装置40的部分元件的结构示意图。如图6所示,拼接电子装置40可包含彼此相邻拼接的电子装置10U,电子装置10U的结构可与前述任一实施例所描述的电子装置或其组合相同或相似。根据一些实施例,电子装置10U的基板100的侧边B3及侧边B4上可选择性未设置走线,以利于将相邻的两个电子装置10U的基板100接合,例如将左边的电子装置10U的基板100的侧边B4与右边的电子装置10U的基板100的侧边B3接合,降低两个电子装置10U的拼接处的缝隙,降低因拼接处的缝隙对影像显示品质的干扰,但不以此为限。根据不同的实施例,拼接电子装置40可具有任意合适数量的电子装置10U,且可以其它合适的方式进行拼接。
综上所述,根据本公开一些实施例,在提供的电子装置中,可借由线路及/或驱动元件的通道的配置设计,改善线路(例如电源信号线)于有源区的分布均匀性,减少电流过度集中而产生热能累积或电能损耗等情形,或者可进而改善电子装置的显示影像品质,例如,改善画面亮度不均等问题。
虽然本公开的实施例及其优点已公开如上,但应该了解的是,任何本领域技术人员,在不脱离本公开的精神和范围内,当可作更动、替代与润饰。本公开实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突,均可任意混合搭配使用。此外,本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,任何本领域技术人员可从本公开揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开使用。因此,本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本公开的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。本公开的任一实施例或权利要求不须达成本公开所公开的全部目的、优点、特点。
Claims (10)
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一表面以及一第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对;
一发光单元,设置于所述第一表面上;以及
一线路层,设置于所述第二表面上,所述线路层包括一第一层以及一第二层,第二层设置于所述第一层上,所述第一层包括多条第一走线,所述第二层包括多条第二走线,且所述多条第一走线与所述多条第二走线交错。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述基板更具有一侧面,与所述第一表面与所述第二表面连接,且所述电子装置更包括:
多条第一侧线路,设置于所述侧面上并分别与所述多条第一走线电性连接;以及
多条第二侧线路,设置于所述侧面上并分别与所述多条第二走线电性连接,其中所述多条第一侧线路与所述多条第二侧线路彼此未重叠。
3.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于所述多条第一侧线路与所述多条第二侧线路沿一方向交替排列。
4.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于所述多条第一侧线路的一者与所述多条第二侧线路的一者相邻且之间分隔一第一距离,且所述第一距离的范围介于50微米至300微米之间。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述多条第一走线用以提供资料信号或扫描信号,所述多条第二走线用以提供电源信号。
6.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,其中所述多条第二走线中的一者的线宽大于所述多条第一走线中的一者的线宽。
7.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:
一保护层,具有一第一子层与一第二子层,其中所述第一子层覆盖所述多条第一走线,且所述第二子层覆盖所述多条第二走线。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括:
一驱动元件,设置于所述第二表面上且与所述多条第一走线以及所述多条第二走线电性连接。
9.一种电子装置,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一表面以及一第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对;
一发光单元,设置于所述第一表面上;以及
一线路层设置于所述第二表面上,所述线路层包括一第一层,所述第一层包括多条第一走线以及多条第二走线,且所述多条第一走线与所述多条第二走线沿一方向交替排列。
10.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述基板更具有一侧面,所述侧面与所述第一表面与所述第二表面连接,且所述电子装置更包括:
多条第一侧线路,设置于所述侧面上并分别与所述多条第一走线电性连接;以及
多条第二侧线路,设置于所述侧面上并分别与所述多条第二走线电性连接,其中所述多条第一侧线路与所述多条第二侧线路彼此未重叠。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011182325.8A CN114429963A (zh) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 电子装置 |
TW110124140A TWI784609B (zh) | 2020-10-29 | 2021-06-30 | 電子裝置 |
US17/476,680 US11869900B2 (en) | 2020-10-29 | 2021-09-16 | Electronic device |
US18/522,641 US20240096907A1 (en) | 2020-10-29 | 2023-11-29 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011182325.8A CN114429963A (zh) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 电子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114429963A true CN114429963A (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=81308927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011182325.8A Pending CN114429963A (zh) | 2020-10-29 | 2020-10-29 | 电子装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11869900B2 (zh) |
CN (1) | CN114429963A (zh) |
TW (1) | TWI784609B (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5966412B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2016-08-10 | ソニー株式会社 | 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置 |
KR102614612B1 (ko) * | 2016-10-25 | 2023-12-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통홀을 통해 기판의 앞면과 배면을 연결한 평판 표시장치 |
EP3633658B1 (en) * | 2018-02-28 | 2022-10-05 | Kyocera Corporation | Display device, glass substrate, and method for manufacturing glass substrate |
US11107841B2 (en) | 2018-07-04 | 2021-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel and large format display apparatus using the same |
CN113383241B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的扇出走线的断路检测方法及显示基板 |
CN111402754A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-07-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
US11574953B2 (en) * | 2020-08-31 | 2023-02-07 | A.U. Vista, Inc. | Mosaic active matrix driven light emitting diode (LED) display panel |
-
2020
- 2020-10-29 CN CN202011182325.8A patent/CN114429963A/zh active Pending
-
2021
- 2021-06-30 TW TW110124140A patent/TWI784609B/zh active
- 2021-09-16 US US17/476,680 patent/US11869900B2/en active Active
-
2023
- 2023-11-29 US US18/522,641 patent/US20240096907A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202217780A (zh) | 2022-05-01 |
US11869900B2 (en) | 2024-01-09 |
TWI784609B (zh) | 2022-11-21 |
US20220139963A1 (en) | 2022-05-05 |
US20240096907A1 (en) | 2024-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11460948B2 (en) | Touch panel and preparation method thereof, and display apparatus | |
US11668973B2 (en) | Electronic device | |
US9207825B2 (en) | Display device, touch panel device, touch panel driving IC device, and method of driving touch panel | |
CN111007917A (zh) | 电子装置 | |
CN115176220A (zh) | 柔性印刷电路板和显示触控装置 | |
CN112415817A (zh) | 电子装置 | |
US11887947B2 (en) | Electronic device including conductive element on side surface of substrate | |
US20220330430A1 (en) | Bonding pad structure | |
CN114429963A (zh) | 电子装置 | |
US20230378096A1 (en) | Electronic device | |
US20230225052A1 (en) | Connection structure and electronic device | |
US11516919B2 (en) | Display device | |
US20240155777A1 (en) | Electronic device | |
TWI830424B (zh) | 電子裝置 | |
US20220271064A1 (en) | Driving Backplane, Preparation Method for Same, and Display Device | |
TW202324659A (zh) | 電子裝置 | |
CN112216704A (zh) | 线路结构以及包含其的电子装置 | |
CN115885335A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |