CN112382238B - 阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板和显示装置，涉及有机发光显示技术领域，该阵列基板包括衬底，衬底包括主屏区域和副屏区域；副屏区域设置有多个第一驱动电路，主屏区域设置有多个第二驱动电路，第一驱动电路的驱动元件的数量不同于第二驱动电路的驱动元件的数量；衬底上设置有第一导线层和第二导线层，第一导线层包括多条第一导线，第一导线与第一驱动电路连接，且第一导线与第一电源电连接；第二导线层包括多条第二导线，第二导线与第二驱动电路连接，且第二导线与第二电源电连接；第一电源的电压不同于第二电源的电压，以使第一驱动电路和第二驱动电路的驱动电流相等，进而使得主屏区域和副屏区域的显示亮度相同或者趋于相同，显示装置的显示效果好。

Description

阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diod，OLED)由于具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及其制造较简单等优异特性，被广泛应用到显示装置中。
为了提高屏占比，上述显示装置通常采用全面屏，全面屏一般分为主屏区域和副屏区域，其中，副屏区域通常除了需要进行显示外，还需要实现屏下摄像，因此，副屏区域采用的像素驱动电路通常与主屏区域采用的像素驱动电路不同，导致在进行显示时副屏区域的亮度与主屏区域的亮度不同，进而导致显示装置的效果较差。
发明内容
鉴于上述问题，本发明实施例提供一种阵列基板和显示装置，用于使主屏区域和副屏区域的亮度一致或趋于一致，提高显示装置的显示效果。
为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
本发明实施例的第一方面提供一种阵列基板，其包括：衬底，衬底包括主屏区域和位于主屏区域内的副屏区域，副屏区域与屏下图像采集装置相对；副屏区域设置有阵列排布的多个第一驱动电路，主屏区域设置有阵列排布的多个第二驱动电路，第一驱动电路包含的驱动元件数量不同于第二驱动电路包含的驱动元件的数量；衬底上设置有第一导线层和第二导线层，第一导线层包括相互平行的多条第一导线，每条第一导线的一端与对应行的各第一驱动电路连接，且多条第一导线的另一端与第一电源电连接；第二导线层包括相互平行的多条第二导线，每条第二导线的一端与对应行的第二驱动电路连接，且多条第二导线的另一端与第二电源电连接；第一电源的电压不同于第二电源的电压，以使第一驱动电路和第二驱动电路上的驱动电流相等。
在一些实施方式中，第一导线包括第一子线以及两段第二子线，第一子线的两端分别与两段第二子线的一端相连；第一子线位于副屏区域内，第二子线位于主屏区域内，且第一子线为透明导线。
在一些实施方式中，第一子线和第二子线同层设置。
在一些实施方式中，第二导线包括第一分线以及两段第二分线，第一分线的两端分别与两段第二分线的一端相连；第一分线位于副屏区域，第二分线位于主屏区域，第一分线为透明导线。
在一些实施方式中，第一分线与第一子线同层设置。
在一些实施方式中，第一分线和第二分线异层设置。
在一些实施方式中，第一导线和第二导线平行设置。
在一些实施方式中，每个第二驱动电路包括薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括依次层叠设置在衬底上的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和平坦化层，以及设于第一绝缘层和第二绝缘层中的两个源极/漏极，每个薄膜晶体管中的两个源极/漏极与该薄膜晶体管中的有源层电连接；至少位于副屏区域两侧且同一行中相靠近的两个薄膜晶体管中，靠近副屏区域的两个源极/漏极构成两个第二分线。
在一些实施方式中，平坦化层中还设置有多行导电柱塞，每行导电柱塞包括两个导电柱塞，每行中的两个导电柱塞分别与对应一行的两个第二分线电连接；每行导电柱塞中的两个导电柱塞通过第一分线电连接。
在一些实施方式中，平坦化层上设有阳极层，阳极层与第一子线、第一分线由同一次构图工艺形成。
在一些实施方式中，平坦化层包括层叠设置的第一平坦化层和第二平坦化层，第一平坦化层层叠设置在第二绝缘层上；每个导电柱塞设置在第一平坦化层中和第二平坦化层中。
本发明实施例的第二方面提供一种显示装置，显示装置包括上述任一实施方式中的阵列基板。
本发明实施例所提供的阵列基板和显示装置中，衬底包括主屏区域和副屏区域，副屏区域内的每一行第一驱动电路通过第一导线连接，第一导线与第一电源电连接，主屏区域内的每一行第二驱动电路通过第二导线连接，第二导电与第二电源电连接，而且，第一驱动电路包含的驱动元件的数量不同于第二驱动电路包含的驱动元件的数量，第一电源的电压不同于第二电源的电压，这使得第一驱动电路和第二驱动电路上的驱动电流可以相等或者大致相等，如此，主屏区域和副屏区域的显示亮度相同或近似相同，从而提高显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术的显示装置中阵列基板的结构示意图；
图2为相关技术中副屏区域采用的驱动电路图；
图3为相关技术中主屏区域采用的驱动电路图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的全面屏中阵列基板的局部剖视图；
图6为本发明实施例提供的柔性屏中阵列基板的局部剖视图；
图7为相关技术的阵列基板的结构示意图；
图8为相关技术的全面屏中阵列基板的局部剖视图。
附图标记：
100：衬底； 101：主屏区域；
102：副屏区域； 200：第一导线；
201：第一子线； 202：第二子线；
300：第二导线； 301：第一分线；
302：第二分线； 400：薄膜晶体管；
401：有源层； 402：第一绝缘层；
403：栅极层； 404：第二绝缘层；
405：平坦化层； 406：源极/漏极；
407：源区/漏区； 408：导电柱塞；
409：第三绝缘层； 410：第一平坦化层；
411：第二平坦化层； 500：第三导线；
600：阳极层。
具体实施方式
为了实现全面屏显示，如图1所示，显示装置一般分为主屏区域101和副屏区域102，其中，在副屏区域102的下方设置有图像识别装置，实现屏下图像识别功能。当进行屏下图像识别时，显示装置外的光从副屏区域的相邻两个像素之间的间隙进入到图像识别装置，进而实现屏下识别功能。
图像识别装置可以为光学识别模组、指纹采集装置或摄像头，用于进行指纹识别、掌纹识别、虹膜识别、人脸识别或活体识别等生物特征识别功能。下文以图像识别装置为摄像头为例进行描述。
为了提高副屏区域102的像素密度，同时不降低屏下图像识别的效果，副屏区域102采用3T1C的驱动电路，主屏区域101采用7T1C的驱动电路，这样使得副屏区域102的驱动电路所占用的空间小，从而在保证像素之间具有足够的间距的前提下，能够提升副屏区域102的像素密度。
副屏区域102采用的驱动电路和主屏区域101采用的驱动电路使用了相同的电源电压。请参阅图2示出的副屏区域102采用的驱动电路图，以及图3示出的主屏区域101采用的驱动电路图，副屏区域102采用三个晶体管(图2中的M1、M2、M3)和一个电容(图2中的Cst)组成的驱动电路驱动副屏区域102的有机发光层发光，主屏区域101采用七个晶体管(图3中的M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7)和一个电容(图3中的Cst)组成的驱动电路驱动主屏区域101的有机发光层发光，主屏区域101采用的驱动电路具有阈值电压补偿功能，副屏区域102采用的驱动电路没有阈值电压补偿功能，而主屏区域101采用的驱动电路和副屏区域102采用的驱动电路采用了相同的电源电压，这使得主屏区域101采用的驱动电路的驱动电流和副屏区域102采用的驱动电路的驱动电流不同。
请继续参阅图2，副屏区域102的驱动电流为：
Figure BDA0002815213340000041
式中，I1为副屏区域102采用的驱动电路的驱动电流，Vdata为图2中示出的数据电压，VDD1为图2中示出的电源电压，
Figure BDA0002815213340000051
为常数，Vth为阈值电压。
请继续参阅图3所示，主屏区域101的驱动电流为：
Figure BDA0002815213340000052
式中，I2为主屏区域101采用的驱动电路的驱动电流，Vdata为图3中示出的数据电压，VDD2为图3中示出的电源电压，
Figure BDA0002815213340000053
为常数。
其中，VDD1和VDD2相等，主屏区域101采用的驱动电路的驱动电流I2大于副屏区域102采用的驱动电路的驱动电流I1，这使得副屏区域102的亮度偏暗，而主屏区域101的亮度偏亮，显示装置的显示效果差。
针对上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板以及设置有该阵列基板的显示装置，阵列基板通过副屏区域中的每行第一驱动电路与第一导线连接，主屏区域中的每行第二驱动电路与第二导线连接，第一导线和第一电源电连接，第二导线与第二电源电连接，而且第一驱动电路包含的驱动元件的数量与第二驱动电路包含的驱动元件的数量不同，第一电源的电压不同于第二电源的电压，这使得第一驱动电路的驱动电流和第二驱动电路的驱动电流可以相等或者大致相等，进而使得副屏区域和主屏区域的显示亮度相等或者大致相等，显示装置的显示效果好。
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。该显示装置例如可以使用在手机、平板电脑、台式电脑、电视、车载显示器等具有显示装置的电子设备中。
显示装置一般包括阵列基板，阵列基板用于承载显示装置中的其他器件，例如，阵列基板上层叠设置的阳极层、发光层以及阴极层，阳极层、发光层以及阴极层组成显示装置中的OLED层。阵列基板中设置有用于驱动OLED层中的各像素发光的驱动电路。
请参阅图4所示，本实施例的阵列基板包括衬底100，衬底100包括主屏区域101和位于主屏区域101内的副屏区域102，副屏区域102与屏下图像采集装置相对。副屏区域102和主屏区域101同层设置，且副屏区域102的外周侧为主屏区域101。
以设置有本实施例的显示装置的手机为例，该手机的显示装置采用了本实施例的阵列基板，阵列基板的副屏区域下方设置的图像采集装置可以为摄像头，副屏区域102指衬底100中与摄像头相对的区域，副屏区域102通常位于显示装置的上端中间区域，副屏区域102与传统手机上显示装置的开槽(Notch)对应。
副屏区域102设置有阵列排布的多个第一驱动电路，第一驱动电路用于驱动副屏区域102中的像素发光。请参阅图2示出的副屏区域102的第一驱动电路图，第一驱动电路包括了三个晶体管(图2中的M1、M2、M3)和一个电容(图2中的Cst)，也即，第一驱动电路为3T1C电路(T为英文单词Transistor的首字母，T指代晶体管，C为英文单词Capacitor的首字母，C指代电容器)，第一驱动电路不具有阈值电压补偿功能。
主屏区域101设置有阵列排布的多个第二驱动电路，第二驱动电路用于驱动主屏区域101上的像素发光。请参阅图3示出的主屏区域101的第二驱动电路图，第二驱动电路包括了七个晶体管(图3中的M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7)和一个电容(图3中的Cst)，也即，第二驱动电路为7T1C电路(T为英文单词Transistor的首字母，T指代晶体管，C为英文单词Capacitor的首字母，C指代电容器)，第二驱动电路具有阈值电压补偿功能。
第一驱动电路的驱动元件包括三个晶体管和一个电容器，第二驱动电路的驱动元件包括七个晶体管和一个电容器，第一驱动电路的驱动元件的数量少于第二驱动电路的驱动元件的数量。
请参阅图4，衬底100上设置有第一导线层和第二导线层，第一导线层和第二导线层之间绝缘隔开。第一导线层包括相互平行的多条第一导线200，多条第一导线200之间相互绝缘，每条第一导线200的一端与对应行的各第一驱动电路连接，且多条第一导线200的另一端与第一电源电连接，第一电源用于通过第一导线200给与第一导线200连接的各第一驱动电路提供电源电压，该电源电压指图2电路中示出的VDD电压(英文名为VoltageDrain-Drain)。第一电源例如可以由驱动芯片中的电源管理芯片提供，也可以使用外部的恒流源提供。
请继续参阅图4，第二导线层包括相互平行的多条第二导线300，第二导线300和第一导线200平行设置，多条第二导线300之间相互绝缘，每条第二导线300的一端与对应行的第二驱动电路连接，且多条第二导线300的另一端与第二电源电连接，第二电源用于通过第二导线300给与第二导线300连接的各第二驱动电路提供电源电压，该电源电压指图3电路中示出的VDD电压(英文名为Voltage Drain-Drain)。
第一驱动电路和第二驱动电路采用了不同的电源电压，而第一驱动电路的驱动元件的数量不同于第二驱动电路的驱动元件的数量，这使得第一驱动电路的驱动电流和第二驱动电路的驱动电流可以相等或者大致相等，主屏区域101和副屏区域102的亮度相同或者大致相同，显示装置的显示效果好。
请继续参阅图2，副屏区域102的驱动电流为：
Figure BDA0002815213340000071
式中，I1为第一驱动电路的驱动电流，Vdata为图2中示出的数据电压，VDD1为图2中示出的电源电压，
Figure BDA0002815213340000072
为常数，Vth为阈值电压。
请继续参阅图3所示，主屏区域101的驱动电流为：
Figure BDA0002815213340000073
式中，I2为第二驱动电路的驱动电流，Vdata为图3中示出的数据电压，VDD2为图3中示出的电源电压，
Figure BDA0002815213340000074
为常数。
其中，VDD2＞VDD1，且VDD2＝VDD1+Vth，此时，I1＝I2，也即，第一驱动电路的驱动电流I1和第二驱动电路的驱动电流I2相等，如此，主屏区域101和副屏区域102的显示亮度相同或者趋于相同，显示装置的显示效果得到提升。
本发明实施例所提供的阵列基板和显示装置中，衬底100包括主屏区域101和副屏区域102，副屏区域102内的每一行第一驱动电路通过第一导线200连接，第一导线200与第一电源电连接，主屏区域101内的每一行第二驱动电路通过第二导线300连接，第二导线300与第二电源电连接，而且，第一驱动电路的等效电阻大于第二驱动电路的等效电阻，第一电源的电压大于第二电源的电压，这使得第一驱动电路和第二驱动电路上的驱动电流相等，如此，主屏区域101和副屏区域102的显示亮度相同或者趋于相同，显示装置的显示效果得到提升。
请继续参阅图4，第一导线200包括第一子线201以及两段第二子线202，第一子线201的两端分别与两段第二子线202的一端相连，第一子线201位于副屏区域102内，第二子线202位于主屏区域101内，且第一子线201为透明导线，第一子线201可以为氧化铟锡(简称为ITO)。第一子线201设置为透明导线，可以增加副屏区域102的透光率，且降低光的衍射，使得屏下摄像效果更好。
第一导线200中的第二子线202位于主屏区域101，第二子线202可以为例如金属钨、金属钛的金属线，第二子线202和第二导线300平行设置，且第二子线202和第二导线300之间不进行电性连接，也即，第一导线200和第二导线300之间为独立的导线，第一导线200为第一驱动电路提供电源电压，第二导线300为第二驱动电路提供电源电压。
第一子线201以及两段第二子线202同层设置，第一子线201和第二子线202距离衬底100的距离相等。而第一子线201和第二子线202采用的材质不同，故而，第一子线201和第二子线202在不同的制程工艺中成型。
请参阅图5，第二导线300包括第一分线301以及两段第二分线302，第一分线301的两端分别与两段第二分线302的一端相连，第一分线301位于副屏区域102，第二分线302位于主屏区域101，第一分线301为透明导线，第一分线301可以为氧化铟锡(简称为ITO)。第一分线301设置为透明导线，可以增加副屏区域102的透光率，且降低光的衍射，使得屏下摄像效果更好。
第一分线301与第一子线201同层设置，且第一分线301和第一子线201之间电学绝缘，第一分线301和第一子线201平行设置。第一分线301和第一子线201同层设置可以使得第一分线301和第一子线201可以在同一制程工艺中形成，进而提高衬底100的制备效率。
第一分线301和第二分线302异层设置，第二分线302可以为例如金属钨、金属钛形成的金属线，第二分线302和第一分线301在不同的制程工艺中成型。
请参阅图3和图5所示，第二驱动电路包括薄膜晶体管400，该薄膜晶体管400为图3示出的M6晶体管，薄膜晶体管400包括依次层叠设置在衬底100上的有源层401、第一绝缘层402、栅极层403、第二绝缘层404和平坦化层405，以及设于第一绝缘层402和第二绝缘层404中的两个源极/漏极406，薄膜晶体管400中的两个源极/漏极406与该薄膜晶体管400中的有源层401电连接。
第一绝缘层402覆盖有源层401的顶面和侧面，第一绝缘层402构成栅极和有源层401之间的栅极介质层，第一绝缘层402用于对有源层401进行绝缘。第二绝缘层404覆盖栅极层403的顶面和侧面，第二绝缘层404用于对栅极层403进行绝缘。第一绝缘层402和第二绝缘层404例如可以是氧化物层，具体例如为二氧化硅层。
有源层401内形成有两个源区/漏区407，其中一个源区/漏区407构成源区，另一个源区/漏区407构成漏区，在连接在第二驱动电路中时，电流由源区流向漏区。有源层401内还形成有位于两个源区/漏区407之间的沟道，电流从源区流向漏区时，流经沟道。有源层401例如可以是由单晶硅、多晶硅以及本领域技术人员已知的其他材料，有源层401内形成的两个源区/漏区407，例如可以通过在多晶硅内进行离子掺杂得到，例如在p型半导体的有源层401内掺杂磷和砷得到源区/漏区407。
设于第一绝缘层402和第二绝缘层404中的两个源极/漏极406，其中一个源极/漏极406构成源级，另外一个源极/漏极406构成漏极，源极/漏极406在结构上无区别，在连接在第二驱动电路中时，电流由源极流向漏极，换句话说，电流从源极流向源区，从源区流向沟槽，从沟槽流向漏区，从漏区流向漏极，如此，薄膜晶体管400中的两个源极/漏极406与该薄膜晶体管400中的有源层401电连接。
位于副屏区域102两侧且同一行中相靠近的两个薄膜晶体管400中，如图5示出的两个M6晶体管，靠近副屏区域102的两个源极/漏极406构成两个第二分线302，源极/漏极406远离有源层401的顶端暴露在第二绝缘层404外，也即，第二分线302暴露在第二绝缘层404外，以实现第二分线302的顶面与第一分线301连接。
请参阅图5，平坦化层405中还设置有多行导电柱塞408，每行导电柱塞408包括两个导电柱塞408，每行中的两个导电柱塞408分别与对应一行的两个第二分线302电连接，每行导电柱塞408中的两个导电柱塞408通过第一分线301电连接，如此，使得与导电柱塞408电连接的两个第二分线302通过第一分线301连接。第一分线301设置在平坦化层405上，平坦化层405例如为光刻胶层。第一分线301上还设置有第三绝缘层409，第三绝缘层409包覆第一分线301的顶面和侧面，第三绝缘层409用于对第一分线301绝缘。第三绝缘层409例如可以是二氧化硅层。
请参阅图6，在一些柔性屏的实施方式中，平坦化层405包括层叠设置的第一平坦化层410和第二平坦化层411，第一平坦化层410设置在第二绝缘层404上，第二平坦化层411层叠设置在第一平坦化层410上，每个导电柱塞408设置在第一平坦化层410中和第二平坦化层411中，导电柱塞408的顶面漏出第二平坦化层411，导电柱塞408的顶面和第一分线301连接，这样也可以实现与导电柱塞408连接的第二分线302通过第一分线301连接。
请继续参阅图5和图6，平坦化层405上设有阳极层600，阳极层600指OLED层中的阳极层，阳极层600上可以依次设置空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。阳极层600可以采用氧化铟锡(ITO)材料制备得到，第一子线201、第一分线301以及阳极层600之间绝缘设置，相互之间没有电性连接。
请参阅图4，主屏区域101还设置有第三导线层，第三导线层包括相互平行的多条第三导线500，每条第三导线500与对应列的各第二驱动电路连接，具体例如，每条第三导线500与图3示出的参考电压(Vref)和电容连接。
第三导线500和第二导线300异层设置，且第三导线500和第二导线300在空间上横纵交错，在空间上横纵交错指，第三导线500的延伸方向和第二导线300的延伸方向垂直设置，且第三导线层与第二导线层层叠设置。第三导线500仅设置在主屏区域101，第三导线500可以采用金属材料制备得到，例如可以采用钨制备得到。
请参阅图7，图7示出了一种相关技术的阵列基板，该阵列基板中，第二导线300横跨主屏区域101和副屏区域102，其中，第二导线300在主屏区域101中的部分为透明导线，第二导线300在副屏区域102中的部分为非透明导线。但是，相关技术中，主屏区域101和副屏区域102使用相同的驱动电路驱动有机发光层发光，第二导线300同时给主屏区域101和副屏区域102的驱动电路供电，主屏区域101和副屏区域102的驱动电路使用了相同的电源电压，因而，相关技术的阵列基板形成的显示装置，存在主屏区域101和副屏区域102的显示亮度不同，显示装置的效果不佳的问题。
请参阅图8，图8为图7示出的阵列基板的剖视图，其中，第二导线300设置在第二绝缘层404的上方，而阳极层600设置在平坦化层405的上方，阳极层600和第二导线300在主屏区域101的部分需要在不同的制程工艺中成型，制备过程繁琐。
本发明实施例的阵列基板和设置该阵列基板的显示装置，相比相关技术的阵列基板，主屏区域101和副屏区域102分别采用了不同的电源电压，使得主屏区域101和副屏区域102的驱动电流可以相等，进而使得主屏区域101和副屏区域102的显示亮度相同或者趋于相同，显示装置的显示效果好，且制备过程简单方便。
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括主屏区域和位于主屏区域内的副屏区域，所述副屏区域与屏下图像采集装置相对；所述副屏区域设置有阵列排布的多个第一驱动电路，所述主屏区域设置有阵列排布的多个第二驱动电路，所述第一驱动电路包含的驱动元件数量不同于第二驱动电路包含的驱动元件的数量；
所述衬底上设置有第一导线层和第二导线层，所述第一导线层包括相互平行的多条第一导线，每条所述第一导线的一端与对应行的各所述第一驱动电路连接，且多条所述第一导线的另一端与第一电源电连接；
所述第二导线层包括相互平行的多条第二导线，每条所述第二导线的一端与对应行的所述第二驱动电路连接，且多条所述第二导线的另一端与第二电源电连接；
所述第一电源的电压不同于所述第二电源的电压，以使所述第一驱动电路和所述第二驱动电路的驱动电流相等；
所述多条第一导线之间相互绝缘，所述多条第二导线之间相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导线包括第一子线以及两段第二子线，所述第一子线的两端分别与两段所述第二子线的一端相连；
所述第一子线位于所述副屏区域内，所述第二子线位于所述主屏区域内，且所述第一子线为透明导线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子线和所述第二子线同层设置。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导线包括第一分线以及两段第二分线，所述第一分线的两端分别与两段所述第二分线的一端相连；
所述第一分线位于所述副屏区域，所述第二分线位于所述主屏区域，所述第一分线为透明导线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分线与所述第一子线同层设置。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一分线和所述第二分线异层设置。
7.根据权利要求1-6任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线平行设置。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每个所述第二驱动电路包括薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括依次层叠设置在衬底上的有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层和平坦化层，以及设于所述第一绝缘层和第二绝缘层中的两个源极/漏极，每个所述薄膜晶体管中的两个所述源极/漏极与该薄膜晶体管中的有源层电连接；
至少位于所述副屏区域两侧且同一行中相靠近的两个所述薄膜晶体管中，靠近所述副屏区域的两个所述源极/漏极构成两个所述第二分线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层中还设置有多行导电柱塞，每行所述导电柱塞包括两个所述导电柱塞，每行中的两个所述导电柱塞分别与对应一行的两个第二分线电连接；
每行所述导电柱塞中的两个所述导电柱塞通过所述第一分线电连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层包括层叠设置的第一平坦化层和第二平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述第二绝缘层上；
每个所述导电柱塞设置在所述第一平坦化层中和所述第二平坦化层中。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
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